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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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使用兆声去除有机溶剂中硅基质的颗粒

时间: 2021-10-08
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使用兆声去除有机溶剂中硅基质的颗粒

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摘要

      本文介绍了用兆频超声波能量从有机溶剂中的硅片上去除颗粒的实验。纳米粒子首先通过可控污染工艺沉积在硅晶片上。对于新沉积和老化的颗粒,研究了作为兆频超声波功率的函数的颗粒去除效率。通过改变处理条件和漂洗时间化学成分,对几种清洗配方进行评估。当使用低兆声波功率时,发现粒子在分离后聚集并重新沉积在晶片表面上。这种现象可以用特定溶剂中颗粒和硅表面的带电现象来解释。添加表面活性剂以防止聚集和再沉积,从而显著提高颗粒去除效率。

 

介绍

      有机溶剂越来越多地被研究作为传统水基化学的潜在替代品。由megasounds辅助的湿法清洗在去除纳米颗粒方面表现出高性能,而没有显著的基底损失。最近,有机溶剂和megasounds的组合使用在去除蚀刻后的PR,包括等离子体改性的外壳方面显示出有希望的能力。此外,中等极性的溶剂显示出诱导表面带电,并在类似带电表面的情况下刺激形成颗粒沉积的静电屏障。在将兆频超声波能量的高清洁性能与合适的有机溶剂的优点相结合的想法的引导下,我们在这项工作中评估了使用兆频超声波在有机溶剂中实现的从硅衬底去除颗粒的效率。研究了两种粒子:作为一般清洁应用的模型粒子的氧化硅,和在化学成分方面可能类似于蚀刻后PR外壳的交联聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)粒子。选择n-甲基吡咯烷酮(NMP)作为溶剂,因为它通常用于PR剥离工艺。测量水、异丙醇和NMP中的粒子电势,以估计粒子和基底之间的静电相互作用。颗粒去除效率和防止颗粒再沉积被评估为颗粒类型、施加的声功率和清洁配方的函数。对在水中获得的颗粒去除进行了交叉比较。

 

材料和方法

      二氧化硅和聚甲基丙烯酸甲酯球形颗粒用于这项工作,直径分别为78纳米和300纳米。后者是自制合成的,显示出约5%的交联。这两种颗粒均可作为含水浆料(30重量%)获得。在被颗粒污染之前,覆盖200毫米p型硅晶片接受了IMEC清洗,并进行批量马兰戈尼干燥,最后是漫长的O3步骤。

      在清洁之前和之后,使用激光散射晶圆图(KLA-坦科的Surfscan SP1 DLS工具)进行粒子检查。使用雾度法(7)或更精确的光点缺陷(LPD)检查来量化晶片上的粒子浓度。后者可以检测沉积粒子的确切数量及其尺寸分布,从而能够区分单个粒子和簇、感兴趣的特定粒子和交叉污染物。使用乳胶球当量直径报告颗粒尺寸。使用Klarity软件(KLA-腾科)进行图对图分析,以确定清洁前后去除的、添加的和常见的颗粒数量

 

结果 

     2(a)和图2(b)分别收集了在不同兆频超声波功率下使用配方1 (NMP)获得的聚甲基丙烯酸甲酯和二氧化硅颗粒的性能。

     图3显示了在NMP使用30 W的功率去除聚甲基丙烯酸甲酯颗粒的情况下雾度的径向分布。在晶片的中心,清洁过程后雾度降低,表明颗粒被有效去除。然而,在大于20毫米的径向距离处,该图显示了交叉,这提供了清洁后雾度增加的证据。这种现象可归因于不均匀的清洁和分离颗粒的优先再沉积。

4总结了二氧化硅和聚甲基丙烯酸甲酯颗粒在最高功率(75 W)下用NMP或水处理的颗粒去除效率。在所有情况下,二氧化硅颗粒比聚甲基丙烯酸甲酯更容易去除。这一事实可归因于聚甲基丙烯酸甲酯的再沉积,但也归因于聚甲基丙烯酸甲酯相对于二氧化硅的更高变形,这导致与晶片表面的更大接触面积和颗粒老化后更强的范德华引力。

      如图7所示,二氧化硅颗粒在所有介质中都带负电荷,在水<异丙醇< NMP的顺序中,绝对电荷增加;PMMA颗粒在所有溶剂中都带正电荷。然而,NMP的正电荷数量很少。因此,聚甲基丙烯酸甲酯颗粒在NMP聚集形成大的团簇,因为它们之间的范德华引力克服了静电排斥在所有其他情况下,粒子表面电荷非常高,因此它会引起类似粒子之间的强烈的静电排斥力,从而阻止凝固。由于表面电荷相反,PMMA粒子有望在所有三种溶剂中重新沉积在二氧化硅表面。此外,团簇和表面之间的引力远高于离散粒子。因此,团簇一旦形成,就会沉积在表面上。

 使用兆声去除有机溶剂中硅基质的颗粒

2 Wafer图显示了在NMP中清洗a)PMMA和b)二氧化硅颗粒前后晶片的雾霾。颗粒老化时间:12h

 使用兆声去除有机溶剂中硅基质的颗粒

3 在NMP中使用30W的超气功率清洗PMMA颗粒前后雾霾值的径向分布

使用兆声去除有机溶剂中硅基质的颗粒 

4 二氧化硅和PMMA颗粒的平均PRE,在NMP或水中,分别使用配方1和6,在75W。来自雾霾的PRE值。边缘排除:2cm

理论

      在这项工作中,在水中和NMP使用兆频超声波能量测试了从硅晶片中去除二氧化硅和聚甲基丙烯酸甲酯颗粒。在水中,两种类型的颗粒都被均匀地去除,并且去除效率随着施加的兆频超声波功率而增加。然而,在NMP和低功率下,发现聚甲基丙烯酸甲酯颗粒形成大簇,在分离后重新沉积在晶片表面。Zeta电位测量显示,在NMP和异丙醇中,聚甲基丙烯酸甲酯和二氧化硅表面带相反电荷,这可以解释冲洗过程中聚甲基丙烯酸甲酯的再沉积。此外,NMP聚甲基丙烯酸甲酯的低ζ电势由于主要的分散相互作用而导致颗粒聚集。在NMP引入非离子表面活性剂显示出改善的颗粒去除和防止聚集,这是由于形成了凝固的空间屏障。

 

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