湿法化学蚀刻
安全
腐蚀剂的腐蚀性极强。
戴上护目镜，面罩，丁腈手套，乙烯基实验室围裙，无纺布鞋。
将酸加入稀释剂中。
向弱酸中加入强酸。
最后添加氧化剂。
Ga 2 O 3蚀刻剂
参考：（2 [sec.4.3.2]，8、98、99）。
Ga 2 O 3的厚度通常约为<50。
1：1-HCL：H 2 O-（10秒）
1:20-H 2 SO 4：H 2 O ---（30秒）
1 : 40-H 3 PO 4：H 2 O- -（20秒）
盐酸：H 3 PO 4
参考：（4，9，10，99）。
反应速率有限。
InP蚀刻速率为1：1〜2.5 µm / min。
GaInP蚀刻速率为1：1〜0.60 µm /分钟。
H 3 PO 4：H 2 O 2：H 2 O
参考文献：（13，98，99）。
反应速率有限。
GaAs蚀刻速率为3：1：25〜0.30 µm /分钟。
InGaAs蚀刻速率为1：1：8〜0.40 µm /分钟。
InGaAs和InAlAs的蚀刻速率为1：1：38〜0.10 µm / min。
H 2 SO 4：H 2 O 2：H 2 O
参考：（1、2、3、14）。
扩散率限制在〜33％H 2 SO 4以上。
反应速率限制在〜33％H 2 SO 4以下。
蚀刻速率与Ga和As含量成正比。
InGaAsP蚀刻速率为1：1：10〜0.10 µm /分钟。
C 6 H 8 O 7：H 2 O 2