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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要在湿法体微机械加工中,蚀刻特性取决于取向。Si{100}和Si{110}晶片上任何几何形状的掩模开口的延长蚀刻导致由最慢蚀刻平面限定的结构。为了制造高尺寸精度的微结构,对准沿着晶体方向的掩模边缘包括这些最慢的蚀刻平面。因此,掩模边缘的精确对准在微/纳米制造中很重要。因此,确定精确的晶体方向至关重要,事实上,这是确保微结构尺寸精确以提高性能的第一步。在这篇综述文章中,我们对精确确定晶体学方向的不同技术进行了综合分析。我们已经介绍了在二十多年的时间里提出的确定Si{100}和Si{110}晶片上的结晶方向的各种技术。除了详细讨论每种技术及其设计和实现之外,我们还对相关的限制、优点和缺点进行了批判性分析。我们还总结了每种技术的关键方面,并以表格的形式呈现,以方便读者参考。这篇综述文章由详尽的讨论组成,对于在湿法各向异性蚀刻领域中的新手或想了解晶体方向测定技术的研究人员来说是一个方便的参考。 介绍微机械加工是MEMS/NEMS工业中微/纳米制造的一个组成部分。有两种微加工方法,即表面微加工和体微加工。顾名思义,表面微加工技术利用衬底(例如晶片)的表面,并且使用表面上沉积的薄膜来制造微/纳米结构。沉积的薄膜用作结构层和牺牲层。另一方面,体微加工选择性地蚀刻体以制造三维特征、悬梁、薄膜等。体微加工进一步分为两类:干法和湿法蚀刻。干法蚀刻主要使用...
发布时间: 2022 - 05 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言本文采用电化学阳极氧化法在p型取向硅片上形成多孔结构。电化学蚀刻的多孔硅(PS)样品在设定的时间间隔内暴露于HCl溶液,导致该材料的稳定和增强的发光。扫描电子显微照片显示了伴随PS表面的HCl处理的深刻变化。通过几何方法使用SEM图像确定PS的孔隙率。有效介质近似方法揭示了折射率随着孔隙率的增加而减小。当样品阳极氧化时,电解液中含有HCl材料表面上Si-H基团的浓度有净下降。在光致发光研究中观察到在498 nm处的强可见发射峰,其相对于蚀刻参数的变化没有明显的偏移。介绍多孔硅(PS)由纳米级尺寸的硅线和空隙的网络组成,这些空隙是在恒定阳极氧化条件下在氢氟酸基电解质溶液中电化学蚀刻晶体硅晶片时形成的。孔隙率和厚度的精确控制允许定制多孔硅的光学性质,并为光电子技术中的大量应用打开了大门。多孔硅由于其在可见光范围内的室温光致发光而引起了极大的关注。然而,关于多孔硅表面的光致发光有两种不同的假说。第一个包括量子限制效应,这是由于分隔孔壁的窄晶体硅壁中的电荷载流子,第二个是由于作为源光发射的内壁中捕获的发光表面物质的存在,第三个是由于表面限制的分子发射体即硅氧烷的存在。表面钝化的作用对于确定多孔层的辐射效率非常重要。多孔硅结构具有良好的机械强度、化学稳定性和与现有硅技术的兼容性,因此具有广泛的潜在应用领域,例如波导、1D光子晶体、化学传感器、生物传感器...
发布时间: 2022 - 05 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言半导体工业中表面处理和预清洗的重要性是众所周知的。为了确保良好的薄膜粘附和金属-半导体接触的低电阻,酸或碱处理后的某些溶剂或等离子体清洗对于去除有机残留物和表面氧化物是必不可少的。已知多种蚀刻剂可有效去除天然GaAs氧化物。然而,对于在特定的加工步骤中使用什么样的处理以及需要什么样的浓度和加工时间来达到有效的结果,工业上几乎没有标准化。此外,与制备特定蚀刻化学物质相关的成本和所涉及的化学物质的有效寿命以前没有被仔细研究过。这篇合作论文将回顾几个大批量生产组织中湿法氧化物去除蚀刻的一般实践,以及对这些实践有效性的研究。 介绍作为制造过程的一部分,所有半导体制造厂都使用酸、碱、溶剂和等离子体清洗来去除氧化物、抗蚀剂浮渣或GaAs以及相关的外延化合物。举例来说,图案化光致抗蚀剂开口可能需要等离子体清洁来移除在显影步骤之后残留的残余抗蚀剂,且这通常随后是氧化物移除以确保蒸发膜的良好粘附。类似地,可能需要表面清洁来为下一层光刻或电介质沉积准备晶片表面。在湿法处理的情况下,化学物质可以作为通风橱中的浴槽获得,或者从晶片轨道或其他自动单晶片处理工具分配。确定使用什么样的镀液、采用什么样的浓度以及有效的镀液寿命应该是工程的责任。本文提供了这些选择的例子,并讨论了美国一些主要制造厂如何利用这些加工步骤。 图1 在蚀刻前、蚀刻1小时内和间隔2...
发布时间: 2022 - 05 - 24
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文将空间交替相移(SAPS)兆频超声波技术应用于TSV晶片的刻蚀后清洗工艺,SAPS技术通过在兆频超声波装置和晶片之间的间隙中改变兆频超声波的相位,在整个晶片的每个点上提供均匀的声能,在这项研究中,使用了5x50 m蚀刻后(博世)TSV晶片,通过物理分析和电气测试进行实验验证。配备有EDX的SEM用于检测清洁前和清洁后的TSV试片的含氟聚合物残余物(即CXFY)的存在,FIB-SEM用于评估镀铜性能,TSV泄漏电流图和电压斜坡介电击穿(VRDB)作为主要电气可靠性指标,也用于评估清洁效果,测试结果表明,兆声能量可以传播到TSV的底部,与传统的单晶片喷淋清洗相比,经过SAPS清洗的晶片表现出明显的电学性能提高。硅通过(TSV)器件是3D芯片封装的关键推动因素,以提高封装密度和提高器件性能,TSV缩放对于实现3DIC对下一代设备的好处至关重要。在这项研究中,空间交替相移(SAPS)兆频超声波技术被应用于TSV蚀刻后清洗中的侧壁残留物去除,SAPS技术通过在兆频超声波换能器和晶片之间的间隙中改变兆频超声波的相位来向晶片表面提供均匀的声能,清除残留物的化学自由基在稀溶液中产生,并由兆频超声波能量促进,此外,在超声搅拌过程中产生的气泡空化的机械力提高了质量传递速率,并提高了清洗过程中残余物的去除效率(图1)。与传统的湿法清洗方法相比,SAPS兆频超声波技...
发布时间: 2022 - 05 - 23
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料随着技术复杂性在亚20nm节点上的加速,半导体制造成本已经快速增加,晶圆尺寸从300毫米过渡到450毫米将是解决这一问题的方法之一,平均而言,采用300毫米晶圆的成本比之前的200毫米晶圆降低了30%,300毫米设备的开发只是简单地缩放200毫米工具,这不足以实现450毫米的成功,工艺技术、衬底处理/运输和工艺灵活性方面的创新是必要的,主要挑战如下:先进技术节点的清洁度、图案塌陷和损坏、湿法蚀刻均匀性、降低拥有成本、通过单晶片工具回收晶片、Si3N4选择性蚀刻。 对先进技术节点的清洁性:根据国际半导体技术路线图(ITRS ),可以肯定的是,半导体制造的未来将继续面临表面准备和关键清洗步骤的重大挑战,例如对颗粒和金属污染的严格要求等,从硬件的角度来看,它可以从三个方面来解决,即室气氛、流体的质量控制以及部件清洁和老化,如表1所示,采用新的室气氛控制设计理念,即使不考虑更大的晶片表面面积(x2.25),450毫米alpha工具的颗粒性能也与300毫米生产工具相当或略好。模式崩溃和损坏:随着尺寸和间距的缩小,在湿法清洗步骤中图案坍塌和损坏的风险增加,使用20纳米以下的FinFET使其更加脆弱,300毫米工具的可行解决方案,例如IPA干燥、低表面张力流体和先进的分配方法,将全部转移到450毫米工具,450毫米湿法清洗工具需要创新的解决方案,目标...
发布时间: 2022 - 05 - 14
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料通常在蚀刻过程之后通过将总厚度变化除以蚀刻时间或者通过对不同的蚀刻时间进行几次厚度测量并使用斜率的“最佳拟合”来测量,当怀疑蚀刻速率可能不随时间呈线性或蚀刻开始可能有延迟时,这样做有时可以实时测量蚀刻速率。蚀刻速度应与应用相称,需要非常浅的蚀刻的应用应该具有相对低的蚀刻速率以保持控制,相反对于具有非常深的特征的应用,实际上蚀刻速率更快以避免冗长的处理时间。重要的是要认识到其他参数会影响蚀刻速率,例如开口面积的大小或结构的纵横比(特征宽度/特征深度),当调整蚀刻速率时,在均匀性、轮廓或选择性之间也可能存在折衷,纵横比也影响蚀刻速率,因为纵横比越大,蚀刻速率越慢。蚀刻中的均匀性是对特定参数下整个晶片一致性的度量,通常,均匀性是指蚀刻速率,但它也可以指其他蚀刻后特征,如选择性和轮廓,由于数据是测量值的集合,因此通常使用统计数据,通过标准偏差来确定数据的分布,通常将一致性称为一个、两个或三个西格玛,另一种方法是使用公式((最大值-最小值)/2 x平均值),必须记住识别由于箝位或其他边缘效应而应排除度量的区域。轮廓是指已经被蚀刻的特征的轮廓或斜率,有些应用需要垂直剖面,有些应用需要倾斜剖面,当开发一个规范时,概要文件经常被作为要考虑的参数之一,轮廓控制是材料、工艺和掩模的函数。选择性是两个蚀刻速率之间的比率,通常是被蚀刻的材料和掩模之间的比率,通常,选择性...
发布时间: 2022 - 05 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文采用混合酸溶液(H3PO4 : H2SO4 = 1 : 3)和熔融KOH作为湿法腐蚀介质,盐酸作为阳极腐蚀介质,用扫描电镜和透射电镜分别观察了蚀坑和T-Ds。图1显示了在熔融KOH中蚀刻的GaN膜的平面SEM图像。如图1中清楚示出的,蚀刻坑都具有相似的对比度,并且都是发育良好的六边形,具有平边缘和尺寸从0.2pm到1 μm的不同尺寸的面,这意味着蚀坑的来源是相同的,最大坑B都是孤立的中等坑和的0,下午7点和1点,可以清楚地看到过蚀刻区域中的不同凹坑,这说明蚀坑不是均匀分布的,蚀坑密度是可靠的,图1( b)显示了放大倍数更高的更清晰的SEM显微照片,通过图1(a ), EPD可以估计为4 X 107/cnr,图2显示了在混合酸溶液中蚀刻的GaN膜的平面图SEM图像,蚀坑也不是均匀分布的,它们的尺寸从0,下午1点到0点,5pm具有不同的对比度,从图2估计的EPD约为5X 108/cm-1,比图1中的EPD大一个数量级,这表明图2中的蚀坑来源比图1中的多。用化学腐蚀方法,如硝酸溶液(H3PO4 : HzSOq 1 : 3)和熔融KOH,盐酸蒸气腐蚀法,扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)研究了GaN薄膜中的腐蚀坑和穿透位错,HCl气相刻蚀和湿法刻蚀GaN薄膜同一位置的SEM图像显示出明显不同的腐蚀坑密度和形状,结果表明,盐酸气相刻蚀可...
发布时间: 2022 - 05 - 10
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料这项研究首先集中于去除直接沉积在硅衬底上的193纳米厚的光刻胶和BARC层,使用FTIR和椭圆偏振光谱(SE)来评估去除效率,在第二部分中,研究了金属硬掩模/多孔低k镶嵌结构上蚀刻后光刻胶和BARC层的去除,扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)用于评估清洗效率,使用平面电容器结构确定暴露于等离子体和湿化学对低k膜的介电常数的影响。图1显示了在50°c下使用溶剂基湿法去除后PR/BARC膜的FTIR光谱,原始PR的特征在于分别归因于PR分子侧基中内酯和酯官能团的约1795 cm-1和约1730 cm-1处的两个吸收峰(数据未显示),对于所研究的所有实验条件,即使清洗时间很短,PR的吸收峰也完全消失,表明PR层被去除,BARC层更难去除。例如,在30-60秒的短清洗时间内,BARC中酯功能的特征吸收带(~ 1725 cm-1和1690 cm-1)仍然存在,更长的清洗时间导致BARC层的完全去除,如这些吸收带的完全消失所证明的。图2显示了对于图案化结构获得的C/Ti原子比的变化,使用实验部分中描述的等离子体序列蚀刻BARC和TiN硬掩模层导致在PR外壳中形成含氟和含钛物质,氟和无机物质的引入使得PR的去除更具挑战性,因为这些物质会导致外壳溶解度显著降低,使用XPS评估图案化结构的去除效率,图2示出了通过XPS测量多孔低介电常数...
发布时间: 2022 - 04 - 29
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文描述了去除金属硬掩模蚀刻后光致抗蚀剂去除和低k蚀刻后残留物去除的关键挑战并概述了一些新的非等离子体为基础的方法。随着图案尺寸的不断减小,金属硬掩模(MHM)蚀刻后留下的光刻抗蚀剂更难去除,因为没有或只有很小部分的光刻抗蚀剂(PR)没有交联的,采用MHM模式,干燥的PR带通常会导致低k材料的顶角的第一类等离子体损伤,延伸到MHM层的边缘下方,这个受损的区域在随后的清洗中很容易受到攻击,从而产生具有非平面顶部表面的介电线,这反过来又会导致严重的线间电容和隔离问题,因此探索了替代的非等离子体途径来去除MHM上的PR。通过UV预处理和浸泡在溶解的溶剂中,从MHM中获得了良好的PR去除效果,如下图所示,这一过程去除了整个等离子体修饰的PR和有机BARC层,紫外处理是在222纳米准分子灯在25mW/cm2的真空下进行的,没有有意加热,臭氧是通过以2标准l/分钟总流量的氧气流到臭氧发生器获得的,其出口的臭氧浓度为20w-ppm,这种臭氧和氧气混合物通过溶剂容器底部的扩散器起泡,同时还证明,这三个方面都是必要的:紫外线预处理臭氧和溶剂,通过选择性地消除每一个单独。首先使用汞探针进行的测量表明,由于单独对部分蚀刻的低k材料进行紫外处理,导致的k值增加小于0.1,这个过程被认为是这样工作的,紫外处理导致PR外壳中C=C结合浓度增加,由FTIR分析解释,这些C=C...
发布时间: 2022 - 04 - 28
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言本文在高真空组合工具中研究了气相预栅极氧化物表面制备:用无水氟化氢蒸汽和甲醇蒸汽蚀刻二氧化硅并通过改变晶片温度、室压和气体流速,这样就可以很好地控制氧化物蚀刻速率。本实验已经实现了氧化物蚀刻速率的5%的标准误差。在60/分钟的氧化物蚀刻速率下,每125毫米晶片产生的颗粒少于10个。原子力显微镜测量显示没有增加硅表面的微观粗糙度,这归因于蒸气氟化氢(HF)蚀刻。 介绍现代集成电路(IC)制造中最重要的工艺之一是预栅氧化晶片表面制备。事实表明,金属氧化物半导体(MOS)器件的性能取决于栅极氧化物生长之前的清洁工艺。然而,在传统制造工艺中,每次工艺完成后,晶圆会在洁净室中从一个工具转移到另一个工具,因此会面临再次污染的风险。对于一些关键的工艺顺序,例如栅极氧化物生长,应该在晶片清洗后立即生长氧化物,以减少氧化物缺陷并获得高的器件成品率。为了实现无污染制造,集群是选项之一。组合工具允许单晶片处理,在此期间,晶片在真空下在处理模块之间转移,并且降低了再污染的风险。配备原位诊断,可以更好地控制过程稳定性。随着晶片尺寸越来越大,单晶片加工变得越来越有吸引力。与真空兼容的气相清洁工艺目前正受到越来越多的关注。在气相过程中,氧化物和其他表面污染物可能会通过活性气体和表面层/污染物之间的反应而被去除。气相处理也具有清洁较小特征的潜力,因为湿法处理受到溶...
发布时间: 2022 - 04 - 27
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