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晶片凸点电镀设备-CSE

发布时间： 2016 - 06 - 22

晶片凸点电镀设备-华林科纳（江苏）CSE 传统的IC器件是硅圆片在前工序加工完毕后，送到封装厂进行减薄、划片、引线键合等封装工序。但无论是双列直插封装（DIP），还是四边引线扁平封装（QFP），封装后的体积都比芯片本身体积大很多倍。由于手机等便携式装置的体积很小，所以要求器件的体积越小越好，像有300多个引出端的液晶显示器（LCD）驱动电路，必须采用WLP的芯片尺寸封装（CSP）。有些特殊的高频器件，为了减小引线电感的影响，要求从芯片到外电路之间的引线越短越好。在这些情况下，华林科纳的工程师采用了芯片尺寸封装（CSP），方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊点，例如金凸点、焊料凸点、铟凸点，然后直接倒装焊在相应的基板上。更多晶圆电镀设备可以关注华林科纳（江苏）半导体设备官网www.hlkncse.com；现在咨询400-8768-096，18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的晶圆电镀设备的相关方案

IPA干燥系统设备-CSE

发布时间： 2016 - 03 - 08

IPA干燥设备-华林科纳CSE华林科纳（江苏）CSE-IPA干燥设备主要用于材料加工太阳能电池片分立器件 GPP等行业中晶片的冲洗干燥工艺，单台产量大，效率高设备名称华林科纳（江苏）CSE-IPA干燥设备应用范围适用于2-8”圆片及方片动平衡精度高规格工艺时间：一般亲水性晶圆片： ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片： ≤30 增加 @ 0.12 μm金属含量：任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点：干燥后无斑点IPA 消耗量： ≤ 30 ml / run 设备制造商华林科纳（江苏）半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ；18913575037IPA 干燥系统组成: IPA干燥工艺原理 01: IPA干燥工艺原理 02:更多的IPA干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncse.com），现在热线咨询0513- 87733829可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

酸/碱刻蚀机

发布时间： 2016 - 03 - 07

刻蚀方法分为：干法刻蚀和湿法刻蚀，干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术，一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区，它是各向异性的刻蚀技术，即在被刻蚀的区域内，各个方向上的刻蚀速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术；湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，这是各向同性的刻蚀方法，利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料，通常SiO2采用湿法刻蚀技术，有时金属铝也采用湿法刻蚀技术。下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程：二氧化硅腐蚀：在二氧化硅硅片腐蚀机中进行，腐蚀液是由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时，腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高，腐蚀越快，掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度最敏感，温度越高，腐蚀越快。具体步骤为：1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S，上下晃动，浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）的作用是减小硅片的表面张力，使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触，从而达到充分腐蚀；2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液（氟化铵溶液）的槽中浸泡，上下晃动片架使得二氧化硅腐蚀更充分，腐蚀时间可以调整，直到二氧化硅腐蚀干净为止；3、冲纯水；4、甩干。二氧化硅腐蚀机理为：SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6（六氟硅酸）是可溶于水的络合物，利用这个性质可以很容易通过光刻工艺实现选择性腐蚀二氧化硅。为了获得稳定的腐蚀速率，腐蚀二氧化硅的腐蚀液一般用HF、NH4F与纯水按一定比例配成缓冲液。由于基区的氧化层较发射区的厚，以前小功率三极管的三次光刻（引线孔光刻）一般基极光刻和发射极光刻分步光刻，现在大部分都改为一步光刻，只有少部分品种还分步光刻，比如2XN003，2XN004，2XN013，2XP013等...

高温磷酸清洗机

发布时间： 2016 - 03 - 07

设备名称：高温磷酸清洗机设备型号：CSE-SZ2011-16整机尺寸：约2800mm（L）×1200mm(w)×1900mm（H）节拍：根据实际工艺时间可调清洗量：批量清洗时，采用提篮装片，单次清洗圆片的数量要求如下2＂外延片，每次不少于1蓝，每篮不少于25片4＂外延片，每次不少于1蓝，每篮不少于20片6＂外延片，每次不少于1蓝，每篮不少于20片框架材料:优质10mm瓷白PP板机壳，优质碳钢骨架，外包3mmPP板防腐机台底部：废液排放管路，防漏液盘结构机台支脚：有滑轮装置及固定装置，并且通过可调式地脚，可高低调整及锁定功能DIW上水管路及构件采用日本积水CL-PVC管材，排水管路材质为PP管排风：位于机台后上部工作照明：上方防酸型照明台面板为优质10mmPP板（带有圆形漏液孔，清除台面残留液体）附件：水、气枪左右各两套控制方式：PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 组合控制；安全保护装置： ●设有EMO(急停装置)， ●强电弱点隔离 ●设备三层防漏托盘倾斜漏液报警设备整体置于防漏托盘内台面布置图：各槽工艺参数

芯片镀金设备-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

芯片镀金设备-华林科纳（江苏）CSE 晶圆电镀工艺在半导体、MEMS、LED 和 WL package 等领域中应用非常广泛。华林科纳（江苏）的晶圆电镀设备针对这些应用研发和生产的，对所有客户提供工艺和设备一体化服务。产品分生产型和研发型两大类，适合不同客户的需求。设备名称华林科纳（江苏）CSE-芯片镀金设备应用领域：半导体、MEMS、LED操作模式：PLC集成控制具体应用：电镀、电铸工艺类型：电镀Au，Cu，Ni，Sn,Ag晶圆尺寸：8inch或以下尺寸，单片或多片基本配置：操作台（1套），主电镀槽（2套），腐蚀槽（2套），清洗（1套）设备功能和特点（不同电镀工艺配置有所差异） 1. 产品名称：芯片镀金设备 2. 产品系列：CSE-XL3. 晶圆尺寸：4-6inch. 4. 集成控制系统，内置MST-MP-COTROL程序 5. 主体材料：劳士领PP 6. 四面溢流设计 7. 温度控制系统：70+/-1C 8. 循环过滤出系统，流量可调。 9. 垂直喷流挂镀操作。 10. 专用阴阳极 11. 阴极摆动装置，频率可调。 12. 阳极均化装置。 13. 防氧化系统。 14. 充N2装置。 15. 排风操作台，风量可调。 16. 活化腐蚀系统。 17. 三级清洗系统。 18. 电镀液体系：均为无氰电镀液体系。 19. 工艺：表面均匀，厚度1-100um，均匀性5% 设备制造商华林科纳（江苏）半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ；18913575037更多晶圆电镀设备可以关注华林科纳（江苏）半导体设备官网w...

异质结电池HIT HJT制绒清洗设备

发布时间： 2017 - 04 - 06

异质结高效电池(HJT、HIT)制绒清洗设备—华林科纳CSE 设备用途：对高效太阳能电池异质结电池片进行制绒、清洗设备工艺流程：l H2O2工艺：SC1处理→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(HNO3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干l O3工艺：预清洗(O3)→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(O3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干技术特点：l 兼容MES、UPS和RFID功能l 机械手分配合理，有效避免药液交叉污染和槽体反应超时l 结构布局紧凑合理并且采用双层槽结构，设备占地空间小l 先进的400片结构，有效提高设备工艺产能l 工艺槽体采用“定排定补”模式和“时间补液”模式相结合，有效延长药液使用寿命和减少换液周期l 补配液采用槽内与补液罐双磁致伸缩流量计线性检测，以及可调节气阀控流结构，有效保证初配时间和微量精补配液的精度l 所有与液体接触材料优化升级，避免材料使用杂质析出l 采用最新低温烘干技术，保证槽内洁净度和温度控制精度技术参数：l 设备尺寸（mm）：26600(L)*2800(W)*2570(H)l Uptime：≥95%l 破片率：≤0.05%l MTTR：4hl MTBF：450hl 产能：6000pcs/hl 功率消耗：398KW更多异质结高效电池制绒清洗相关设备，可以关注网址：http://www.hlkncse.com，热线：400-8768-096，18913575037

单腔立式甩干机-CSE

发布时间： 2016 - 12 - 05

单腔立式甩干机-华林科纳CSE华林科纳（江苏）CSE-单腔立式甩干机系统应用于各种清洗和干燥工艺设备名称华林科纳（江苏）CSE-单腔立式甩干机优点清洗系统应用于各种清洗和干燥工艺不同配置（可放置台面操作的设备、单台独立、双腔）适用于晶圆尺寸至200mm 最佳的占地，设备带有滚轮可移动优越的可靠性独特的模块化结构极其便于维修易于使用和操作一般特征适用于晶圆直径至200mm 25片晶圆单盒工艺标准的高边和低边花篮可选内置电阻率检测传感器来控制晶圆的清洗工艺用冷或热的N2辅助晶圆干燥离心头容易更换图形化的界面：基于PLC的彩色5.7“的触摸屏可以编辑10多个菜单，每个菜单可有10步多等级用户密去静电装置安装于工艺腔室区去离子水回收电阻率监测装置机械手自动加载可放置台面操作的设备、单台独立、双腔 SECS/GEM 去离子水加热系统底座置放不锈钢滚轮溶剂灭火装置适用特殊设计的花篮设备制造商华林科纳（江苏）半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 0513-87733829；更多的单腔立式甩干机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncse.com），现在热线咨询400-8798096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

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理解波导：增强现实近眼显示器的关键技术

增强现实（AR）便携式和可穿戴设备的市场正在迅速增长。在各种硬件实现形式中，带透明眼镜的头戴式显示器（HMD）或近眼显示器（NED）可提供最有效和身临其境的AR体验。由于其轻薄的特性，光波导被认为是消费级增强现实（AR）眼镜的无与伦比的选择，但由于其价格高昂和技术壁垒，它仍然被禁止。随着诸如Hololens II和Magic Leap One之类的主流AR可穿戴设备采用波导解决方案并展示了其批量生产能力，以及最近披露的针对AR光模块制造商DigiLens，NedAR和LingXi的融资新闻，波导已成为人们关注的焦点。 AR玻璃行业的热门话题。光波导在AR NED系统中如何工作？所谓的“阵列波导”，“几何波导”，“衍射波导”，“全息波导”和“体积波导”之间是什么关系？波导是如何在使AR玻璃行业发生革命的过程中开发的？1.光波导—随需应变光学系统通常由用于VR和AR近眼显示器（NED）的微型显示器和成像光学系统组成。微型显示器可以像微型OLED或时尚的微型LED面板一样主动提供图像，也可以通过在基于液晶的显示器（包括透射型LCD和反射型LCOS），数字微镜器件（DMD）和激光上间接照明来间接提供图像光束扫描仪（LBS）均由微机电系统（MEMS）启用。与VR相似，显示像素被成像到一定距离并形成虚拟图像以投射到人眼。与VR不同，AR NED需要“透视”功能，以便眼睛能够同时查看现实世界。成...

发布时间: 2021 - 02 - 26

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多晶酸制绒原理

多晶酸制绒原理多晶硅绒面制备方法多晶硅表面由于存在多种晶向，不如（100）晶向的单晶硅那样能利用各向异性化学腐蚀得到理想的绒面结构，因而对于多晶硅片，目前主要采用各向同性的酸腐方法来制备绒面。主要方法:是利用硝酸和氢氟酸、去离子水来配制酸性腐蚀液。对于多晶硅片进行各向同性腐蚀，在硅片表面形成蜂窝状的绒面结构，从而提高太阳电池的光电转换效率。根据溶液对硅的各向同性腐蚀特性，在硅片表面进行织构化处理而形成绒面。1.第一步:硅的氧化硝酸和氢氟酸的混合液可以起到很好的腐蚀作用，硝酸的作用是使单质硅氧化为二氧化硅，其反应为:3Si+4HNO3===3SiO2+2HO2+4NO2.第二步:二氧化硅的溶解二氧化硅生成以后，很快与氢氟酸反应　SiO2+4HF=SiF4+2H2O(四氟化硅是气体)　SiF4+2HF=H2SiF6总反应:　SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O终反应掉的硅以六氟硅酸的形式进入溶液并溶于水。这样，二氧化硅被溶解之后，硅又重新露出来，一步、二步的反应不断重复，硅片就可以被持续的腐蚀下去。单晶绒面图片多晶绒面图片单晶硅制绒液体的组成和作用制绒溶液主要是由碱性物质（NaOH、KOH、Na2CO3等）及添加剂（硅酸钠、酒精或异丙醇）组成的混合溶液。碱性物质发生电离或者水解出OH离子与硅发生反应，从而形成绒面。碱的适宜浓度为5%以下。酒精或异丙醇有三个作用：a、协助...

发布时间: 2021 - 02 - 25

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衍射光学器件与湿法设备

衍射光学是基于光的衍射原理，利用计算机设计衍射图，并通过微电子加工技术在光学材料只做表面浮雕的元件，由于衍射光学元件及其灵活的控制波前，集多功能与一体和可复制的优良特性视光学系统及器件向轻型化，微型化和集成化发展。到了90年代至今，衍射光学元件的研究已成为光学界的前沿工作。随着衍射光学元件应用领域的拓展，大面积衍射元件的需求越来越多。湿法刻蚀技术是低成本制作特征尺寸及宽深比较大衍射光学元件较好的方法之一，特别在解决大口径元件的刻蚀均匀性方面具有很大优势。衍射光学自身具有许多优点使得它广泛地应用于各种光学系统或微光机电系统中，各种衍射光学元件目前已成为光通讯和光互联中的关键元件，对它们的性能分析和设计具有重要的理论意义和应用价值。与传统折反射光学元件比较，衍射光学元件（DOE）的光学处理功能非常灵活。DOE可以在极小的体积内，集成多种光学功能于一体，产生传统光学难以实现的各种光场分布。针对衍射光学元件的湿法刻蚀工艺，华林科纳研究了湿法刻蚀的化学机理，摸索了相关的规律，得到了有效控制刻蚀速率的方法，不同腐蚀条件下所对应的刻蚀速率。为基于工艺条件的优化设计方法提供依据，得到了制作工艺中的加工依据。公司具备独立的设计、制造及应用技术，能够为客户提供从咨询、设计、到制造的专业化、定制化整体解决方案。

发布时间: 2020 - 05 - 08

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湿法腐蚀

湿法化学腐蚀是最早用于微机械结构制造的加工方法。所谓湿法腐蚀，就是将晶片置于液态的化学腐蚀液中进行腐蚀，在腐蚀过程中，腐蚀液将把它所接触的材料通过化学反应逐步浸蚀溶掉。用于化学腐蚀的试剂很多，有酸性腐蚀剂，碱性腐蚀剂以及有机腐蚀剂等。湿法腐蚀工艺由于其低成本，高产出，高可靠性以及其优良的选择比是其优点而仍被广泛接受和使用。华林科纳经过多年的生产经验及技术的不断改良，使得我们的设备在工艺路径及技术要求上得到稳步的提高，湿法腐蚀设备正朝着以下方向发展：a.自动化b.在微处理器控制下提高在腐蚀状态下的重复性，以帮助工艺工程师提供更良好的控制，阻止人为因素的影响。c.点控制过滤控制，以减小腐蚀过程中缺陷的产生d.自动喷淋设备的开发。所有这些，都使湿法腐蚀有一个更美好的前景。湿法腐蚀机理湿法腐蚀的产生一般可分为3步：1:反应物（指化学药剂）扩散到反应表面2:实际反应（化学反应）3:反应生成物通过扩散脱离反应表面在实际应用中，湿法腐蚀通常用来在SI衬底或薄膜上生成一定的图形，光刻版是典型的被用于覆盖所期望的表面区域防止被腐蚀液腐蚀掉，而光刻版在腐蚀后常被去掉，因此在线择湿法腐蚀工艺时，必须线择腐蚀液，合适的形成版的材料（光刻胶）必须具有良好的抗腐蚀能力，良好的完整覆盖特性，光刻胶常被用来作为版层材料，但有时边缘的黏附性差，常采用HMDS以增强其黏附性湿法腐蚀反应时可能存在多种反应机理，许多反应...

发布时间: 2020 - 05 - 08

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RCA清洗

RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的，并由此而得名。CSE华林科纳RCA清洗是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法，是去除硅片表面各类玷污的有效方法，所用清洗装置大多是多槽处理式清洗系统。该清洗系统主要包括以下几种药液：（1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。（2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时，在自然氧化膜被腐蚀掉时，硅片表面的硅几乎不被腐蚀。（3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的...

发布时间: 2020 - 04 - 29

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CSE-提高湿法设备刻蚀均匀性的方法

刻蚀是把进行光刻前所淀积的薄膜中未被光刻胶覆盖的部分用化学或物理的方式去除，用以完成掩模图像的转移。刻蚀是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀是通过化学刻蚀液和被刻蚀物质之间的化学反应将被刻蚀物质剥离下来的方法；干法刻蚀的刻蚀剂是等离子体，是利用等离子体和表面薄膜反应，形成挥发性物质，或直接轰击薄膜表面使之被腐蚀的工艺。虽然湿法刻蚀在保证细小图形转移后的保真性方面不如干法刻蚀，但由于生产成本低、产能高、适应性强、表面均匀性好、对硅片损伤少、其优良的选择比在去氧化硅、去除残留物、表层剥离以及大尺寸图形刻蚀等方面有着广泛的应用。湿法刻蚀的特点是：反应生成物必须是气体或能溶于刻蚀剂的物质，否则会造成反应物沉淀，影响刻蚀的正常进行；湿法刻蚀一般为各向同性，即水平方向和垂直方向的速率是相同的，这样会导致侧向出现腐蚀。因此，刻蚀后得到的图形结构不是理想的垂直墙；湿法刻蚀过程常伴有放热和放气现象，影响刻蚀速率，使得刻蚀效果变差。提高湿法设备刻蚀均匀性的方法刻蚀均匀性是一种衡量刻蚀工艺在晶片内及晶片之间刻蚀一致性的参数，是保证芯片产品质量的关键指标之一。刻蚀速率和刻蚀剖面与图形尺寸及密度是影响刻蚀均匀性的原因，刻蚀均匀性与选择比有密切的关系，非均匀性刻蚀会产生额外的过刻蚀。刻蚀溶液的温度控制刻蚀溶液温度是硅湿...

发布时间: 2020 - 05 - 08

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CSE-IPA清洗工艺原理

超声波清洗技术的基本原理，大致可以认为是利用超声场产生的巨大作用力，在洗涤介质的配合下，促使物质发生一系列物理、化学变化以达到清洗目的的方法。当高于音波（28～ 40KHz）的高频振动传给清洗介质后，液体介质在高频振动下产生近乎真空的空腔泡，空腔泡在相互间的碰撞、合并、消亡的过程中，可使液体局部瞬间产生几千大气压的压强，如此大的压强使得周围的物质发生一系列物理、化学变化。这种作用称为“空化作用”： 1. 空化作用可使物质分子的化池键断裂，引起各种物理变化（溶解、吸附、乳化、分散）和化学变化（氧化、还原、分解、化合）等；2. 当空腔泡的固有频率和超声频率相等时，可产生共振，共振的空腔泡内聚集了大量的热能，这种热能足以使周围物质化学键断裂而引起物理、化学变化。3. 当空腔泡形成时，两泡壁间因产生极大的电位差而引起放电，致使腔内气泡活化进而引起周围物质的活化，从而使物质发生物理、化学变化。超声场为清洗提供了巨大的能量，但还需化学洗剂作为介质。一般将化学洗剂分为两类，一类是有机溶剂，主要是根据相似相溶的化学原理，对有机物如：黏结剂（沥青、松香等）、保护性材料（沥青、树脂等）、磨边润滑油进行溶解。在光学洗净中，最初用三氯乙烯、芳香烃、氟里昂等作为清洗剂，这类物质虽然溶解性强，但有的易挥发，毒性大，有的对大气臭氧层有破坏作用，被逐步禁用。现...

发布时间: 2020 - 05 - 08

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RCA清洗机CSE

随着半导体技术的发展，半导体器件和集成电路内各元件及连线越来越细微，因此制造过程中，尘粒、金属等的污染，对晶片内电路功能的损坏影响越来越大。因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外，集成电路制造工艺过程中均需要对硅片表面进行清洗，以有效地使用化学药液清除残留在硅片表面上的各种杂质。硅片是半导体器件和集成电路中使用最广泛的基底材料，对其表面的清洗是整个硅片制造工艺中极为重要的环节之一。半导体领域中的湿法清洗技术是伴随设备的微小化及对产品质量要求的不断提高而提高的，是以RCA清洗技术为基本的框架，经过多年的不断发展形成。华林科纳是一家湿制程设备公司，是国内最早致力于研究湿法设备的企业，多年来与国内众多半导体企业合作，研制开发适合的半导体清洗机设备。一、设备概况华林科纳研发的RCA湿法清洗机，可按照需求定制为不同的尺寸大小。可适用于硅晶片2-12inch。二、适用领域半导体、液晶、MEMS等三、设备用途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备四、设备配置设备主体、电气控制部分、化学工艺槽、纯水清洗槽等；并提供与厂务供电、供气、供水、排废水、排气系统配套的接口等。五、主体构造特点1、设备为半敞开式，主体使用进口WPP15和10mm厚板材，结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境，坚固耐用，双层防漏，机台底盘采用德国产瓷白PP板，热焊接而成，可长期工作在酸碱腐蚀环境中2、主体：设备为半敞开式，主体使用进口WP...

发布时间: 2020 - 04 - 29

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湿法腐蚀机CSE

众做周知，湿法腐蚀和湿法清洗在很早以前就已在半导体生产上被广泛接受和使用，许多湿法工艺显示了其优越的性能。伴随IC集成度的提高，硅片表面的洁净对于获得IC器件高性能和高成品率至关重要，硅片清洗也显得尤为重要。湿法腐蚀是一种半导体生产中实现图形转移的工艺，由于其高产出，低成本，高可靠性以及有很高的选择比仍被广泛应用。湿法腐蚀工艺湿法化学腐蚀是最早用于微机械结构制造的加工方法。所谓湿法腐蚀，就是将晶片置于液态的化学腐蚀液中进行腐蚀，在腐蚀过程中，腐蚀液将把它所接触的材料通过化学反应逐步浸蚀溶掉。用于化学腐蚀的试剂很多，有酸性腐蚀剂，碱性腐蚀剂以及有机腐蚀剂等。根据所选择的腐蚀剂，又可分为各向同性腐蚀和各向异性腐蚀剂。各向同性腐蚀的试剂很多，包括各种盐类(如CN基、NH 基等)和酸，但是由于受到能否获得高纯试剂，以及希望避免金属离子的玷污这两个因素的限制，因此广泛采用HF—HNO3腐蚀系统。各向异性腐蚀是指对硅的不同晶面具有不同的腐蚀速率。基于这种腐蚀特性，可在硅衬底上加工出各种各样的微结构。各向异性腐蚀剂一般分为两类，一类是有机腐蚀剂，包括EPW(乙二胺、邻苯二酚和水)和联胺等，另一类是无机腐蚀剂，包括碱性腐蚀液，如KOH、NaOH、NH4OH等。就湿法和干法比较而言，湿法的腐蚀速率快、各向异性差、成本低，腐蚀厚度可以达到整个硅片的厚度，具有较高的机械灵敏度。但控制腐蚀厚度困难，且难以...

发布时间: 2020 - 04 - 29

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钟罩清洗机CSE

在半导体行业中，用于硅晶圆片和碳化硅晶圆片批量生产的外延炉的内腔因为耐高温、透光、无物质沾污的需求，基本使用高纯度石英材料制作，除了石英钟罩作为密闭腔体内用途外，为了保证晶体表面生长的气流均匀性和温度一致性，另外还会在腔体内放置各种形状的石英件。石英件的表面在一定次数的外延过程后，表面会沉积多种残留物质。这些残留物质在设备维护保养过程中定期清洗，否则会严重影响硅晶圆片和碳化硅晶圆片的外延层生长质量。华林科纳是国内最早致力于湿法设备的研制单位，多年来与众多的半导体企业密切合作，研制开发适合的半导体清洗机设备。关于钟罩清洗机，其中又有卧式或立式的分别。下图是一个卧式的钟罩清洗机。它的优点是：1.成熟专业的电气设计，友好的人机交互界面，提供更好地操作体验；2.极高的生产效率；3.结合最先进工艺技术，主体材质的整洁可靠，槽体的个性化定制，辅助功能齐全；4.最佳的占地面积，节省空间；5.优越的可靠性；6.独特的模块化结构；7.极其便于后期维修。它的特征是：1.可编制程序使得清洗管旋转，清洗更均匀，更全面；2.配备的PVDF工艺槽，可耐一定浓度的酸碱；3.装有清洗溶剂的储备槽（根据使用化学品的数量）放置在工艺槽的后下方—直接注入且内部进行不断循环，使得清洗更彻底；4.特别的喷淋嘴更益于石英管清洗；5.集成水枪和N2枪，以获得更好的清洗效果，6.单独排液系统，将废弃的药液统一排放到固定的容器内，...

发布时间: 2020 - 04 - 29

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