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发布时间: 2016 - 06 - 22
晶片凸点电镀设备-南通华林科纳CSE 传统的IC器件是硅圆片在前工序加工完毕后,送到封装厂进行减薄、划片、引线键合等封装工序。但无论是双列直插封装(DIP),还是四边引线扁平封装(QFP),封装后的体积都比芯片本身体积大很多倍。由于手机等便携式装置的体积很小,所以要求器件的体积越小越好,像有300多个引出端的液晶显示器(LCD)驱动电路,必须采用WLP的芯片尺寸封装(CSP)。有些特殊的高频器件,为了减小引线电感的影响,要求从芯片到外电路之间的引线越短越好。在这些情况下,华林科纳的工程师采用了芯片尺寸封装(CSP),方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊点,例如金凸点、焊料凸点、铟凸点,然后直接倒装焊在相应的基板上。  更多晶圆电镀设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse.com;现在咨询400-8768-096,18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的晶圆电镀设备的相关方案
发布时间: 2016 - 03 - 08
IPA干燥设备-华林科纳CSE南通华林科纳CSE-IPA干燥设备主要用于材料加工 太阳能电池片 分立器件 GPP等行业中晶片的冲洗干燥工艺,单台产量大,效率高设备名称南通华林科纳CSE-IPA干燥设备应用范围适用于2-8”圆片及方片动平衡精度高规格工艺时间: 一般亲水性晶圆片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金属含量: 任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点: 干燥后无斑点IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系统组成: IPA干燥工艺原理 01: IPA干燥工艺原理 02:更多的IPA干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
刻蚀方法分为:干法刻蚀和湿法刻蚀,干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术,一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区,它是各向异性的刻蚀技术,即在被刻蚀的区域内,各个方向上的刻蚀速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术;湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术,这是各向同性的刻蚀方法,利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料,通常SiO2采用湿法刻蚀技术,有时金属铝也采用湿法刻蚀技术,国内的苏州华林科纳CSE在湿法这块做得比较好。下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程:二氧化硅腐蚀:在二氧化硅硅片腐蚀机中进行,国内腐蚀机做的比较好的有苏州华林科纳(打个广告),腐蚀液是由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时,腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高,腐蚀越快,掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度最敏感,温度越高,腐蚀越快。具体步骤为:1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃动,浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)的作用是减小硅片的表面张力,使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触,从而达到充分腐蚀;2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液(氟化铵溶液)的槽中浸泡,上下晃动片架使得二氧化硅腐蚀更充分,腐蚀时间可以调整,直到二氧化硅腐蚀干净为止;3、冲纯水;4、甩干。二氧化硅腐蚀机理为:SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6(六氟硅酸)是可溶于水的络合物,利用这个性质可以很容易通过光刻工艺实现选择性腐蚀二氧化硅。为了获得稳定的腐蚀速率,腐蚀二氧化硅的腐蚀液一般用HF、NH4F与纯水按一定比例配成缓冲液。由于基区的氧化层较发射区的厚,以前小功率三极管的三次光刻(引线孔光刻)一般基极光刻和发射极光刻分步光刻,现在大部分都改为...
发布时间: 2016 - 03 - 07
设备名称:高温磷酸清洗机设备型号:CSE-SZ2011-16整机尺寸:约2800mm(L)×1200mm(w)×1900mm(H)节拍:根据实际工艺时间可调清洗量:批量清洗时,采用提篮装片,单次清洗圆片的数量要求如下2"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于25片4"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于20片6"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于20片框架材料:优质10mm瓷白PP板机壳,优质碳钢骨架,外包3mmPP板防腐机台底部:废液排放管路,防漏液盘结构机台支脚:有滑轮装置及固定装置,并且通过可调式地脚,可高低调整及锁定功能DIW上水管路及构件采用日本积水CL-PVC管材,排水管路材质为PP管排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸型照明台面板为优质10mmPP板(带有圆形漏液孔,清除台面残留液体)附件:水、气枪左右各两套控制方式:PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 组合控制;安全保护装置:      ●设有EMO(急停装置),       ●强电弱点隔离      ●设备三层防漏  托盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内台面布置图:各槽工艺参数
发布时间: 2017 - 12 - 06
芯片镀金设备-南通华林科纳CSE   晶圆电镀工艺在半导体、MEMS、LED 和 WL package 等领域中应用非常广泛。南通华林科纳的晶圆电镀设备针对这些应用研发和生产的,对所有客户提供工艺和设备一体化服务。产品分生产型和研发型两大类,适合不同客户的需求。 设备名称南通华林科纳CSE-芯片镀金设备应用领域:半导体、MEMS、LED操作模式:PLC集成控制具体应用:电镀、电铸工艺类型:电镀Au,Cu,Ni,Sn,Ag晶圆尺寸:8inch或以下尺寸,单片或多片基本配置:操作台(1套),主电镀槽(2套),腐蚀槽(2套),清洗(1套)设备功能和特点(不同电镀工艺配置有所差异) 1. 产品名称:芯片镀金设备 2. 产品系列:CSE-XL3. 晶圆尺寸:4-6inch. 4. 集成控制系统,内置MST-MP-COTROL程序 5. 主体材料:劳士领PP 6. 四面溢流设计 7. 温度控制系统:70+/-1C 8. 循环过滤出系统,流量可调。 9. 垂直喷流挂镀操作。 10. 专用阴阳极 11. 阴极摆动装置,频率可调。 12. 阳极均化装置。 13. 防氧化系统。 14. 充N2装置。 15. 排风操作台,风量可调。 16. 活化腐蚀系统。 17. 三级清洗系统。 18. 电镀液体系:均为无氰电镀液体系。 19. 工艺:表面均匀,厚度1-100um,均匀性5% 设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多晶圆电镀设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse...
发布时间: 2017 - 04 - 06
异质结高效电池(HJT、HIT)制绒清洗设备—华林科纳CSE 设备用途: 对高效太阳能电池异质结电池片进行制绒、清洗设备工艺流程:l  H2O2工艺:SC1处理→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(HNO3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干l  O3工艺:预清洗(O3)→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(O3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干技术特点:l  兼容MES、UPS和RFID功能l  机械手分配合理,有效避免药液交叉污染和槽体反应超时l  结构布局紧凑合理并且采用双层槽结构,设备占地空间小l  先进的400片结构,有效提高设备工艺产能l  工艺槽体采用“定排定补”模式和“时间补液”模式相结合,有效延长药液使用寿命和减少换液周期l  补配液采用槽内与补液罐双磁致伸缩流量计线性检测,以及可调节气阀控流结构,有效保证初配时间和微量精补配液的精度l  所有与液体接触材料优化升级,避免材料使用杂质析出l  采用最新低温烘干技术,保证槽内洁净度和温度控制精度技术参数:l  设备尺寸(mm):26600(L)*2800(W)*2570(H)l  Uptime:≥95%l  破片率:≤0.05%l  MTTR:4hl  MTBF:450hl  产能:6000pcs/hl  功率消耗:398KW更多异质结高效电池制绒清洗相关设备,可以关注网址:http://www.hlkncse.com,热线:400-8768-096,18913575037
发布时间: 2016 - 12 - 05
单腔立式甩干机-华林科纳CSE南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机系统应用于各种清洗和干燥工艺设备名称南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机优    点 清洗系统应用于各种清洗和干燥工艺 不同配置(可放置台面操作的设备、单台独立、双腔) 适用于晶圆尺寸至200mm 最佳的占地,设备带有滚轮可移动 优越的可靠性 独特的模块化结构 极其便于维修 易于使用和操作一般特征 适用于晶圆直径至200mm 25片晶圆单盒工艺 标准的高边和低边花篮 可选内置电阻率检测传感器来控制晶圆的清洗工艺 用冷或热的N2辅助晶圆干燥 离心头容易更换 图形化的界面: 基于PLC的彩色5.7“的触摸屏 可以编辑10多个菜单,每个菜单可有10步 多等级用户密  去静电装置安装于工艺腔室区 去离子水回收 电阻率监测装置 机械手自动加载 可放置台面操作的设备、单台独立、双腔 SECS/GEM 去离子水加热系统 底座置放不锈钢滚轮 溶剂灭火装置 适用特殊设计的花篮设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的单腔立式甩干机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
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根据研究数据显示,在大规模量产方面,首屈一指的当然是日本三洋,现有产能1GW,量产效率达23%。除此之外,具有较成熟HIT技术的还有Keneka、Sunpreme、Solarcity、福建均石、晋能、新奥、汉能等企业。  图表:国内外HIT太阳能电池产业化情况(单位:%,MW) 目前HIT产品的量产难点主要包括以下几方面:   (1)高质量硅片:相较常规N型产品,HIT电池对硅片质量有更高的要求,需要谨慎选择硅片供应商。   (2)制绒后硅片表面洁净度的控制:HIT电池对硅片表面洁净度要求非常高,需要平衡硅片清洗洁净程度和相关化学品以及水的消耗。   (3)各工序Q-time控制:HIT电池在完成非晶硅镀膜之前,对硅片暴露在空气中的时间以及环境要求比较严苛,需要注意各工序Q-time的控制。   (4)生产连续性对于TCO镀膜设备的影响:TCO镀膜必须保证连续投料,否则良率和设备状况都会受到影响,尤其在产线刚投产时,保持生产连续性是一大挑战。   (5)高粘度浆料的连续印刷稳定性:在HIT电池制备过程中,浆料粘度大导致的虚印断栅现象较多,需要数倍于常规产线的关注。   (6)焊带拉力的稳定性:拉力稳定的窗口窄,双玻双面发电的组件结构进...
发布时间: 2019 - 05 - 05
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HIT电池具有发电量高、度电成本低的优势,具体特点如下:(1)低温工艺HIT电池结合了薄膜太阳能电池低温(900℃)扩散工艺来获得p-n结。这种技术不仅节约了能源,而且低温环境使得a_Si:H基薄膜掺杂、禁带宽度和厚度等可以较精确控制,工艺上也易于优化器件特性;低温沉积过程中,单品硅片弯曲变形小,因而其厚度可采用本底光吸收材料所要求的最低值(约80μm);同时低温过程消除了硅衬底在高温处理中的性能退化,从而允许采用“低品质”的晶体硅甚至多晶硅来作衬底。 高温环境下发电量高,在一天的中午时分,HIT电池的发电量比一般晶体硅太阳电池高出8-10%,双玻HIT组件的发电量高出20%以上,具有更高的用户附加值。(2)双面电池HIT是非常好的双面电池,正面和背面基本无颜色差异,且双面率(指电池背面效率与正面效率之比)可达到90%以上,最高可达96%,背面发电的优势明显。(3)高效率HIT电池独有的带本征薄层的异质结结构,在p-n结成结的同时完成了单晶硅的表面钝化,大大降低了表面、界面漏电流,提高了电池效率。目前HIT电池的实验室效率已达到23%,市售200W组件的电池效率达到19.5%。(4)高稳定性HIT电池的光照稳定性好,理论研究表明非品硅薄膜/晶态硅异质结中的非晶硅薄膜没有发现Staebler-Wronski效应,从而不会出现类似非晶硅太阳能电池转换效率因光照而衰退的现象;H...
发布时间: 2019 - 05 - 05
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2、HIT电池工艺流程HIT电池的一大优势在于工艺步骤相对简单,总共分为四个步骤:制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备。    图表2:HIT太阳能电池工艺流程制备的核心工艺是非晶硅薄膜的沉积,其对工艺清洁度要求极高,量产过程中可靠性和可重复性是一大挑战,目前通常用PECVD法制备。 HIT电池的制备工艺步骤简单,且工艺温度低,可避免高温工艺对硅片的损伤,并有效降低排放,但是工艺难度大,且产线与传统电池不兼容,设备资产投资较大。
发布时间: 2019 - 05 - 05
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在许多大学、研究所,研究员在实验室做实验时,往往需要配比很多不同类型的溶液。这些溶液有酸碱液、有机液,人工配液时接触,不仅存在安全隐患,还经常存在配液比例不准确,效率低下的问题。同时,由于人工反复不断的配比,人在疲倦的时候容易出错,还易造成药液的浪费。  华林科纳公司设计的CSE-LIQOUR-II自动配液机,专为解决以上问题而研发,可以适用于各类化学生物制药工艺实验室,是用来满足药液自动配比的设备,通过称重、流量计准确计量、气压输送或注塞抽取等方式将药液按照比例输送,配液精确度能够达到2‰。  该配液机由配液控制单元与配液称量单元两部分组成。配液控制单元由显示操作区域、外接原液桶装置与计算控比装置组成,通过操作区域输入化学药液的浓度、配比比例与需要的药液量,经过计算控比装置的精确计算,将几种药液进行混合配比,从而实现药液的精确配比。同时,配有精确的配液称量单元,最高配液分辨率可达到0.01g。除了可以用量杯进行大规格的调制之外,还可以配备标准试管支架,以用来固定试管,进行精确地试管配比。  该配液机能够达到高精准、高效率的配液,并具有抗腐蚀性、毒性、耐压、防燃防爆等功能,保证操作者安全;通过计算控比单元与机台界面自动化,实现自动控制操作的运转;接触部分与绝大多数化学品(如硫酸H2SO4、硝酸HNO3、磷酸H3PO4、盐酸HCL、氢氟酸HF、缓冲氧化物刻蚀液BOE等酸性溶液;氨水N...
发布时间: 2019 - 06 - 28
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1、HIT电池结构和原理HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin-layer的缩写,意为本征薄膜异质结,因HIT已被日本三洋公司申请为注册商标,所以又被称为HJT或SHJ(Silicon Heterojunction solar cell)。该类型太阳能电池最早由日本三洋公司于1990年成功开发,当时转换效率可达到14.5%(4mm2的电池),后来在三洋公司的不断改进下,三洋HIT电池的转换效率于2015年已达到25.6%。2015年三洋的HIT专利保护结束,技术壁垒消除,是我国大力发展和推广HIT技术的大好时机。下图是HIT太阳能电池的基本构造,其特征是以光照射侧的p-i型a-Si:H膜(膜厚5-l0nm)和背面侧的i-n型a-Si:H膜(膜厚5-l0nm)夹住晶体硅片,在两侧的顶层形成透明的电极和集电极,构成具有对称结构的HIT太阳能电池。  图表:HIT太阳能电池结构示意图在电池正表面,由于能带弯曲,阻挡了电子向正面的移动,空穴则由于本征层很薄而可以隧穿后通过高掺杂的p+型非晶硅,构成空穴传输层。同样,在背表面,由于能带弯曲阻挡了空穴向背面的移动,而电子可以隧穿后通过高掺杂的n+型非晶硅,构成电子传输层。通过在电池正反两面沉积选择性传输层,使得光生载流子只能在吸收材料中产生富集然后从电池的一个表面流出,从而实现两者的分离...
发布时间: 2019 - 05 - 05
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2019年上半年接近尾声,华林科纳设备事业部喜讯频频。5月28日再次签下上海12寸晶圆产线晶圆项目的slurry供应系统千万大单,标志着华林科纳Slurry供应系统在大尺寸晶圆项目上取得新的突破。究竟什么是Slurry供应系统?在厂务化学系统中,与CMP制程关系最为密切的就是Slurry化学研磨液供应系统。Slurry供应系统是指无间断(24小时/天,365天/年)为CMP提供制程所需要的化学研磨液的系统。一旦厂务Slurry供应系统出现异常,将使CMP制程造成极为严重的损失,Slurry品质至关重要。这次客户选择华林科纳作为Slurry供应系统项目的合作对象,是对我们产品品质最大的认可。接下来,我们华林科纳也将会以最大能力保障客户Slurry供应系统的稳定性与安全性。
发布时间: 2019 - 05 - 29
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近几年,在政策和市场双轮驱动下,骨干企业加大了工艺研发和技改投入力度,生产工艺水平不断进步,高效电池技术不断发展。  2018年,各种电池技术平均转换效率方面,规模化生产的多晶黑硅电池的平均转换效率达到19.2%,使用PERC电池技术的单晶和多晶黑硅电池效率提升至21.8%和20.3%,较2017年分别提升0.5个百分点和0.3个百分点,N型PERT单晶电池平均转换效率已经达到21.5%。双面N型PERT电池和异质结(HJT)电池已进入量产,并且会成为未来发展的主要方向之一。下表给出了2018-2025年不同类型电池转换效率变化趋势。  2018年,各种电池技术市场占比方面,BSF电池(常规电池及多晶黑硅电池结构)仍占据大部分市场份额,但相比2017年83%的占比已下降了23个百分点,随着新技术的发展其占比将逐年减少;PERC电池是当前产能最大的高效电池,2018年市场份额占比大幅增加,达到33.5%左右,预计明年PERC电池市场占比将反超BSF电池,成为市场占比最高的电池种类。双面N型PERT电池、背接触(IBC)电池、异质结(HJT)电池等新型高效电池市场份额将逐步提高,其中N-PERT电池未来将成为市场占比第二的电池种类。下图给出了2018-2025年不同电池技术市场占比的变化趋势。  纵观未来光伏市场发展,随着高效电池技术的逐步成熟、成本的逐步下降,产品市场需求将继续扩大,...
发布时间: 2019 - 04 - 30
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在华林科纳公司领导和各部门员工的不懈努力下,经过认证机构资深专家的现场审核,华林科纳半导体设备有限公司环境管理体系各方面实施效果均已达到ISO14001:2015标准的要求,顺利通过了ISO14001的认证审核,向华林科纳正式颁发ISO14001:2015环境管理体系认证证书。  作为国内著名的半导体湿制程设备供应商,华林科纳不仅追求在技术、产品质量、服务等各方面领先,而且积极履行对环境保护的社会义务,为全球环境与可持续发展做出贡献。 此次能顺利通过ISO14001:2015环境管理体系认证,是对华林科纳环境体系管理工作的高度肯定,今后将严格按照环境管理体系认证的要求,不断完善优化公司环境管理体系各项工作。
发布时间: 2019 - 04 - 22
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3月21日,华林科纳半导体与台湾弘塑科技签订战略合作协议。华林科纳、弘塑科技、三菱电机、香港应用科技研究院、文治资本、上海交通大学微电子学院均派出代表出席并见证了签约仪式。根据协议,双方将本着“强强联合、优势互补、合作共赢”的原则,积极推进在半导体湿制程领域的设备研发、制造、售后服务支持等方面合作,促进共同发展。↑ 签约仪式在签约仪式中,双方进行了友好交流。华林科纳半导体作为国内湿制程设备领域的优质供应商,业务范围涵盖了湿法清洗、刻蚀系统、CDS系统、尾气处理系统的四大系列数十种型号的产品,广泛应用于大规模集成电路、电力电子器件、分立器件、光电子器件、MEMS等领域。弘塑科技股份有限公司作为台湾半导体设备制造的领先品牌,此次与华林科纳半导体签约是双方友好合作的起点,要借此契机从长远性和战略性的高度,深化合作领域,加大8寸及12寸单片旋转清洗设备、电镀设备等高端设备的新产品研发、生产与销售。通过紧密和高效的合作,释放1+12的增值效益,携手探寻半导体设备领域的新发展。↑ 弘塑代表发言↑ 签约仪式现场
发布时间: 2019 - 04 - 18
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新南威尔士大学(The University of New South Wales),澳大利亚一所世界顶尖级研究学府,简称UNSW,创立于1949年,其主校区位于新州首府悉尼。新南威尔士大学素有“南半球的麻省理工”之称,其工程学院是澳大利亚规模最大的工程学院。据澳大利亚公布的最及影响力的百强工程师名单中,近四分之一毕业于新南威尔士大学。
发布时间: 2019 - 04 - 09
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