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湿法制程整体解决方案提供商

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一、主要生产设备  二、工艺流程简述 图1IR-UFPA探测器生产流程及产污环节图 图2IR-UFPA探测器委托封装生产流程及产污环节图项目探测器生产及委托封装工艺流程基本相同,区别仅是探测器生产过程总所需硅片及读出电路外购,探测器委托封装所需硅片及读出电路均由客户提供,本环评统一进行生产及封装工艺流程简述。(1)原材料外购根据项目产品生产需要,外购硅片(或客户提供)、光刻胶、读出电路电子组件、错窗窗口等原辅材料备用。(2)硅片分割外购...
石英二元衍射光学元件制作工艺1.石英二元光学元件的制作二元光学元件的设计遵循光的衍射理论。衍射效率的高低是评价元件的重要指标。在表1中可见,理论上台阶级数越多衍射效率越高,但制作难度也加大,随之的制作误差也变大,它又将导致元件的衍射效率降低。根据我们现有的工艺手段和设备制作8个台阶的元件是比较合理的。 8个台阶的元件要经过一次曝光,两次套刻曝光,三次刻蚀才能完成,其整个过程如图1所示。 1.1基片预处理预处理主要是用各种方法洗净基片表面粘附的脏物,增加光刻...
滤波器结构:所设计的并联电感耦合波导滤波器采用了三谐振器电感膜片耦合的结构如图1所示。图1滤波器结构示意图滤波器是四面封闭、两端开口的腔体结构腔体内部全部金属化立体结构如图2所示。滤波器的设计尺寸为240mm×50mm×25mm频率140GHz带宽10GHz。图2滤波器立体结构示意图滤波器工艺路线:研制波导滤波器的工艺步骤如下(图3)备片硅片厚800m。刻蚀掩模制备由于刻蚀深度达800m,刻蚀掩模需要使用厚度大于3m的氧化层或0.5m厚的铝或铬层。光刻:光...
半导体工艺-----光刻刻蚀一、光刻胶的选择光刻胶包括两种基本的类型:正性光刻和负性光刻,区别如下二、光刻工艺步骤1.清洗硅片通过化学清洗、漂洗、烘干的方式去除污染物、杂质颗粒,减少针孔和其他缺陷从而提供光刻胶粘附性2.预烘和底膜涂覆使用HMDS作为底胶,可以去除SiO2表面的-OH基,在100℃下脱水烘焙去除圆片表面的潮气3.光刻胶涂覆硅圆片放置在高速旋转的真空卡盘上,将液态光刻胶滴在圆片中心,光刻胶以离心力向外扩展从而均匀涂覆在圆片表面。4.前烘促进胶膜内溶剂充分挥发,使...
半导体的工艺流程:主要包括四个方面,单晶硅片制造、IC芯片设计、晶圆制造和封装测试。这四大流程里,除了IC芯片设计对于半导体设备的需求很少,其他3个都需要大量的半导体设备。 单晶硅片制造需要单晶炉等设备,IC晶圆制造需要光刻机、刻蚀机、薄膜设备、扩散/离子注入设备、湿法设备、过程检测等6大类设备。封装测试需要封装机,封膜机 ,测试机等设备。其中国内湿法设备厂商主要从事半导体、太阳能、FPD领域湿制程设备的设计、研发、生产及销售;目前已形成湿槽式清洗、单片刻蚀、干燥甩...
华林科纳之半导体产业股权投资备忘录一、 概述(一)行业业绩回顾 1(二)筛选标的逻辑 3(三)疫情影响 4(四)行业展望 5(五)推荐标的清单 6二、半导体产业链与细分领域概况(一)产业链概况 9(二)半导体细分领域 9(三)半导体产品分类 11(四)国产细分领域发展 12三、半导体细分领域行业情况(一)集成电路 131、处理器 132、DSP 173、FPGA 184、存储芯片 195、人工智能芯片 226、EDA软件 257、显示驱动芯片 268、触控与指纹识别芯片 28...
干法刻蚀之铝刻蚀在集成电路的制造过程中,刻蚀就是利用化学或物理方法有选择性地从硅片表面去除不需要的材料的过程。从工艺上区分,刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。前者的主要特点是各向同性刻蚀;后者是利用等离子体来进行各向异性刻蚀,可以严格控制纵向和横向刻蚀。 干法的各向异性刻蚀,可以用表面损伤和侧壁钝化两种机制来解释。表面损伤机制是指,与硅片平行的待刻蚀物质的图形底部,表面的原子键被破坏,扩散至此的自由基很容易与其发生反应,使得这个方向的刻蚀得以持续进行。与硅片垂直的图形...
氮化镓干法刻蚀研究进展摘要:对比了RIE,ECR,ICP等几种GaN7干法刻蚀方法的特点。回顾了GaN1法刻蚀领域的研究进展。以ICP刻蚀GaN和AIGaN材料为例,通过工艺参数的优化,得到了高刻蚀速率和理想的选择比及形貌。在优化后的刻蚀工艺条件下GaN材料刻蚀速率达到340nm/min,侧墙倾斜度大于8O。且刻蚀表均方根粗糙度小于3nm。对引起干法刻蚀损伤的因索进行了讨论,并介绍了几种减小刻蚀损伤的方法。关键词:氮化镓;下法刻蚀;等离子体;刻蚀损伤1引言氮化镓(GaN)材料...
TSV基础知识介绍硅通孔技术(TSV):第4代封装技术硅通孔技术(TSV,Through -Silicon-Via)是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通,实现芯片之间互连的最新技术。与以往的IC封装键合和使用凸点的叠加技术不同,TSV能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大,外形尺寸最小,并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。日月光公司集团研发中心总经理唐和明博士在Chartered上海2007技术研讨会上将TSV称为继线键合(Wire Bonding)、TAB和倒装芯...
在半导体技术的发展过程中,器件的特征尺寸越来越小,光刻工艺也变得越发复杂,而这也导致了下一代光刻技术的成本不断增加。追求特征尺寸的缩小,就需要减小曝光波长。在比DUV和EUV更先进的下一代光刻技术中,电子束光刻已被证明有非常高的分辨率,但其生产效率太低;X 线光刻虽然可以具备高产率,但X 线光刻的设备相当昂贵。光学光刻成本和复杂的趋势以及下一代光刻技术难以在短期内实现产业化激发人们去研发一种非光学的、廉价的且工艺简便的纳米技术,即纳米压印技术(Nanoim...
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