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发布时间: 2016 - 03 - 10
太阳能硅片制绒腐蚀清洗机-CSE在光伏发电领域,由于多晶硅电池片成本较低,其 市 场 占有率已跃居首位,但相对于单晶硅电池片而言仍存在着反 射率较高、电池效率不足的缺陷。为缩小多晶硅太阳能电池 片与单晶硅太阳能电池片之间的差距,采用织构化多晶硅表 面的方法提高多晶硅片吸光能力是一条行之有效的途径。目前,多晶硅表面织构化的方法主要有机械刻槽、激光刻槽、反应离子体蚀刻、酸腐蚀制绒等,其中各 向同性酸腐制绒技术的工艺简单,可以较容易地整合到多晶 硅太阳能电池的生产工序中,同时成 本 最 低,因 而 在 大 规 模 的工业生产中得到了广泛的应用。更多的太阳能硅片制绒腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 12 - 05
花篮/片盒清洗机-华林科纳CSE 完美适应当前所有型号的花篮和片盒、传输片盒、前端开口片盒(Foup片盒)的清洗和干燥系统优点装载晶圆直径至200mm的花篮和片盒—或不同晶圆尺寸的花篮和片盒,同时可装载晶圆直径至300mm的前端开口片盒(Foup片盒)三种设备尺寸满足客户特殊需求 CleanStep I – 用于4组花篮和片盒加载和清洗能力:每次4组花篮和片盒清洗产能:每小时12组花篮和片盒 CleanStep II – 用于8组花篮和片盒加载和清洗能力:每次8组花篮和片盒清洗产能:每小时24组花篮和片盒 CleanStep III – 用于6组前端开口片盒(Foup)加载和清洗能力:每次6组前端开口片盒(Foup片盒)清洗产能:每小时18组前端开口片盒(Foup片盒) 适用于晶圆直径至200mm的花篮和片盒的标准旋转笼(Cleanstep I/II) 适用于所有片盒一次清洗过程 或是同时4组花篮和片盒,或是12个花篮(Cleanstep I/II) 简单快捷的对不同尺寸的片盒和花篮进行切换 旋转笼内的可旋转载体方便加载或卸载花篮和片盒 通过控制系统对自锁装置的检测,达到安全加载片盒和花篮,及其运行特征和优点可应用不同化学品(稀释剂)来清洗 泵传输清洗液 计量调整可通过软件设置控制操作热水喷淋装置 热水一般由厂务供应 — 标准化 或有一个体积约100升的热水预备槽(循环泵和加热棒用于热水预备槽—选项) 笼子 带有可变速旋转的控制的高扭矩伺服电机(按照加载量和设备配置,最大旋转速度200rpm,) 旋转的不锈钢笼子 会自动停止工作(运行过程中出现失衡状态时)热空气干燥 顶端吹下热空气 采用根据设备待机和工艺运行模式的可调风量的风扇装置 不锈钢架上装有加热器,可以温度控制 软件监控温度 带有反压控制的高效过滤器辅助功能和操作控制 触摸屏安装在前面—标准化 也...
发布时间: 2016 - 03 - 07
RCA湿法腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备设 备 名  称南通华林科纳CSE-RCA湿法腐蚀清洗机使 用 对 象硅晶片2-12inch适 用 领  域半导体、太阳能、液晶、MEMS等设 备 用 途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备主体构造特点1. 设备包括:设备主体、电气控制部分、化学工艺槽、纯水清洗槽等;并提供与厂务供电、供气、供水、排废水、排气系统配套的接口等。2.设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境中3.主体:设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境中;4.骨 架:钢骨架+PP德国劳施领板组合而成,防止外壳锈蚀。5.储物区:位于工作台面左侧,约280mm宽,储物区地板有漏液孔和底部支撑;6.安全门:前侧下开透明安全门,脚踏控制;7.工艺槽:模组化设计,腐蚀槽、纯水冲洗槽放置在一个统一的承漏底盘中。底盘采用满焊接工艺加工而成,杜绝机台的渗漏危险;8.管路系统:位于设备下部,所有工艺槽、管路、阀门部分均有清晰的标签注明;药液管路采用PFA管,纯水管路采用白色NPP喷淋管,化学腐蚀槽废液、冲洗废水通过专用管道排放;9.电气保护:电器控制、气路控制和工艺槽控制部份在机台顶部电控区,电气元件有充分的防护以免酸雾腐蚀以保障设备性能运行稳定可靠;所有可能与酸雾接触的...
发布时间: 2017 - 12 - 19
片盒清洗机-华林科纳CSE 设备概况:主要功能:本设备主要手动/自动搬运方式,通过对片盒化学液体浸泡、冲洗、漂洗、鼓泡、快排等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:片盒清洗机设备型号:CSE-SC-N259整机尺寸(参考):约1700mm(L)×1400mm(W)×2000mm(H);(该设备非标定制)操作形式:手动 设备组成该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成 设备描述此装置是一个手动的处理设备;设备前上方有各阀门、工艺流程的控制按钮、指示灯、触摸屏(PROFACE/OMRON)、音乐盒等,操作方便;主体材料:德国进口 10mmPP 板,优质不锈钢骨架,外包 3mmPP 板防腐;台面板为德国 10mm PP 板;DIW 管路及构件采用日本进口 clean-PVC 管材,需满足 18MW去离子水水质要求;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明安全考虑:1. 设有 EMO(急停装置)2. 强电弱点隔离3. 所有电磁阀均高于工作槽体工作液面4. 设备排风口加负压检测表5. 设备三层防漏 漏盘倾斜 漏液报警 设备整体置于防漏托盘内 更多的花篮和片盒清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096 18913575037可立即获取免费的片盒清洗机解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
自动供液系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2016 - 06 - 13
设备名称:晶棒腐蚀机---CSE产品描述:        ●此设备自动化程度高,腐蚀清洗装置主要由水平通过式腐蚀清洗主体(槽体部分/管路部分等),移动机械传送装置,CDS系统,抽风系统,电控及操作台等部分组成;         ●进口优质透明PVC活动门(对开/推拉式),保证设备外部环境符合劳动保护的相关标准,以保证设备操作人员及其周围工作人员的身体健康;         ●机械臂定位精度高;         ●整体设备腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠;         ●设备成本合理,自动化程度高,使用成本低;技术先进,结构合理,适宜生产线上大批次操作.         ●非标设备,根据客户要求具体定制,欢迎详细咨询!更多半导体清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
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一、太阳能电池片工艺流程:  制绒(INTEX)---扩散(DIFF)---后清洗(刻边/去PSG)---镀减反射膜(PECVD)---丝网、烧结(PRINTER)---测试、分选(TESTER+SORTER)---包装(PACKING)  二、我是做清洗的,今天主要跟大家分享一下清洗的工艺电池片制造过程中,有哪些步骤用到清洗呢?1,硅棒硅芯的清洗 ,需要用到硅棒硅芯清洗机 图为华林科纳硅棒清洗机2,制绒刻蚀--碱洗--酸洗     需要用到制绒腐蚀清洗机 图为华林科纳制绒腐蚀设备3,长时间扩散后需要对石英管进行清洗   需要石英管清洗机 图为华林科纳石英管清洗机下面讲一讲具体的步骤  (一)前清洗  1.RENA前清洗工序的目的:  (1) 去除硅片表面的机械损伤层(来自硅棒切割的物理损伤)  (2) 清除表面油污(利用HF)和金属杂质(利用HCl)  (3)形成起伏不平的绒面,利用陷光原理,增加对太阳光的吸收,在某种程度上增加了PN结面积,提高短路电流(Isc),最终提高电池光电转换效率。  2、前清洗工艺步骤: 制绒→碱洗 →酸洗→吹干  Etch bath:刻蚀槽,用于制绒。 所用溶液为HF+HNO3 ,作用:  (1).去除硅片表面的机械损伤层;  (2).形成无规则绒面。Alkaline Rinse:碱洗槽 。 所用溶液为KOH,...
发布时间: 2016 - 09 - 20
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太阳能因其可再生与清洁环保等特性被广泛关注,太阳能电池片生产厂家也越来越多。太阳能电池工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电于转换反应,根据所用材料的不同,太阳能电池可分为:硅基太阳能电池和薄膜电池,但由于其光能转换效率的参差不齐,很多电池片厂家都在积极寻找新的高效电池材料及制作工艺,今天华林科纳CSE的技术工程师也给大家讲讲硅基太阳能电池。一、硅太阳能电池1.硅太阳能电池工作原理与结构太阳能电池发电的原理主要是半导体的光电效应,一般的半导体主要结构如下:图中,正电荷表示硅原子,负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。当硅晶体中掺入其他的杂质,如硼、磷等,当掺入硼时,硅晶体中就会存在着一个空穴,它的形成可以参照下图:图中,正电荷表示硅原子,负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。而黄色的表示掺入的硼原子,因为硼原子周围只有3个电子,所以就会产生入图所示的蓝色的空穴,这个空穴因为没有电子而变得很不稳定,容易吸收电子而中和,形成P(positive)型半导体。    同样,掺入磷原子以后,因为磷原子有五个电子,所以就会有一个电子变得非常活跃,形成N(negative)型半导体。黄色的为磷原子核,红色的为多余的电子。如下图。 P型半导体中含有较多的空穴,而N型半导体中含有较多的电子,这样,当P型和N型半导体结合在一起时,就会在接触面形成电势差,这就是...
发布时间: 2016 - 12 - 27
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半导体设备的国产化为什么这么难?!从成本构成来看,国产设备企业和国外企业相差不大,如关键零部件都是采购而来,人员和管理费用也相仿,但是实际上,产业大环境却十分不同。比方说,同是采购零部件,我国企业因为是进口,所以要承担税费,而且有些零部件订货需要出口许可证;因为订货量相对小很多,采购价格高;产业配套条件不同,如实现某些设计验证国内企业要花更高的成本;缺乏人才等。 国产设备的设计水平和国际水平相差并不大,严格来说,真正的差距在于,一般国产半导体设备尚处在样机阶段就交给客户,稳定度不够,这就会导致经常down机。 就单单从我们华林科纳而言,一台全自动清洗机,选材基本是和国外大厂一样的,国外进口的零部件还需要承受高额税费,订货量小,价格昂贵,就加工成本来说,绝不低于国外的一线厂家。 国内与国外设备的差异无非两个方面,工艺精度及稳定度,然而精度及稳定度的实现必须依靠无数次的实验校准,整套的量测仪器,直接影响的又是成本及交期。往往采购国内设备的厂家都是抱着国内设备就该便宜的心态,价格压得低的不能再低,交期催的急得不能再急,售后要求高的不能再高,他们不知道我们的利润除去硬成本和软成本还剩多少,这就引发了国内设备制造届的恶性价格战,有些小厂家为了生存,选用低廉的材料,粗糙的加工工艺,省去了研发调试环节,他们打赢了价格战,确输了国产的名声。 长此以往,国内设...
发布时间: 2016 - 08 - 01
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电镀是国民经济中不可缺少的行业,但历来也是重度污染行业。凸点电镀是最近发展起来的新型电镀技术,是将传统电镀技术应用于微电子微细加工领域的典型范例。近年来,蓬勃发展的MEMS电镀以及超大规模集成电路铜布线电镀等高新技术,代表电镀这门古老的工业技术正迅速向高技术含量、高精度、高可靠性方向迈进。与传统电镀技术一样,凸点电镀过程也面临非常严峻的环境问题,比如氰化物镀金、含铅电镀、节能节水、三废排放与处理等,一旦处理不好,将会对环境产生巨大危害。本文主要探讨在芯片凸点电镀过程中应用清洁生产技术的考虑和措施。芯片凸点的典型加工流程目前,比较典型的凸点制作工艺流程主要包括焊料凸点制作和金凸点制作。焊料凸点制作工艺流程:清洗→溅射Ti/Cu→光刻1→电镀Cu/Ni→去胶→腐蚀→介质制作→光刻2→腐蚀介质→去胶→溅射Ti/Cu→光刻3→镀Cu/Ni→镀焊料→去胶→腐蚀Cu→腐蚀Ti→硅片回流→检测凸点→划片分割→成品。金凸点制作工艺流程:清洗→溅射TiW/Au→厚胶光刻→扫胶→电镀Au→去胶→等离子清洗→腐蚀Au→腐蚀TiW→退火→检测→成品。一般来说,凸点制备过程中,主要采用电镀铜、镍、金、锡铅、锡银等镀种,一些特殊的凸点工艺还使用金锡、锡、银、铟、化学镀镍等镀种。凸点电镀配方及施镀方式目前,凸点电镀中会涉及氰化物电镀、含铅电镀等问题。就施镀方式而言,可能会涉及电镀、化学镀,以及物理沉积等。首先,...
发布时间: 2016 - 07 - 25
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金属层的形成主要采用物理汽相沉积(Pysical Vapor Deposition,简称PVD)技术,主要有两种PVD技术:蒸发和溅射。蒸发是通过把被蒸镀物体加热,利用被蒸镀物在高温(接近其熔点)时的饱和蒸汽压,来进行薄膜沉积的;而溅射是利用等离子体中的离子,对被溅射物体电极(也就是离子的靶)进行轰击,使汽相等离子体内具有被溅镀物的粒子(如原子),这些粒子沉积到硅片上就形成了薄膜。铝是用于互连的最主要的材料之一,因为铝的价格相对低廉,并且铝能够很容易和二氧化硅反应形成氧化铝,这促进了二氧化硅和铝之间的粘附性。在生产中采用电子束蒸发工艺淀积铝膜,大致步骤为:圆片在清洗液中清洗干净后浸入HF溶液中去除表面的氧化层,去离子水冲洗后离心甩干;将圆片装上行星盘,把行星盘装回蒸发台后就可以开始根据程序淀积薄膜,可以根据需要觉得是否对蒸发的圆片衬底加热。已经完成前道工序并且表面已经氧化光刻,送入正蒸间进行表面金属化,具体步骤如下:一、前处理清洗:对应不同的产品有不同的清洗方式泡酸:将圆片浸入5%的HF溶液中浸泡20S左右,然后冲水后甩干。对于肖特基产品采用1%的HF溶液浸泡30S。泡酸后的圆片在2小时之内必须正蒸,否则要重新泡酸(防止放置过长时间产生氧化层)。 二、正面蒸铝将泡酸完的圆片装在行星盘上,放入蒸发台中,按照程序进行蒸发淀积。蒸发的铝层的厚度一般根据芯片功率的大小来确定,从1...
发布时间: 2016 - 07 - 25
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一、前处理检验完成后送入背蒸间,蒸发工序接收圆片时要检查片子表面有无异常情况,特别是铝层有无减薄现象、中测针迹的深度等,检验合格后进行前处理。(1) 清洗:各种圆片在减薄后,背面蒸发前都要清洗,步骤如下:1、一槽:ABZOL溶液,加热至(55±5)℃,加超声;2、二槽:ABZOL溶液;3、三槽:甲醇,目的是去除ABZOL溶液;4、四槽:甲醇;5、溢流槽:冲水,去除甲醇;6、厚度大于200μm 的片子在离心甩干机中甩干,角片有隐裂和厚度小于200μm 的片子用甲醇脱水后在氮气烘箱烘干。(2) 泡酸:对于减薄片用5%的HF水溶液,对于喷砂片用冰乙酸:氟化铵=1:3的氟化铵溶液。泡酸后必须充分冲水,使硅片上的酸液在极短的时间内冲走,以免部分酸液停留在引线孔内或中测点上导致部分地方过腐蚀。将片架放到离心甩干机中甩干。角片冲水后经甲醇脱水后在氮气烘箱中烘干。(3) 金砷工艺背蒸前处理:清洗同前,泡酸步骤为:1、背面单面泡5%的HF溶液16s左右;2、冲纯水;3、甩干。金砷蒸发在背面蒸发专用金砷工艺蒸发台中进行,金源要使用有坩埚套的。 二、背蒸背蒸是在离子束蒸发台中进行,背蒸工艺根据背面金属化结构来命名,具体工艺如下:工艺名称工艺方法材料名J方式五层工艺(1.2-1.6)μmVNiAuGeAuGeSbAuS方式四层工艺(2.4-3.0)μmTiNiSnCuSnCuSnCuA...
发布时间: 2016 - 07 - 25
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—华林科纳 网络部对于全球半导体产业来说,经历过2015年的产业大整合之后,整个产业竞争格局已经发生了深刻的变化,2016年将成为半导体产业发展的“拐点”。今年大陆半导体产业依旧保持高速增长的格局,主要是受惠于大陆市场持续进行进口替代,为本土企业带来发展空间。  而且12寸晶圆、8寸晶圆厂的生产线与制程技术模组和IP核心的开发,为智慧电网、智慧交通、智慧家居等物联网相关的集成电路产品,提供有力的支撑,以及外资企业加大在大陆投资的规模,而更重要的是中国大陆政府政策的扶植,如《中国制造2025》、十三五规画等新世纪发展战略的带动。  就集成电路制造业而言,全球12寸晶圆厂产能向中国转移已成定局,中国现有的12寸晶圆厂产能总计共42万片/月,其中包括中芯国际(北京)、中芯国际(上海)、SKHynix、Intel(大连)、武汉新芯、Samsung、华力微电子,而2016-2018年中国新增的12寸晶圆厂总产能将高达63.50万片/月,占全球12寸晶圆厂的产能比重将由2016年的10%攀升至2018年的22%。    未来中国12寸厂的产能将足以左右全球半导体市场,另一方面也代表中国半导体势力的崛起,各国纷纷向中国祭出合作、插旗的策略,期望抢攻未来的商机。    其中值得一提的是,2016-2018年中国新增的12寸晶圆厂产能中将包括来自于台湾的台积电、联电、力晶,各于厦门、南京、合肥等地设...
发布时间: 2016 - 06 - 28
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—苏州华林科纳网络部6月8日下午,总投资达30亿美元的德科码半导体产业园项目正式在南京经济技术开发区奠基,将建设8寸晶圆厂2座、12寸晶圆厂1座,以及封装测试厂、设备再制造厂、科研设计中心和配套生活区等。此前的3月28日,总投资同为30亿美元的台积电南京项目签约落户江北新区。两大“30亿美元级”的世界领先企业先后投资南京,在带给中国大陆最先进生产工艺的同时,也将填补南京市集成电路产业发展中的关键短板,使南京一举进入全国集成电路重点城市第一方阵。科教人才优势让南京脱颖而出  台积电南京项目为台湾集成电路制造公司独资。该公司是全球最大的集成电路晶圆代工制造企业、全球第三大集成电路企业,仅次于英特尔和三星。  德科码南京项目则由香港德科码科技有限公司和以色列塔尔半导体公司共同投资。这两大项目,以其庞大的规模和先进的技术,引发了各个城市的激烈“争夺”。南京为何能从众多竞争城市中脱颖而出?南京的科教人才优势和电子信息产业基础,是这两家企业非常看重的关键点。晶圆制造是科技含量非常高的工业领域,对人才有非常高的需求。  加快大陆晶圆制造追赶世界先进水平的脚步  两大“30亿美元级”项目落户南京,不仅是我市集成电路产业的大事,也是全国电子信息产业界的大事,在海内外都引起强烈反响。过去一个时期,大陆电子信息产业一直面临“缺芯少屏”的尴尬。这其中,“屏”指面板,“芯”指芯片。近几年,大陆液晶面板产业强...
发布时间: 2016 - 06 - 28
浏览次数:124
华林科纳CSE已具备FPD设备整线配套能力  华林科纳(CSE)FPD设备项目负责人—李丰博士表示,CSE已经具备了FPD设备与工艺整线配套能力,并与国内某知名企业签定战略合作协议。近两年,项目组在平板显示行业光电方面进行了显示方案、光电控制、光电测量、光学镀膜、光学胶合、器件产品、工艺工装、工程试验等产业化研究,掌握了其核心技术,并取得多项相关专利,其中包括大尺寸LED背光模组和新型彩色滤光片,这两个器件模组是液晶显示面板部件及材料成本的60%左右。  华林科纳(CSE)愿做FPD显示设备国产化的领路人,不断创新,积极进取,为客户提供一流的设备,先进的工艺和完善的服务。  公司注重持续创新和技术改进,目前已拥有发明专利技术18项,并多次获得国家高新技术产品认定证书,肯定了企业的整体实力。CSE始终以高品质、高要求、高目标为产品技术理念持续进行以客户为导向的创新,且与国际上知名公司和中科院苏州纳米所等科研机构建立了良好的合作关系。10多年以来始终为半导体和太阳能行业提供创新的专用的湿法工艺解决方案;以技术创新为支撑,以精细管理做保证;以卓越的产品赢得客户信任,以竭诚的服务完美品牌形象;以矢志不渝的精神追求国际化,现代化,制造服务一体化的企业方向,努力打造成中国半导体设备高新技术制造基地。
发布时间: 2016 - 05 - 31
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华林科纳给您解答化学品CDS系统维护保养疑难重点  CDS系统月、季度、半年、全年维护哪些方面?换下来的滤芯怎么清洗?是否可以重复使用不?这些都是硅片的清洗腐蚀设备在使用时要考虑到的问题,下面,华林科纳就来一一为大家解答。
发布时间: 2016 - 05 - 31
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