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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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第四课:详解湿法刻蚀与清洗的基本药液

时间: 2018-09-13
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大家知道湿法刻蚀中清洗时所需的基本药液有哪几种吗?

首先是刻蚀液,刻蚀液主要有磷酸、氢氟酸、缓冲刻蚀剂(BOE)、铝刻蚀剂(M2)、硝酸等。

1、磷酸刻蚀液

磷酸刻蚀液由纯磷酸和去离子水组成, 工作温度为 160摄氏度。 主要功能是用来刻蚀氮化硅膜及其下面的氧化膜。其对氮化硅膜的刻蚀速率是55A/Min,对氧化膜的刻蚀速率是1.7-10A/Min。 该刻蚀液的反应速率主要取决于反应温度和溶液中水的含量。

其反应机理如下:

Si3N4 + 6H2O -----> 3SiO2 + 4NH3(需要用 H3PO4作催化剂)

晶圆在磷酸刻蚀液反应槽里反应后必须被传送到热的去离子水槽里进行清洗,否则易受到热应力的破坏而造成破片。

2、氢氟酸刻蚀液

氢氟酸刻蚀液主要用来刻蚀氧化膜。根据浓度不同可分为CHF、 LHF、 DHF等。CHF 是浓度为 49%的氢氟酸刻蚀液, 主要用来刻蚀Poly以及氮化物, 其反应速度很快,很难用其来刻蚀掉特定的厚度,因此只能用在过刻蚀的情况。 LHF 是 CHF用水稀释后的产物,其中氢氟和水的比例为50:1。该刻蚀液刻蚀速度稳定, 晶圆生产上常用其刻蚀特定厚度的氧化膜。 DHF 是 LHF 进一步稀释后的产物, 其中氢氟酸和水的比例为 100:1。由于其浓度较低,所以其刻蚀速率很低,主要用来刻蚀晶圆表面的自然氧化膜。

3、缓冲刻蚀剂

缓冲刻蚀剂又叫作 BOE(全称 Buffered Oxide Etch),是NH4F和 HF 以及表面活化剂的混合物, 主要用来刻蚀晶圆上深槽里的氧化膜。 根据 NH4F 和HF 浓度比例的不同可分为MB、 LB、 DB。 MB 里NH4F 与 HF的比例是 10:1, LB 里 NH4F 与 HF的比例是130:1, DB里 NH4F 与HF 的比例是 200:1。

缓冲刻蚀剂与SiO2氧化膜的反应机理为:

SiO2 + 2HF2- + 2H3O+ ↔SiF4 + 4H2O

SiF4 + 2HF↔ H2SiF6

SiF4 + 2NH4F↔ (NH4)2SiF6

4、铝刻蚀剂

铝刻蚀剂即 M2,是磷酸、硝酸和醋酸的混合物,它们的比例为70:2:12。其反应温度为 75摄氏度, 主要用在钴制程选择性的刻蚀过程中。 其中,硝酸作为氧化剂,将AL生成AL2O3, 磷酸再将AL2O3生成AL(OH)3

接着是清洗液,湿法清洗所用的清洗液主要有硫酸清洗液、 SC1清洗液、 SC2 清洗液等。

1、硫酸清洗液

硫酸清洗剂是硫酸和双氧水的混合物, 其浓度比为 5:1, 反应温度为 125 摄氏度。其功能是去除晶圆表面的光阻残留物或有机物。反应机理是:

H2SO4 + H2O2----->HO-(SO2)-O-OH + H2O

HO-(SO2)-O-OH + -(CH2)n -----> CO2 + H2

2、SC1清洗液

SC1 清洗液是氨水、 双氧水以及水的混合物, 三者体积比例为1:2:50。 其反应温度为 25摄氏度,功能是去除晶圆上的微粒杂质以及聚合物。清洗机理是氧化和电性排斥,如图1所示。

第四课:湿法刻蚀与清洗所需的物质

▲图1 SC1清洗原理图

3、SC2清洗液

SC2 清洗液是盐酸、双氧水和水的混合物,三者的体积比例为1:1:50。 SC2清洗液的主要功能是清除晶片上的金属离子。其清洗机理是其能提供一个低 PH值的环境,碱性的金属离子,金属氢化物将能溶于SC2 清洗液里。

由于 SC1 呈碱性, 所以在 SC1 清洗液里, 较易发生金属附着现象。 而在 SC2 呈酸性, 故在 SC2溶液里不容易产生这种现象, 并且后者比较容易清除晶圆外表的金属。而且虽然 SC1清洗液能去除 Cu 等金属,却很难去除晶片表面的自然氧化膜附着 。

SC2 拥有非常强的氧化能力和络合能力, 能与氧以前的任何金属物质反应生成能很容易被谁清洗掉的盐离子。同时氧化后的金属离子可与氯离子反用产生一种可溶性的络合物并能被去离子水去除[15]。 SC2清洗的相关化学方程式如下:

Si+H2O2-->SiO2+H2O         Zn+HCl-->ZnCl2+H2

Fe+HCl-->FeCl2+H2            Mg+HCl-->MgCl2+H2

然后是去离子水

在晶圆生产中, 晶圆在酸槽里清洗完后, 都要先进入水槽里清洗, 然后才能进入下一酸槽进行再清洗。 水槽里的水必须要求是去离子水。 为了更好的清洗杂质, 去离子水中往往要加入超声波。 同时水槽温度也分常温和高温两种, 水槽排水方式也有快速下排和上部溢水两种方式。

最后就是异丙醇

异丙醇( IPA)是一种碳三脂肪族单元醇, 是重要的溶剂。 异丙醇可作为溶剂和清洗去除剂。 异丙醇作为清洗去除剂, 分好多级别。 其中在中、 大规模的集成电路的生产工艺及分立器件的生产工艺中常常使用 MOS 级的异丙醇,而在一些超大规模集成电路生产工艺中常常使用的是BV-III级的异丙醇。

在湿法刻蚀和清洗工艺中, 异丙醇主要用在晶片清洗机的干燥系统里。 晶片被自动传到清洗机的干燥系统后, 先要被浸入干燥系统的水槽里。 水槽里装有流动的去离子水,该去离子水能把晶片上的被清洗后仍残留的少许杂质冲洗去除到。之后水槽里的水会被排走,然后干燥系统会输出大量的雾化的高温异丙醇。这些异丙醇能把晶片上的水分置换出去。然后干燥系统会输入大量的高温氮气,这些氮气会将异丙醇排除干燥系统内部,从而达到清洗并干燥晶片的效果。



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