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湿法制程整体解决方案提供商

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2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限...
2016 - 03 - 07
刻蚀方法分为:干法刻蚀和湿法刻蚀,干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术,一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区,它是各向异性的刻蚀技术,即在被刻蚀的区域内,各个方向上的刻蚀速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术;湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术,这是各向同性的刻蚀方法,利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料,通常SiO2采用湿法刻蚀技术,有时金属铝也采用湿法刻蚀技术,国内的苏州华林科纳CSE在湿法这块做得比较好。下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程:二氧化硅腐蚀:在二氧化硅硅片腐蚀机中进行,国内腐蚀机做的比较好的有苏州华林科纳(打个广告),腐蚀液是由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时,腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高,腐蚀越快,掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度最敏感,温度越高,腐蚀越快。具体步骤为:1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃动,浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)的作用是减小硅片的表面张力,使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触,从而达到充分腐蚀;2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液(氟化铵溶液)的槽中浸泡,上下晃动片架使得二氧化硅腐蚀更充分,腐蚀时间可以调整,直到二氧化硅腐蚀干净为止;3、冲纯水;4、甩干。...
2016 - 03 - 07
SPM腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备。其中SPM自动清洗系统设备主要用于LED芯片制造过程中硅片表面有机颗粒和部分金属颗粒污染的自动清洗工艺。设 备 名  称南通华林科纳CSE-SPM腐蚀酸洗机适 用 领  域LED外延及芯片制造设 备 用 途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备基 本 介 绍主要功能:通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等被清洗硅片尺寸:2-8寸(25片/蓝)设备形式:室内放置型操作形式:自动设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096;18913575037更多的全自动半导体SPM腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
2016 - 03 - 10
PP通风橱---华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-PP通风柜 专为氢氟酸及硝化类浓酸设计的实验室通风橱,克服了传统通风柜在高温浓酸环境下易生锈、变黄、龟裂等缺陷,具有的耐酸碱性能。适用行业:适用于各类研究实验室---半导体实验室、药物实验室 【产品描述】设备名称南通华林科纳CSE-PP通风柜产品描述【柜体】:采用厚8-12mm瓷白色PP制作,耐酸碱性能优异。经CNC精确裁切加工后,同色同质焊条熔焊修饰处理,表面无锐角。【上部柜体】:排气柜采用顶罩式抽气设计,设计有1个∮250mm排风口。导流板采用同质PP材料制作,耐酸碱性能优异。安装尺寸科学合理,无气流死角,获取最大的废气捕捉性能。【操作台面】:台面采用12mmPP板制作,耐酸碱性能优异。通风柜台面上水槽根据用户要求配置。【下部柜体】:储物柜体,中间加一层隔板。铰链采用黑色塑料铰链,耐腐蚀性能好。拉手采用同质C型PP拉手。【调节门】1. 调节门玻璃:采用厚4mm透明亚克力玻璃制作,耐酸碱性能优异。2.调节门边框:为厚瓷白色PP板c型槽,嵌入式结合,以确保安全及耐用性。  3.调节门悬吊钢索:每台通风柜调节门钢索连接。4.调节门平衡配重:采无段式配重箱设计,其上下行程具静音轨道予以限制避免摇晃碰撞。【电器设备】1.开关:按钮带灯式自锁开关,包含风机开关,照明开关,总电源开关。2.照明设备...
2016 - 06 - 06
废气处理系统-南通华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE 的废气处理系统可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体,负压范围为:-500Pa 至 -1500Pa; 设备名称南通华林科纳CSE-废气处理系统系统说明1.可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体,负压范围为:-500Pa 至 -1500Pa;2.工艺稳定,负压波动在15%.3.电压:380V,三相五线,8KW;4.采用英国废气处理系统工艺,CSE在原工艺上经过升级改造,新的系统推出市场后,客户反映效果较好;系统工作原理为酸性/碱性/其它特殊气体处理系统,主要由以下几大部分组成:负压腔、正压腔、初级锥形喷淋塔、三级喷淋净化塔、高压射流器、抽风孔、负压动力泵、循环喷淋泵、电控系统;废气经过一级锥形喷淋塔进入负压腔内(每个喷淋塔中间为伞装型喷头,对废气层形成水封,瞬间中和废气)、通过射流器产生负压把负压腔内的废气抽入正压腔内中和(在负压腔与正压腔之间设有三级喷淋净化塔,三级喷淋净化塔内配有PP填料,配有喷嘴,再次充分喷淋中和废气)、处理完的气通过正压腔上的排气口排出。成功案例河北普兴电子有限公司上海新傲半导体有限公司上海硅酸盐研究所中试基地苏州纳维科技有限公司设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多半导体行业废气处...
2016 - 12 - 05
花篮/片盒清洗机-华林科纳CSE 完美适应当前所有型号的花篮和片盒、传输片盒、前端开口片盒(Foup片盒)的清洗和干燥系统优点装载晶圆直径至200mm的花篮和片盒—或不同晶圆尺寸的花篮和片盒,同时可装载晶圆直径至300mm的前端开口片盒(Foup片盒)三种设备尺寸满足客户特殊需求 CleanStep I – 用于4组花篮和片盒加载和清洗能力:每次4组花篮和片盒清洗产能:每小时12组花篮和片盒 CleanStep II – 用于8组花篮和片盒加载和清洗能力:每次8组花篮和片盒清洗产能:每小时24组花篮和片盒 CleanStep III – 用于6组前端开口片盒(Foup)加载和清洗能力:每次6组前端开口片盒(Foup片盒)清洗产能:每小时18组前端开口片盒(Foup片盒) 适用于晶圆直径至200mm的花篮和片盒的标准旋转笼(Cleanstep I/II) 适用于所有片盒一次清洗过程 或是同时4组花篮和片盒,或是12个花篮(Cleanstep I/II) 简单快捷的对不同尺寸的片盒和花篮进行切换 旋转笼内的可旋转载体方便加载或卸载花篮和片盒 通过控制系统对自锁装置的检测,达到安全加载片盒和花篮,及其运行特征和优点可应用不同化学品(稀释剂)来清洗 泵传输清洗液 计量调整可通过软件设置控制操作热水喷淋装置 热水一般由厂务供应 — 标准化 或有一个体积约100升的热水预备槽(循环泵...
2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l&...
2016 - 03 - 08
IPA干燥设备-华林科纳CSE南通华林科纳CSE-IPA干燥设备主要用于材料加工 太阳能电池片 分立器件 GPP等行业中晶片的冲洗干燥工艺,单台产量大,效率高设备名称南通华林科纳CSE-IPA干燥设备应用范围适用于2-8”圆片及方片动平衡精度高规格工艺时间: 一般亲水性晶圆片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金属含量: 任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点: 干燥后无斑点IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系统组成: IPA干燥工艺原理 01: IPA干燥工艺原理 02:更多的IPA干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
2016 - 12 - 05
单腔立式甩干机-华林科纳CSE南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机系统应用于各种清洗和干燥工艺设备名称南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机优    点 清洗系统应用于各种清洗和干燥工艺 不同配置(可放置台面操作的设备、单台独立、双腔) 适用于晶圆尺寸至200mm 最佳的占地,设备带有滚轮可移动 优越的可靠性 独特的模块化结构 极其便于维修 易于使用和操作一般特征 适用于晶圆直径至200mm 25片晶圆单盒工艺 标准的高边和低边花篮 可选内置电阻率检测传感器来控制晶圆的清洗工艺 用冷或热的N2辅助晶圆干燥 离心头容易更换 图形化的界面: 基于PLC的彩色5.7“的触摸屏 可以编辑10多个菜单,每个菜单可有10步 多等级用户密  去静电装置安装于工艺腔室区 去离子水回收 电阻率监测装置 机械手自动加载 可放置台面操作的设备、单台独立、双腔 SECS/GEM 去离子水加热系统 底座置放不锈钢滚轮 溶剂灭火装置 适用特殊设计的花篮设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的单腔立式甩干机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗...
2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有...
2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关...
2017 - 12 - 06
GMP自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-GMP自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-GMP自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学...
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华林科纳的经营理念
诚信  创新  发展  共赢
第一

比客户对自己的需求了解更多,提供最可靠,最高性价比,最小破损的处理工艺

Than the customer needs to learn more on their own, provide the most reliable, cost-effective, minimal damage treatment process

第二

不断提高湿处理工艺及设备标准,实现整个处理链的最优化性能

And continuously improve the wet process equipment standards, for optimal performance of the entire processing chain

第三

与客户合作研究,达成最优的定制工艺处理方案

Collaborative research with customers to achieve optimal customized process solutions

华林科纳的发展优势
国际水准,引领未来
从模具设计到组装,因为自己的生产线的快速反馈
生产
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专业的设计团队提供专业设计服务!
缩短同行业公司10%
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企业社会责任 —— 客户服务华林科纳始终围绕客户需求,以解决问题的态度,凭借多年积累的技术优势和丰富的实践经验,分别在清洗系统、刻蚀系统、CDS系统、尾气处理系统等广泛领域,为各行业提供针对性解决方案,满足不同客户日益丰富的个性化需求。同时,华林科纳在求新求变的过程中,以“更加贴近”客户的服务理念,用更优质的服务为客户创造更多的价值,保障客户权益不受侵害。
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华林科纳动态
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    Date updated: 2021 - Apr - 12
    1.2、异质结电池工艺流程简洁,拥有更高开路电压:异质结的工艺流程更为简洁,独特工艺是非晶硅薄膜沉积和TCO膜沉积。异质结电池全称为本征薄膜异质结电池(HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer),又称HIT、HJT或SHJ电池。其工艺流程十分简洁,主要是清洗制绒、非晶硅薄膜沉积、TCO膜沉积以及丝网印刷四道工序。与需要10余项流程的PERC+以及TOPCon相比,HJT工艺流程相当简洁。而且其中清洗制绒和丝网印刷都是传统硅晶电池的工艺,HJT独特的工艺在于非晶硅薄膜沉积以及TCO膜沉积。 从技术原理来看,HIT拥有更低的载流子复合速率和更低的接触阻抗造就了更高的开路电压。获得更高开路电压的两个重要条件是避免少数载流子与多数载流子发生复合,同时还要降低电阻促进多数载流子更有效运输。PERC技术由于其不可避免的开槽工艺造成了多子横向输运损耗,同时在开槽处金属极与Si局域接触仍然有较高的复合。而ITO薄膜(氧化铟锡薄膜,TCO薄膜中性能最好的材料)的特性是载流子复合速率高,但其接触电阻率低,而非晶硅薄膜(a-Si:H)的特性是载流子复合速率低,但接触电阻率高。异质结电池中薄膜沉积的顺序是非晶硅薄膜偏中间而ITO在最外层,这一顺序决定了异质结电池完美地结合了两者的优点。具体而言,非晶硅薄膜在偏中间位置,当光照到电池内时,光生伏特效应下产生了电子-空穴对,在P-N结内建电场的作用下,电子向N区定向移动,空穴则向P区。以P区为例,这个过程中,在P区靠近内建电场处,由于本征激发的电子(P区的少子)受内建电场作用可能往N区移动,P区的电子和来自向P区定向移动的空穴就可能互相靠近发生复合。在异质结电池中,可能发生复合的区域则沉积了非晶硅薄膜(a-Si:H),低载流子复合率的优势就发挥出来了,同时由于在内部并没有与金属极接触,高接触电阻的劣势并没有显...
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    Date updated: 2021 - Apr - 12
    1.2、异质结电池工艺流程简洁,拥有更高开路电压:异质结的工艺流程更为简洁,独特工艺是非晶硅薄膜沉积和TCO膜沉积。异质结电池全称为本征薄膜异质结电池(HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer),又称HIT、HJT或SHJ电池。其工艺流程十分简洁,主要是清洗制绒、非晶硅薄膜沉积、TCO膜沉积以及丝网印刷四道工序。与需要10余项流程的PERC+以及TOPCon相比,HJT工艺流程相当简洁。而且其中清洗制绒和丝网印刷都是传统硅晶电池的工艺,HJT独特的工艺在于非晶硅薄膜沉积以及TCO膜沉积。 从技术原理来看,HIT拥有更低的载流子复合速率和更低的接触阻抗造就了更高的开路电压。获得更高开路电压的两个重要条件是避免少数载流子与多数载流子发生复合,同时还要降低电阻促进多数载流子更有效运输。PERC技术由于其不可避免的开槽工艺造成了多子横向输运损耗,同时在开槽处金属极与Si局域接触仍然有较高的复合。而ITO薄膜(氧化铟锡薄膜,TCO薄膜中性能最好的材料)的特性是载流子复合速率高,但其接触电阻率低,而非晶硅薄膜(a-Si:H)的特性是载流子复合速率低,但接触电阻率高。异质结电池中薄膜沉积的顺序是非晶硅薄膜偏中间而ITO在最外层,这一顺序决定了异质结电池完美地结合了两者的优点。具体而言,非晶硅薄膜在偏中间位置,当光照到电池内时,光生伏特效应下产生了电子-空穴对,在P-N结内建电场的作用下,电子向N区定向移动,空穴则向P区。以P区为例,这个过程中,在P区靠近内建电场处,由于本征激发的电子(P区的少子)受内建电场作用可能往N区移动,P区的电子和来自向P区定向移动的空穴就可能互相靠近发生复合。在异质结电池中,可能发生复合的区域则沉积了非晶硅薄膜(a-Si:H),低载流子复合率的优势就发挥出来了,同时由于在内部并没有与金属极接触,高接触电阻的劣势并没有显...
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    Date updated: 2021 - Mar - 26
    3月20日,第二届华林科纳泛半导体湿法培训会在南通华林科纳半导体设备有限公司成功举办。这届培训会以“以声共汇平台,以友共筑数据”的主题面向芯片设计、晶圆制造、封装测试、材料和设备以及下游应用产业链多个群体。培训会进一步聚焦泛半导体湿法行业发展新动态、新趋势、新技术及创新项目,深入探讨湿法工艺的发展模式和行业发展趋势。中环科技、协鑫集团、三安光电、有研硅股、天科合达、中电科集团研究所、中科院半导体所、清华大学、浙江大学、中科大等多家单位代表出席培训会,国内近50家半导体知名企业与大学研究所80余人参加培训会。本次培训会面向湿制程设备实际使用者,主要由湿法行业领导者华林科纳牵头,汇集了湿法工艺&设备、湿制程的化学品知识、水处理知识、超声/兆声清洗知识、专业计量仪器应用知识等产业链各环节的优秀课程。每个课程的演讲者都是来自国际一流或者国内顶尖的供应链,无一不代表着当下产业内的领先水平。课程首先由华林科纳项目总监高艳带来的《湿法设备与工艺解析》,深入浅出的原理介绍了湿法清洗在半导体领域的影响。制程工艺每推进一代,清洗步骤增加约15%。半导体器件集成度和芯片复杂度的提高,使得芯片对杂质的敏感度大大提升。在工艺节点不断推进的前提下,为了降低杂质影响、提高良率,需要继续增加清洗步骤。而受当前国际疫情形势影响,且国内半导体行业在国家的大力发展下,本土清洗设备市场国有化率约为20%,国产化有望进一步加快。与国外日本公司占据清洗机行业主导地位相比,以华林科纳为代表的国产湿法设备制造商在槽式领域已具有一定竞争力。在分析了湿法设备的市场背景后,高总监从通用的RCA清洗工艺知识的展开,介绍了各种SC1、SC2、HF/BOE等Chemical在清洗过程中起到的作用及效果分析,鞭辟入里地从专业的角度对湿法清洗设备关于Clean、Etch、Photoresist Removal & Dev...
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    Date updated: 2021 - Mar - 15
    近期,行业出现了一股热潮,即越来越多的模拟芯片企业,特别是功率半导体厂商或业务部门,热衷于兴建12英寸晶圆产线。本周,就有两则相关消息很受关注。    3月10日,东芝宣布,计划引进一条新的12英寸晶圆生产线。传统上,该公司的功率半导体主要使用8英寸晶圆生产。而随着采用12英寸晶圆生产模拟芯片成为全球趋势,该公司似乎也在跟紧潮流。东芝表示,新厂建成后,可将功率半导体产能提高20%。据悉,东芝引进12英寸晶圆生产线的主要目标是提高低压MOSFET和IGBT的生产能力。根据规划,新产线将于2023财年上半年投产,该公司表示,将根据市场趋势,逐步确定后续投资计划,并将继续扩大日本工厂的分立器件,特别是功率半导体器件的生产。    同样是在近期,欧洲大厂博世正在德国德累斯顿建设新的12英寸晶圆厂,投资额达到10亿欧元。计划今年下半年实现商用生产。其生产的产品主要是用于汽车的功率半导体,如用于电动和混合动力汽车的DC-DC转换器等。    2月,汽车功率半导体龙头企业英飞凌宣布,为了缓解全球车用芯片产能不足的困境,将在奥地利新建12英寸晶圆厂,专门用于生产车用芯片,预计将于今年第三季度动工。后续还计划在德国也建一座与奥地利相同的新厂。    同样的情况也发生在中国,在大陆地区,闻泰旗下的安世半导体,以及士兰微电子这两家企业,是车用芯片和功率半导体的龙头企业,他们都于近几个月在新建12英寸晶圆厂方面有大动作。2020年12月,士兰微电子位于厦门的12英寸芯片生产线正式投产。该公司规划建设两条以功率半导体、MEMS传感器芯片为主要产品的12英寸特色工艺产线,本次投产的就是其中的一期项目。近期,安世半导体宣布在上海临港投资120亿元...
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    Date updated: 2021 - Mar - 1
    华林科纳之半导体产业股权投资备忘录一、 概述(一)行业业绩回顾 1(二)筛选标的逻辑 3(三)疫情影响 4(四)行业展望 5(五)推荐标的清单 6二、半导体产业链与细分领域概况(一)产业链概况 9(二)半导体细分领域 9(三)半导体产品分类 11(四)国产细分领域发展 12三、半导体细分领域行业情况(一)集成电路 131、处理器 132、DSP 173、FPGA 184、存储芯片 195、人工智能芯片 226、EDA软件 257、显示驱动芯片 268、触控与指纹识别芯片 289、射频前端芯片 3110、蓝牙芯片 3611、电源管理芯片 38(二)传感器 401、图像传感器 402、MEMS传感器 42(三)分立器件 461、功率半导体 462、晶振 523、电容电阻 543、超级电容 57(四)光电子器件 591、光模块 592、光芯片 62(五)制造 631、晶圆代工 63(六)封测 651、第四代封装技术之一:WLCSP 封装 66(七)材料 671、硅片 712、湿电子化学品 723、靶材 753、光刻胶 75(八)设备 771、光刻机 792、刻蚀设备 803、薄膜设备 814、其他设备 81一、概述(一)行业业绩回顾在中美贸易摩擦、高科技企业被美封锁的背景下,2019年电子行业在逆境中迅速发展,整体实现营收与利润的共同增长。以申万电子行业板块的上市公司为样本进行统计,2019年前三季度,电子行业上市公司总营收规模达到15840.63亿元,同比增长16.33%,实现净利润714.21亿,同比增长9.27%。而2019年前三季度,半导体行业上市公司总营收规模达到865.96亿元,同比增长4.16%,实现净利润40.99亿,同比增长35.07%,利润增长迅猛。1、毛利率电子行业毛利率2019年前三季度继续稳定在23%至25%之间,该领域毛利率最高的是半导体,2019年行...
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    Date updated: 2021 - Mar - 1
    2014年9月,国家大基金一期成立,总投资额1387亿,带动新增社会融资约5000亿,实现集成电路产业链的全覆盖。近日国家大基金披露,二期基金已到位,11月开始投资。实际募资2000亿左右,按照1∶3的撬动比,所撬动的社会资金规模在6000亿左右。二期基金投资的布局重点在集成电路装备、材料领域。2019年1-6月,我国集成电路进口额1376.2亿美元,同比下降6.9%;集成电路出口额457.5亿美元,同比增长17.1%。这说明随着我国集成电路技术的进步,以及产能的扩张,我国集成电路进口替代取得了显著的效果。我国集成电路产业从前期大力投入,开始进入收获季节,相关公司开始增收增利。近日爆发的日韩贸易战中,韩国半导体产业就因日本限制了关键半导体材料的出口,而被锁住了命运的咽喉,半导体材料也因此成为了各界所关注的焦点。在整个半导体产业链中,半导体材料处于产业链上游,是整个半导体行业的重要支撑。在集成电路芯片制造过程中,每一个步骤都需要用到相应的材料。半导体材料主要包括晶圆制造材料与封装测试材料两大类。其中,晶圆制造材料主要包括硅晶圆、光刻胶、掩膜版、电子特种气体、湿电子化学品、溅射靶材、CMP 抛光材料等;封装材料包括引线框架、基板、陶瓷封装材料、键合丝、封装树脂、芯片贴装材料等(图 1)。  图 1 半导体材料涉及工艺流程(红色为湿电子化学品应用环节)一湿电子化学品简述湿电子化学品指为微电子、光电子湿法工艺(主要包括湿法刻蚀、清洗、显影、互联等)制程中使用的各种电子化工材料。湿电子化学品按用途可分为通用化学品(又称超净高纯试剂)和功能性化学品(以光刻胶配套试剂为代表)。1超净高纯试剂  一般要求化学试剂中控制颗粒的粒径在0.5μm以下,杂质含量低于ppm级,是化学试剂中对颗粒控制、杂质含量要求最高的试剂。2功能性化学品指通过复配手段达到特殊功能、满足...
企业行业新闻
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    Date updated: 2021 - Mar - 15
    根据TrendForce集邦咨询调查,2018至2020年第三代半导体产业陆续受到中美贸易摩擦、疫情等影响,整体市场成长动力不足致使成长持续受到压抑。然受到车用、工业与通讯需求助力,2021年第三代半导体成长动能有望高速回升。其中又以GaN功率器件的成长力道最为明显,预估其今年市场规模将达6,100万美元,年增率高达90.6%。TrendForce集邦咨询进一步表示,首先,预期疫苗问世后疫情有所趋缓,进而带动工业能源转换所需零组件如逆变器、变频器等,以及通讯基站需求回稳;其次,随着特斯拉(Tesla)Model 3电动车逆变器逐渐改采SiC器件制程后,第三代半导体于车用市场逐渐备受重视;最后,中国政府为提升半导体自主化,今年提出十四五计划投入巨额人民币扩大产能,上述都将成为推升2021年GaN及SiC等第三代半导体高速成长的动能。电动车、工业及通讯需求回温,带动第三代半导体器件营收上扬观察各类第三代半导体器件,GaN器件目前虽有部分晶圆制造代工厂如台积电(TSMC)、世界先进(VIS)等尝试导入8英寸晶圆生产,然现行主力仍以6英寸为主。因疫情趋缓所带动5G基站射频前端、手机充电器及车用能源传输等需求逐步提升,预期2021年通讯及功率器件营收分别为6.8亿和6,100万美元,年增30.8%及90.6%。其中,GaN功率器件年增最高的主因是手机品牌如小米(Xiaomi)、OPPO、Vivo自2018年起率先推出快速充电头,凭借高散热效能与体积小的产品优势获得消费者青睐,截至目前笔电厂商也有意跟进。TrendForce集邦咨询预期,GaN器件会持续渗透至手机与笔电配件,且年增率将在2022年达到最高峰,后续随着厂商采用逐渐普及,成长动能将略为趋缓。SiC器件部分,由于通讯及功率领域皆需使用该衬底,因而6英寸晶圆的供应量显得吃紧,预估2021年SiC器件于功率领域营收可达6.8亿美...
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    Date updated: 2021 - Mar - 15
    根据TrendForce集邦咨询调查,2018至2020年第三代半导体产业陆续受到中美贸易摩擦、疫情等影响,整体市场成长动力不足致使成长持续受到压抑。然受到车用、工业与通讯需求助力,2021年第三代半导体成长动能有望高速回升。其中又以GaN功率器件的成长力道最为明显,预估其今年市场规模将达6,100万美元,年增率高达90.6%。TrendForce集邦咨询进一步表示,首先,预期疫苗问世后疫情有所趋缓,进而带动工业能源转换所需零组件如逆变器、变频器等,以及通讯基站需求回稳;其次,随着特斯拉(Tesla)Model 3电动车逆变器逐渐改采SiC器件制程后,第三代半导体于车用市场逐渐备受重视;最后,中国政府为提升半导体自主化,今年提出十四五计划投入巨额人民币扩大产能,上述都将成为推升2021年GaN及SiC等第三代半导体高速成长的动能。电动车、工业及通讯需求回温,带动第三代半导体器件营收上扬观察各类第三代半导体器件,GaN器件目前虽有部分晶圆制造代工厂如台积电(TSMC)、世界先进(VIS)等尝试导入8英寸晶圆生产,然现行主力仍以6英寸为主。因疫情趋缓所带动5G基站射频前端、手机充电器及车用能源传输等需求逐步提升,预期2021年通讯及功率器件营收分别为6.8亿和6,100万美元,年增30.8%及90.6%。其中,GaN功率器件年增最高的主因是手机品牌如小米(Xiaomi)、OPPO、Vivo自2018年起率先推出快速充电头,凭借高散热效能与体积小的产品优势获得消费者青睐,截至目前笔电厂商也有意跟进。TrendForce集邦咨询预期,GaN器件会持续渗透至手机与笔电配件,且年增率将在2022年达到最高峰,后续随着厂商采用逐渐普及,成长动能将略为趋缓。SiC器件部分,由于通讯及功率领域皆需使用该衬底,因而6英寸晶圆的供应量显得吃紧,预估2021年SiC器件于功率领域营收可达6.8亿美...
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    Date updated: 2021 - Mar - 2
    当我们谈论芯片产业时,首先想到的就是光刻、刻蚀、沉积、离子注入、化学机械抛光(CMP)等工艺,在过去的一段时间内,《每日财报》基本对这些环节实现了覆盖。今天要讲的是一个看起来不起眼但同样重要的环节——清洗。半导体清洗主要是为了去除芯片生产中产生的各种沾污杂质,是芯片制造中步骤最多的工艺,几乎贯穿整个作业流程。由于硅片的加工过程对洁净度要求非常高,所有与硅片接触的媒介都可能对硅片造成污染,硅片清洗的好坏对器件性能有严重的影响,因此几乎每一步加工都需要清除沾污。在很多人看来,芯片生产中所用的清洗设备似乎并没有什么技术门槛,也就没有那么大的价值,但事实却并非如此,芯片制造是一个极其复杂和精致的产业,任何一环出现问题都会前功尽弃。在半导体设备市场中,晶圆制造设备采购大约占整体的80%,测试设备大约占9%,封装设备大约占7%,其他设备大约占4%,同时清洗设备在晶圆制造设备中的采购费用占比约为6%,因此可以推算出清洗设备约占半导体设备投资的4.8%。1、芯片良率的“保镖”芯片制造需要在无尘室中进行,如果在制造过程中,有沾污现象,将影响芯片上器件的正常功能。据估计,80%的芯片电学失效都是由沾污带来的缺陷引起的。沾污杂质是指半导体制造过程中引入的任何危害芯片成品率及电学性能的物质,具体的沾污包括颗粒、有机物、金属和自然氧化层等。一般来说,工艺越精细对于控污的要求越高,而且难度越大,随着半导体芯片工艺技术节点进入28纳米、14纳米等更先进等级,工艺流程的延长且越趋复杂,产线成品率也会随之下降。造成这种现象的一个原因就是先进制程对杂质的敏感度更高,小尺寸污染物的高效清洗更困难,解决的方法主要是增加清洗步骤。在80-60nm制程中,清洗工艺大约100多个步骤,而到了10nm制程,增至200多个清洗步骤。根据清洗介质不同,半导体清洗技术主要分为湿法清洗和干法清洗两种工艺路线。湿法工艺是使用各种化...
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    Date updated: 2021 - Mar - 2
    2018年下半年,受智能手机出货量的下滑等因素影响,半导体行业迎来了下行周期。不过随着5G建设和车联网市场的发展,目前半导体市场正在回暖。我国半导体市场已超过万亿规模,业已成为国家战略新兴产业的重要组成部分。为此,为您全面介绍行业概况、产业链结构、上游关键原材料、本行业竞争格局及材料重点应用领域。报告合集涵盖高纯溅射靶材、CMP材料、半导体硅片、电子气体、封装基板、光刻胶、光纤预制棒、湿电子化学品、半导体设备等九大市场0 1高纯溅射靶材2017年全球溅射靶材市场容量达132.5亿美元(半导体领域占半导体晶圆制造材料市场3%左右),预计到2020年全球高纯溅射靶材市场规模将超过200亿美元。显示、记录媒体、太阳能、半导体是显示靶材四大应用市场,面板市场最大,占市场35%,在中国这一比例超过50%。0 2CMP材料CMP化学机械抛光是集成电路制造过程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺,用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。CMP抛光材料具有技术壁垒高,客户认证时间长的特点。全球芯片抛光液市场主要被在美国、日本、韩国企业所垄断,占据全球90%以上的高端市场份额。0 3半导体硅片硅片也称硅晶圆,是制造半导体芯片最重要的基本材料。2018-2022年硅片的需求继续放大,胜高统计全球晶圆厂给出的总需求指引,其复合增长率为9.7%(未统计中国新建厂);SEMI 统计12寸硅片上半年累计涨幅20%,下半年涨价有望继续上涨20-30%。0 4电子气体电子气体是指用于半导体及相关电子产品生产的特种气体,应用范围十分广泛,在半导体工业中应用的有110余种单元特种气体。电子特种气体从生产到分离提纯以及运输供应阶段都存在较高的技术壁垒,市场准入条件高,全球市场主要被几家跨国巨头垄断,国内企业面临巨大的竞争压力。0 5封装基板封装基板已经成为封装材料细分领域销售占比最大的原材料,占封装材料比重...
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    Date updated: 2021 - Mar - 1
    5G时代下的VR/AR是通信产业的升级方向,产业化基础已日益完备  伴随2G到4G的升级,人类基于移动终端的信息交互媒介经历了文字、语音、图片、视频的演进,而在5G时代,通信的发展有望继续拓展所传递信息的纵深。因此我们认为,基于VR/AR的实景交互代表着通信产业新的发展方向。当前时点,5G的成熟为克服3D内容实时传输问题,以及因延迟造成的眩晕问题构建了网络环境,而相应光学元件、显示方案、专用芯片的推出则为终端的兴起搭建了硬件基础。此外,下半年及明年华为、苹果等大品牌终端的发布有望提振VR市场热度,推荐歌尔股份、水晶光电、利亚德、京东方A,建议关注韦尔股份、联创电子、苏大维格、汇顶科技。  5G网络的传输速度有效解决终端互联和眩晕问题  现阶段主流VR头显刷新率在75-90Hz,在90Hz刷新率以及H.264压缩协议下,我们计算得到1K分辨率的VR内容需要21Mbps码率,相较于仅能提供10Mbps码率的4G网,5G可实现100-1024Mbps码率,已经可以满足未来单眼8K的码率要求。此外,VR头显的显示时延极限为20ms,若超过20ms部分用户会有明显的眩晕感,目前VR头显的内部图像渲染以及刷新等时间约15-16ms,若增加4G网络下额外10ms时延,用户感知时延将远超过20ms,而仅有1ms的超低时延的5G可有效解决该问题。  VR芯片、光学元件、显示屏等硬件基础已具备,VR头显重归高增长  VR硬件构成主要包括芯片、光学元件、显示屏等,在芯片环节,高通18年推出骁龙XR1布局中低端VR头显,19年推出支持5G的855 plus VR移动平台定位高端VR头显。在光学元件环节,菲涅尔透镜是解决视角场FOV和镜片重量问题的主流方案,已广泛应用于Oculus、HTC等品牌终端。在显示屏环节,除了日益成熟的柔性OLED之外,京东方所推出的Fast LCD提供了可选的高性价比显示...
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    Date updated: 2020 - May - 8
    硅芯片是当代信息技术的核心,当前正向“深度摩尔”(More Moore)和“超越摩尔”(More than Moore)两个方向发展。物联网(IoT)应用是“超越摩尔”技术路线中相当重要的一环,需要数量巨大的集成电路芯片来分析处理来自外部传感器件的海量信号。目前,大多数传感信号采集器件和信号处理单元均为分离设计,将在整体上产生更大功耗并占据更大的空间。由此,复旦大学材料科学系教授梅永丰课题组提出了将信号检测和分析功能集成于同一个芯片器件中的全新概念。作为演示,研究团队将单晶硅薄膜柔性光电晶体管与智能薄膜材料相结合和组装,构造了对不同环境变量进行检测和分析的柔性硅芯片传感器及其系统。这一思路不仅具有优异的可扩展性,还可与当前集成电路先进制造工艺相兼容。5月2日,相关研究结果以《面向智能数字灰尘的硅纳米薄膜光电晶体管多功能集成传感器研究》(“Silicon Nanomembrane Phototransistor Flipped with Multifunctional Sensors towards Smart Digital Dust”)为题发表在《科学进展》(Science Advances)上。研究团队从器件的传感机理入手,利用柔性薄膜组装集成芯片传感器,实现了多种环境参数探测功能的集成。 研究团队开发了将智能材料与光电传感结合的新颖传感机制,并将传感模块与后续信号处理等模块集成在一起,展示了其在气体浓度、湿度、温度等多种环境参数检测方面的能力,已经初步具备了未来的“智能数字灰尘”的雏形。该策略也可以应用于其他的数字传感系统,在后摩尔时代中将具有巨大的应用潜力。论文主要由李恭谨博士,博士研究生马喆和尤淳瑜合作完成,并获得韩国延世大学Taeyoon Lee教授和中科院微系统所狄增峰研究员的合作支持。该工作得到国家自然科学基金委、上海市科委、复旦大学和专用集成电路...
FAQ / 服务中心
  • 2016 - 05 - 31
    公司名称:南通华林科纳半导体设备有限公司公司地址:中国江苏南通如皋高新区桃金东路90号邮编: 226000电话:0513-87733829邮箱: sales@hlkncse.com
  • 2016 - 03 - 23
    华林科纳人才招聘半导体工艺开发工程师岗位职责:1、负责硅工艺、第三代半导体材料的清洗、湿法腐蚀、去胶等设备提升和工艺开发;2、参与临时项目研发团队,负责工艺技术研发活动。根据项目需求,分析工艺难点,制定完备的工艺研究方案;3、独立负责干法、湿法刻蚀工艺,进行刻蚀工艺菜单的调试;及其优化满足工艺集成要求;4、通过许多监控系统和原因分析,提出设备问题,并为设备改善提出建设性建议;5、根据具体情况,配合业务人员跟客户沟通设备相关事宜。任职要求: 1、大学本科学历(含)以上, 理工科专业;2、微电子学和固体电子学、物理、化学、半导体器件专业优先考虑;3、具体半导体光刻、镀膜、化学清洗、刻蚀等工艺经历及相关半导体设备使用经历优先考虑;3、具有3年以上半导体器件工艺开发工作经历,熟悉工艺流程;4、具有独立工作的能力和团队合作的精神,能在困难和挫折中继续寻求解决问题的途径;  销售技术工程师岗位职责:1、根据公司的发展战略,积极开拓市场,寻找机会,挖掘客户需求;2、能根据客户需求提供项目解决方案,并负责客户的项目的发现、跟踪、商务洽谈、合同签订以及区域销售目标的达成;3、负责区域大客户的关系维护与拓展;4、及时收集并反馈客户信息和市场情况,并制定有效的销售策略;5、配合领导负责建立并提升公司品牌形象,奠定良好的市场基础。任职要求:1、光电、半导体物理、材料、化学化工等相关专业;本科以上学历,2年以上工作经验;2、熟悉大客户销售,有具体实际项目操作经验者优先;3、有良好的个人素养,勤奋踏实、认真负责的精神以及良好的团队合作精神;4、有较强的适应能力和应变能力以及优秀的沟通能力和商务谈判能力者优先考虑 市场销售(应届生)岗位职责:1.负责日常销售助理、行政和商务接待工作。2.公司部分老客户的回访、商机发掘、关系维护、订单处理等工作。3.开发新客户,拓展...
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