比如，用于三维IC的TSV刻蚀设备必须将刻蚀腔清洗步骤设计成常规清洗流程，是设备能够在生产和清洗模式之间迅速转换，使得腔室始终保持纯净状态，同时满足高量产对速度、工艺可预见性和工艺重复的要求；这类刻蚀系统还必须具有单台设备刻蚀所有材料的工艺处理能力，尽可能减小设备和设施的成本，消除工艺转移和排队造成的延迟，为客户在产能和设备拥有成本方面提供竞争力。另外，由于目前高端IC产品都使用300毫米晶圆，保证晶圆表面工艺处理的均匀性，TSV的刻蚀需要使用平面状等离子源（Planar Plasma）。对于刻蚀工艺模式的选择，业界目前仍在比较SSP（Steady State Processes）和RAP（Rapid Alternating Processes）技术。据了解，RAP刻蚀的选择性（selectivity）很高，可以刻蚀纵宽比很大通孔，速度也快，但是表面粗糙度是个挑战；SSP工艺和常规的刻蚀接近，速度高而且制作的侧壁光滑，不过Selectivity和Undercut的控制是难点。Steve认为，对用户来说真正满意的方案是，机台能够根据应用的要求进行工艺的选择和整合，实现两种模式的切换，整体控制刻蚀速度、selectivity、侧壁光滑性和纵宽比。当然，这需要大量的工艺知识积累，以及对所制造器件的了解。对量测提出新的要求可以预见，TSV的特殊性还会给3D IC制造的检测和量测带来前所未有...
发布时间:
2020
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12
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17
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