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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要       MEMS已被认为是最有前途的技术之一。在21世纪,它具有革命性的工业和结合以硅为基础的微电子产品微加工技术。 它的技术和微系统电子设备有可能极大地影响我们的生活。本文介绍了微机电系统领域的概况,重点介绍其商业应用和器件制造方法。它还描述了MEMS传感器和执行器的范围可被MEMS器件感知或作用的现象 概述了该行业面临的主要挑战。   介绍         本报告涉及微电子机械系统或MEMS的新兴领域。MEMS是一种用于制造微型集成设备或系统的工艺技术机械及电子元件。 它们是用集成电路(IC)批量制造的加工技术,大小从几微米到几毫米不等。 这些设备(或系统)具有在微尺度上感知、控制和驱动的能力。在宏观尺度上产生影响,MEMS的跨学科性质利用了设计、工程和制造具有集成电路等广泛的技术领域的专业知识制造技术、机械工程、材料科学、电气工程、 化学和化学工程,以及流体工程,光学,仪器仪表和包装。 MEMS的复杂性也体现在广泛的市场和集成MEMS设备的应用程序。 MEMS可以在各种系统中找到汽车、医疗、电子、通信和国防应用。 当前MEMS 设备包括用于安全气囊传感器的加速度计...
发布时间: 2021 - 08 - 19
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料   1.  目的和应用  缓冲氧化物蚀刻(BOE)或仅仅氢氟酸用于蚀刻二氧化硅在硅上晶片。 缓冲氧化蚀刻是氢氟酸和氟化铵的混合物。含氟化铵的蚀刻使硅表面具有原子平滑的表面高频。 由于这一过程中所涉及的酸具有很高的健康风险,建议用户使用在执行工艺之前,请仔细阅读材料安全数据表。   BOE / HF的三个主要用途是:  1)去除硅表面悬浮微结构的牺牲氧化层晶片。  2)去除图案硅片上多余的二氧化硅。  3)去除硅片上的原生寄生二氧化硅 4) 40%的HF用于快速去除氧化物。  5) BOE对氧化物的去除速度较慢,但可以延长光刻胶掩模的寿命。 腐蚀速率通常为30 - 80 nm/min。  6)稀释HF蚀刻——比如5% HF——用于在大约30秒内去除天然氧化物。  BOE过程基于络合反应:  SiO2 + 6 HF à H2SiF6 + 2h2o其中H2SiF6溶于水。该反应是在稀HF溶液中进行的,用NH4F缓冲,以避免耗尽氟离子。 也有报道说,这也减少了光抗蚀剂的攻击氢氟酸。热生长的SiO2和沉积的SiO2都可以在缓冲氢氟酸中蚀刻或直接蚀刻氢氟酸。&...
发布时间: 2021 - 08 - 19
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料       光刻是在掩模中转移几何形状图案的过程,是覆盖在表面的一层薄薄的辐射敏感材料(称为抗辐射剂) ,也是一种半导体晶片。 图5.1简要说明了光刻用于集成电路制造的工艺。 如图5.1(b)所示,辐射为通过口罩的透明部分传播,使其暴露光刻胶不溶于显影剂溶液,从而使之直接将掩模图案转移到晶圆上。 在定义模式之后,需要采用蚀刻工艺选择性地去除屏蔽部分基本层。光刻曝光的性能由三个参数决定: 分辨率、注册和吞吐量。 分辨率定义:半导体晶圆上的薄膜。 注册是衡量其准确性的一个指标连续掩模上的模式可以对齐或叠加在同一晶圆片上先前定义的图案。 吞吐量是数量每小时可以暴露在给定掩模水平下的晶圆。 洁净室  集成电路制造设备需要一个洁净室,特别是在光刻领域,沉积在半导体晶圆和光刻掩模上的灰尘颗粒可能造成设备缺陷。 如图5.2所示,空气中的颗粒附着在掩模表面的图案可以是不透明的随后转移到电路模式,从而导致不好的后果。 例如,图5.2中的粒子1可能导致底层有一个针孔 粒子2可能引起的收缩电流在金属流道中流动,而粒子3可能导致短路从而使电路失效。   光学平板刻法    ...
发布时间: 2021 - 08 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料  摘要 使用具有极强腐蚀性的化学物质去除纳米颗粒表面晶圆,导致衬底损耗。 这间接导致了megasonics的使用,提供声学汽蚀去除小颗粒。 超音波确实会产生气泡空化对晶片结构施加机械力,产生剧烈的空化现象,如过渡空化或微空化喷射会破坏图案结构。 本文提出了一种新的超音波技术该技术稳定地控制了气泡空化现象,且在泡孔处无模式破坏不同的模式。 结果表明,该工艺具有较好的颗粒性能行业标准的双流体喷嘴清洗技术。 这个及时通电的气泡振荡模式提供稳定的空化与宽的动力窗口。 它不同于传统的megasonic当气泡内爆时,会产生过境空化和破坏。 这个新的megasonic该技术可用于清洁28nm及以下的“敏感”结构而不产生任何图案损害。  关键词:无损伤清洗,稳定无剧烈空化,颗粒去除,超音波 技术,单片清洗 介绍  随着特征尺寸的缩小和电路结构的密度的增加,“致命缺陷”的导致芯片在成品率测试中失败的最小缺陷尺寸降低。 这就更难了从较小、密度较大的芯片上去除随机缺陷,特别是当缺陷尺寸小于晶圆表面所谓“边界层”的尺寸和清洗效率降至接近零。 使用超音波清洗可以减少对小颗粒的作用力边界层的厚度。 超音波清洗主要是去除小颗粒...
发布时间: 2021 - 08 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料  批次SPM清洗不符合当前的清洁规范,以及单晶片清洗替代方案对环境造成严重破坏。 为了解决这个难题,ACM开发了Ultra-C作为植入后、cmp后和蚀刻后清洁的环保选择。 收集的数据演示了Ultra-C Tahoe如何满足28nm的要求,同时节省超过80%的SPM。 摘要  批处理SPM系统不满足当前28nm以下的清洁规范/要求。 单晶圆SPM系统在满足清洗要求的同时,使用大量的化学物质进行排水规格低于28 nm。 本文介绍了间歇式SPM系统的使用情况,并对SPM系统的性能进行了分析单一晶圆在集成系统,结果满足技术规格和使用少于80%的SPM化学成分用于单晶圆系统。数据收集结果表明,该系统符合规范要求。介绍  采用干法和湿法相结合的方法,开发了传统的有机光刻胶带材工艺治疗方法。 然而,以反应性等离子体灰化为基础的干燥处理已经出现问题,如等离子体诱导的损伤,抗爆裂,不完全的抗移除,副产品再次沉积,后续需要湿条/清洁。 为了避免等离子问题,湿剥离基于酸性化学反应的工艺,如硫酸和过氧化氢(SPM在80℃-150℃)在。目前的SPM纯湿法工艺无法达到所需的清洁性能由于晶圆上的高颗粒和缺陷,使得SPM是单一的硅片加工是唯一的解决方案。 ...
发布时间: 2021 - 08 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍晶圆的表面污染,特别是颗粒污染物,已经被污染半导体行业自诞生以来的主要问题之一。全加工硅片的成品率与缺陷密度成反比晶片。 降低缺陷密度的一种方法是使用有效的清洁技术有效去除颗粒污染物。 小颗粒尤其困难由于晶圆之间的强静电力而从晶圆上除去 粒子和衬底。 因此,必须找到一种有效的方法有效去除晶圆上的颗粒,且不损坏晶圆。现代晶圆制造设施使用严格的污染控制协议,包括使用洁净室套装、乳胶手套和高度净化通风 系统。 结合这些协议,现代制造设施使用清洗晶片的各种方法,通常包括高压水射流擦洗,  旋转硅片洗涤器,湿化学浴和漂洗器,以及类似的系统。 然而,这些过程容易损坏晶圆片。 此外, 化学过程具有与使用化学品相关的固有危险,如硫酸、氢氧化铵和异丙醇超声波清洗涉及多种复杂的机理,包括空化,机械振动等,取决于清洗时是否使用液体过程或不是。 典型的超声源是一个在A处振荡的平面单频,产生纵波。 振动能量传输随后在流体中传播  在本文中,我们提出了一种有效的清洁裸硅片的方法借助低成本换能器产生的超声波能量。 这项工作是基于一项专利(美国专利# 6,766,813),描述了一种清洗晶圆的方法该方法  本品中使用的真空吸盘可以并入一个改良的真空吸盘中声波发射器。...
发布时间: 2021 - 08 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要虽然听起来可能不像极紫外 (EUV) 光刻那么吸引人,但湿晶圆清洗技术可能比 EUV 更重要,以确保成功的前沿节点、先进的半导体器件制造。这是因为器件可靠性和最终产品良率都与晶圆在经过数百个图案化、蚀刻、沉积和互连工艺步骤时的清洁度直接相关。晶片上的单个颗粒就足以导致致命的缺陷或偏移,最终导致设备故障。当今最先进的节点设备用于关键应用,例如智能汽车、医疗保健和工业应用。因此,设备可靠性比以往任何时候都更加重要。这意味着对设备进行更严格的分类和装箱,这会影响产量。不幸的是,许多传统的晶圆清洁方法不仅不足以满足先进的节点技术,而且还会损坏精细结构,如 finFET 和硅通孔。因此,选择正确的湿式晶圆清洗技术不应作为事后的想法,而应作为稳健制造工艺流程的一部分进行仔细考虑。考虑到这一点,让我们看看湿晶圆清洗技术如何从一门艺术演变为一门科学,以及湿晶圆清洗技术是如何专门针对先进技术节点的需求而开发的。有多少清洁步骤?45 纳米节点技术需要大约 150-200 个独立的清洁工艺步骤。10nm 节点处理使用了该数字的 3 倍,约 800 个清洁工艺步骤,包括:· 光刻胶条· 蚀刻后条· 种植体条· 一般晶圆清洗· 用于多重图案化和 EUV 的背面清洁缩小技...
发布时间: 2021 - 08 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要        在半导体制造业,大量(美国500亿加仑)  超纯水(UPW)是用来冲洗的晶片经过湿化学处理,去除表面的离子污染物。 伟大的关注的是污染物在狭窄的(几十纳米),高纵横比(5:1到20:1)  特征(沟槽、通道和接触孔)。 国际技术路线图半导体(ITRS)规定离子污染水平要降到~以下 1010个原子/平方厘米。 了解漂洗过程中的瓶颈将使节约冲洗用水。在COMSOL平台上开发了一个综合的过程模型初步预测了带图案SiO2衬底上窄结构的漂洗动力学摘要选用清洁。 该模型考虑了各种质量输送的影响机制,包括对流和扩散/扩散,同时发生具有各种表面现象,如杂质的吸附和解吸。体块和表面带电物种的影响,以及它们的感应电影响运输和表面相互作用的领域,已经被处理。 建模结果表明,脱附率对漂洗效果有很大影响吸附污染物,污染物的传质从特征口到体积液体,沟槽纵横比。检测冲洗终点是另一种节约用水的方法湿处理后漂洗。 电化学阻抗的适用性用光谱法(EIS)监测含铜和不含铜HF处理的硅的漂洗情况探讨了污染物。 在第一项研究中,影响表面状态的性质(研究了硅带、耗尽或积累对洗涤速率的影响。 实验结果表明,硅的状态直接影响漂洗动力学离子...
发布时间: 2021 - 08 - 18
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扫码添加微信,获取更多湿法相关资料摘要研究了在半导体制造中的湿清洁过程中使用酸和碱溶液从硅片表面去除颗粒。它有 实验证明,碱性溶液优于酸性溶液对颗粒去除效率的影响。探讨了碱性溶液中颗粒的去除机理确认如下:解决方案蚀刻晶圆表面举起粒子,然后粒子被电排斥从晶圆片表面。 这是通过实验确定的需要0.25 nm/min或更多的刻蚀速率才能提升颗粒吸附在晶圆表面。 的腐蚀速率当混合比为0.05:1:5 (NH40H: H2O2: HzO)时,NH40H- hzoz - hz0溶液为0.3 nm/min。 这种混合比,晶圆片的表面光滑度保持在 最初的水平。 因此,可以将NH40H- hzoz - hz0溶液中NH40H的含量降低到常规溶液的1 /20的水平。另外,已经证实,当pH值  NH40H-Hz0z-Hz0溶液变高,聚苯乙烯乳液球体和天然有机粒子被它们氧化表面变成凝胶,形状改变。 结果表明,颗粒去除效率降低通过氧化有机粒子。有机物的氧化 NH40HHzO2-Hz0溶液中NH40H含量高于0.1:1:s (pH大于9.1)时,颗粒显著增加。这些实验结果表明,混合比NH40H-HzO2-H20溶液应设为0.05:1:5。 这混合比例对保持两种颗粒的去除是有效的硅片的效率和表面光洁度。   本文还讲述了...
发布时间: 2021 - 08 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍         提高成品率是集成电路制造中面临的最大挑战。  最初,过程集中在用一个屈服模(即一个模)生产晶圆片根据IC规范工作的。 一旦获得产量稳步增加。 成品率的限制因素通常是晶圆片污染 在工厂。 这在现在变得更加重要,因为设备的尺寸目前在nm范围内。 洁净室技术被设计成 减少这种污染。 图1显示了两个粒子的例子晶片。 两条金属线之间的微粒会引起短路信号。 图2显示了引起的两种类型缺陷的SEM图像。   图1:晶圆片表面(a)金属线与(b)之间的缺陷         表面缺陷可以影响新层的生长,而缺陷之间金属线会导致短路。 表面上的颗粒会引起误差通过干扰掩模过程进行光刻。 作为设备维  收缩,这些缺陷颗粒的最小尺寸也会收缩。 ......        本文讲述了污染物类型,洁净室设计,晶圆片表面清洁等问题文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁
发布时间: 2021 - 08 - 17
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