扫码添加微信，获取更多半导体相关资料

本文研究了兆频超声波输入功率、溶液化学、浴温和浸泡时间的影响，在高兆频超声波输入功率和中高温下进行的充分稀释的化学反应被证明对小颗粒再利用非常有效，浴组成数据显示，当在中等温度(例如45℃)下使用高纯度化学品时，可以获得延长的寿命，过渡金属表面浓度和表面粗糙度已经在稀释的SC-1处理后进行了测量，并与传统SC-1处理后的金属污染进行了比较。

在低功率下，清洗效率随温度的升高而迅速变化，但在高功率下，清洗效率与温度无关，在确定的实验空间内，化学比对粒子去除只有中等的影响（见下图），验证性实验是在实验空间内进行的，这样之前的运行就不会被重复。

实验工作表明，大量稀释的SC-1化学物质可能会非常有效地去除亚于0.15_m的颗粒，此外还注意到清洁效率是氢氧化铵与过氧化氢比值的函数，由于化学比例影响清洗效率，有必要确定在稀释的化学浴中可以保持高清洗效率的寿命，用1：10：130（NI-HOH：H20_：H20）SC-I进行实验，至45°C，浴缸在温度下保持了7个小时，在此期间，对污染了硝化硅的晶片进行了清洗和测量，以提高颗粒去除效率。

使用稀释化学清洗腐蚀剂已被证明等于或优于标准化学清洗，由于用水量是湿台拥有成本的重要一部分，因此比较稀释清洁剂的冲洗时间与标准化化学的对比是很有趣的，将完整的晶片浸入SC-I溶解液中，并在级溢出浴中冲洗，记录了不同清洁溶液达到15毫里厘米的时间，这些实验总共重复了5次。

表面表征测量采用固体化学清洁(45°C，200W功率下1：10：130)和标准SC-1清洁(65°C，200W功率下1：1：5)进行比较，根据TXRF和AFM分析，AFM数据报告精确到：1：0.05A，重金属污染的重离子背散射光谱(HIBS)，表面粗糙度的能量散散x射线反射率(EDXRR)，这些数据证实了TXRF和AFM的测量结果，显然，稀释化学清洁中较少的表面粗糙，而较少的化学暴露导致金属表面污染较低。

本研究结果表明，具有足够大能量的稀释剂化学物质可以非常有效地去除小(<0.15_tm)无机颗粒，现有技术（浸入式超气体）应用于未来再生装置的制造，此外，使用稀释的、高纯度的化学品将减少化学品和冲洗水的使用，从而降低拥有成本，由于这些结果强烈依赖于超大型输入力，因此结果也可能非常依赖于工具，还发现颗粒组成和形貌影响清洗结果。