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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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臭氧法高效PR剥离技术研究

时间: 2021-11-11
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臭氧法高效PR剥离技术研究

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引言

在半导体清洗过程中,作为取代 现有湿化学清洗液的新型湿式溶液,将臭氧溶解到纯中,被称为仅次于氟的强氧化剂,是PR去除工艺和杂质清洗。这种臭氧水方式的湿洗完全不使用对环境有害的物质,大大减少了纯水的使用量,同时在PR去除效果方面被评价为与现有SPM溶液(硫酸/过氧化氢混合液)工艺相当的技术。但是臭氧水工艺是臭氧气体对水的溶解度低、水中扩散阻力大的根本制约因素,以目前国内外技术水平的低PR去除性能来说,有很大的技术制约,不能满足设备制造业的生产产量。因此,与传统的湿法工艺相比,虽然有很多优点,但实际的PR去除工艺中臭氧水工艺实用化替代并不明显。

 

实验 

PR去除试验为了探讨本边界膜控制方式臭氧处理工艺研究所进行的辽小技术及工艺设备作为半导体制造工艺的PR去除工艺是否具有可行性和有效性,进行了PR去除性能试验。性能测试是根据预定义的工艺条件,使用硅片在凸轮内进行反应工艺后未反应的方法测量硅片表面残留的PR厚度,计算每单位时间的PR去除率,从而达到PR去除率最高的工艺条件。想要发货。半导体制造过程中使用的PR种类很多,而且各制造过程使用的方法也很多。

如图7所示,为了PR去除试验,制作并使用了臭氧发生量为60g/hr级的超高浓度臭氧发生系统,臭氧供应流量为6-12[LITER/PLIN],并调整放电功率以保持14-16wt%的臭氧浓度。基本的PR去除工艺顺序是反应对象晶片Loading ~->工艺书伯加热->臭氧气体注入->。PR清除半雄->水清洗->晶片解除加载完成。对本边界膜控制方式臭氧处理工艺来说,影响PR去除性能的工艺参数包括工艺班报考时间(工艺重复回收或总反应时间等)、工艺温度(水蒸气温度、香柏内部温度、热水温度等)、臭氧气体条件(气体流量和浓度)等多种多样,但本研究中主要是随着炉工艺时间及工艺温度相关工艺条件的变化,测定了PR去除率,为此设定的共定条件及试验种类如下:

根据工序重复次数(小时)改变去除率试验下的工序条件,同时改变水中机器的供应和停止次数,进行试验。-臭氧供应流量8[liter/分钟],臭氧浓度16wt%-水下机供应温度100度-查弗内部温度80度-热水温度70度。

基于水汽供应时间变化的去除率变化试验(1)在保持的公平条件下,水蒸气供应时间在10秒- 30秒之间变化,进行测试。

随着水清洗时间的变化去除率的变化试验(1)在保持的工艺条件的同时,在执行过程中,随着水清洗时间的变化进行测试。

 

结果和讨论

试验结果的测定是根据上述试验条件,测定了距进行PR去除试验的每个试件末端10毫米处的上、下、左、右和中央5处残留PR厚度,取平均值。用于测量的薄膜厚度测量时,测量信任度约为2%。以上述(1)-(3)的工艺条件下的PR去除率作为测量结果,在执行的所有测试条件下,2分钟后,未反应的PR厚度平均测量为600A以下,2分钟的平均PR去除率约为7,000A(700mm)。。经过4分钟后,涂抹的PR几乎全部清除后,平均PR清除率约为4,000A(400nm)。就是在反应过程中间进行水清洗据观察,这种去除效率较好,蒸汽球的加油时间在蒸汽供应30秒、停止30秒的情况下达到了最佳的PR去除效果。从第一次PR去除试验结果来看,以16wt%以上的高浓度臭氧气体发生器技术为基础的本边界膜控制方式的PR去除过程将晶片沉积在溶于水的臭氧水中,与去除PR的臭氧水相比,沉积式PR去除方法的PR去除率提高了3倍以上。

但是,PR去除反应速度在最初2分钟内急剧进展,此后出现了非常缓慢的反应趋势,这是因为随着过程的进行,100度温度的蒸汽反复供应,香柏内部温度增加,从而导致晶片表面温度上升,晶片表面和边界膜之间的温差较小,臭氧气体氧化力扩散缓慢和超高浓度氧化力导致PR具有快速清除率氧化,而南银有机残丝反应缓慢,这是两个原因。因此,随着第一次PR去除试验中产生的采弗内水蒸气及注水喷嘴的位置和结露造成的水痕等设备配置的改善,以及在工艺进军过程中有效地清洗晶片表面温度的维持和反应后的残余物的方案等,可望进一步提高本工艺的PR去除效率。

 

总结

      SPM湿式清洁溶液进行的半导体老光。作为解决工艺后的FORORRIGST去除工艺存在的高成本、高能耗和非环境友好问题的方法,提出了基于超高浓度臭氧发生技术的边界膜控制方式臭氧处理的PR去除工艺和设备,通过PR去除性能试验,验证了本工艺对PR去除的有效性和开发的工艺设备的可行性。未制备水冷却结构的陶瓷软面放电式放电管结构,在设计目标每单元氧气流量0.5[liter/分钟]下获得了14W%以上的超高浓度臭氧发生器技术。为了实施边界膜控制方式臭氧处理工艺,制作了水蒸气发生装置、反应火腿肠及周边设备,通过与开发的高浓度臭氧生成系统的联系,进行了以半导体晶片为对象的PR去除性能试验。


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