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发布时间: 2016 - 12 - 05
花篮/片盒清洗机-华林科纳CSE 完美适应当前所有型号的花篮和片盒、传输片盒、前端开口片盒(Foup片盒)的清洗和干燥系统优点装载晶圆直径至200mm的花篮和片盒—或不同晶圆尺寸的花篮和片盒,同时可装载晶圆直径至300mm的前端开口片盒(Foup片盒)三种设备尺寸满足客户特殊需求 CleanStep I – 用于4组花篮和片盒加载和清洗能力:每次4组花篮和片盒清洗产能:每小时12组花篮和片盒 CleanStep II – 用于8组花篮和片盒加载和清洗能力:每次8组花篮和片盒清洗产能:每小时24组花篮和片盒 CleanStep III – 用于6组前端开口片盒(Foup)加载和清洗能力:每次6组前端开口片盒(Foup片盒)清洗产能:每小时18组前端开口片盒(Foup片盒) 适用于晶圆直径至200mm的花篮和片盒的标准旋转笼(Cleanstep I/II) 适用于所有片盒一次清洗过程 或是同时4组花篮和片盒,或是12个花篮(Cleanstep I/II) 简单快捷的对不同尺寸的片盒和花篮进行切换 旋转笼内的可旋转载体方便加载或卸载花篮和片盒 通过控制系统对自锁装置的检测,达到安全加载片盒和花篮,及其运行特征和优点可应用不同化学品(稀释剂)来清洗 泵传输清洗液 计量调整可通过软件设置控制操作热水喷淋装置 热水一般由厂务供应 — 标准化 或有一个体积约100升的热水预备槽(循环泵和加热棒用于热水预备槽—选项) 笼子 带有可变速旋转的控制的高扭矩伺服电机(按照加载量和设备配置,最大旋转速度200rpm,) 旋转的不锈钢笼子 会自动停止工作(运行过程中出现失衡状态时)热空气干燥 顶端吹下热空气 采用根据设备待机和工艺运行模式的可调风量的风扇装置 不锈钢架上装有加热器,可以温度控制 软件监控温度 带有反压控制的高效过滤器辅助功能和操作控制 触摸屏安装在前面—标准化 也...
发布时间: 2016 - 03 - 07
RCA湿法腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备设 备 名  称南通华林科纳CSE-RCA湿法腐蚀清洗机使 用 对 象硅晶片2-12inch适 用 领  域半导体、太阳能、液晶、MEMS等设 备 用 途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备主体构造特点1. 设备包括:设备主体、电气控制部分、化学工艺槽、纯水清洗槽等;并提供与厂务供电、供气、供水、排废水、排气系统配套的接口等。2.设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境中3.主体:设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境中;4.骨 架:钢骨架+PP德国劳施领板组合而成,防止外壳锈蚀。5.储物区:位于工作台面左侧,约280mm宽,储物区地板有漏液孔和底部支撑;6.安全门:前侧下开透明安全门,脚踏控制;7.工艺槽:模组化设计,腐蚀槽、纯水冲洗槽放置在一个统一的承漏底盘中。底盘采用满焊接工艺加工而成,杜绝机台的渗漏危险;8.管路系统:位于设备下部,所有工艺槽、管路、阀门部分均有清晰的标签注明;药液管路采用PFA管,纯水管路采用白色NPP喷淋管,化学腐蚀槽废液、冲洗废水通过专用管道排放;9.电气保护:电器控制、气路控制和工艺槽控制部份在机台顶部电控区,电气元件有充分的防护以免酸雾腐蚀以保障设备性能运行稳定可靠;所有可能与酸雾接触的...
发布时间: 2017 - 12 - 19
片盒清洗机-华林科纳CSE 设备概况:主要功能:本设备主要手动/自动搬运方式,通过对片盒化学液体浸泡、冲洗、漂洗、鼓泡、快排等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:片盒清洗机设备型号:CSE-SC-N259整机尺寸(参考):约1700mm(L)×1400mm(W)×2000mm(H);(该设备非标定制)操作形式:手动 设备组成该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成 设备描述此装置是一个手动的处理设备;设备前上方有各阀门、工艺流程的控制按钮、指示灯、触摸屏(PROFACE/OMRON)、音乐盒等,操作方便;主体材料:德国进口 10mmPP 板,优质不锈钢骨架,外包 3mmPP 板防腐;台面板为德国 10mm PP 板;DIW 管路及构件采用日本进口 clean-PVC 管材,需满足 18MW去离子水水质要求;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明安全考虑:1. 设有 EMO(急停装置)2. 强电弱点隔离3. 所有电磁阀均高于工作槽体工作液面4. 设备排风口加负压检测表5. 设备三层防漏 漏盘倾斜 漏液报警 设备整体置于防漏托盘内 更多的花篮和片盒清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096 18913575037可立即获取免费的片盒清洗机解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
自动供液系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2016 - 06 - 13
设备名称:晶棒腐蚀机---CSE产品描述:        ●此设备自动化程度高,腐蚀清洗装置主要由水平通过式腐蚀清洗主体(槽体部分/管路部分等),移动机械传送装置,CDS系统,抽风系统,电控及操作台等部分组成;         ●进口优质透明PVC活动门(对开/推拉式),保证设备外部环境符合劳动保护的相关标准,以保证设备操作人员及其周围工作人员的身体健康;         ●机械臂定位精度高;         ●整体设备腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠;         ●设备成本合理,自动化程度高,使用成本低;技术先进,结构合理,适宜生产线上大批次操作.         ●非标设备,根据客户要求具体定制,欢迎详细咨询!更多半导体清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
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导读: 目前全球硅晶圆已集中在前五大供货商手中,包括信越半导体、胜高、台湾的环球晶、德国的Silitronic、南韩LG等,全球市占率达92%,其中胜高是台积电最大供货商,其次是信越,但信越全球市占高达27%,略高于胜高的26%,预料在二大硅晶圆厂下半年采取温和涨价下...全球前二大半导体硅晶圆厂信越半导体和日本胜高(SUMCO)达成默契,下半年硅晶圆涨幅仅一成,远低于市场传言的三成,跌破市场眼镜。此外,胜高也与台积电议定四年的供应长约,约定涨幅不会超过四成,凸显面临硅晶圆供不应求的情况,全球市占超过五成的日本二大半导体硅晶圆厂决定维持温和调涨,不希望急涨让部分停产的小厂死灰复燃。这也是硅晶圆在连二季大涨后,主要供应大厂在价格策略踩煞车,对近期市场传出下半年再涨三成,且明年再涨一倍的传言,浇了一盆冷水。台积电最大硅晶圆供货商日本胜高,证实对台积电硅晶圆供应价格不会如外传般狂飙,而会采取温和且保证长期供应稳定,不会恣意涨价。半导体业者表示,全球硅晶圆过去因长期处于供过于求,不堪严重亏损,部分业者逐步停产或出售,例如环球晶近几年就相继收购日本CVS和美国的半导体硅晶圆厂。但前年半导体硅晶圆逐趋供需平稳,前年下半年一度试着涨价,但短暂调涨一季后就沉寂。去年下半年,市场担心中国大陆晶圆厂产能开出后硅晶圆恐缺货,因此大量屯积货源,导致供需产生缺口,甚至连测试片都缺货,导致今年首季主...
发布时间: 2017 - 04 - 25
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光刻版清洗设备工艺  光刻技术是大规模集成电路制造技术和微光学、微机械技术的先导和基础,他决定了集成电路(IC)的集成度[1]。光刻版在使用过程中不可避免地会粘上灰尘、光刻胶等污染物,这些污染物的存在直接影响到光刻的效果。近些年,国家将 LED照明列入为重点发展产业,LED 行业迅猛发展。LED 制造过程中,具有光刻版的使用量多,使用频繁的特点。大多生产厂家为了节省成本,主要采用接触式曝光。接触式曝光虽然可以利用成本低廉的设备达到较高的曝光精度,但是由于甩胶式涂胶方法会造成晶圆边缘胶层过厚,在接触式曝光过程中光刻版极易接触到晶圆边缘的光刻胶,导致光刻胶粘附到光刻版表面(图 1)。对于 IC 行业,因为线条更细,精度要求更高,所以光刻版的洁净程度更加重要。对于硅片清洗而言,其颗粒移除率(PRE)不需要达到 100%,但对于光刻版而言却并非如此,其原因是对于产品良率而言,光刻版表面颗粒的影响更大,单晶圆缺陷只影响一个缺陷,而一个光刻版却影响到每一个芯片[2,3]。由于零成像缺陷是可以实现的,工厂内生产的光刻版需要经常清洗。为了保证光刻版洁净,必须定期对光刻版进行清洗,而清洗的效果与清洗工艺以及各清洗工艺在设备上的合理配置有着密切的联系。1 光刻版清洗工艺1.1 光刻胶及其他有机污染物的去除对于光刻胶及其他有机污染物,比较常见的方法是通过有机溶剂将其溶解的方法将其去除...
发布时间: 2017 - 01 - 11
浏览次数:345
导读:国内近些年开始重视半导体投资,试图减少对国外进口芯片的依赖,各地陆续上马了芯片厂项目。不过据台湾电子时报网站4月21日报道,最近多个项目的建设暂时搁置,可能和市场过热有关。   国内近些年开始重视半导体投资,试图减少对国外进口芯片的依赖,各地陆续上马了芯片厂项目。不过据台湾电子时报网站4月21日报道,最近多个项目的建设暂时搁置,可能和市场过热有关。 根据国际半导体产业协会的消息,2017年,中国市场将会建成的芯片工厂数量为14家。到2018年,中国半导体行业设备投资将超过100亿美元,成为全球第二大生产设备投资国。  众所周知的是,半导体和芯片厂是一个投资密集型的产业,建设一个工厂需要几十亿甚至是上百亿美元的资金。之前,中国中央政府已经制定了鼓励发展半导体产业的远期计划,而各地地方政府也正在积极引进项目,发展芯片制造业。  行业观察人士指出,中国芯片厂建设出现热潮,和地方政府的支持密切相关。  不过最近据行业人士观察,中国的多家12英寸芯片厂建设项目,暂时搁置。在半导体行业,12英寸指的是晶圆的直径,晶圆面积越大,生产芯片的效率也就越高,意味着技术更加先进。  据消息人士称,福建晋华集成电路公司计划在台湾台南市建设芯片厂,而台联电为该公司进行的一些技术开发工作已经暂停。据悉,该公司计划建设一座12英寸晶圆的芯片厂,主要生产内存芯片,使用台联电的技...
发布时间: 2017 - 04 - 24
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从半导体原材料到转化为各式各样的集成电路或者分立器件,其转化过程利用了几百种复杂程度不同的化学反应。毫无疑问,在半导体的制造工业中,需要大量的特殊材料和化学品。芯片制造首要是一种化学工艺,或者更准确地说,是一系列的化学 物理工艺过程,高达20%工艺步骤是wafer清洗和表面的处理。  近年来光电与光伏半导体工业发展迅速,相关的制程越来越复杂,线宽越来越窄(已将进入纳米级),工艺要求也越来越高,生产过程需要使用大量的化学药品,而这些化学品都具有一定危险性和腐蚀性,稍有疏忽,就会造成人员伤亡和设备的损失,所以如何将这些化学品在保证品质的前提下安全输送到制程设备并安全使用是至关重要的,同时如何将这些使用过的化学品合理地回收处理,也将是半导体产业工厂生产安全的重要问题,这些都对工厂各系统的持续无故障运行能力以及所提供的制程相关原料品质提出了更高的要求。在半导体产业化的生产中,化学液供应系统主要以中央供应系统为主,用量较少之化学液则采取人工供应方式。   中央化学液供应系统缩写为CDS(Chemical Dispense Systerm)或者简写为BCD(Bulk Chemical Distribution),它是为生产线24h不间断供应化学液的系统。一般使用CDS系统的化学液都有需求量大、危险性高的特点。 CDS系统上主要供应给以下的工艺步...
发布时间: 2017 - 01 - 10
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导读: 近日,由沈阳拓荆科技有限公司建设的我国首个半导体薄膜设备生产基地在沈阳市浑南区落成投产。近日由沈阳拓荆科技有限公司建设的我国首个半导体薄膜设备生产基地在沈阳市浑南区落成投产。该基地一期可容纳1000人规模的研发制造团队,年产能可达100台(套),实现产值15亿元。全部达产后,年产能可达350台(套)。我国是全球最大的电子制造国。IC即集成电路是电子设备中最重要的组成部分,承担着运算和存储的功能,是计算机、数字家电、通信等行业的“心脏”。据行业协会发布的数据显示,去年,我国集成电路产业总营收达4335.5亿元,同比增长20.1%。沈阳拓荆科技是由海外技术专家组建的高新技术企业,创立于2010年4月。2015年,拓荆科技获得国家集成电路产业投资基金(简称“国家大基金”)2.7亿元战略投资,是“国家大基金”在辽宁投资的第一家企业。同年,拓荆科技新厂区在沈阳市浑南区破土动工。新厂区占地面积5.2万平方米,拥有先进的研发设备、场所及生产用十级、百级和千级无尘洁净间,是我国首个半导体薄膜设备生产基地。此前,该技术一直被发达国家垄断,设备进口严重受限,极大地制约了国产芯片产业发展。作为IC装备核心装备之一,该项目的建成一举填补了国内空白,显著提升了我国集成电路产业整体竞争力。拓荆科技的产品性能、指标达到国际一流设备水平,设备国产化率超过70%,产能是进口设备的1.1倍,成本却比...
发布时间: 2017 - 04 - 18
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半导体湿法清洗专家华林科纳介绍硅片清洗机的相关工艺1、硅片清洗机概述   硅片清洗机广泛应用于光伏,电子等行业硅片清洗;由于硅片在运输过程中会有所污染,表面洁净度不是很高,对即将进行的腐蚀与刻蚀产生很大的影响,所以首先要对硅片表面进行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有机沾污,然后溶解氧化膜,因为氧化层是“沾污陷进”,会引起外延缺陷;再去除颗粒、金属等,同时使硅片的表面钝化。  目前多采用传统的RCA清洗方法,不仅可以去除硅片表面的金属、有机物等,还可以去除小颗粒等污染物。2、清洗工艺  RCA清洗法  RCA清洗法又称工业标准湿法清洗工艺,是由美国无线电公司(RCA)的Kem和Puotinen等人于20世纪60年代提出后,由此得名。  RCA湿法清洗由两种不同的化学溶液组成,  SPM具有很高的金属氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能将有机物氧化生成二氧化碳和水。用SPM清洗硅片可以去除表面的种有机沾污和部分金属,当沾污特别严重时,难以去除干净。  DHF(HF),可以去除硅片表面的自然氧化膜,同时抑制氧化膜的形成。易去除硅表面的Al、Fe、Zn、Ni等金属,也可以去除自然氧化膜上的氢氧化物。在自然那氧化膜被腐蚀掉时,硅片...
发布时间: 2017 - 01 - 06
浏览次数:163
华力微基于SONOS的55纳米闪存试产日前,赛普拉斯与华力微共同宣布,基于华力 55纳米低功耗工艺技术和赛普拉斯SONOS (氧化硅氮氧化硅)嵌入式闪存知识产权相结合,为闪存产品树立了一个新的里程碑。华力的客户已经开始使用这项技术进行低功耗嵌入式闪存产品的试生产,针对蓝牙低功耗和物联网应用。赛普拉斯高耐用性、可扩展的SONOS嵌入式闪存工艺针对低功耗需求进行了优化,使其成为微控制器(MCU)和物联网(IoT)应用的理想选择。2017年下半年,华力的客户即可采用该技术和设计IP进行全面量产。高性能氧化铱/铂纳米锥复合镀层提高神经电极电刺激性能近日,中国科学院深圳先进技术研究院医工所微纳中心研究员吴天准及其研究团队成功研发出一种具有纳米结构的高性能氧化铱/铂纳米锥复合镀层。这种高性能复合镀层有效解决了随着电极阵列化和集成化带来的高电化学阻抗、低电荷存储能力及低电荷注入能力的问题,并显著提高了神经电极的电刺激性能。相关研究成果Electrodeposited Iridium Oxide on Platinum Nanocones for Improving Neural Stimulation Microelectrodes(《铂纳米锥上电沉积氧化铱在改善神经刺激电极中的应用》)已在线发表于电化学期刊ElectrochimicaActa。同时该工作的阶段性成果被IEEE NEMS 201...
发布时间: 2017 - 04 - 17
浏览次数:90
半导体加工中的刻蚀技术包括湿法化学刻蚀 (Wet Chemical Etching),等离子刻蚀(Plasma Etching),反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching)和离子研 磨(Ion Milling)。与其它刻蚀技术相比,湿法化学刻蚀工艺的主 要优点是成本低,对硅片上器件几乎无损害,高选 择比。缺点是各向异性差,工艺控制性(对温度敏 感)差,微颗粒控制差,化学品处理费用高,由于气 泡等因素很难使用于小的图形。 半导体工业中的湿法刻蚀工艺,主要使用酸 液去除金属、二氧化硅(SiO2)、硅等材料。相比等离子刻蚀,在刻蚀速率和经济性上要高于后者,但由 于酸液刻蚀在方向性上为各向同性,在高深宽比 沟槽的刻蚀控制上也不及后者,所以湿法刻蚀多 用于线宽尺寸较大,对刻蚀图形精度要求不太高 的应用。 在单片湿法刻蚀方法与传统槽式处理方法相 比,避免了在同一槽内批处理时硅片之间的互相污 染,洁净度好,且单片处理速度更快,对刻蚀图形的 精度控制也好于后者。 湿法刻蚀供酸管路系统的主体为主循环回 路,并有其它辅助的管路用于化学液补充或废液子刻蚀,在刻蚀速率和经济性上要高于后者,但由 于酸液刻蚀在方向性上为各向同性,在高深宽比 沟槽的刻蚀控制上也不及后者,所以湿法刻蚀多 用于线宽尺寸较大,对刻蚀图形精度要求不太高 的应用。 在单片湿法刻蚀方法与传统槽式处理方法相 比,避免了在同一槽...
发布时间: 2017 - 01 - 04
浏览次数:175
中芯国际今年总销售增长率上看20%,其中先进制程产能扩产与28纳米工艺放量成长,将是主要两大驱动力。中芯国际也将在13日举办专题技术研讨会,全面对客户展现先进工艺制程与物联网平台的完整布局。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。  中芯国际日前预估,2017年相较2016年增长率将上看20%,尽管2017年上半年正在经历季节性调整,但是中芯国际对于下半年业绩抱持乐观展望,很可能展现“先蹲后跳”的实力。  其中,冲刺28纳米最先进制程工艺的布局,进展最快的就是中芯国际。根据统计,2016年中芯国际28纳米晶圆产能全球占比不足1%,与28纳米制程市占率分别为66.7%、16.1%与8.4%的前三大纯晶圆代工厂商台积电、格罗方德、联电仍保持较大的差距。  而28纳米将是2017年中芯主要成长动能之一,预期2017年底28纳米以下制程工艺将占公司营收比重达到7%-9%。并将在2017年底28纳米季度营收占比接近10%。  尽管中芯国际的28纳米制程工艺已在此前量产,但从产品规格来看,多偏向中低端的28纳米Ploy/SiON技术,对于高端的28纳米HKMG制程工艺涉足并不深,今年能否在HKMG制程工艺如期放量成长,乃外界观察指标之一。       今年中芯国际在先进工艺平台有几个重点,一是28纳米放量成长,二是14纳米起步开始有营收贡献,三是7纳...
发布时间: 2017 - 04 - 13
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湿刻蚀是通过化学刻蚀液和被刻蚀物质之间的化学反应将被刻蚀物质剥离下来的刻蚀方法。大多数湿法刻蚀是不容易控制的各向同性刻蚀。(1) 特点:适应性强,表面均匀性好、对硅片损伤少,几乎适用于所有的金属、玻璃、塑料等材料。(2) 缺点:图形刻蚀保真想过不理想,刻蚀图形的最小线难以掌控。(3) 植入广告!!该公司在这湿蚀刻方面比较优越!!!!!苏州华林科纳,成立于2008年3月,总投资4500万元;目前已形成湿法清洗系统、刻蚀系统、CDS系统、尾气处理系统的四大系列数十种型号的产品; 广泛应用于大规模集成电路电力电子器件、光电子器件、MEMS和太阳能电池等领域。 干法刻蚀的刻蚀剂是等离子体,是利用等离子体和表面薄膜反应,形成挥发性物质,或直接轰击薄膜表面使之被腐蚀的工艺。(1) 特点:能实现各向异性刻蚀,从而保证细小图形转移后的保真性。(2) 缺点:造价高。 从所产生通道截面形状分类,刻蚀又可分为两类:各向同性刻蚀和各向异性刻蚀。(1) 各向同性刻蚀:刻蚀剂从基片表面向下腐蚀的速率与在其他各方向大致相同,这种刻蚀成为各向同性刻蚀。例如含氢氟酸的溶液刻蚀玻璃和石英就是各向同性的。(2) 各向异性刻蚀:刻蚀剂在某一方向的刻蚀速率远大于其他方向时,就是各向异性刻蚀。例如用氢氧化钠、氢氧化钾等碱金属的氢氧化物或季铵盐刻蚀硅片时是各向异性的更多的半导体材料工艺设备相关资讯可以关注华...
发布时间: 2016 - 12 - 28
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