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始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

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2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限...
2016 - 03 - 07
刻蚀方法分为:干法刻蚀和湿法刻蚀,干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术,一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区,它是各向异性的刻蚀技术,即在被刻蚀的区域内,各个方向上的刻蚀速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术;湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术,这是各向同性的刻蚀方法,利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料,通常SiO2采用湿法刻蚀技术,有时金属铝也采用湿法刻蚀技术。下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程:二氧化硅腐蚀:在二氧化硅硅片腐蚀机中进行,腐蚀液是由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时,腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高,腐蚀越快,掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度最敏感,温度越高,腐蚀越快。具体步骤为:1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃动,浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)的作用是减小硅片的表面张力,使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触,从而达到充分腐蚀;2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液(氟化铵溶液)的槽中浸泡,上下晃动片架使得二氧化硅腐蚀更充分,腐蚀时间可以调整,直到二氧化硅腐蚀干净为止;3、冲纯水;4、甩干。二氧化硅腐蚀机理为:SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF...
2016 - 03 - 07
SPM腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备。其中SPM自动清洗系统设备主要用于LED芯片制造过程中硅片表面有机颗粒和部分金属颗粒污染的自动清洗工艺。设 备 名  称南通华林科纳CSE-SPM腐蚀酸洗机适 用 领  域LED外延及芯片制造设 备 用 途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备基 本 介 绍主要功能:通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等被清洗硅片尺寸:2-8寸(25片/蓝)设备形式:室内放置型操作形式:自动设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096;18913575037更多的全自动半导体SPM腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
2016 - 03 - 10
PP通风橱---华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-PP通风柜 专为氢氟酸及硝化类浓酸设计的实验室通风橱,克服了传统通风柜在高温浓酸环境下易生锈、变黄、龟裂等缺陷,具有的耐酸碱性能。适用行业:适用于各类研究实验室---半导体实验室、药物实验室 【产品描述】设备名称南通华林科纳CSE-PP通风柜产品描述【柜体】:采用厚8-12mm瓷白色PP制作,耐酸碱性能优异。经CNC精确裁切加工后,同色同质焊条熔焊修饰处理,表面无锐角。【上部柜体】:排气柜采用顶罩式抽气设计,设计有1个∮250mm排风口。导流板采用同质PP材料制作,耐酸碱性能优异。安装尺寸科学合理,无气流死角,获取最大的废气捕捉性能。【操作台面】:台面采用12mmPP板制作,耐酸碱性能优异。通风柜台面上水槽根据用户要求配置。【下部柜体】:储物柜体,中间加一层隔板。铰链采用黑色塑料铰链,耐腐蚀性能好。拉手采用同质C型PP拉手。【调节门】1. 调节门玻璃:采用厚4mm透明亚克力玻璃制作,耐酸碱性能优异。2.调节门边框:为厚瓷白色PP板c型槽,嵌入式结合,以确保安全及耐用性。  3.调节门悬吊钢索:每台通风柜调节门钢索连接。4.调节门平衡配重:采无段式配重箱设计,其上下行程具静音轨道予以限制避免摇晃碰撞。【电器设备】1.开关:按钮带灯式自锁开关,包含风机开关,照明开关,总电源开关。2.照明设备...
2016 - 06 - 06
废气处理系统-南通华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE 的废气处理系统可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体,负压范围为:-500Pa 至 -1500Pa; 设备名称南通华林科纳CSE-废气处理系统系统说明1.可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体,负压范围为:-500Pa 至 -1500Pa;2.工艺稳定,负压波动在15%.3.电压:380V,三相五线,8KW;4.采用英国废气处理系统工艺,CSE在原工艺上经过升级改造,新的系统推出市场后,客户反映效果较好;系统工作原理为酸性/碱性/其它特殊气体处理系统,主要由以下几大部分组成:负压腔、正压腔、初级锥形喷淋塔、三级喷淋净化塔、高压射流器、抽风孔、负压动力泵、循环喷淋泵、电控系统;废气经过一级锥形喷淋塔进入负压腔内(每个喷淋塔中间为伞装型喷头,对废气层形成水封,瞬间中和废气)、通过射流器产生负压把负压腔内的废气抽入正压腔内中和(在负压腔与正压腔之间设有三级喷淋净化塔,三级喷淋净化塔内配有PP填料,配有喷嘴,再次充分喷淋中和废气)、处理完的气通过正压腔上的排气口排出。成功案例河北普兴电子有限公司上海新傲半导体有限公司上海硅酸盐研究所中试基地苏州纳维科技有限公司设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多半导体行业废气处...
2016 - 12 - 05
花篮/片盒清洗机-华林科纳CSE 完美适应当前所有型号的花篮和片盒、传输片盒、前端开口片盒(Foup片盒)的清洗和干燥系统优点装载晶圆直径至200mm的花篮和片盒—或不同晶圆尺寸的花篮和片盒,同时可装载晶圆直径至300mm的前端开口片盒(Foup片盒)三种设备尺寸满足客户特殊需求 CleanStep I – 用于4组花篮和片盒加载和清洗能力:每次4组花篮和片盒清洗产能:每小时12组花篮和片盒 CleanStep II – 用于8组花篮和片盒加载和清洗能力:每次8组花篮和片盒清洗产能:每小时24组花篮和片盒 CleanStep III – 用于6组前端开口片盒(Foup)加载和清洗能力:每次6组前端开口片盒(Foup片盒)清洗产能:每小时18组前端开口片盒(Foup片盒) 适用于晶圆直径至200mm的花篮和片盒的标准旋转笼(Cleanstep I/II) 适用于所有片盒一次清洗过程 或是同时4组花篮和片盒,或是12个花篮(Cleanstep I/II) 简单快捷的对不同尺寸的片盒和花篮进行切换 旋转笼内的可旋转载体方便加载或卸载花篮和片盒 通过控制系统对自锁装置的检测,达到安全加载片盒和花篮,及其运行特征和优点可应用不同化学品(稀释剂)来清洗 泵传输清洗液 计量调整可通过软件设置控制操作热水喷淋装置 热水一般由厂务供应 — 标准化 或有一个体积约100升的热水预备槽(循环泵...
2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正...
2016 - 03 - 08
IPA干燥设备-华林科纳CSE南通华林科纳CSE-IPA干燥设备主要用于材料加工 太阳能电池片 分立器件 GPP等行业中晶片的冲洗干燥工艺,单台产量大,效率高设备名称南通华林科纳CSE-IPA干燥设备应用范围适用于2-8”圆片及方片动平衡精度高规格工艺时间: 一般亲水性晶圆片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金属含量: 任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点: 干燥后无斑点IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系统组成: IPA干燥工艺原理 01: IPA干燥工艺原理 02:更多的IPA干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
2016 - 12 - 05
单腔立式甩干机-华林科纳CSE南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机系统应用于各种清洗和干燥工艺设备名称南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机优    点 清洗系统应用于各种清洗和干燥工艺 不同配置(可放置台面操作的设备、单台独立、双腔) 适用于晶圆尺寸至200mm 最佳的占地,设备带有滚轮可移动 优越的可靠性 独特的模块化结构 极其便于维修 易于使用和操作一般特征 适用于晶圆直径至200mm 25片晶圆单盒工艺 标准的高边和低边花篮 可选内置电阻率检测传感器来控制晶圆的清洗工艺 用冷或热的N2辅助晶圆干燥 离心头容易更换 图形化的界面: 基于PLC的彩色5.7“的触摸屏 可以编辑10多个菜单,每个菜单可有10步 多等级用户密  去静电装置安装于工艺腔室区 去离子水回收 电阻率监测装置 机械手自动加载 可放置台面操作的设备、单台独立、双腔 SECS/GEM 去离子水加热系统 底座置放不锈钢滚轮 溶剂灭火装置 适用特殊设计的花篮设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 0513-87733829;18051335986更多的单腔立式甩干机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798096可立即获取免费的半导体清洗解...
2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有...
2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关...
2017 - 12 - 06
GMP自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-GMP自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-GMP自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学...
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华林科纳的经营理念
诚信  创新  发展  共赢
第一

比客户对自己的需求了解更多,提供最可靠,最高性价比,最小破损的处理工艺

Than the customer needs to learn more on their own, provide the most reliable, cost-effective, minimal damage treatment process

第二

不断提高湿处理工艺及设备标准,实现整个处理链的最优化性能

And continuously improve the wet process equipment standards, for optimal performance of the entire processing chain

第三

与客户合作研究,达成最优的定制工艺处理方案

Collaborative research with customers to achieve optimal customized process solutions

华林科纳的发展优势
国际水准,引领未来
从模具设计到组装,因为自己的生产线的快速反馈
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企业社会责任 —— 客户服务华林科纳始终围绕客户需求,以解决问题的态度,凭借多年积累的技术优势和丰富的实践经验,分别在清洗系统、刻蚀系统、CDS系统、尾气处理系统等广泛领域,为各行业提供针对性解决方案,满足不同客户日益丰富的个性化需求。同时,华林科纳在求新求变的过程中,以“更加贴近”客户的服务理念,用更优质的服务为客户创造更多的价值,保障客户权益不受侵害。
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华林科纳动态
  • number of clicks: 9
    Date updated: 2021 - Apr - 12
    1.2、异质结电池工艺流程简洁,拥有更高开路电压:异质结的工艺流程更为简洁,独特工艺是非晶硅薄膜沉积和TCO膜沉积。异质结电池全称为本征薄膜异质结电池(HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer),又称HIT、HJT或SHJ电池。其工艺流程十分简洁,主要是清洗制绒、非晶硅薄膜沉积、TCO膜沉积以及丝网印刷四道工序。与需要10余项流程的PERC+以及TOPCon相比,HJT工艺流程相当简洁。而且其中清洗制绒和丝网印刷都是传统硅晶电池的工艺,HJT独特的工艺在于非晶硅薄膜沉积以及TCO膜沉积。 从技术原理来看,HIT拥有更低的载流子复合速率和更低的接触阻抗造就了更高的开路电压。获得更高开路电压的两个重要条件是避免少数载流子与多数载流子发生复合,同时还要降低电阻促进多数载流子更有效运输。PERC技术由于其不可避免的开槽工艺造成了多子横向输运损耗,同时在开槽处金属极与Si局域接触仍然有较高的复合。而ITO薄膜(氧化铟锡薄膜,TCO薄膜中性能最好的材料)的特性是载流子复合速率高,但其接触电阻率低,而非晶硅薄膜(a-Si:H)的特性是载流子复合速率低,但接触电阻率高。异质结电池中薄膜沉积的顺序是非晶硅薄膜偏中间而ITO在最外层,这一顺序决定了异质结电池完美地结合了两者的优点。具体而言,非晶硅薄膜在偏中间位置,当光照到电池内时,光生伏特效应下产生了电子-空穴对,在P-N结内建电场的作用下,电子向N区定向移动,空穴则向P区。以P区为例,这个过程中,在P区靠近内建电场处,由于本征激发的电子(P区的少子)受内建电场作用可能往N区移动,P区的电子和来自向P区定向移动的空穴就可能互相靠近发生复合。在异质结电池中,可能发生复合的区域则沉积了非晶硅薄膜(a-Si:H),低载流子复合率的优势就发挥出来了,同时由于在内部并没有与金属极接触,高接触电阻的劣势并没有显...
  • number of clicks: 11
    Date updated: 2021 - Aug - 6
    MEMS(Micro Electro mechanical System)即微机电系统,是指采用微机电加工技术按照功能要求在微米量级的芯片上集成机械零件、电子组件和传感器执行组件等而形成的一个独立智能系统。由于单晶石英材料具有压电效应,且具有优良的温度、机械性能、高品质因素等特性,采用单晶石英制作的石英 MEMS 加速度传感器、压力传感器和石英 MEMS 陀螺仪等,具有高精度、高稳定性、高分辨率等特点,在微型惯性导航系统、姿态测量与控制、航空航天、汽车电子、仪器仪表等领域具有广泛应用,其加工工艺和设备制造技术研究对促进产业发展提供技术支持具有十分重要的意义。 1 石英 MEMS 传感器敏感芯片结构石英 MEMS 传感器主要应用于振动惯性器件,是通过振动原理测量运动物体的各种运动参数(包括角速度、角度、线加速度等)的惯性器件。石英 MEMS 振动惯性器件主要包括石英微机械振动陀螺、石英振梁加速度计等,其敏感结构采用石英晶体,基于石英晶体压电效应原理、采用微电子加工工艺,是振动惯性技术与微机械加工技术的有机结合。石英微机械振动陀螺是一种音叉结构的哥氏振动陀螺,是一种 MEMS 角速度传感器。其敏感芯片结构为双端音叉结构,包括驱动音叉、读出音叉及支撑结构。石英微机械振动陀螺工作原理及敏感芯片结构如图 1 所示。驱动音叉被激励以其自然频率左右振动,当石英 MEMS 陀螺绕其垂直轴旋转时,驱动音叉受到哥氏力(Coriolis)的作用产生一个垂直于音叉平面的振动,这个哥氏力运动传递到读出音叉,使读出音叉垂直于音叉平面的方向振动,振动幅度正比于驱动音叉的速度和外加速度,利用压电效应,通过制作在读出音叉上的电极即可检测到电信号,再经过读出电路解调得到一个正比于输入角速度的直流电压输出。敏感芯片结构是以石英晶体为基体材料的一体式音叉结构,有双端音叉、单端音叉等结构形式。双端音叉结构...
  • number of clicks: 3
    Date updated: 2021 - Aug - 6
    论是医学,还是航空航天,抑或是信息科技,在我们能够想到的科技领域中,材料都扮演着极其重要的角色。材料的强度、柔韧度、耐腐蚀性、电子迁移率、比表面积等等各种物理、化学、电学性质,默默影响着最终产品性能的实现或发挥,甚至起着决定胜负的作用。这也是为什么很多科学家在孜孜不倦地寻找更多新型材料,因为新的材料性能,意味着全新的可能,为新技术的实现提供了崭新舞台。德国科学家正在研制一种由镁制成的小型植入物和螺钉,具有足够的机械稳定性,并在人体内的降解程度可控,不会导致人体组织损伤。在骨头破裂的地方,医生通常会用植入物来固定骨头碎片,而选择哪种植入物需要慎重考虑。钛或钢制螺钉和固定板在机械、化学性能上非常稳定,但如果要拆卸就必须再次手术;有机材料植入物,则可能会慢慢溶解,还存在强度不足、溶解物对人体有害等缺点。针对这一难题,德国联邦材料测试研究所利用镁开发出功能表面最佳的合金板和矫形螺钉。这种镁植入物尤其适用于骨骼迅速增长的儿童,生物降解的螺钉不会影响孩子的骨骼生长,可以免去二次手术,降低感染风险并节省成本。            研究人员艾利·布鲁尼克说:“镁合金植入物不仅具有生物相容性,而且在最初的脆弱愈合阶段具有与骨骼相似的机械性能,因此比钛更合适。”想用镁合金做植入物,最重要的一点就是防腐,最为简单的一项措施就是清洗镁合金的表面。腐蚀生于镁合金表面,表面上所有的一切都可能会影响到镁合金的腐蚀。清洁的表面,去除表面上的杂质与腐蚀剂,可能使镁合金的腐蚀速度降低。不仅如此,适当的表面清洗也是镁合金表面处理的重要环节。利用超声波清洗技术后可在镁合金表面直接进行电镀的新型工艺技术,所获镀层均匀,致密,与基体结合良好。华林科纳镁合金超声波清洗方法,将需清洗的镁合金...
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    Date updated: 2021 - Aug - 6
    1. 引言目前半导体IC产业进入大规模和超大规模集成电路时代,集成电路的特征向着纳米尺寸发展,这就要求集成电路用表面质量越来越高的单晶硅片或者外延硅片,表面如有加工过程的机械损伤等,会造成外延表面的缺陷或者层错,这也会给后续器件加工带来良率损失。根据目前硅片加工技术看,抛光衬底或者外延衬底表面粗糙度基本在纳米级别,微电子技术从微米级进入到纳米级,甚至到14或者7 nm级别,对硅片表面的微粗糙度或者颗粒的特征粒径尺寸要求越来越小 ,150 mm或者200 mm重掺单晶生长外延后,需要严格管控表面颗粒和缺陷水平,如果颗粒过多,会造成外延缺陷,影响产品成品率和表层质量,一般要求硅片颗粒小于特征线宽的三分之一。通常情况下,由于衬底原因或者外延原因造成的外延层雾状缺陷,通过清洗的方式是去除不掉的,所以一般会考虑衬底或者外延工艺改进。有些学者也利用原子力显微镜进行微观分析雾状微观形态,雾状区域起伏较大 。对于影响外延片表面颗粒质量的,我们需要从衬底片表面和外延反应机理进行探讨,衬底表面粗糙度增大,会严重影响外延片的表面质量 ,同时外延工艺中合适气体的选择使用也会进一步提高外延片表面的质量。 本文发现部分抛光硅片在外延后出现0.12 um颗粒聚集分布现象,外延炉同炉其他批次外延后均未发现有类似现象。为解决此类问题,我们对抛光片衬底微粗糙度进行分析,并外延验证。 2. 实验部分实验样品为150 mm重掺As硅片,厚度675 ± 15 um,晶向,电阻率2~4 mohcm,本实验通过硅抛光机将硅片抛光,然后使用清洗机经过SC1和SC2清洗干燥;利用KAL Tencor SP1测试表面颗粒;然后进行外延生长,生长温度1100℃,外延厚度50~60 um;外延后利用SP1测试表面颗粒分析。抛光片利用NiKon eclipse L200N显微镜测试表面形貌,利用NEW...
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    Date updated: 2021 - Aug - 6
    高纯多晶硅是电子工业和太阳能光伏产业的基础原料,在未来的50年里,还不可能有其他材料能够替代硅材料而成为电子和光伏产业主要原材料。近年来,全球太阳能电池产量快速增加,直接拉动了多晶硅需求的迅猛增长。多晶硅市场需求经历了由“半导体产业主导”向“光伏产业主导”的转变。光伏行业很快出现高速发展的局面,硅材料生产过程中必需的清洗设备的市场需求仍然非常大。这些设备分别用于半导体材料行业中多晶硅块料、棒料和硅芯的清洗。我公司结合多年电子行业清洗机制造经验,针对该工艺的生产特点,开发出针对以上产品的专用全自动清洗设备,并已在多家硅材料生产厂家得以成功应用。1、工艺研究在多晶硅生产过程中,清洗的作用是在尽量减小材料损失的前提下,有效去除晶片表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石英器Ⅲ的污染物。采用酸液剥离表面沾污层,再通过纯水进行冲洗的方法达到洗净效果。在规模生产中,一般采用HF+HNO3,作为腐蚀液与硅材料发生化学反应。为了降低剥离层厚度,对于反应温度、时间的控制非常关键。对于块状料,由于其形状不规则且处理过程互相堆叠,增加了清洗及干燥的难度,我们在经过多次试验后发现:对腐蚀槽溶液降温能有效控制反应速度、降低材料损失并可以获得更好的表面质量。通过QDR、阶梯溢流、加热超声的依次水洗,可以将残留酸液去除。热氮吹扫去除水滴,真空加热干燥对于堆叠工件(块状料)的干燥效果良好。2、结构设计基于上述结果,结合考虑块状料和棒状料的结构特点,我们进行了专门的结构设计及工位排布。硅块清洗设备工位排布:酸腐蚀→QDR水洗→2阶梯溢流水洗→加热超声水洗→热氮吹扫→真空加热干燥(3工位并行);硅棒/硅芯清洗设备工位排布:酸腐蚀→QDR/溢流水洗→超声水洗→热氮吹扫。2.1腐蚀槽HF+HNO3与硅材料反应剧烈,产生大量的热量及烟雾。在不加制冷的情况下,溶液温度可达100℃以上。这样,在工件由腐蚀槽取出后,...
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    Date updated: 2021 - Apr - 12
    1.2、异质结电池工艺流程简洁,拥有更高开路电压:异质结的工艺流程更为简洁,独特工艺是非晶硅薄膜沉积和TCO膜沉积。异质结电池全称为本征薄膜异质结电池(HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer),又称HIT、HJT或SHJ电池。其工艺流程十分简洁,主要是清洗制绒、非晶硅薄膜沉积、TCO膜沉积以及丝网印刷四道工序。与需要10余项流程的PERC+以及TOPCon相比,HJT工艺流程相当简洁。而且其中清洗制绒和丝网印刷都是传统硅晶电池的工艺,HJT独特的工艺在于非晶硅薄膜沉积以及TCO膜沉积。 从技术原理来看,HIT拥有更低的载流子复合速率和更低的接触阻抗造就了更高的开路电压。获得更高开路电压的两个重要条件是避免少数载流子与多数载流子发生复合,同时还要降低电阻促进多数载流子更有效运输。PERC技术由于其不可避免的开槽工艺造成了多子横向输运损耗,同时在开槽处金属极与Si局域接触仍然有较高的复合。而ITO薄膜(氧化铟锡薄膜,TCO薄膜中性能最好的材料)的特性是载流子复合速率高,但其接触电阻率低,而非晶硅薄膜(a-Si:H)的特性是载流子复合速率低,但接触电阻率高。异质结电池中薄膜沉积的顺序是非晶硅薄膜偏中间而ITO在最外层,这一顺序决定了异质结电池完美地结合了两者的优点。具体而言,非晶硅薄膜在偏中间位置,当光照到电池内时,光生伏特效应下产生了电子-空穴对,在P-N结内建电场的作用下,电子向N区定向移动,空穴则向P区。以P区为例,这个过程中,在P区靠近内建电场处,由于本征激发的电子(P区的少子)受内建电场作用可能往N区移动,P区的电子和来自向P区定向移动的空穴就可能互相靠近发生复合。在异质结电池中,可能发生复合的区域则沉积了非晶硅薄膜(a-Si:H),低载流子复合率的优势就发挥出来了,同时由于在内部并没有与金属极接触,高接触电阻的劣势并没有显...
企业行业新闻
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    Date updated: 2021 - Mar - 15
    根据TrendForce集邦咨询调查,2018至2020年第三代半导体产业陆续受到中美贸易摩擦、疫情等影响,整体市场成长动力不足致使成长持续受到压抑。然受到车用、工业与通讯需求助力,2021年第三代半导体成长动能有望高速回升。其中又以GaN功率器件的成长力道最为明显,预估其今年市场规模将达6,100万美元,年增率高达90.6%。TrendForce集邦咨询进一步表示,首先,预期疫苗问世后疫情有所趋缓,进而带动工业能源转换所需零组件如逆变器、变频器等,以及通讯基站需求回稳;其次,随着特斯拉(Tesla)Model 3电动车逆变器逐渐改采SiC器件制程后,第三代半导体于车用市场逐渐备受重视;最后,中国政府为提升半导体自主化,今年提出十四五计划投入巨额人民币扩大产能,上述都将成为推升2021年GaN及SiC等第三代半导体高速成长的动能。电动车、工业及通讯需求回温,带动第三代半导体器件营收上扬观察各类第三代半导体器件,GaN器件目前虽有部分晶圆制造代工厂如台积电(TSMC)、世界先进(VIS)等尝试导入8英寸晶圆生产,然现行主力仍以6英寸为主。因疫情趋缓所带动5G基站射频前端、手机充电器及车用能源传输等需求逐步提升,预期2021年通讯及功率器件营收分别为6.8亿和6,100万美元,年增30.8%及90.6%。其中,GaN功率器件年增最高的主因是手机品牌如小米(Xiaomi)、OPPO、Vivo自2018年起率先推出快速充电头,凭借高散热效能与体积小的产品优势获得消费者青睐,截至目前笔电厂商也有意跟进。TrendForce集邦咨询预期,GaN器件会持续渗透至手机与笔电配件,且年增率将在2022年达到最高峰,后续随着厂商采用逐渐普及,成长动能将略为趋缓。SiC器件部分,由于通讯及功率领域皆需使用该衬底,因而6英寸晶圆的供应量显得吃紧,预估2021年SiC器件于功率领域营收可达6.8亿美...
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    Date updated: 2021 - Aug - 6
    1.国内砷化镓材料发展现状目前中国的砷化镓材料生产企业主要以LED用低阻砷化镓晶片为代表的低端市场为主,利润率较高的微电子用4-6英寸半绝缘晶片还没有形成产业规模。中国大陆从事砷化镓材料研发与生产的公司主要有:北京通美晶体技术有限公司(AXT)、中科晶电信息材料(北京)有限公司、天津晶明电子材料有限责任公司(中电46所)、北京中科镓英半导体有限公司、北京国瑞电子材料有限责任公司、扬州中显机械有限公司、山东远东高科技材料有限公司、大庆佳昌科技有限公司、新乡神舟晶体科技发展有限公司(原国营542厂)等九家。北京通美是美国AXT独资子公司,其资金、管理和技术实力在国内砷化镓材料行业首屈一指,产品主要以VGF法4、6英寸半绝缘砷化镓材料为主。其在高纯镓、高纯砷、高纯锗以及氮化硼坩埚等方面均有投资,有效地控制了公司成本,2009年销售收入8 000万美元,短期内国内其它各公司还难以和北京通美形成真正的竞争。中科晶电成立于2006年,主要从事VGF砷化镓单晶生长和抛光片生产,该公司为民营企业,总投资为2 500万美元,在高纯砷和高纯镓方面也已投资建厂。2009年月产2英寸砷化镓晶片10万片,2010年月产达到15万片。该公司是目前国内发展速度最快的砷化镓企业。  天津晶明公司成立于2007年,由中国电子科技集团公司第四十六研究所投资,注册资本1400万元,总投入约5 000万元。主要产品为2英寸LED用VB法低阻砷化镓晶体及抛光片,兼顾少量3~4英寸半绝缘砷化镓单晶材料。目前拥用LEC单晶炉4台,VB单晶炉60台,已建成一条完整的单晶生长及抛光片加工生产线,目前月产约为3万片。  中科镓英公司成立于2001年,晶体生长只有两台LEC单晶炉,目前主要在国内购买HB或VGF砷化镓单晶进行抛光片加工,销售对象主要是国内的LED外延企业,月产约2~3万片。 ...
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    Date updated: 2021 - Mar - 15
    根据TrendForce集邦咨询调查,2018至2020年第三代半导体产业陆续受到中美贸易摩擦、疫情等影响,整体市场成长动力不足致使成长持续受到压抑。然受到车用、工业与通讯需求助力,2021年第三代半导体成长动能有望高速回升。其中又以GaN功率器件的成长力道最为明显,预估其今年市场规模将达6,100万美元,年增率高达90.6%。TrendForce集邦咨询进一步表示,首先,预期疫苗问世后疫情有所趋缓,进而带动工业能源转换所需零组件如逆变器、变频器等,以及通讯基站需求回稳;其次,随着特斯拉(Tesla)Model 3电动车逆变器逐渐改采SiC器件制程后,第三代半导体于车用市场逐渐备受重视;最后,中国政府为提升半导体自主化,今年提出十四五计划投入巨额人民币扩大产能,上述都将成为推升2021年GaN及SiC等第三代半导体高速成长的动能。电动车、工业及通讯需求回温,带动第三代半导体器件营收上扬观察各类第三代半导体器件,GaN器件目前虽有部分晶圆制造代工厂如台积电(TSMC)、世界先进(VIS)等尝试导入8英寸晶圆生产,然现行主力仍以6英寸为主。因疫情趋缓所带动5G基站射频前端、手机充电器及车用能源传输等需求逐步提升,预期2021年通讯及功率器件营收分别为6.8亿和6,100万美元,年增30.8%及90.6%。其中,GaN功率器件年增最高的主因是手机品牌如小米(Xiaomi)、OPPO、Vivo自2018年起率先推出快速充电头,凭借高散热效能与体积小的产品优势获得消费者青睐,截至目前笔电厂商也有意跟进。TrendForce集邦咨询预期,GaN器件会持续渗透至手机与笔电配件,且年增率将在2022年达到最高峰,后续随着厂商采用逐渐普及,成长动能将略为趋缓。SiC器件部分,由于通讯及功率领域皆需使用该衬底,因而6英寸晶圆的供应量显得吃紧,预估2021年SiC器件于功率领域营收可达6.8亿美...
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    Date updated: 2021 - Mar - 2
    当我们谈论芯片产业时,首先想到的就是光刻、刻蚀、沉积、离子注入、化学机械抛光(CMP)等工艺,在过去的一段时间内,《每日财报》基本对这些环节实现了覆盖。今天要讲的是一个看起来不起眼但同样重要的环节——清洗。半导体清洗主要是为了去除芯片生产中产生的各种沾污杂质,是芯片制造中步骤最多的工艺,几乎贯穿整个作业流程。由于硅片的加工过程对洁净度要求非常高,所有与硅片接触的媒介都可能对硅片造成污染,硅片清洗的好坏对器件性能有严重的影响,因此几乎每一步加工都需要清除沾污。在很多人看来,芯片生产中所用的清洗设备似乎并没有什么技术门槛,也就没有那么大的价值,但事实却并非如此,芯片制造是一个极其复杂和精致的产业,任何一环出现问题都会前功尽弃。在半导体设备市场中,晶圆制造设备采购大约占整体的80%,测试设备大约占9%,封装设备大约占7%,其他设备大约占4%,同时清洗设备在晶圆制造设备中的采购费用占比约为6%,因此可以推算出清洗设备约占半导体设备投资的4.8%。1、芯片良率的“保镖”芯片制造需要在无尘室中进行,如果在制造过程中,有沾污现象,将影响芯片上器件的正常功能。据估计,80%的芯片电学失效都是由沾污带来的缺陷引起的。沾污杂质是指半导体制造过程中引入的任何危害芯片成品率及电学性能的物质,具体的沾污包括颗粒、有机物、金属和自然氧化层等。一般来说,工艺越精细对于控污的要求越高,而且难度越大,随着半导体芯片工艺技术节点进入28纳米、14纳米等更先进等级,工艺流程的延长且越趋复杂,产线成品率也会随之下降。造成这种现象的一个原因就是先进制程对杂质的敏感度更高,小尺寸污染物的高效清洗更困难,解决的方法主要是增加清洗步骤。在80-60nm制程中,清洗工艺大约100多个步骤,而到了10nm制程,增至200多个清洗步骤。根据清洗介质不同,半导体清洗技术主要分为湿法清洗和干法清洗两种工艺路线。湿法工艺是使用各种化...
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    Date updated: 2021 - Mar - 2
    2018年下半年,受智能手机出货量的下滑等因素影响,半导体行业迎来了下行周期。不过随着5G建设和车联网市场的发展,目前半导体市场正在回暖。我国半导体市场已超过万亿规模,业已成为国家战略新兴产业的重要组成部分。为此,为您全面介绍行业概况、产业链结构、上游关键原材料、本行业竞争格局及材料重点应用领域。报告合集涵盖高纯溅射靶材、CMP材料、半导体硅片、电子气体、封装基板、光刻胶、光纤预制棒、湿电子化学品、半导体设备等九大市场0 1高纯溅射靶材2017年全球溅射靶材市场容量达132.5亿美元(半导体领域占半导体晶圆制造材料市场3%左右),预计到2020年全球高纯溅射靶材市场规模将超过200亿美元。显示、记录媒体、太阳能、半导体是显示靶材四大应用市场,面板市场最大,占市场35%,在中国这一比例超过50%。0 2CMP材料CMP化学机械抛光是集成电路制造过程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺,用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。CMP抛光材料具有技术壁垒高,客户认证时间长的特点。全球芯片抛光液市场主要被在美国、日本、韩国企业所垄断,占据全球90%以上的高端市场份额。0 3半导体硅片硅片也称硅晶圆,是制造半导体芯片最重要的基本材料。2018-2022年硅片的需求继续放大,胜高统计全球晶圆厂给出的总需求指引,其复合增长率为9.7%(未统计中国新建厂);SEMI 统计12寸硅片上半年累计涨幅20%,下半年涨价有望继续上涨20-30%。0 4电子气体电子气体是指用于半导体及相关电子产品生产的特种气体,应用范围十分广泛,在半导体工业中应用的有110余种单元特种气体。电子特种气体从生产到分离提纯以及运输供应阶段都存在较高的技术壁垒,市场准入条件高,全球市场主要被几家跨国巨头垄断,国内企业面临巨大的竞争压力。0 5封装基板封装基板已经成为封装材料细分领域销售占比最大的原材料,占封装材料比重...
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    Date updated: 2021 - Mar - 1
    5G时代下的VR/AR是通信产业的升级方向,产业化基础已日益完备  伴随2G到4G的升级,人类基于移动终端的信息交互媒介经历了文字、语音、图片、视频的演进,而在5G时代,通信的发展有望继续拓展所传递信息的纵深。因此我们认为,基于VR/AR的实景交互代表着通信产业新的发展方向。当前时点,5G的成熟为克服3D内容实时传输问题,以及因延迟造成的眩晕问题构建了网络环境,而相应光学元件、显示方案、专用芯片的推出则为终端的兴起搭建了硬件基础。此外,下半年及明年华为、苹果等大品牌终端的发布有望提振VR市场热度,推荐歌尔股份、水晶光电、利亚德、京东方A,建议关注韦尔股份、联创电子、苏大维格、汇顶科技。  5G网络的传输速度有效解决终端互联和眩晕问题  现阶段主流VR头显刷新率在75-90Hz,在90Hz刷新率以及H.264压缩协议下,我们计算得到1K分辨率的VR内容需要21Mbps码率,相较于仅能提供10Mbps码率的4G网,5G可实现100-1024Mbps码率,已经可以满足未来单眼8K的码率要求。此外,VR头显的显示时延极限为20ms,若超过20ms部分用户会有明显的眩晕感,目前VR头显的内部图像渲染以及刷新等时间约15-16ms,若增加4G网络下额外10ms时延,用户感知时延将远超过20ms,而仅有1ms的超低时延的5G可有效解决该问题。  VR芯片、光学元件、显示屏等硬件基础已具备,VR头显重归高增长  VR硬件构成主要包括芯片、光学元件、显示屏等,在芯片环节,高通18年推出骁龙XR1布局中低端VR头显,19年推出支持5G的855 plus VR移动平台定位高端VR头显。在光学元件环节,菲涅尔透镜是解决视角场FOV和镜片重量问题的主流方案,已广泛应用于Oculus、HTC等品牌终端。在显示屏环节,除了日益成熟的柔性OLED之外,京东方所推出的Fast LCD提供了可选的高性价比显示...
FAQ / 服务中心
  • 2016 - 05 - 31
    公司名称:华林科纳(江苏)半导体设备有限公司公司地址:中国江苏南通如皋高新区桃金东路90号邮编: 226000电话:0513-87733829邮箱: sales@hlkncse.com
  • 2016 - 03 - 23
    华林科纳人才招聘半导体工艺开发工程师岗位职责:1、负责硅工艺、第三代半导体材料的清洗、湿法腐蚀、去胶等设备提升和工艺开发;2、参与临时项目研发团队,负责工艺技术研发活动。根据项目需求,分析工艺难点,制定完备的工艺研究方案;3、独立负责干法、湿法刻蚀工艺,进行刻蚀工艺菜单的调试;及其优化满足工艺集成要求;4、通过许多监控系统和原因分析,提出设备问题,并为设备改善提出建设性建议;5、根据具体情况,配合业务人员跟客户沟通设备相关事宜。任职要求: 1、大学本科学历(含)以上, 理工科专业;2、微电子学和固体电子学、物理、化学、半导体器件专业优先考虑;3、具体半导体光刻、镀膜、化学清洗、刻蚀等工艺经历及相关半导体设备使用经历优先考虑;3、具有3年以上半导体器件工艺开发工作经历,熟悉工艺流程;4、具有独立工作的能力和团队合作的精神,能在困难和挫折中继续寻求解决问题的途径;  销售技术工程师岗位职责:1、根据公司的发展战略,积极开拓市场,寻找机会,挖掘客户需求;2、能根据客户需求提供项目解决方案,并负责客户的项目的发现、跟踪、商务洽谈、合同签订以及区域销售目标的达成;3、负责区域大客户的关系维护与拓展;4、及时收集并反馈客户信息和市场情况,并制定有效的销售策略;5、配合领导负责建立并提升公司品牌形象,奠定良好的市场基础。任职要求:1、光电、半导体物理、材料、化学化工等相关专业;本科以上学历,2年以上工作经验;2、熟悉大客户销售,有具体实际项目操作经验者优先;3、有良好的个人素养,勤奋踏实、认真负责的精神以及良好的团队合作精神;4、有较强的适应能力和应变能力以及优秀的沟通能力和商务谈判能力者优先考虑 市场销售(应届生)岗位职责:1.负责日常销售助理、行政和商务接待工作。2.公司部分老客户的回访、商机发掘、关系维护、订单处理等工作。3.开发新客户,拓展...
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