单晶硅片从切片到抛光清洗的工艺流程

一、硅片生产主要制造流程如下： 

切片→倒角→磨片→磨检→CP→CVD→ML→最终洗净→终检→仓入 

二、硅片生产制造流程作业实习 

1. 硅棒粘接：用粘接剂对硅棒和碳板进行粘接，以利于牢固的固定在切割机上和方位角的确定。 

2. 切片(Slice)：主要利用内圆切割机或线切割机进行切割，以获得达到其加工要求的厚度，X、Y方向角，曲翘度的薄硅片。 3. 面方位测定：利用X射线光机对所加工出的硅片或线切割前要加工的硅棒测定其X、Y方位角，以保证所加工的硅片的X、Y方位角符合产品加工要求。 

4. 倒角前清洗：主要利用热碱溶液和超声波对已切成的硅片进行表面清洗，以去除硅片表面的粘接剂、有机物和硅粉等。 5. 倒角(BV)：利用不同的砥石形状和粒度来加工出符合加工要求的倒角幅值、倒角角度等，以减少后续加工过程中可能产生的崩边、晶格缺陷、处延生长和涂胶工艺中所造成的表面层的厚度不均匀分布。 

6. 厚度分类：为后续的磨片加工工艺提供厚度相对均匀的硅片分类，防止磨片中的厚度不均匀所造成的碎片等。 7. 磨片(Lapping):去除切片过程中所产生的切痕和表面损伤层，同时获得厚度均匀一致的硅片。 

8. 磨片清洗：去除磨片过程中硅片表面的研磨剂等。

 9. 磨片检查：钠光灯下检查由于前段工艺所造成的各类失效模式，如裂纹、划伤、倒角不良等。 

10.ADE测量：测量硅片的厚度、曲翘度、TTV、TIR、FPD等。

 11.激光刻字：按照客户要求对硅片进行刻字。

12.研磨最终清洗：去除硅片表面的有机物和颗粒。

 13.扩大镜检查：查看倒角有无不良和其它不良模式。 

14.CP前洗：去除硅片表面的有机物和颗粒。 

15.CP(Chemical Polishing):采用HNO3+HF+CH3COOH溶液腐蚀去除31um厚度，可有效去除表面损伤层和提高表面光泽度。 

16.CP后洗：用碱和酸分别去除有机物和金属离子。 

17.CP检查：在荧光灯和聚光灯下检查表面有无缺陷和洗污，以及电阻率、PN判定和厚度的测量分类。 

18.DK(Donar Killer)：利用退火处理使氧原子聚为基团，以稳定电阻率。 

19.IG(Intrinsic Gettering):利用退火处理使氧原子形成二次缺陷以吸附表面金属杂质。 

20.BSD(Back Side Damage):利用背部损伤层来吸附金属杂质。 

21.CVD前洗：去除有机物和颗粒。 

22.LP-CVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition):高温分解SiH4外延

出多晶硅达到增强型的外吸杂。23.AP-CVD(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition):在硅片背部外延SiO2来背封并抑制自掺杂。 

24. 端面处理：去除硅片背面边缘的SiO2。 

25. CVD后洗：去除表面颗粒。 

26. ML(Mirror Lapping)倒角:防止后续工艺中的崩边发生以及外延时的厚度不均匀等。 

27. ML前洗：去除有机物、颗粒、金属杂质等。 

28. ML贴付：硅片表面涂腊贴附在陶瓷板上，固定硅片以利于ML加工。 

29. ML:也称之为CMP(Chemical Mechanism Polishing)，经过粗抛和精抛去除14um厚度，此可有效的去除表面损伤层和提高表面平坦度。 

30. 去腊洗净：去除ML后背面的腊层。 

31. ADE测量：测定硅片表面形貌参数如：平整度，翘曲度等。 

32. ρ-t测量：对电阻率和厚度进行测定和分类。 

33. 扩大镜检查：检查ML倒角不良。 

34. 最终洗净：去除颗粒，有机物和金属杂质。 

35. WIS测定：测量最终洗净后硅片表面颗粒。 

36. 最终检查：在荧光灯和聚光灯下检查硅片表面的情况。

37.仓入：对硅片进行包装，防止再次污染，以待出货。