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外延片清洗机-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

在LED外延及芯片制造领域，湿法设备占据约40%以上的工艺，随着工艺技术的不断发展，湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备，如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳（江苏）CSE深入研究LED生产工艺，现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备设备名称华林科纳（江苏）CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封，具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制，功能强大，操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳（江苏）半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ；18915583058更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncse.com），现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。

旋转式喷镀台-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点，在6＂（150mm）晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成，一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、Ｎ２保护单元组成的阴极回转体，二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下：从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出，采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中，阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决，从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式，可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射，实现搅拌功能，消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构，镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行，可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证，镀液入口采用扇形喷咀式结构，可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。华林科纳（江苏）CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理，由于结构上的特点，该方法经实验验证具有：①结构简单；②工艺参数控制容易；③有利气泡的消除；④镀制均匀性得到提高；⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺，同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统，目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用，产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标：最...

双腔甩干机

发布时间： 2016 - 06 - 22

双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台，可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下. 2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨，並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動異常警告 5. 電控系統l 控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...

枚叶式清洗机-华林科纳CSE

发布时间： 2016 - 03 - 07

枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳（江苏）半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长：单片式清洗装置的优点（与浸渍.槽式比较）1.晶片表面的微粒数非常少（到25nm可对应）例：附着粒子数…10个/W以下（0.08UM以上粒子）（参考）槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…（例）1%DHF的情况 20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size（根据每个客户可以定制）液体溅射（尘埃强制除去）（推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncas.com），现在热线咨询400-8768-096；18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

自动供酸系统（CDS）-CSE

发布时间： 2016 - 03 - 07

自动供酸系统（CDS）-华林科纳（江苏）CSEChemical Dispense System System 华林科纳（江苏）半导体CSE-CDS自动供酸系统适用对象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送，经管道至设备；具有自动化程度高，配比精确，操作简便等特点；具有良好的耐腐蚀性能。控制模式：手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳（江苏）CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统（Chemical Dispense System System）简称：CDS2. CDS 将设置于化学房内：酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房；3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材，内部管路及组件采PFA 451 HP 材质；4. 系统为采以化学原液双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点；5. 过滤器：配有10” PFA材质过滤器外壳；6. 供液泵：每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸碱类采用一般型静电容近接开关；8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能：每种化学液体配两个桶（自动切换）、配两台泵（一用一备）、带过滤器；系统控制单元：配带OMRON 8”彩色触摸屏，OMRON品牌PLC系统；2. 操作模式： CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制，操作介面以流程方式执行，兼具自动化与亲和力。在...

单片清洗机CSE

发布时间： 2018 - 01 - 23

单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳（江苏）CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗（包括光刻板清洗）刻蚀去胶金属剥离等；可处理晶圆尺寸2'-12'；可处理晶圆材料：硅砷化镓磷化铟氮化镓碳化硅铌酸锂钽酸锂等；主要应用领域：集成电路声表面波器件微波毫米波器件 MEMS 先进封装等设备名称CSE-单片清洗机类型单片式适用领域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清洗方式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量：1L/min/片4、蚀刻均一性良好（SiO₂氧化膜被稀释HF处理）：≤2%5、干燥时间：≤20S6、药液回收率：＞95%单片式优点1、单片处理时间短（相较于槽式清洗机）2、节约成本（药液循环利用，消耗量远低于槽式）3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构，占地面积小更多的单片（枚叶）式清洗相关设备可以关注华林科纳（江苏）半导体官网，关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096，18913575037

氢氟酸HF自动供液系统-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳（江苏）CSEChemical Dispense System System 华林科纳（江苏）半导体CSE-氢氟酸供液系统适用对象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送，经管道至设备；具有自动化程度高，配比精确，操作简便等特点；具有良好的耐腐蚀性能。控制模式：手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳（江苏）CSE-氢氟酸（HF）供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统（Chemical Dispense System System）简称：CDS2. CDS 将设置于化学房内：酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房；3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材，内部管路及组件采PFA 451 HP 材质；4. 系统为采以化学原液双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点；5. 过滤器：配有10” PFA材质过滤器外壳；6. 供液泵：每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸碱类采用一般型静电容近接开关；8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能：每种化学液体配两个桶（自动切换）、配两台泵（一用一备）、带过滤器；系统控制单元：配带OMRON 8”彩色触摸屏，OMRON品牌PLC系统；2. 操作模式： CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制，操作介面以流程方式执行，兼具自动化...

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华林科纳半导体--单片清洗机

单片清洗机在安装调试的过程中，会遇到一些常见问题，华林科纳CSE的安装技术工程师也整理了如下注意事项，可供大家参考:机械部分1.设备结构主要分为：设备壳体，中间选转部分，四周摆臂部分，后部滚刷部分，设备管路系统，供酸系统；2.中间选转部分在安装时，要保证安装完成后，中间旋转部分的高度可以调节，真空压力要保证好，防止旋转时及进行滚刷时把片子转飞掉，在腐蚀清洗时，要保证有一定的转速，药液从片着四周出去，防止污染片子背面；3.四周摆臂机构，根据工艺要求每个摆臂上面的药液和喷头也不一样，工艺制作时，根据药液来选择摆臂，摆臂设计时，因为有些药液有温度要求，摆臂应该药液预热或者预冷位置，让药液进行预热或者预冷，同时不会喷到片子上面，摆臂还有摆动喷洒药液的供液，摆动的幅度和摆动的范围都是要可以调整的；4.后部滚刷部分，在整个机构组装安装完成之后，摆动的高度也是可以进行上下调整的，滚刷伸出和缩回的距离也应该可以进行设定，因为滚刷的材料是PVA的，用之前是进行真空包装，安装之后，要每隔10秒滚刷进行滚动，滚动同时上面要进行喷水，不然滚刷就会变硬；5.旋转，摆动，滚刷，根据工艺的不同，可以进行选择，然后进行不同的组合。电器部分1.在制作程序时，有要求设定参数时，都应该设有该参数的最大值和最小值，让用户在范围内进行设定，防止发生错误；2.因为单片机的药液温度要求较高，所以制作程序时要考虑药液预热和预冷的...

发布时间: 2018 - 01 - 02

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华林科纳---刻蚀设备---开槽机

华林科纳主要通过偏心旋转改善蚀刻均匀度以及斜度，通过精准的温度控制及时间调节定位蚀刻深度更多的相关设备调试视频可以关注华林科纳CSE官网（http://www.hlkncse.com），现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

发布时间: 2018 - 01 - 02

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SS150AAA 太阳能模拟器

SOLAR SIMULATOR SIMULATORMODEL # SS150AAA太阳能模拟器型号 SS150AAAFEATURES 性能 TECHNICAL SPECIFICATIONS 技术参数

发布时间: 2016 - 03 - 24

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413光学反射探针硅片薄膜厚度翘曲度检测Optical EchoProbe part6

EchoProbe SOFTWARE反射探针软件setup of Recipes,Data logging,Real time Display 设置菜单，数据记录，实时显示 EchoProbe SOFTWARE反射探针软件Programable Data Points and Patterns, Variety of Displays可控数据点，模式，显示种类 Presentation of Results结果陈列 Advantages of Optical EchoProbe光学反射探针优势• Can measure Si or III/V wafers with or without tape, with Film frame, bumped wafers, bonded wafer - with Si or Glass or Sapphire carriers.可测量胶带及Si或者III/V裸硅片，带薄膜框架，凸起硅片，Si或者玻璃粘合硅片• Not affected by tape thickness, adhesives, pattern structures or non conducting materials不受胶带厚度，粘合剂，图案结构或者不导电材料影响• Non contact tec...

发布时间: 2016 - 03 - 24

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413光学反射探针硅片薄膜厚度翘曲度检测Optical EchoProbe part1

Wafer and Membrane Thickness, Warp, TTV硅片和薄膜厚度，弯曲，TTVOptical EchoProbe光学反射探针 Outline概要• Introduction简述• Measurement Requirements for Wafer Thinning硅片减薄测量要求• Discussion of different approaches for Wafer Thickness Measurement硅片厚度检测不同方法的讨论• Optical EchoProbe for Wafer Thickness Measurement光学反射探针的硅片厚度检测• Applications应用 – Thickness and Warp after Grinding, Etching研磨，蚀刻后的厚度和翘曲 – Measurement of stacks of non- and semiconducting materials (MEMS) –半导体材料（MEMS)的堆叠检测• Configur...

发布时间: 2016 - 03 - 24

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413光学反射探针硅片薄膜厚度翘曲度检测Optical EchoProbe part5

Bump Height Measurement凸起高度测量 Ultra Fast Measurements (UF 800)超快速测量• Acquisition time of 125 μs accomplished with High Speed reference mirror and optical encoder• 高速参考反射镜和光编码器使设备仅需125 μs采集时间• Ideal solution for measurement on spinning wafers旋转硅片测量的理想方法• Pressurized enclosure for measurement in challenging environments高压密闭检测 • Software and hardware interface for customizitation/OEM按客户需求订制软件和硬件界面 413 Optical EchoProbe光学反射探针Overview about Configurations结构综述413EC (Manual System手动系统)413-200 (Semiautomated system –m...

发布时间: 2016 - 03 - 24

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413光学反射探针硅片薄膜厚度翘曲度检测Optical EchoProbe part4

Long Distance Measurement长距离测量 Topography of a strained Wafer w/ Film on Topw已变形硅片构形/顶部有薄膜 Real World Samples实际样例Mounted Wafers on Elastic Tapes硅片置于橡皮圈胶带上 Inhomogeneous tapes heavilyscatter light, and complicate measurements不均匀的胶带使灯光散开，使测量复杂化(distance between text and tape is Warp Measurement翘曲检测• Warp翘曲: 101.86• Bow弓起 44.68

发布时间: 2016 - 03 - 24

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413光学反射探针硅片薄膜厚度翘曲度检测Optical EchoProbe part3

Applications应用• Wafer Thickness and TTV硅片厚度和TTV• Topography构状• Strained wafers已变形的硅片• Profile depth轮廓深度• Measurement of Tape胶带测量• Warp翘曲• Bump Height凸起高度• Ultra Fast Measurements超快速测量 Warp and Dam Thickness?翘曲和坝厚度 Dam Thickness坝厚度 Warp翘曲 Measurement of Wafer Topography硅片图形测量• wafer topography and thickness using EchoprobeTechnology.硅片图形和厚度用回射探针技术• Values on iso-lines are expressed inμm Wafer is concave in the middle.iso线的测量值是以um表示的，硅片中间是凹的 Measurement of Profile Depth轮廓厚度测量High Aspect Rat...

发布时间: 2016 - 03 - 24

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128薄膜应力硅片翘曲度检测part1

Introduction to 128, 128L, 128LC2C Product Line for Film Stress Measurement128 128L 128LC2C薄膜应力测试产品简介128, 128L, 128C2C Product Line Introductions介绍• Product Pictures产品图片• Basic principles of 128 Line 128产品系列基本原理• Film Stress薄膜应力• Dual laser scanner双激光扫描• Stoney equation for film stress薄膜应力Stoney方程式• Who needs the products?谁需要这种产品？• Film property monitor and/or R&D薄膜性能监测及研发• What are the simple specifications?什么是基本参数？• Film stress range / reproducibility薄膜应力范围/可再生性 128 Film Stress and Flatness Measurement Models ( Room Temperature )薄膜应力和平整度测试设备（室温） Film Stress & Wafer Yi...

发布时间: 2016 - 03 - 23

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413光学反射探针硅片薄膜厚度翘曲度检测Optical EchoProbe part2

Optical EchoProbe 413光学反射探针Latest Optical Technique最新的光学技术Ideal solution for Wafer Backgrind and Etch Thickness Gauging on Si, GaAs or III-Vs, non-conducting materials like Glass, Tape硅片背面研磨蚀刻厚度测量最理想方案用于Si, GaAs或者III-Vs,非导电材料比如玻璃，胶带 Optical EchoProbe Technology光学反射探针技术Low Coherence Interferometry (other than classical interferometry) is suitable for rough surfaces even in the case of speckle imaging. This makes it interesting for industrial use.低相干干扰量度法（不同于传统的干扰量度法）适用于粗糙表面，甚至是斑点图象。这另它适用于工业使用。Fiber-optic implementation of Michelson interferometer LS with low coherence light source 低凝聚光源的迈克...

发布时间: 2016 - 03 - 23

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