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发布时间: 2016 - 06 - 22
晶片凸点电镀设备-南通华林科纳CSE 传统的IC器件是硅圆片在前工序加工完毕后,送到封装厂进行减薄、划片、引线键合等封装工序。但无论是双列直插封装(DIP),还是四边引线扁平封装(QFP),封装后的体积都比芯片本身体积大很多倍。由于手机等便携式装置的体积很小,所以要求器件的体积越小越好,像有300多个引出端的液晶显示器(LCD)驱动电路,必须采用WLP的芯片尺寸封装(CSP)。有些特殊的高频器件,为了减小引线电感的影响,要求从芯片到外电路之间的引线越短越好。在这些情况下,华林科纳的工程师采用了芯片尺寸封装(CSP),方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊点,例如金凸点、焊料凸点、铟凸点,然后直接倒装焊在相应的基板上。  更多晶圆电镀设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse.com;现在咨询400-8768-096,18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的晶圆电镀设备的相关方案
发布时间: 2016 - 03 - 08
IPA干燥设备-华林科纳CSE南通华林科纳CSE-IPA干燥设备主要用于材料加工 太阳能电池片 分立器件 GPP等行业中晶片的冲洗干燥工艺,单台产量大,效率高设备名称南通华林科纳CSE-IPA干燥设备应用范围适用于2-8”圆片及方片动平衡精度高规格工艺时间: 一般亲水性晶圆片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金属含量: 任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点: 干燥后无斑点IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系统组成: IPA干燥工艺原理 01: IPA干燥工艺原理 02:更多的IPA干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
刻蚀方法分为:干法刻蚀和湿法刻蚀,干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术,一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区,它是各向异性的刻蚀技术,即在被刻蚀的区域内,各个方向上的刻蚀速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术;湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术,这是各向同性的刻蚀方法,利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料,通常SiO2采用湿法刻蚀技术,有时金属铝也采用湿法刻蚀技术,国内的苏州华林科纳CSE在湿法这块做得比较好。下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程:二氧化硅腐蚀:在二氧化硅硅片腐蚀机中进行,国内腐蚀机做的比较好的有苏州华林科纳(打个广告),腐蚀液是由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时,腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高,腐蚀越快,掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度最敏感,温度越高,腐蚀越快。具体步骤为:1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃动,浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)的作用是减小硅片的表面张力,使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触,从而达到充分腐蚀;2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液(氟化铵溶液)的槽中浸泡,上下晃动片架使得二氧化硅腐蚀更充分,腐蚀时间可以调整,直到二氧化硅腐蚀干净为止;3、冲纯水;4、甩干。二氧化硅腐蚀机理为:SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6(六氟硅酸)是可溶于水的络合物,利用这个性质可以很容易通过光刻工艺实现选择性腐蚀二氧化硅。为了获得稳定的腐蚀速率,腐蚀二氧化硅的腐蚀液一般用HF、NH4F与纯水按一定比例配成缓冲液。由于基区的氧化层较发射区的厚,以前小功率三极管的三次光刻(引线孔光刻)一般基极光刻和发射极光刻分步光刻,现在大部分都改为...
发布时间: 2016 - 03 - 07
设备名称:高温磷酸清洗机设备型号:CSE-SZ2011-16整机尺寸:约2800mm(L)×1200mm(w)×1900mm(H)节拍:根据实际工艺时间可调清洗量:批量清洗时,采用提篮装片,单次清洗圆片的数量要求如下2"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于25片4"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于20片6"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于20片框架材料:优质10mm瓷白PP板机壳,优质碳钢骨架,外包3mmPP板防腐机台底部:废液排放管路,防漏液盘结构机台支脚:有滑轮装置及固定装置,并且通过可调式地脚,可高低调整及锁定功能DIW上水管路及构件采用日本积水CL-PVC管材,排水管路材质为PP管排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸型照明台面板为优质10mmPP板(带有圆形漏液孔,清除台面残留液体)附件:水、气枪左右各两套控制方式:PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 组合控制;安全保护装置:      ●设有EMO(急停装置),       ●强电弱点隔离      ●设备三层防漏  托盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内台面布置图:各槽工艺参数
发布时间: 2017 - 12 - 06
芯片镀金设备-南通华林科纳CSE   晶圆电镀工艺在半导体、MEMS、LED 和 WL package 等领域中应用非常广泛。南通华林科纳的晶圆电镀设备针对这些应用研发和生产的,对所有客户提供工艺和设备一体化服务。产品分生产型和研发型两大类,适合不同客户的需求。 设备名称南通华林科纳CSE-芯片镀金设备应用领域:半导体、MEMS、LED操作模式:PLC集成控制具体应用:电镀、电铸工艺类型:电镀Au,Cu,Ni,Sn,Ag晶圆尺寸:8inch或以下尺寸,单片或多片基本配置:操作台(1套),主电镀槽(2套),腐蚀槽(2套),清洗(1套)设备功能和特点(不同电镀工艺配置有所差异) 1. 产品名称:芯片镀金设备 2. 产品系列:CSE-XL3. 晶圆尺寸:4-6inch. 4. 集成控制系统,内置MST-MP-COTROL程序 5. 主体材料:劳士领PP 6. 四面溢流设计 7. 温度控制系统:70+/-1C 8. 循环过滤出系统,流量可调。 9. 垂直喷流挂镀操作。 10. 专用阴阳极 11. 阴极摆动装置,频率可调。 12. 阳极均化装置。 13. 防氧化系统。 14. 充N2装置。 15. 排风操作台,风量可调。 16. 活化腐蚀系统。 17. 三级清洗系统。 18. 电镀液体系:均为无氰电镀液体系。 19. 工艺:表面均匀,厚度1-100um,均匀性5% 设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多晶圆电镀设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse...
发布时间: 2017 - 04 - 06
异质结高效电池(HJT、HIT)制绒清洗设备—华林科纳CSE 设备用途: 对高效太阳能电池异质结电池片进行制绒、清洗设备工艺流程:l  H2O2工艺:SC1处理→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(HNO3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干l  O3工艺:预清洗(O3)→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(O3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干技术特点:l  兼容MES、UPS和RFID功能l  机械手分配合理,有效避免药液交叉污染和槽体反应超时l  结构布局紧凑合理并且采用双层槽结构,设备占地空间小l  先进的400片结构,有效提高设备工艺产能l  工艺槽体采用“定排定补”模式和“时间补液”模式相结合,有效延长药液使用寿命和减少换液周期l  补配液采用槽内与补液罐双磁致伸缩流量计线性检测,以及可调节气阀控流结构,有效保证初配时间和微量精补配液的精度l  所有与液体接触材料优化升级,避免材料使用杂质析出l  采用最新低温烘干技术,保证槽内洁净度和温度控制精度技术参数:l  设备尺寸(mm):26600(L)*2800(W)*2570(H)l  Uptime:≥95%l  破片率:≤0.05%l  MTTR:4hl  MTBF:450hl  产能:6000pcs/hl  功率消耗:398KW更多异质结高效电池制绒清洗相关设备,可以关注网址:http://www.hlkncse.com,热线:400-8768-096,18913575037
发布时间: 2016 - 12 - 05
单腔立式甩干机-华林科纳CSE南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机系统应用于各种清洗和干燥工艺设备名称南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机优    点 清洗系统应用于各种清洗和干燥工艺 不同配置(可放置台面操作的设备、单台独立、双腔) 适用于晶圆尺寸至200mm 最佳的占地,设备带有滚轮可移动 优越的可靠性 独特的模块化结构 极其便于维修 易于使用和操作一般特征 适用于晶圆直径至200mm 25片晶圆单盒工艺 标准的高边和低边花篮 可选内置电阻率检测传感器来控制晶圆的清洗工艺 用冷或热的N2辅助晶圆干燥 离心头容易更换 图形化的界面: 基于PLC的彩色5.7“的触摸屏 可以编辑10多个菜单,每个菜单可有10步 多等级用户密  去静电装置安装于工艺腔室区 去离子水回收 电阻率监测装置 机械手自动加载 可放置台面操作的设备、单台独立、双腔 SECS/GEM 去离子水加热系统 底座置放不锈钢滚轮 溶剂灭火装置 适用特殊设计的花篮设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的单腔立式甩干机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
新闻中心 新闻资讯
3月5日下午,在华林科纳南通生产基地会议室组织了2019年的第一场技术培训,公司销售部、技术部、生产部、资材部、采购部等部门悉数参加。华林科纳超声设备专家朱洪岗先生讲课主讲人华林科纳超声设备专家朱洪岗先生在本次培训会上做了关于《超声波设备原理》的主题培训,通过超声波清洗原理、清洗效果与特点、设备的基本构造、设备使用保养四个版块展开培训。认真的听课参加培训的同事们积极讨论,针对超声波核心技术在公司项目中的应用提出了自己的见解,现场气氛热烈。仔细的记笔记通过此次培训,促使各部门同事更加深入了解超声波清洗的应用和方案选择,有利于部门相互协作,帮助客户更加精准地选择和使用华林科纳的产品。培训受到了公司各部门的欢迎和好评,后续的培训将定期举行。
发布时间: 2019 - 03 - 07
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SEMICON China 2019 展会将在上海新国际博览中心举行。在展览期间,华林科纳 N5-5584 展位将会展示湿制程领域的设备解决方案,并将于 3月21日 举办客户答谢酒会。感谢您一直以来对华林科纳的支持与厚爱,真诚期待您的光临,共创我们美好未来。—— 华林集团
发布时间: 2019 - 03 - 05
浏览次数:40
2019年3月20-22日 ,SEMICON China 2019展览会将在上海新国际博览中心盛大开幕。在这一年一度的半导体行业盛会上,我们将展示最新的产品及最前沿的技术,并期待与业界专家交流市场商机,洽谈合作机会。在此,华林科纳诚挚邀请您莅临我们的展位!华林科纳展位号 【5584】▲华林科纳展位号  5584重点主推产品湿法清洗系统、刻蚀系统、CDS系统、尾气处理系统的四大系列数十种型号的产品时间:2019年3月20-22日地址:上海新国际博览中心N5华林科纳展位号:5584与 您 不 见 不 散 !
发布时间: 2019 - 01 - 07
浏览次数:185
实验室常用的改进的RCA 清洗工艺1.水中超声清洗:灰尘、残余物去除2.浓硫酸、浓硫酸+双氧水:表面污染(有机物、重金属、微粒)      BHF去除氧化层 (to 疏水性)3.碱洗(双氧水、氨水、水):颗粒、有机物去除      BHF去除氧化层 (to 疏水性)4.酸洗(双氧水、盐酸、水):微粒、金属去除      BHF去除氧化层 (to 疏水性)5.超纯水淋洗:去除离子设备组成:  中央控制系统及晶圆输入端  串联式化学酸槽、碱槽及洗涤槽  检测系统,包括流量监测,温度检测,酸槽化学浓度校准  旋转、干燥设备南通华林科纳专业生产半导体湿法清洗设备包括RCA清洗设备,兆声清洗设备,超声清洗设备,更多详情可以关注http://www.hlkncse.com/ ,400-8768-096
发布时间: 2018 - 07 - 05
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RCA清洗工艺是一种在半导体制造过程中被广泛应用的工艺,是去除硅片表面各类玷污的有效方法。南通华林科纳的工程师在本文中简单介绍了RCA清洗工艺的原理及应用。 随着半导体技术的发展,半导体器件和集成电路内各元件及连线越来越微细,因此制造过程中,尘粒、金属等的污染,对晶片内电路功能的损坏影响越来越大。因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外,集成电路制造工艺过程中均需要对硅片表面进行清洗,以有效地使用化学溶液清除残留在硅片表面上的各种杂质。 硅片是半导体器件和集成电路中使用最广泛的基底材料,对其表面的清洗是整个硅片制造工艺中极为重要的环节之一。半导体领域中的湿式清洗技术是伴随设备的微小化及对产品质量要求的不断提高而提高的,是以 RCA 清洗技术为基本的框架,经过多年的不断发展形成。完全清洁的基片表面是实现高性能处理的第一步。如果基底表面不完全清洁,其他处理无论如何控制也达不到高质量的要求。 目前在国内,对硅片表面进行化学清洗的设备比较多,但大多属于手动设备,在实际应用过程中存在工艺一致性差、效率低下、无法适应大批量生产等缺点。国外进口的全自动 RCA 清洗机虽然性能优越,但售价非常昂贵,使众多半导体生产厂家望而却步。鉴于此,南通华林科纳CSE自主独立开发了全自动半导体RCA 清洗机,经过试验和用户使用验证,完全能达到用户的使用要求。&#...
发布时间: 2018 - 07 - 06
浏览次数:220
一.简介  兆声清洗是运用在半导体清洗设备中的一种比较新颖清洗技术,它不仅保存了超声波清洗的优点,而且克服了它的不足,它是由高频(900khz 可根据实际使用来定)振效应并结合化学清洗剂的化学反应对硅片进行清洗的。在清洗时,由换能器发出波长为1μm频率为0.8兆赫的高能声波。溶液分子在这种声波的推动下作加速运动,最大瞬时速度可达到30cm/s。因此,形成不了超声波清洗那样的气泡,而只能以高速的流体波连续冲击晶片表面,使硅片表面附着的污染物的细小微粒被强制除去并进入到清洗液中。 二.作用兆声波清洗可去掉硅片表面上小于0.2μm的粒子,起到超声波起不到的作用。这种方法能同时起到机械擦片和化学清洗两种方法的作用。目前兆声波清洗方法已成为抛光片清洗的一种有效方法。 三.结构兆声波清洗的结构主要可以分为放着清洗晶片的石英槽体、保证在清洗过程温度稳定的溢流外槽、产生兆声波的兆声振盒及其发生器、保证清洗槽体内温度的在线加热和根据设备使用中是否需要的自动供酸系统,是否有其他结构可根据实际使用来进行添加。 四.使用原理  兆声波清洗机是用在硅片清洗中的一种清洗技术,使用时首先要把清洗槽体和在线加热内注入适当的清洗的液体,注入的的方法可根据厂方的注液方式分为手动上液和自动上液,上液完成之后打开在线加热,使温度达到使用温度,温度达到时...
发布时间: 2018 - 07 - 03
浏览次数:177
湿法腐蚀清洗设备是集成电路、LED、太阳能、MEMS等芯片制造中必不可少的工艺设备,而为了更好的达到腐蚀效果,在各种腐蚀工艺中往往要配合药液的循环完成,从而达到更好的腐蚀均匀性。南通华林科纳半导体CSE工程师介绍了几种常用的腐蚀工艺循环原理及在湿法腐蚀清洗设备的典型应用。 关键词:工艺槽循环过滤; 湿法腐蚀清洗; 硅腐蚀;随着芯片制造特征尺寸的缩小,工艺水平的不断提高,对晶片腐蚀的均匀性,晶片表面颗粒及金属污染等洁净度指标提出了更高的要求,因此,湿法腐蚀清洗设备在采用晶片旋转、抖动、超声清洗、兆声清洗等的同时,业内普遍采用工艺槽循环过滤方式,来净化槽内药液,同时均匀流场保证药液浓度和温度的均匀性。1 湿法腐蚀的关键问题硅的湿法腐蚀在选择腐蚀工艺和腐蚀剂时,需考虑诸多因素影响(如浓度、时间、温度、搅拌等)的同时,需考虑以下几方面的问题:(1)腐蚀速率。较高的腐蚀速率将有效的缩短腐蚀时间,但所得到的腐蚀表面较粗糙。腐蚀液的浓度与腐蚀速率及腐蚀表面质量有关,当腐蚀液浓度较小时,腐蚀速率较大。(2)腐蚀选择性。选择性是指要腐蚀材料的腐蚀速率与不希望腐蚀的材料(如掩模)的腐蚀速率的比率。一般地,选择比越大越好。(3)腐蚀均匀性。在硅腐蚀表面各处,腐蚀速率常常不相等,造成腐蚀表面出现起伏等,腐蚀尺寸比较大时表现尤为明显。这与腐蚀液浓度有关,反应槽中腐蚀液的浓度一直...
发布时间: 2018 - 01 - 11
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在太阳能电池生产中,制绒是晶硅电池的第 一道工艺。华林科纳CSE的工程师提到对于单晶硅来说,制绒的目的就是延长 光在电池表面的传播路径,从而提高太阳能电池对光的吸收效率。单晶硅制绒的主要方法是用碱 (NaOH、KOH)对硅片表面进行腐蚀。由于硅片的 内部结构不同,各向异性的碱液制绒主要是使晶 向分布均匀的单晶硅表面形成类似“金字塔”状的 绒面,有效地增强硅片对入射太阳光的吸收,从而 提高光生电流密度。对于既可获得低的表面反射 率,又有利于太阳能电池的后续制作工艺的绒面, 应该是金字塔大小均匀,单体尺寸在 2~10 μm 之间,相邻金字塔之间没有空隙,即覆盖率达到 100%。理想质量绒面的形成,受到了诸多因素的 影响,如硅片被腐蚀前的表面状态、制绒液的组 成、各组分的含量、温度、反应时间等。而在工业生 产中,对这一工艺过程的影响因素更加复杂,例如 加工硅片的数量、醇类的挥发、反应产物在溶液中 的积聚、制绒液中各组分的变化等。为了维持生产 良好的可重复性,并获得高的生产效率。就要比较 透彻地了解金字塔绒面的形成机理,控制对制绒 过程中影响较大的因素,在较短的时间内形成质 量较好的金字塔绒面。单晶制绒的工艺比较复杂,不同公司有各自 独特的制绒方法。一般碱制绒有以下几种方法: NaOH+IPA、NaOH+IPA+NaSiO3、NaOH+CH3CH2OH 等。一般使用到的化学添加剂有两种,一...
发布时间: 2018 - 07 - 02
浏览次数:132
集成电路湿法工艺的目的半导体集成电路制程主要以20世纪50年代以后发明的四项基础工艺(离子注入、扩散、外延生长及光刻)为基础逐渐发展起来,由于集成电路内各元件及连线相当微细,因此制造过程中,如果遭到尘粒、金属的污染,很容易造成晶片内电路功能的损坏,形成短路或断路等,导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。湿法工艺作用是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下,有效地使用化学药液清除残留在晶圆上之微尘、金属离子、自然氧化层及有机物之杂质。  批处理清洗设备                         单晶圆清洗设备 集成电路工艺过程IC芯片主要工艺过程 湿法设备的应用湿法设备在8寸IC芯片制造过程中的应用集成电路湿法工艺IC芯片清洗工艺分类1. 前段灰化后清洗 35%     -硫酸过氧化混合液清洗(SPM Clean) 2.   热氧化前预清洗      &#...
发布时间: 2018 - 06 - 11
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中国政府“十三五“规划草案,经济发展目标包括半导体等先进产业及在晶片材料、机器人、航空设备和卫星的次世代领域成为世界领先,研发经费将达GDP2.5%。那么半导体是怎么制造出来的?这里我们并不是探究从沙子到芯片的过程,而是聚焦于半导体生产制造的环境和生产设备。半导体芯片的生产通常要经历以下过程:半导体芯片生产工序这些高端精细的制备过程对芯片的生产环境和设备要求是极高的,这些机器设备会令硅芯片(如英特尔硅芯片)遭受超强真空处理、「化学浴」浸泡、高能等离子体加工、紫外光照射等一系列步骤,同时还要使硅芯片经过数百个制造阶段,从而将它们变成CPU、存储器片、图形处理器等。我们以美国应用材料公司的梅坦技术中心半导体生产环境和制备设备为例。 1.无尘室在进入研究中心以前,必须穿上防护服,戴上面具、护目镜、两幅手套以及将鞋完全套住的塑胶袋。这里不是生产车间,相反,这个无尘室只是模拟了晶圆厂的环境,应用材料公司的设备将在这种环境下使用,以便公司及其客户可以测试新技术和新工艺,然后真正将它们推向生产线。2.玻璃光掩膜 芯片制造的核心技术是平版印刷(光刻),这种技术就像是丝网印刷,只不过不是通过丝制模板将墨滚压至棉T恤上,而是通过玻璃光掩膜,使紫外光照射表面涂有光刻胶(一种有机化合物)的硅衬底上。在紫外光照射穿透的地方,光刻胶的化学特性会被削弱,使硅芯片表面留下图案。接着,硅芯片会被...
发布时间: 2018 - 06 - 09
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