日前，在Sematech表面预处理和清洗会议（SPCC, Austin, Texas）上，FSI International(Chaska, Minn.)公布了湿法清洗方法的新进展，可以在清洗碳化的光刻胶时保持超浅结（USJ）。
       与瓦立安半导体设备公司（Varian Semiconductor Equipment）展开合作，两家公司研究了等离子浸没式离子注入掺杂（PLAD）、毫秒退火和全湿法光刻胶剥离技术，以从结区去除极少量掺杂的硅。清洗工艺将注入蒸汽引入了硫酸和双氧水的混合液（SPM）中，从而把注入后晶圆光刻胶清洗的时间缩短到5分钟。

       FSI的首席技术官（CTO）Jeff Butterbaugh面对SPCC的100多名观众说，明年先进逻辑器件预期达到<100?的结注入深度。半导体国际线路图（ITRS）也将从明年起计划将每次清洗步骤地材料损失保持在0.3?，低于目前为止的广泛接受的0.4?。
       碳化已经变成去除注入后光刻胶的最大清洗挑战。无定形碳是“最困难的挑战，”Butterbaugh说，并补充“任何正在开发注入后光刻胶去除工艺的人，都必须确保去掉光刻胶，尤其是在边缘部分。你必须要移出所有的残余光刻胶。”
       去除碳化的光刻胶，使得FSI的化学家面临提高SPM反应活性的任务。为了使药液更易反应，FSI集中于研究出更激进的物质来，Butterbaugh称之为去除碳化光刻胶的中介物。
       更高的温度和更高的浓度下，激进分子拥有更高的氧化能力。FSI没有采用热水，那将会稀释掉SPM；FSI的方法是在工艺腔体中引入蒸汽，来提高混合液的温度，达到约260°C，接近沸点温度。在晶圆的表面，温度大约在200-220°C的范围。
       在工艺腔体中加入蒸汽，缩短了 注入后光刻胶去除所需要的时间。
       “我们可以看到，在工艺中加入蒸汽后光刻胶剥离的能力有了显著的提高。”他说。
       Butterbaugh也是ITRS前道工艺委员会的联合主席，他表示，等离子掺杂是实现超浅结的一个解决方案。到目前为止这是令人满意的：注入和光刻胶剥离步骤后，掺杂剂会残留在料想到的地方，片状的光阻接近最优化状态。10?见方的区域的成像图显示，硅损失保持在2?以下。