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始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

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2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限...
2016 - 03 - 07
刻蚀方法分为:干法刻蚀和湿法刻蚀,干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术,一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区,它是各向异性的刻蚀技术,即在被刻蚀的区域内,各个方向上的刻蚀速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术;湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术,这是各向同性的刻蚀方法,利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料,通常SiO2采用湿法刻蚀技术,有时金属铝也采用湿法刻蚀技术,国内的苏州华林科纳CSE在湿法这块做得比较好。下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程:二氧化硅腐蚀:在二氧化硅硅片腐蚀机中进行,国内腐蚀机做的比较好的有苏州华林科纳(打个广告),腐蚀液是由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时,腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高,腐蚀越快,掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度最敏感,温度越高,腐蚀越快。具体步骤为:1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃动,浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)的作用是减小硅片的表面张力,使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触,从而达到充分腐蚀;2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液(氟化铵溶液)的槽中浸泡,上下晃动片架使得二氧化硅腐蚀更充分,腐蚀时间可以调整,直到二氧化硅腐蚀干净为止;3、冲纯水;4、甩干。...
2016 - 03 - 07
SPM腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备。其中SPM自动清洗系统设备主要用于LED芯片制造过程中硅片表面有机颗粒和部分金属颗粒污染的自动清洗工艺。设 备 名  称南通华林科纳CSE-SPM腐蚀酸洗机适 用 领  域LED外延及芯片制造设 备 用 途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备基 本 介 绍主要功能:通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等被清洗硅片尺寸:2-8寸(25片/蓝)设备形式:室内放置型操作形式:自动设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096;18913575037更多的全自动半导体SPM腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
2016 - 03 - 10
PP通风橱---华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-PP通风柜 专为氢氟酸及硝化类浓酸设计的实验室通风橱,克服了传统通风柜在高温浓酸环境下易生锈、变黄、龟裂等缺陷,具有的耐酸碱性能。适用行业:适用于各类研究实验室---半导体实验室、药物实验室 【产品描述】设备名称南通华林科纳CSE-PP通风柜产品描述【柜体】:采用厚8-12mm瓷白色PP制作,耐酸碱性能优异。经CNC精确裁切加工后,同色同质焊条熔焊修饰处理,表面无锐角。【上部柜体】:排气柜采用顶罩式抽气设计,设计有1个∮250mm排风口。导流板采用同质PP材料制作,耐酸碱性能优异。安装尺寸科学合理,无气流死角,获取最大的废气捕捉性能。【操作台面】:台面采用12mmPP板制作,耐酸碱性能优异。通风柜台面上水槽根据用户要求配置。【下部柜体】:储物柜体,中间加一层隔板。铰链采用黑色塑料铰链,耐腐蚀性能好。拉手采用同质C型PP拉手。【调节门】1. 调节门玻璃:采用厚4mm透明亚克力玻璃制作,耐酸碱性能优异。2.调节门边框:为厚瓷白色PP板c型槽,嵌入式结合,以确保安全及耐用性。  3.调节门悬吊钢索:每台通风柜调节门钢索连接。4.调节门平衡配重:采无段式配重箱设计,其上下行程具静音轨道予以限制避免摇晃碰撞。【电器设备】1.开关:按钮带灯式自锁开关,包含风机开关,照明开关,总电源开关。2.照明设备...
2016 - 06 - 06
废气处理系统-南通华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE 的废气处理系统可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体,负压范围为:-500Pa 至 -1500Pa; 设备名称南通华林科纳CSE-废气处理系统系统说明1.可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体,负压范围为:-500Pa 至 -1500Pa;2.工艺稳定,负压波动在15%.3.电压:380V,三相五线,8KW;4.采用英国废气处理系统工艺,CSE在原工艺上经过升级改造,新的系统推出市场后,客户反映效果较好;系统工作原理为酸性/碱性/其它特殊气体处理系统,主要由以下几大部分组成:负压腔、正压腔、初级锥形喷淋塔、三级喷淋净化塔、高压射流器、抽风孔、负压动力泵、循环喷淋泵、电控系统;废气经过一级锥形喷淋塔进入负压腔内(每个喷淋塔中间为伞装型喷头,对废气层形成水封,瞬间中和废气)、通过射流器产生负压把负压腔内的废气抽入正压腔内中和(在负压腔与正压腔之间设有三级喷淋净化塔,三级喷淋净化塔内配有PP填料,配有喷嘴,再次充分喷淋中和废气)、处理完的气通过正压腔上的排气口排出。成功案例河北普兴电子有限公司上海新傲半导体有限公司上海硅酸盐研究所中试基地苏州纳维科技有限公司设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多半导体行业废气处...
2016 - 12 - 05
花篮/片盒清洗机-华林科纳CSE 完美适应当前所有型号的花篮和片盒、传输片盒、前端开口片盒(Foup片盒)的清洗和干燥系统优点装载晶圆直径至200mm的花篮和片盒—或不同晶圆尺寸的花篮和片盒,同时可装载晶圆直径至300mm的前端开口片盒(Foup片盒)三种设备尺寸满足客户特殊需求 CleanStep I – 用于4组花篮和片盒加载和清洗能力:每次4组花篮和片盒清洗产能:每小时12组花篮和片盒 CleanStep II – 用于8组花篮和片盒加载和清洗能力:每次8组花篮和片盒清洗产能:每小时24组花篮和片盒 CleanStep III – 用于6组前端开口片盒(Foup)加载和清洗能力:每次6组前端开口片盒(Foup片盒)清洗产能:每小时18组前端开口片盒(Foup片盒) 适用于晶圆直径至200mm的花篮和片盒的标准旋转笼(Cleanstep I/II) 适用于所有片盒一次清洗过程 或是同时4组花篮和片盒,或是12个花篮(Cleanstep I/II) 简单快捷的对不同尺寸的片盒和花篮进行切换 旋转笼内的可旋转载体方便加载或卸载花篮和片盒 通过控制系统对自锁装置的检测,达到安全加载片盒和花篮,及其运行特征和优点可应用不同化学品(稀释剂)来清洗 泵传输清洗液 计量调整可通过软件设置控制操作热水喷淋装置 热水一般由厂务供应 — 标准化 或有一个体积约100升的热水预备槽(循环泵...
2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l&...
2016 - 03 - 08
IPA干燥设备-华林科纳CSE南通华林科纳CSE-IPA干燥设备主要用于材料加工 太阳能电池片 分立器件 GPP等行业中晶片的冲洗干燥工艺,单台产量大,效率高设备名称南通华林科纳CSE-IPA干燥设备应用范围适用于2-8”圆片及方片动平衡精度高规格工艺时间: 一般亲水性晶圆片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金属含量: 任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点: 干燥后无斑点IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系统组成: IPA干燥工艺原理 01: IPA干燥工艺原理 02:更多的IPA干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
2016 - 12 - 05
单腔立式甩干机-华林科纳CSE南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机系统应用于各种清洗和干燥工艺设备名称南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机优    点 清洗系统应用于各种清洗和干燥工艺 不同配置(可放置台面操作的设备、单台独立、双腔) 适用于晶圆尺寸至200mm 最佳的占地,设备带有滚轮可移动 优越的可靠性 独特的模块化结构 极其便于维修 易于使用和操作一般特征 适用于晶圆直径至200mm 25片晶圆单盒工艺 标准的高边和低边花篮 可选内置电阻率检测传感器来控制晶圆的清洗工艺 用冷或热的N2辅助晶圆干燥 离心头容易更换 图形化的界面: 基于PLC的彩色5.7“的触摸屏 可以编辑10多个菜单,每个菜单可有10步 多等级用户密  去静电装置安装于工艺腔室区 去离子水回收 电阻率监测装置 机械手自动加载 可放置台面操作的设备、单台独立、双腔 SECS/GEM 去离子水加热系统 底座置放不锈钢滚轮 溶剂灭火装置 适用特殊设计的花篮设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的单腔立式甩干机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗...
2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有...
2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关...
2017 - 12 - 06
GMP自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-GMP自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-GMP自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学...
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华林科纳的经营理念
诚信  创新  发展  共赢
第一

比客户对自己的需求了解更多,提供最可靠,最高性价比,最小破损的处理工艺

Than the customer needs to learn more on their own, provide the most reliable, cost-effective, minimal damage treatment process

第二

不断提高湿处理工艺及设备标准,实现整个处理链的最优化性能

And continuously improve the wet process equipment standards, for optimal performance of the entire processing chain

第三

与客户合作研究,达成最优的定制工艺处理方案

Collaborative research with customers to achieve optimal customized process solutions

华林科纳的发展优势
国际水准,引领未来
从模具设计到组装,因为自己的生产线的快速反馈
生产
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专业的设计团队提供专业设计服务!
缩短同行业公司10%
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企业社会责任 —— 客户服务华林科纳始终围绕客户需求,以解决问题的态度,凭借多年积累的技术优势和丰富的实践经验,分别在清洗系统、刻蚀系统、CDS系统、尾气处理系统等广泛领域,为各行业提供针对性解决方案,满足不同客户日益丰富的个性化需求。同时,华林科纳在求新求变的过程中,以“更加贴近”客户的服务理念,用更优质的服务为客户创造更多的价值,保障客户权益不受侵害。
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华林科纳动态
  • number of clicks: 100
    Date updated: 2019 - Apr - 22
    在华林科纳公司领导和各部门员工的不懈努力下,经过认证机构资深专家的现场审核,华林科纳半导体设备有限公司环境管理体系各方面实施效果均已达到ISO14001:2015标准的要求,顺利通过了ISO14001的认证审核,向华林科纳正式颁发ISO14001:2015环境管理体系认证证书。  作为国内著名的半导体湿制程设备供应商,华林科纳不仅追求在技术、产品质量、服务等各方面领先,而且积极履行对环境保护的社会义务,为全球环境与可持续发展做出贡献。 此次能顺利通过ISO14001:2015环境管理体系认证,是对华林科纳环境体系管理工作的高度肯定,今后将严格按照环境管理体系认证的要求,不断完善优化公司环境管理体系各项工作。
  • number of clicks: 28
    Date updated: 2020 - May - 8
    衍射光学是基于光的衍射原理,利用计算机设计衍射图,并通过微电子加工技术在光学材料只做表面浮雕的元件,由于衍射光学元件及其灵活的控制波前,集多功能与一体和可复制的优良特性视光学系统及器件向轻型化,微型化和集成化发展。到了90年代至今,衍射光学元件的研究已成为光学界的前沿工作。随着衍射光学元件应用领域的拓展,大面积衍射元件的需求越来越多。湿法刻蚀技术是低成本制作特征尺寸及宽深比较大衍射光学元件较好的方法之一,特别在解决大口径元件的刻蚀均匀性方面具有很大优势。衍射光学自身具有许多优点使得它广泛地应用于各种光学系统或微光机电系统中,各种衍射光学元件目前已成为光通讯和光互联中的关键元件,对它们的性能分析和设计具有重要的理论意义和应用价值。与传统折反射光学元件比较,衍射光学元件(DOE)的光学处理功能非常灵活。DOE可以在极小的体积内,集成多种光学功能于一体,产生传统光学难以实现的各种光场分布。针对衍射光学元件的湿法刻蚀工艺,华林科纳研究了湿法刻蚀的化学机理,摸索了相关的规律,得到了有效控制刻蚀速率的方法,不同腐蚀条件下所对应的刻蚀速率。为基于工艺条件的优化设计方法提供依据,得到了制作工艺中的加工依据。公司具备独立的设计、制造及应用技术,能够为客户提供从咨询、设计、到制造的专业化、定制化整体解决方案。
  • number of clicks: 29
    Date updated: 2020 - May - 8
    湿法化学腐蚀是最早用于微机械结构制造的加工方法。所谓湿法腐蚀,就是将晶片置于液态的化学腐蚀液中进行腐蚀,在腐蚀过程中,腐蚀液将把它所接触的材料通过化学反应逐步浸蚀溶掉。用于化学腐蚀的试剂很多,有酸性腐蚀剂,碱性腐蚀剂以及有机腐蚀剂等。湿法腐蚀工艺由于其低成本,高产出,高可靠性以及其优良的选择比是其优点而仍被广泛接受和使用。华林科纳经过多年的生产经验及技术的不断改良,使得我们的设备在工艺路径及技术要求上得到稳步的提高,湿法腐蚀设备正朝着以下方向发展:a.自动化b.在微处理器控制下提高在腐蚀状态下的重复性,以帮助工艺工程师提供更良好的控制,阻止人为因素的影响。c.点控制过滤控制,以减小腐蚀过程中缺陷的产生d.自动喷淋设备的开发。所有这些,都使湿法腐蚀有一个更美好的前景。湿法腐蚀机理湿法腐蚀的产生一般可分为3步:1:反应物(指化学药剂)扩散到反应表面2:实际反应(化学反应)3:反应生成物通过扩散脱离反应表面在实际应用中,湿法腐蚀通常用来在SI衬底或薄膜上生成一定的图形,光刻版是典型的被用于覆盖所期望的表面区域防止被腐蚀液腐蚀掉,而光刻版在腐蚀后常被去掉,因此在线择湿法腐蚀工艺时,必须线择腐蚀液,合适的形成版的材料(光刻胶)必须具有良好的抗腐蚀能力,良好的完整覆盖特性,光刻胶常被用来作为版层材料,但有时边缘的黏附性差,常采用HMDS以增强其黏附性湿法腐蚀反应时可能存在多种反应机理,许多反应是一种或多种反应共同作用的结果,最简单的一种是在溶液中溶解。影响湿法腐蚀的因素湿法腐蚀质量的好坏,取决于多种因素,主要的影响因素有:1:掩膜材料(主要指光刻胶)显影不清和曝光强度不够,会使显影时留有残胶,通常会使腐蚀不净。2:须腐蚀膜的类型(指如SIO2.POLY,SILICON等)3:腐蚀速率:腐蚀速率的变化会使腐蚀效果发生改变,经常会导致腐蚀不净或严重过腐蚀,从而造成异常4:浸润与否:由于在湿...
  • number of clicks: 28
    Date updated: 2020 - Apr - 29
    RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的,并由此而得名。CSE华林科纳RCA清洗是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法,是去除硅片表面各类玷污的有效方法,所用清洗装置大多是多槽处理式清洗系统。该清洗系统主要包括以下几种药液:(1)SPM:H2SO4 /H2O2 120~150℃ SPM具有很高的氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属,但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。(2)HF(DHF):HF(DHF) 20~25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜,因此,附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中,同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al,Fe,Zn,Ni等金属,DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时,在自然氧化膜被腐蚀掉时,硅片表面的硅几乎不被腐蚀。(3)APM (SC-1):NH4OH/H2O2 /H2O 30~80℃ 由于H2O2的作用,硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2),呈亲水性,硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀,因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中,从而达到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时,H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。(4)HPM (SC-2):HCl/H2O2/H2 O 65~85℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。在室温下HPM就能除去Fe和Zn。 CSE华林科纳清洗基本步骤:化学清洗—漂洗—烘干。硅片经过不同工序加工后,其表面已受到严重沾污,一般硅片表面沾污大致可分在三类:1、有机杂质沾污:可通过有机试剂的溶解...
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    Date updated: 2020 - May - 8
    刻蚀是把进行光刻前所淀积的薄膜中未被光 刻胶覆盖的部分用化学或物理的方式去除,用以完成掩模图像的转移。刻蚀是半导体器件和集成 电路的基本制造工艺,分为湿法刻蚀和干法刻蚀。 湿法刻蚀是通过化学刻蚀液和被刻蚀物质之间的 化学反应将被刻蚀物质剥离下来的方法;干法刻 蚀的刻蚀剂是等离子体,是利用等离子体和表面 薄膜反应,形成挥发性物质,或直接轰击薄膜表面 使之被腐蚀的工艺。虽然湿法刻蚀在保证细小图 形转移后的保真性方面不如干法刻蚀,但由于生 产成本低、产能高、适应性强、表面均匀性好、对硅片损伤少、其优良的选择比在去氧化硅、去除残留 物、表层剥离以及大尺寸图形刻蚀等方面有着广 泛的应用。湿法刻蚀的特点是:反应生成物必须是气体或能溶于刻蚀剂的物质,否则会造成反应物沉 淀,影响刻蚀的正常进行;湿法刻蚀一般为各向同性,即水平方向和垂直方向的速率是相同的,这样会导致侧向出现腐蚀。因此,刻蚀后得到的图形结构不是理想的垂直墙;湿法刻蚀过程常伴有放热和放气现象,影响刻蚀速率,使得刻蚀效 果变差。  提高湿法设备刻蚀均匀性的方法 刻蚀均匀性是一种衡量刻蚀工艺在晶片内及晶片之间刻蚀一致性的参数,是保证芯片产品质 量的关键指标之一。刻蚀速率和刻蚀剖面与图形 尺寸及密度是影响刻蚀均匀性的原因,刻蚀均匀性与选择比有密切的关系,非均匀性刻蚀会产生额外的过刻蚀。刻蚀溶液的温度控制 刻蚀溶液温度是硅湿法刻蚀工艺重要工艺参 数之一,对硅刻蚀速率产生较大影响。一般随着溶 液温度的升高,刻蚀速率急剧增大,刻蚀同样深度 所需的时间相应减少。通常硅湿法刻蚀是在刻蚀 工艺槽内完成,为了提高产能,一次需要处理几十片,并且刻蚀过程化学反应剧烈,为放热反应,伴有大量热量放出,导致刻蚀溶液温度迅速升高,腐 蚀速率加快,影响刻蚀效果,甚至产生过刻蚀现 象。工艺温度越高,刻蚀的晶片数量越多,刻蚀反 应越剧烈,温度越难...
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    Date updated: 2020 - May - 8
    超声波清洗技术的基本原理,大致可以认为是利用超声场产生的巨大作用力,在洗涤介质的配合下,促使物质发生一系列物理、化学变化以达到清洗目的的方法。当高于音波(28~ 40KHz)的高频振动传给清洗介质后,液体介质在高频振动下产生近乎真空的空腔泡,空腔泡在相互间的碰撞、合并、消亡的过程中,可使液体局部瞬间产生几千大气压的压强,如此大的压强使得周围的物质发生一系列物理、化学变化。这种作用称为“空化作用”: 1. 空化作用可使物质分子的化池键断裂,引起各种物理变化(溶解、吸附、乳化、分散)和化学变化(氧化、还原、分解、化合)等;2. 当空腔泡的固有频率和超声频率相等时,可产生共振,共振的空腔泡内聚集了大量的热能, 这种热能足以使周围物质化学键断裂而引起物理、化学变化。3. 当空腔泡形成时,两泡壁间因产生极大的电位差而引起放电,致使腔内气泡活化进而引起周围物质的活化,从而使物质发生物理、化学变化。 超声场为清洗提供了巨大的能量,但还需化学洗剂作为介质。一般将化学洗剂分为两类,一类是有机溶剂,主要是根据相似相溶的化学原理,对有机物如:黏结剂(沥青、松香等)、保护性材料(沥青、树脂等)、磨边润滑油进行溶解。在光学洗净中,最初用三氯乙烯、芳香烃、氟里昂等作为清洗剂,这类物质虽然溶解性强,但有的易挥发,毒性大,有的对大气臭氧层有破坏作用,被逐步禁用。现国内多采用一些上述物质的改进产品或某些碳氢化合物做溶剂。目前使用较多的另一类清洗剂是以表面活性剂为主要成分的水基清洗剂,其清洗原理简单地说是由于表面活性剂的分子结构中同时含有亲油基的亲水基,具有极性和结构不对称的特点。正是这种特点使得它能极大降低水溶液的表面张力,使物体表面易于润湿,表面污物易于被溶解,分散在清洗液中而达到洗涤的目的。 超声波清洗就是在液体清洗介质中,利用超声场产生的巨大...
企业行业新闻
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    Date updated: 2020 - May - 8
    5月7日,北京监管局披露了国开证券股份有限公司关于北京天科合达半导体股份有限公司(以下简称“天科合达”)首次公开发行股票并在科创板上市辅导工作报告(第二期)。国开证券和天科合达于2019年12月6日签署《北京天科合达半导体股份有限公司与国开证券股份有限公司关于首次公开发行股票并上市辅导协议》,并于2019年12月12日取得中国证监会北京监管局辅导备案受理。官网资料显示,天科合达于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立,目前注册资本为10364.2866万元,是一家专业从事第三代半导体碳化硅(SiC)晶片研发、生产和销售的高新技术企业。2017年4月10日,天科合达在新三板挂牌上市,2019年8月12日终止新三板挂牌。天科合达为全球SiC晶片的主要生产商之一,目前其在碳化硅单晶行业世界排名位于第四位,国内排名居前列,晶片产品大量出口至欧、美和日本等20多个国家和地区,是我国少数进入国外知名大企业的高技术产品。(来源:全球半导体观察 )
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    Date updated: 2020 - May - 8
    硅芯片是当代信息技术的核心,当前正向“深度摩尔”(More Moore)和“超越摩尔”(More than Moore)两个方向发展。物联网(IoT)应用是“超越摩尔”技术路线中相当重要的一环,需要数量巨大的集成电路芯片来分析处理来自外部传感器件的海量信号。目前,大多数传感信号采集器件和信号处理单元均为分离设计,将在整体上产生更大功耗并占据更大的空间。由此,复旦大学材料科学系教授梅永丰课题组提出了将信号检测和分析功能集成于同一个芯片器件中的全新概念。作为演示,研究团队将单晶硅薄膜柔性光电晶体管与智能薄膜材料相结合和组装,构造了对不同环境变量进行检测和分析的柔性硅芯片传感器及其系统。这一思路不仅具有优异的可扩展性,还可与当前集成电路先进制造工艺相兼容。5月2日,相关研究结果以《面向智能数字灰尘的硅纳米薄膜光电晶体管多功能集成传感器研究》(“Silicon Nanomembrane Phototransistor Flipped with Multifunctional Sensors towards Smart Digital Dust”)为题发表在《科学进展》(Science Advances)上。研究团队从器件的传感机理入手,利用柔性薄膜组装集成芯片传感器,实现了多种环境参数探测功能的集成。 研究团队开发了将智能材料与光电传感结合的新颖传感机制,并将传感模块与后续信号处理等模块集成在一起,展示了其在气体浓度、湿度、温度等多种环境参数检测方面的能力,已经初步具备了未来的“智能数字灰尘”的雏形。该策略也可以应用于其他的数字传感系统,在后摩尔时代中将具有巨大的应用潜力。论文主要由李恭谨博士,博士研究生马喆和尤淳瑜合作完成,并获得韩国延世大学Taeyoon Lee教授和中科院微系统所狄增峰研究员的合作支持。该工作得到国家自然科学基金委、上海市科委、复旦大学和专用集成电路...
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    Date updated: 2020 - May - 8
    晶科能源董事长李仙德“这三个月,我们亲历了太多“第一次”。第一次封城;建国以来第一次推迟全国两会;第一次体会灾难面前人人平等,不管你有钱没钱,有权没权。不仅个人,世界经济也用多个第一次极大地回应了市场,第一次2周内美股四度熔断;第一次股市、债市和黄金市场出现共振;第一次不管美联储怎么放水,全球央行如何推进负利率政策,强心剂不起作用;第一次油价来到25美元一桶;第一次很多产业直接进入息业状态。第一次,我们不知所措……这场全球性的疫情影响了每一个人,打乱了我们的计划、我们的生活节奏,也改变了我们的工作方式。令我惊讶的是,无论是居家办公、远程视讯、高峰错时出勤、我们的员工很快就适应了,自律、体谅且有条不紊地推进工作,让我本想复工第一天给大家点鼓励都觉得是多余了。我要感谢产线上的一线工人和干部们,他们不得不留在岗位现场,遵守公司相关防疫防护规定,抓紧生产,补回产能,完成交付,兑现客户承诺。我也要感谢我们分布在世界各地的销售,口罩急缺情况下,不是先想到自己和家人,而是担忧客户和他们的家人需要,奔走协调,帮助解决口罩需求。100万只在路上的口罩,带着晶科人手心的温暖,正发向地球的各个角落。如果说这次疫情能够让我们坚定一个信念的话,那就是光伏将发挥着更为不可或缺的作用,支撑着下一步世界复苏最关键的新基建投资,特别是绿色、低碳的电力设施新建设,从而拉动需求,提供就业、加速能源转型。我们要从百年难遇的“危”中看到百年难遇的“机”。各国政府和金融机构对于疫情、气候变化此类全球性的灾难的感受力会大大不同,之后的政策行动力和执行力也会大大不同;油价崩溃实际效果是联手打压了美国页岩气行业,摧毁美国的油气生产能力,反而会促进美国被迫更重视新能源投入;旷日持久的零利率甚至负利率政策将从欧美日衍生到其他国家,低融资成本进一步提升新投建光伏电站的发电优势和投资价值,零电费不是没有可能;基建投资热潮中,旧的火...
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    Date updated: 2020 - Apr - 29
    4月28日,浪潮厦门产业园开园暨正式投产仪式在厦门隆重举行。去年“九八”投洽会期间,浪潮集团与厦门市签署合作协议,建设浪潮厦门产业园项目。项目从签约到场地交付仅用时2个月、从场地交付到投产地也仅用时2个月,连续创造了厦门市重大项目谈判落地的多项纪录,是厦门市与浪潮集团深化战略合作的重要成果。浪潮厦门产业园坐落于火炬湖里园,是一座自动化、智能化、柔性化和透明化的现代制造工厂,将打造集全球领先的制造工艺与智能技术为一体的浪潮服务器和PC终端研发制造基地,现已建成两条全球领先的智能化产线,生产效率提升30%,预计年产60万台PC终端。浪潮集团作为“云+数+AI”新型互联网企业,始终坚持自主研发,以技术立企,在我国信息产业发展的每个时代,都以创新的产品与服务引领产业发展,成为信息产业的开拓者和引领者。IDC最新数据显示,浪潮服务器蝉联全球市场前三、中国市场第一;浪潮AI服务器中国市场占有率超过50%;浪潮云正为25个省、220+地市和百万家企业提供云服务;同时,浪潮在工业互联网、政府数据运营、智慧城市和健康医疗大数据等领域位居中国前列。浪潮厦门产业园项目的落地,显著提升了厦门市计算机与通讯设备产业的规模,填补了厦门市信息技术应用创新整机制造和系统软件研发领域的空白,是厦门市一年来招商引资工作的标志性成果之一。(出自:厦门火炬高新区管委会)
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    Date updated: 2020 - Apr - 29
    福州新闻网4月28日讯   在位于福州高新区的省重点建设项目——第三代半导体数字产业园施工现场,卡车往来穿梭,各类机械在基坑里紧张作业,一片繁忙景象。 随着新冠肺炎疫情防控形势持续向好,生产生活秩序加快恢复,高新区推动省市重点项目满负荷施工,争取把受疫情影响的建设进度“抢”回来。桩基施工拟6月底完成据介绍,位于高新区生物医药园和机电产业园(简称两园)的第三代半导体数字产业园于2019年三季度开工建设,预计2021年建成投产。该产业园占地65513平方米,总建筑面积87550平方米,计容建筑面积104170平方米,总投资50995万元。建设内容包括4栋4层标准厂房、2间门房、263个机动车停车位、876个非机动车停车位,以及供水、供电、排水、道路、污水处理等配套设施。项目完工后,将与高新区海西园的数字经济产业园相呼应,形成大园区加特色产业园相结合的产业格局,并通过打造一批高品质精细化民生设施,提升高新区的城市品质。一直以来,在市委、市政府大力指导和帮助下,高新区准确把握当前电子信息产业的发展方向,高效率推进、高品质服务、高标准建设,全力推进第三代半导体数字产业园落地动建。该工程桩基共计1358根,截至4月22日共施工完成280根,预计6月底完成桩基施工。全面赋能平台招大引强与此同时,高新区全面赋能平台招大引强,依托已落地“两园”的福建省电子信息集团,引进一线龙头企业项目——海峡星云国产整机先进智能制造基地。项目将基于国产芯片,创建、培育和发展福建本地高端计算整机品牌,推动高端通用国产整机研制,开展高端整机全国产化替代与应用示范,形成具有独特优势和特色的区域整机品牌。该项目分三期建设,首期计划投资10亿元,目标到2020年底实现年产10万台高端整机;二期规划于2021年开工,计划总投资20亿元,目标到2022年实现年产30万台;远期规划2024年开工,计划总...
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    Date updated: 2020 - Apr - 21
    新冠病毒的来临,让全社会严阵以待。全球不断攀升的确诊人数对半导体市场和供应链都造成了一定压力。然而压力面前,具有前瞻性的企业却不惧疫情影响,逆势而上,增资提产,为今后长期的发展提前做好准备。这些消息释放出来也极大地提振了全行业的士气。形势严峻新冠病毒向行业施压2019年,全球半导体行业进入下行周期,智能手机、PC、笔记本电脑等需求放缓导致了半导体市场的下滑。专家原本预测2020年半导体或将重回上升轨道,5G的部署与AI的需求将成为推动半导体行业复苏的强劲动力。然而,新型冠状病毒肺炎疫情的突然发生,为半导体行业回暖带来不确定性。集邦咨询认为,疫情扩大使得未来终端需求能见度降低,尤以专注于智能手机与消费性电子领域的IC设计业,2020年第二季度营收可能受到较大影响。集邦咨询修改了2020年第一季度智能手机生产总数的预估,下调至2.75亿只,较去年同期衰退约12%,为近5年来新低。疫情带来压力的同时,也推动人们对网络通信给予更多的依赖与重视。市场重新评估数据中心、人工智能的价值。一大批人工智能、5G芯片企业产品加速落地。研究机构预计,2020年我国人工智能市场将再续辉煌,市场规模将达到42.5亿美元,预计年增长率约为51.5%。而在5G通信方面,华为中国运营商业务部副总裁杨涛预测,到2023年,与5G相关的半导体收入将达到208亿美元以上。虽然疫情的爆发带给半导体产业些许冲击,然5G与AI的带动作用依旧值得期待。随着5G商用进程的加速、AI、物联网等创新技术快速发展。“新基建”风口带来的巨大的市场机遇,也将给代工行业带来更多机会。不畏艰难逆行者增资提产2020年虽然迎来一个令人沮丧的开局,其中却也不乏令人振奋的声音。新型冠状病毒肆虐的同时,有着无数逆行者在与无形病毒斗争。与此同时,众多集成电路领域企业加急复工复产,同样为这场战“疫”做出了贡献,提供着基础电子产品上的物资保障。联芯...
FAQ / 服务中心
  • 2016 - 05 - 31
    公司名称:南通华林科纳半导体设备有限公司公司地址:中国江苏南通如皋高新区桃金东路90号邮编: 226000电话:0513-87733829邮箱: sales@hlkncse.com
  • 2016 - 03 - 23
    华林科纳人才招聘半导体工艺开发工程师岗位职责:1、负责硅工艺、第三代半导体材料的清洗、湿法腐蚀、去胶等设备提升和工艺开发;2、参与临时项目研发团队,负责工艺技术研发活动。根据项目需求,分析工艺难点,制定完备的工艺研究方案;3、独立负责干法、湿法刻蚀工艺,进行刻蚀工艺菜单的调试;及其优化满足工艺集成要求;4、通过许多监控系统和原因分析,提出设备问题,并为设备改善提出建设性建议;5、根据具体情况,配合业务人员跟客户沟通设备相关事宜。任职要求: 1、大学本科学历(含)以上, 理工科专业;2、微电子学和固体电子学、物理、化学、半导体器件专业优先考虑;3、具体半导体光刻、镀膜、化学清洗、刻蚀等工艺经历及相关半导体设备使用经历优先考虑;3、具有3年以上半导体器件工艺开发工作经历,熟悉工艺流程;4、具有独立工作的能力和团队合作的精神,能在困难和挫折中继续寻求解决问题的途径;  销售技术工程师岗位职责:1、根据公司的发展战略,积极开拓市场,寻找机会,挖掘客户需求;2、能根据客户需求提供项目解决方案,并负责客户的项目的发现、跟踪、商务洽谈、合同签订以及区域销售目标的达成;3、负责区域大客户的关系维护与拓展;4、及时收集并反馈客户信息和市场情况,并制定有效的销售策略;5、配合领导负责建立并提升公司品牌形象,奠定良好的市场基础。任职要求:1、光电、半导体物理、材料、化学化工等相关专业;本科以上学历,2年以上工作经验;2、熟悉大客户销售,有具体实际项目操作经验者优先;3、有良好的个人素养,勤奋踏实、认真负责的精神以及良好的团队合作精神;4、有较强的适应能力和应变能力以及优秀的沟通能力和商务谈判能力者优先考虑 市场销售(应届生)岗位职责:1.负责日常销售助理、行政和商务接待工作。2.公司部分老客户的回访、商机发掘、关系维护、订单处理等工作。3.开发新客户,拓展...
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