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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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通过金属辅助的化学蚀刻制备硅衬底的纳米结构

时间: 2021-12-30
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通过金属辅助的化学蚀刻制备硅衬底的纳米结构

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在本文中讲述了制造纳米化硅衬底的无光刻技术的发展固态脱湿过程和金属辅助的湿式化学蚀刻这两种现象的结合,允许以一种相对简单的方式在大面积上制备硅纳米结胶。本我们的研究目的是开发无光刻技术来制备纳米胶的图案硅衬底它可用于氮化镓基层的金属有机气相外延生长,并提高了外延横向过度生长方法的质量

在本研究中,使用了用30nm二氧化硅涂层的电阻率为>500Ucm的p型Si(111)和Si(115)衬底,采用PECVD工艺将衬底切成1212mm2的样品。利用PVDUHV系统采用电子束蒸发法以0.5˚As1,沉积10或20nm的Ni层然后,在Ni层的850C(RTA)系统下退火,以激活SSD过程RTA处理在氮气气氛中进行5min然后,在部分具有10nmNi层的样品上,重复10或20nmNi层的沉积和RTA处理。进行了扫描电镜扫描电镜的表征,以评估样品的表面形貌。

为了从扫描电镜图像中确定Ni岛的大小和表面分布,使用了“ImageJ”的粒子表征工具该工具允许删除单个岛屿区域(像素)及其在图像中的数量,从而允许我们确定岛屿半径、表面密度和覆盖率覆盖率对应于金属对样品表面的覆盖程度然后从每个样本拍摄的至少3张SEM图像中计算所有参数的平均值和标准差值为了确定所得到的硅纳米柱的高度,对样品进行了突破,并进行了横截面扫描和分析。

通过金属辅助的化学蚀刻制备硅衬底的纳米结构 

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在图中1介绍了硅衬底纳米结构的工艺流程总体图,硅衬底被涂上二氧化硅层,以促进Ni层的SSD过程。在高温下,镍相互扩散到硅衬底中,Ni/Si界面上可以形成ni2Si或其他硅化镍的金属间相,这种金属间相阻止了横向质量运输和分离的金属岛的形成,小于10nm的薄二氧化硅层可以抑制Ni原子向硅基底的扩散和硅化物合金的形成,从而使SSD过程得以启动。

图中2给出了10nm、10nm+10nm、10nm+20nm、20nmNi层在850C退火的硅衬底的扫描电镜图像,通过热激活,SSD机制的作用清晰可见,得到了分离的岛。为了从扫描电镜图像中确定Ni岛的大小和表面分布,通过假设岛屿的理想球形,确定了它们的半径,半径值的直方图如图所示2经过次退火过程的样品地形分析结果、岛屿面积、半径、表面密度和覆盖率。

 通过金属辅助的化学蚀刻制备硅衬底的纳米结构

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为了在相当的Ni岛表面密度下获得更高的覆盖率,应重复金属层的沉积和SSD过程,28为了重复这一步,尝试了镍层的两种厚度:10nm和20nm。金属层沉积在由10nmNi层除湿过程得到的纳米岛的样品上,10nm+10nm厚Ni层的样品,岛的半径和表面密度分别为68.9nm和20.8mm覆盖率为30.7%。将这些值与从单个10nmNi层中获得的岛屿相比,岛屿的大小略有减小,密度增加了好几次,覆盖率几乎增加了一倍下一步,在BHF溶液中蚀刻出薄薄的氧化硅层(30nm),以暴露出硅表面由此产生的蘑菇状结构允许在金催化层中形成一个空穴图案这些制备的样品被用于研究MaCE过程和硅衬底的纳米结构的可能性。

在实验中,准备不同浓度HF和过氧化氢的水溶液以检查氧化和还原剂对MaCM的影响:20%HF/2.5%过氧化氢(10M/0.69M)、10%HF/2.5%过氧化氢(5M/5%HF/2.5%过氧化氢(2.5M/0.69M)、10%HF/5%过氧化氢(5M/1.39M)、10%HF/0.3%过氧化氢(5M/0.08M)将样品浸入蚀刻溶液中5min。给出了溶液中Si(111)和(115)衬底在10nm金层下的金属辅助湿化学蚀刻效果的SEM截面图像。对于每种蚀刻剂的最小浓度,可以观察到根据催化金属图案的密度,蚀刻速率的大分散。这可能是由于蚀刻表面的不均匀和试剂供应不足造成的。 对于在低HF/h2o2比值的溶液中制备的结构,即氧化剂含量相对较高的结构,可以观察到柱的温和孔隙率,特别是结构的顶部当阴极上产生过多的孔穴时,当氧化剂的还原反应被催化时,就会发生这种情况然后将孔穴注入到金属-半导体界面,在其中参与氧化过程其中一些可以扩散到半导体中,导致表面的孔隙率。

在所进行的研究中,蚀刻速率随着氧化剂(过氧化氢)和蚀刻剂(HF)浓度的增加而增加,并且对于更高浓度的溶液有饱和的趋势。硅晶体取向的衬底的蚀刻速率明显较高,但在衬底垂直方向之外没有特权的蚀刻方向。由于催化金属图案的密度或缩小,蚀刻速率没有明显的差异这表明通过催化金属的扩散在我们的MaCE过程中通过催化金属占主导地位这是由于蚀刻速率依赖于催化层的厚度,即减少了催化金属的层厚度,提高了MaCE工艺效率。

未来将集中于优化纳米柱的高度、直径和密度等参数,用于制备硅片模板,用于外延横向过度生长(ELO)方法。


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