新闻信息中心 - 单片刻蚀清洗设备 - 刻蚀腐蚀设备 - 南通华林科纳半导体设备有限公司

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晶片凸点电镀设备-CSE

发布时间： 2016 - 06 - 22

晶片凸点电镀设备-华林科纳（江苏）CSE 传统的IC器件是硅圆片在前工序加工完毕后，送到封装厂进行减薄、划片、引线键合等封装工序。但无论是双列直插封装（DIP），还是四边引线扁平封装（QFP），封装后的体积都比芯片本身体积大很多倍。由于手机等便携式装置的体积很小，所以要求器件的体积越小越好，像有300多个引出端的液晶显示器（LCD）驱动电路，必须采用WLP的芯片尺寸封装（CSP）。有些特殊的高频器件，为了减小引线电感的影响，要求从芯片到外电路之间的引线越短越好。在这些情况下，华林科纳的工程师采用了芯片尺寸封装（CSP），方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊点，例如金凸点、焊料凸点、铟凸点，然后直接倒装焊在相应的基板上。更多晶圆电镀设备可以关注华林科纳（江苏）半导体设备官网www.hlkncse.com；现在咨询400-8768-096，18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的晶圆电镀设备的相关方案

IPA干燥系统设备-CSE

发布时间： 2016 - 03 - 08

IPA干燥设备-华林科纳CSE华林科纳（江苏）CSE-IPA干燥设备主要用于材料加工太阳能电池片分立器件 GPP等行业中晶片的冲洗干燥工艺，单台产量大，效率高设备名称华林科纳（江苏）CSE-IPA干燥设备应用范围适用于2-8”圆片及方片动平衡精度高规格工艺时间：一般亲水性晶圆片： ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片： ≤30 增加 @ 0.12 μm金属含量：任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点：干燥后无斑点IPA 消耗量： ≤ 30 ml / run 设备制造商华林科纳（江苏）半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ；18913575037IPA 干燥系统组成: IPA干燥工艺原理 01: IPA干燥工艺原理 02:更多的IPA干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncse.com），现在热线咨询0513- 87733829可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

酸/碱刻蚀机

发布时间： 2016 - 03 - 07

刻蚀方法分为：干法刻蚀和湿法刻蚀，干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术，一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区，它是各向异性的刻蚀技术，即在被刻蚀的区域内，各个方向上的刻蚀速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术；湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，这是各向同性的刻蚀方法，利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料，通常SiO2采用湿法刻蚀技术，有时金属铝也采用湿法刻蚀技术。下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程：二氧化硅腐蚀：在二氧化硅硅片腐蚀机中进行，腐蚀液是由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时，腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高，腐蚀越快，掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度最敏感，温度越高，腐蚀越快。具体步骤为：1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S，上下晃动，浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）的作用是减小硅片的表面张力，使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触，从而达到充分腐蚀；2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液（氟化铵溶液）的槽中浸泡，上下晃动片架使得二氧化硅腐蚀更充分，腐蚀时间可以调整，直到二氧化硅腐蚀干净为止；3、冲纯水；4、甩干。二氧化硅腐蚀机理为：SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6（六氟硅酸）是可溶于水的络合物，利用这个性质可以很容易通过光刻工艺实现选择性腐蚀二氧化硅。为了获得稳定的腐蚀速率，腐蚀二氧化硅的腐蚀液一般用HF、NH4F与纯水按一定比例配成缓冲液。由于基区的氧化层较发射区的厚，以前小功率三极管的三次光刻（引线孔光刻）一般基极光刻和发射极光刻分步光刻，现在大部分都改为一步光刻，只有少部分品种还分步光刻，比如2XN003，2XN004，2XN013，2XP013等...

高温磷酸清洗机

发布时间： 2016 - 03 - 07

设备名称：高温磷酸清洗机设备型号：CSE-SZ2011-16整机尺寸：约2800mm（L）×1200mm(w)×1900mm（H）节拍：根据实际工艺时间可调清洗量：批量清洗时，采用提篮装片，单次清洗圆片的数量要求如下2＂外延片，每次不少于1蓝，每篮不少于25片4＂外延片，每次不少于1蓝，每篮不少于20片6＂外延片，每次不少于1蓝，每篮不少于20片框架材料:优质10mm瓷白PP板机壳，优质碳钢骨架，外包3mmPP板防腐机台底部：废液排放管路，防漏液盘结构机台支脚：有滑轮装置及固定装置，并且通过可调式地脚，可高低调整及锁定功能DIW上水管路及构件采用日本积水CL-PVC管材，排水管路材质为PP管排风：位于机台后上部工作照明：上方防酸型照明台面板为优质10mmPP板（带有圆形漏液孔，清除台面残留液体）附件：水、气枪左右各两套控制方式：PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 组合控制；安全保护装置： ●设有EMO(急停装置)， ●强电弱点隔离 ●设备三层防漏托盘倾斜漏液报警设备整体置于防漏托盘内台面布置图：各槽工艺参数

芯片镀金设备-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

芯片镀金设备-华林科纳（江苏）CSE 晶圆电镀工艺在半导体、MEMS、LED 和 WL package 等领域中应用非常广泛。华林科纳（江苏）的晶圆电镀设备针对这些应用研发和生产的，对所有客户提供工艺和设备一体化服务。产品分生产型和研发型两大类，适合不同客户的需求。设备名称华林科纳（江苏）CSE-芯片镀金设备应用领域：半导体、MEMS、LED操作模式：PLC集成控制具体应用：电镀、电铸工艺类型：电镀Au，Cu，Ni，Sn,Ag晶圆尺寸：8inch或以下尺寸，单片或多片基本配置：操作台（1套），主电镀槽（2套），腐蚀槽（2套），清洗（1套）设备功能和特点（不同电镀工艺配置有所差异） 1. 产品名称：芯片镀金设备 2. 产品系列：CSE-XL3. 晶圆尺寸：4-6inch. 4. 集成控制系统，内置MST-MP-COTROL程序 5. 主体材料：劳士领PP 6. 四面溢流设计 7. 温度控制系统：70+/-1C 8. 循环过滤出系统，流量可调。 9. 垂直喷流挂镀操作。 10. 专用阴阳极 11. 阴极摆动装置，频率可调。 12. 阳极均化装置。 13. 防氧化系统。 14. 充N2装置。 15. 排风操作台，风量可调。 16. 活化腐蚀系统。 17. 三级清洗系统。 18. 电镀液体系：均为无氰电镀液体系。 19. 工艺：表面均匀，厚度1-100um，均匀性5% 设备制造商华林科纳（江苏）半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ；18913575037更多晶圆电镀设备可以关注华林科纳（江苏）半导体设备官网w...

异质结电池HIT HJT制绒清洗设备

发布时间： 2017 - 04 - 06

异质结高效电池(HJT、HIT)制绒清洗设备—华林科纳CSE 设备用途：对高效太阳能电池异质结电池片进行制绒、清洗设备工艺流程：l H2O2工艺：SC1处理→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(HNO3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干l O3工艺：预清洗(O3)→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(O3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干技术特点：l 兼容MES、UPS和RFID功能l 机械手分配合理，有效避免药液交叉污染和槽体反应超时l 结构布局紧凑合理并且采用双层槽结构，设备占地空间小l 先进的400片结构，有效提高设备工艺产能l 工艺槽体采用“定排定补”模式和“时间补液”模式相结合，有效延长药液使用寿命和减少换液周期l 补配液采用槽内与补液罐双磁致伸缩流量计线性检测，以及可调节气阀控流结构，有效保证初配时间和微量精补配液的精度l 所有与液体接触材料优化升级，避免材料使用杂质析出l 采用最新低温烘干技术，保证槽内洁净度和温度控制精度技术参数：l 设备尺寸（mm）：26600(L)*2800(W)*2570(H)l Uptime：≥95%l 破片率：≤0.05%l MTTR：4hl MTBF：450hl 产能：6000pcs/hl 功率消耗：398KW更多异质结高效电池制绒清洗相关设备，可以关注网址：http://www.hlkncse.com，热线：400-8768-096，18913575037

单腔立式甩干机-CSE

发布时间： 2016 - 12 - 05

单腔立式甩干机-华林科纳CSE华林科纳（江苏）CSE-单腔立式甩干机系统应用于各种清洗和干燥工艺设备名称华林科纳（江苏）CSE-单腔立式甩干机优点清洗系统应用于各种清洗和干燥工艺不同配置（可放置台面操作的设备、单台独立、双腔）适用于晶圆尺寸至200mm 最佳的占地，设备带有滚轮可移动优越的可靠性独特的模块化结构极其便于维修易于使用和操作一般特征适用于晶圆直径至200mm 25片晶圆单盒工艺标准的高边和低边花篮可选内置电阻率检测传感器来控制晶圆的清洗工艺用冷或热的N2辅助晶圆干燥离心头容易更换图形化的界面：基于PLC的彩色5.7“的触摸屏可以编辑10多个菜单，每个菜单可有10步多等级用户密去静电装置安装于工艺腔室区去离子水回收电阻率监测装置机械手自动加载可放置台面操作的设备、单台独立、双腔 SECS/GEM 去离子水加热系统底座置放不锈钢滚轮溶剂灭火装置适用特殊设计的花篮设备制造商华林科纳（江苏）半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 0513-87733829；更多的单腔立式甩干机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncse.com），现在热线咨询400-8798096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

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PFA的性能，优点及用途

PFA的性质是什么？PFA具有与FEP相似的性质，但由于其熔体粘度低于PTFE，因此可在高达+260°C的工作温度下使用，同时保持可熔融加工性。 PFA具有几个独特的性质，使其适用于医疗、化学和电气应用等。PFA具有以下特性: ·最高+260°C的极高工作温度·-200°C的极低工作温度·不粘特性·低摩擦表面·非常高的耐化学品和耐溶剂性·非常高的电阻·生物相容性 PFA的优缺点是什么？除了具有含氟聚合物的独特性能外，PFA还具有以下优势: ·+260°C的连续工作温度–除了PTFE，PFA的工作温度是所有氟塑料中最高的·焊接和再成型潜力·针对恶劣环境条件的保护·与电、热、化学品和溶剂绝缘·良好的抗渗透性·可提供高纯度等级·高清晰度 PFA具有与PTFE相似的物理和化学性质，但它的挠曲寿命是PTFE的10倍，渗透率更低。PFA具有出色的抗裂性和抗应力性以及低摩擦系数。 PFA的主要缺点是比PTFE或FEP贵。 PFA是用来做什么的？PFA广泛应用于需要更高纯度、优异耐化学性和高工作温度的应用中，例如医用管道到热交换器、半导体篮、泵和配件以...

发布时间: 2022 - 07 - 25

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湿法加工中掩模对准晶体方向的确定

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料摘要在湿法体微机械加工中，蚀刻特性取决于取向。Si{100}和Si{110}晶片上任何几何形状的掩模开口的延长蚀刻导致由最慢蚀刻平面限定的结构。为了制造高尺寸精度的微结构，对准沿着晶体方向的掩模边缘包括这些最慢的蚀刻平面。因此，掩模边缘的精确对准在微/纳米制造中很重要。因此，确定精确的晶体方向至关重要，事实上，这是确保微结构尺寸精确以提高性能的第一步。在这篇综述文章中，我们对精确确定晶体学方向的不同技术进行了综合分析。我们已经介绍了在二十多年的时间里提出的确定Si{100}和Si{110}晶片上的结晶方向的各种技术。除了详细讨论每种技术及其设计和实现之外，我们还对相关的限制、优点和缺点进行了批判性分析。我们还总结了每种技术的关键方面，并以表格的形式呈现，以方便读者参考。这篇综述文章由详尽的讨论组成，对于在湿法各向异性蚀刻领域中的新手或想了解晶体方向测定技术的研究人员来说是一个方便的参考。介绍微机械加工是MEMS/NEMS工业中微/纳米制造的一个组成部分。有两种微加工方法，即表面微加工和体微加工。顾名思义，表面微加工技术利用衬底(例如晶片)的表面，并且使用表面上沉积的薄膜来制造微/纳米结构。沉积的薄膜用作结构层和牺牲层。另一方面，体微加工选择性地蚀刻体以制造三维特征、悬梁、薄膜等。体微加工进一步分为两类:干法和湿法蚀刻。干法蚀刻主要使用...

发布时间: 2022 - 05 - 26

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HCL处理对多孔硅光电应用的影响

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言本文采用电化学阳极氧化法在p型取向硅片上形成多孔结构。电化学蚀刻的多孔硅(PS)样品在设定的时间间隔内暴露于HCl溶液，导致该材料的稳定和增强的发光。扫描电子显微照片显示了伴随PS表面的HCl处理的深刻变化。通过几何方法使用SEM图像确定PS的孔隙率。有效介质近似方法揭示了折射率随着孔隙率的增加而减小。当样品阳极氧化时，电解液中含有HCl材料表面上Si-H基团的浓度有净下降。在光致发光研究中观察到在498 nm处的强可见发射峰，其相对于蚀刻参数的变化没有明显的偏移。介绍多孔硅(PS)由纳米级尺寸的硅线和空隙的网络组成，这些空隙是在恒定阳极氧化条件下在氢氟酸基电解质溶液中电化学蚀刻晶体硅晶片时形成的。孔隙率和厚度的精确控制允许定制多孔硅的光学性质，并为光电子技术中的大量应用打开了大门。多孔硅由于其在可见光范围内的室温光致发光而引起了极大的关注。然而，关于多孔硅表面的光致发光有两种不同的假说。第一个包括量子限制效应，这是由于分隔孔壁的窄晶体硅壁中的电荷载流子，第二个是由于作为源光发射的内壁中捕获的发光表面物质的存在，第三个是由于表面限制的分子发射体即硅氧烷的存在。表面钝化的作用对于确定多孔层的辐射效率非常重要。多孔硅结构具有良好的机械强度、化学稳定性和与现有硅技术的兼容性，因此具有广泛的潜在应用领域，例如波导、1D光子晶体、化学传感器、生物传感器...

发布时间: 2022 - 05 - 25

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晶圆表面处理和预清洁动态

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言半导体工业中表面处理和预清洗的重要性是众所周知的。为了确保良好的薄膜粘附和金属-半导体接触的低电阻，酸或碱处理后的某些溶剂或等离子体清洗对于去除有机残留物和表面氧化物是必不可少的。已知多种蚀刻剂可有效去除天然GaAs氧化物。然而，对于在特定的加工步骤中使用什么样的处理以及需要什么样的浓度和加工时间来达到有效的结果，工业上几乎没有标准化。此外，与制备特定蚀刻化学物质相关的成本和所涉及的化学物质的有效寿命以前没有被仔细研究过。这篇合作论文将回顾几个大批量生产组织中湿法氧化物去除蚀刻的一般实践，以及对这些实践有效性的研究。介绍作为制造过程的一部分，所有半导体制造厂都使用酸、碱、溶剂和等离子体清洗来去除氧化物、抗蚀剂浮渣或GaAs以及相关的外延化合物。举例来说，图案化光致抗蚀剂开口可能需要等离子体清洁来移除在显影步骤之后残留的残余抗蚀剂，且这通常随后是氧化物移除以确保蒸发膜的良好粘附。类似地，可能需要表面清洁来为下一层光刻或电介质沉积准备晶片表面。在湿法处理的情况下，化学物质可以作为通风橱中的浴槽获得，或者从晶片轨道或其他自动单晶片处理工具分配。确定使用什么样的镀液、采用什么样的浓度以及有效的镀液寿命应该是工程的责任。本文提供了这些选择的例子，并讨论了美国一些主要制造厂如何利用这些加工步骤。图1 在蚀刻前、蚀刻1小时内和间隔2...

发布时间: 2022 - 05 - 24

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TSV蚀刻后清洗工艺

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料本文将空间交替相移(SAPS)兆频超声波技术应用于TSV晶片的刻蚀后清洗工艺，SAPS技术通过在兆频超声波装置和晶片之间的间隙中改变兆频超声波的相位，在整个晶片的每个点上提供均匀的声能，在这项研究中，使用了5x50 m蚀刻后(博世)TSV晶片，通过物理分析和电气测试进行实验验证。配备有EDX的SEM用于检测清洁前和清洁后的TSV试片的含氟聚合物残余物(即CXFY)的存在，FIB-SEM用于评估镀铜性能，TSV泄漏电流图和电压斜坡介电击穿(VRDB)作为主要电气可靠性指标，也用于评估清洁效果，测试结果表明，兆声能量可以传播到TSV的底部，与传统的单晶片喷淋清洗相比，经过SAPS清洗的晶片表现出明显的电学性能提高。硅通过(TSV)器件是3D芯片封装的关键推动因素，以提高封装密度和提高器件性能，TSV缩放对于实现3DIC对下一代设备的好处至关重要。在这项研究中，空间交替相移(SAPS)兆频超声波技术被应用于TSV蚀刻后清洗中的侧壁残留物去除，SAPS技术通过在兆频超声波换能器和晶片之间的间隙中改变兆频超声波的相位来向晶片表面提供均匀的声能，清除残留物的化学自由基在稀溶液中产生，并由兆频超声波能量促进，此外，在超声搅拌过程中产生的气泡空化的机械力提高了质量传递速率，并提高了清洗过程中残余物的去除效率(图1)。与传统的湿法清洗方法相比，SAPS兆频超声波技...

发布时间: 2022 - 05 - 23

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450mm湿法清洁挑战

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料随着技术复杂性在亚20nm节点上的加速，半导体制造成本已经快速增加，晶圆尺寸从300毫米过渡到450毫米将是解决这一问题的方法之一，平均而言，采用300毫米晶圆的成本比之前的200毫米晶圆降低了30%，300毫米设备的开发只是简单地缩放200毫米工具，这不足以实现450毫米的成功，工艺技术、衬底处理/运输和工艺灵活性方面的创新是必要的，主要挑战如下:先进技术节点的清洁度、图案塌陷和损坏、湿法蚀刻均匀性、降低拥有成本、通过单晶片工具回收晶片、Si3N4选择性蚀刻。对先进技术节点的清洁性：根据国际半导体技术路线图(ITRS ),可以肯定的是，半导体制造的未来将继续面临表面准备和关键清洗步骤的重大挑战，例如对颗粒和金属污染的严格要求等，从硬件的角度来看，它可以从三个方面来解决，即室气氛、流体的质量控制以及部件清洁和老化，如表1所示，采用新的室气氛控制设计理念，即使不考虑更大的晶片表面面积(x2.25)，450毫米alpha工具的颗粒性能也与300毫米生产工具相当或略好。模式崩溃和损坏：随着尺寸和间距的缩小，在湿法清洗步骤中图案坍塌和损坏的风险增加，使用20纳米以下的FinFET使其更加脆弱，300毫米工具的可行解决方案，例如IPA干燥、低表面张力流体和先进的分配方法，将全部转移到450毫米工具，450毫米湿法清洗工具需要创新的解决方案，目标...

发布时间: 2022 - 05 - 14

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蚀刻性能：需要考虑的 9 个因素

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料通常在蚀刻过程之后通过将总厚度变化除以蚀刻时间或者通过对不同的蚀刻时间进行几次厚度测量并使用斜率的“最佳拟合”来测量，当怀疑蚀刻速率可能不随时间呈线性或蚀刻开始可能有延迟时，这样做有时可以实时测量蚀刻速率。蚀刻速度应与应用相称，需要非常浅的蚀刻的应用应该具有相对低的蚀刻速率以保持控制，相反对于具有非常深的特征的应用，实际上蚀刻速率更快以避免冗长的处理时间。重要的是要认识到其他参数会影响蚀刻速率，例如开口面积的大小或结构的纵横比(特征宽度/特征深度)，当调整蚀刻速率时，在均匀性、轮廓或选择性之间也可能存在折衷，纵横比也影响蚀刻速率，因为纵横比越大，蚀刻速率越慢。蚀刻中的均匀性是对特定参数下整个晶片一致性的度量，通常，均匀性是指蚀刻速率，但它也可以指其他蚀刻后特征，如选择性和轮廓，由于数据是测量值的集合，因此通常使用统计数据，通过标准偏差来确定数据的分布，通常将一致性称为一个、两个或三个西格玛，另一种方法是使用公式((最大值-最小值)/2 x平均值)，必须记住识别由于箝位或其他边缘效应而应排除度量的区域。轮廓是指已经被蚀刻的特征的轮廓或斜率，有些应用需要垂直剖面，有些应用需要倾斜剖面，当开发一个规范时，概要文件经常被作为要考虑的参数之一，轮廓控制是材料、工艺和掩模的函数。选择性是两个蚀刻速率之间的比率，通常是被蚀刻的材料和掩模之间的比率，通常，选择性...

发布时间: 2022 - 05 - 13

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采用不同蚀刻方法的GaN薄膜

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料本文采用混合酸溶液(H3PO4 : H2SO4 = 1 : 3)和熔融KOH作为湿法腐蚀介质，盐酸作为阳极腐蚀介质，用扫描电镜和透射电镜分别观察了蚀坑和T-Ds。图1显示了在熔融KOH中蚀刻的GaN膜的平面SEM图像。如图1中清楚示出的，蚀刻坑都具有相似的对比度，并且都是发育良好的六边形，具有平边缘和尺寸从0.2pm到1 μm的不同尺寸的面，这意味着蚀坑的来源是相同的，最大坑B都是孤立的中等坑和的0，下午7点和1点，可以清楚地看到过蚀刻区域中的不同凹坑，这说明蚀坑不是均匀分布的，蚀坑密度是可靠的，图1( b)显示了放大倍数更高的更清晰的SEM显微照片，通过图1(a ), EPD可以估计为4 X 107/cnr，图2显示了在混合酸溶液中蚀刻的GaN膜的平面图SEM图像，蚀坑也不是均匀分布的，它们的尺寸从0，下午1点到0点，5pm具有不同的对比度，从图2估计的EPD约为5X 108/cm-1，比图1中的EPD大一个数量级，这表明图2中的蚀坑来源比图1中的多。用化学腐蚀方法，如硝酸溶液(H3PO4 : HzSOq 1 : 3)和熔融KOH，盐酸蒸气腐蚀法，扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)研究了GaN薄膜中的腐蚀坑和穿透位错，HCl气相刻蚀和湿法刻蚀GaN薄膜同一位置的SEM图像显示出明显不同的腐蚀坑密度和形状，结果表明，盐酸气相刻蚀可...

发布时间: 2022 - 05 - 10

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使用全湿法去除 Cu BEOL 中的光刻胶和 BARC

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料这项研究首先集中于去除直接沉积在硅衬底上的193纳米厚的光刻胶和BARC层，使用FTIR和椭圆偏振光谱(SE)来评估去除效率，在第二部分中，研究了金属硬掩模/多孔低k镶嵌结构上蚀刻后光刻胶和BARC层的去除，扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)用于评估清洗效率，使用平面电容器结构确定暴露于等离子体和湿化学对低k膜的介电常数的影响。图1显示了在50°c下使用溶剂基湿法去除后PR/BARC膜的FTIR光谱，原始PR的特征在于分别归因于PR分子侧基中内酯和酯官能团的约1795 cm-1和约1730 cm-1处的两个吸收峰(数据未显示)，对于所研究的所有实验条件，即使清洗时间很短，PR的吸收峰也完全消失，表明PR层被去除，BARC层更难去除。例如，在30-60秒的短清洗时间内，BARC中酯功能的特征吸收带(~ 1725 cm-1和1690 cm-1)仍然存在，更长的清洗时间导致BARC层的完全去除，如这些吸收带的完全消失所证明的。图2显示了对于图案化结构获得的C/Ti原子比的变化，使用实验部分中描述的等离子体序列蚀刻BARC和TiN硬掩模层导致在PR外壳中形成含氟和含钛物质，氟和无机物质的引入使得PR的去除更具挑战性，因为这些物质会导致外壳溶解度显著降低，使用XPS评估图案化结构的去除效率，图2示出了通过XPS测量多孔低介电常数...

发布时间: 2022 - 04 - 29

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22nm互连的光刻蚀刻后残留去除的挑战和新方法

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料本文描述了去除金属硬掩模蚀刻后光致抗蚀剂去除和低k蚀刻后残留物去除的关键挑战并概述了一些新的非等离子体为基础的方法。随着图案尺寸的不断减小，金属硬掩模(MHM)蚀刻后留下的光刻抗蚀剂更难去除，因为没有或只有很小部分的光刻抗蚀剂(PR)没有交联的，采用MHM模式，干燥的PR带通常会导致低k材料的顶角的第一类等离子体损伤，延伸到MHM层的边缘下方，这个受损的区域在随后的清洗中很容易受到攻击，从而产生具有非平面顶部表面的介电线，这反过来又会导致严重的线间电容和隔离问题，因此探索了替代的非等离子体途径来去除MHM上的PR。通过UV预处理和浸泡在溶解的溶剂中，从MHM中获得了良好的PR去除效果，如下图所示，这一过程去除了整个等离子体修饰的PR和有机BARC层，紫外处理是在222纳米准分子灯在25mW/cm2的真空下进行的，没有有意加热，臭氧是通过以2标准l/分钟总流量的氧气流到臭氧发生器获得的，其出口的臭氧浓度为20w-ppm，这种臭氧和氧气混合物通过溶剂容器底部的扩散器起泡，同时还证明，这三个方面都是必要的：紫外线预处理臭氧和溶剂，通过选择性地消除每一个单独。首先使用汞探针进行的测量表明，由于单独对部分蚀刻的低k材料进行紫外处理，导致的k值增加小于0.1，这个过程被认为是这样工作的，紫外处理导致PR外壳中C=C结合浓度增加，由FTIR分析解释，这些C=C...

发布时间: 2022 - 04 - 28

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