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始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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衍射光学是基于光的衍射原理,利用计算机设计衍射图,并通过微电子加工技术在光学材料只做表面浮雕的元件,由于衍射光学元件及其灵活的控制波前,集多功能与一体和可复制的优良特性视光学系统及器件向轻型化,微型化和集成化发展。到了90年代至今,衍射光学元件的研究已成为光学界的前沿工作。随着衍射光学元件应用领域的拓展,大面积衍射元件的需求越来越多。湿法刻蚀技术是低成本制作特征尺寸及宽深比较大衍射光学元件较好的方法之一,特别在解决大口径元件的刻蚀均匀性方面具有很大优势。衍射光学自身具有许多优点使得它广泛地应用于各种光学系统或微光机电系统中,各种衍射光学元件目前已成为光通讯和光互联中的关键元件,对它们的性能分析和设计具有重要的理论意义和应用价值。与传统折反射光学元件比较,衍射光学元件(DOE)的光学处理功能非常灵活。DOE可以在极小的体积内,集成多种光学功能于一体,产生传统光学难以实现的各种光场分布。针对衍射光学元件的湿法刻蚀工艺,华林科纳研究了湿法刻蚀的化学机理,摸索了相关的规律,得到了有效控制刻蚀速率的方法,不同腐蚀条件下所对应的刻蚀速率。为基于工艺条件的优化设计方法提供依据,得到了制作工艺中的加工依据。公司具备独立的设计、制造及应用技术,能够为客户提供从咨询、设计、到制造的专业化、定制化整体解决方案。
发布时间: 2020 - 05 - 08
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湿法化学腐蚀是最早用于微机械结构制造的加工方法。所谓湿法腐蚀,就是将晶片置于液态的化学腐蚀液中进行腐蚀,在腐蚀过程中,腐蚀液将把它所接触的材料通过化学反应逐步浸蚀溶掉。用于化学腐蚀的试剂很多,有酸性腐蚀剂,碱性腐蚀剂以及有机腐蚀剂等。湿法腐蚀工艺由于其低成本,高产出,高可靠性以及其优良的选择比是其优点而仍被广泛接受和使用。华林科纳经过多年的生产经验及技术的不断改良,使得我们的设备在工艺路径及技术要求上得到稳步的提高,湿法腐蚀设备正朝着以下方向发展:a.自动化b.在微处理器控制下提高在腐蚀状态下的重复性,以帮助工艺工程师提供更良好的控制,阻止人为因素的影响。c.点控制过滤控制,以减小腐蚀过程中缺陷的产生d.自动喷淋设备的开发。所有这些,都使湿法腐蚀有一个更美好的前景。湿法腐蚀机理湿法腐蚀的产生一般可分为3步:1:反应物(指化学药剂)扩散到反应表面2:实际反应(化学反应)3:反应生成物通过扩散脱离反应表面在实际应用中,湿法腐蚀通常用来在SI衬底或薄膜上生成一定的图形,光刻版是典型的被用于覆盖所期望的表面区域防止被腐蚀液腐蚀掉,而光刻版在腐蚀后常被去掉,因此在线择湿法腐蚀工艺时,必须线择腐蚀液,合适的形成版的材料(光刻胶)必须具有良好的抗腐蚀能力,良好的完整覆盖特性,光刻胶常被用来作为版层材料,但有时边缘的黏附性差,常采用HMDS以增强其黏附性湿法腐蚀反应时可能存在多种反应机理,许多反应...
发布时间: 2020 - 05 - 08
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RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的,并由此而得名。CSE华林科纳RCA清洗是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法,是去除硅片表面各类玷污的有效方法,所用清洗装置大多是多槽处理式清洗系统。该清洗系统主要包括以下几种药液:(1)SPM:H2SO4 /H2O2 120~150℃ SPM具有很高的氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属,但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。(2)HF(DHF):HF(DHF) 20~25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜,因此,附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中,同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al,Fe,Zn,Ni等金属,DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时,在自然氧化膜被腐蚀掉时,硅片表面的硅几乎不被腐蚀。(3)APM (SC-1):NH4OH/H2O2 /H2O 30~80℃ 由于H2O2的作用,硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2),呈亲水性,硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀,因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中,从而达到去除粒子的目的...
发布时间: 2020 - 04 - 29
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刻蚀是把进行光刻前所淀积的薄膜中未被光 刻胶覆盖的部分用化学或物理的方式去除,用以完成掩模图像的转移。刻蚀是半导体器件和集成 电路的基本制造工艺,分为湿法刻蚀和干法刻蚀。 湿法刻蚀是通过化学刻蚀液和被刻蚀物质之间的 化学反应将被刻蚀物质剥离下来的方法;干法刻 蚀的刻蚀剂是等离子体,是利用等离子体和表面 薄膜反应,形成挥发性物质,或直接轰击薄膜表面 使之被腐蚀的工艺。虽然湿法刻蚀在保证细小图 形转移后的保真性方面不如干法刻蚀,但由于生 产成本低、产能高、适应性强、表面均匀性好、对硅片损伤少、其优良的选择比在去氧化硅、去除残留 物、表层剥离以及大尺寸图形刻蚀等方面有着广 泛的应用。湿法刻蚀的特点是:反应生成物必须是气体或能溶于刻蚀剂的物质,否则会造成反应物沉 淀,影响刻蚀的正常进行;湿法刻蚀一般为各向同性,即水平方向和垂直方向的速率是相同的,这样会导致侧向出现腐蚀。因此,刻蚀后得到的图形结构不是理想的垂直墙;湿法刻蚀过程常伴有放热和放气现象,影响刻蚀速率,使得刻蚀效 果变差。  提高湿法设备刻蚀均匀性的方法 刻蚀均匀性是一种衡量刻蚀工艺在晶片内及晶片之间刻蚀一致性的参数,是保证芯片产品质 量的关键指标之一。刻蚀速率和刻蚀剖面与图形 尺寸及密度是影响刻蚀均匀性的原因,刻蚀均匀性与选择比有密切的关系,非均匀性刻蚀会产生额外的过刻蚀。刻蚀溶液的温度控制 刻蚀溶液温度是硅湿...
发布时间: 2020 - 05 - 08
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超声波清洗技术的基本原理,大致可以认为是利用超声场产生的巨大作用力,在洗涤介质的配合下,促使物质发生一系列物理、化学变化以达到清洗目的的方法。当高于音波(28~ 40KHz)的高频振动传给清洗介质后,液体介质在高频振动下产生近乎真空的空腔泡,空腔泡在相互间的碰撞、合并、消亡的过程中,可使液体局部瞬间产生几千大气压的压强,如此大的压强使得周围的物质发生一系列物理、化学变化。这种作用称为“空化作用”: 1. 空化作用可使物质分子的化池键断裂,引起各种物理变化(溶解、吸附、乳化、分散)和化学变化(氧化、还原、分解、化合)等;2. 当空腔泡的固有频率和超声频率相等时,可产生共振,共振的空腔泡内聚集了大量的热能, 这种热能足以使周围物质化学键断裂而引起物理、化学变化。3. 当空腔泡形成时,两泡壁间因产生极大的电位差而引起放电,致使腔内气泡活化进而引起周围物质的活化,从而使物质发生物理、化学变化。 超声场为清洗提供了巨大的能量,但还需化学洗剂作为介质。一般将化学洗剂分为两类,一类是有机溶剂,主要是根据相似相溶的化学原理,对有机物如:黏结剂(沥青、松香等)、保护性材料(沥青、树脂等)、磨边润滑油进行溶解。在光学洗净中,最初用三氯乙烯、芳香烃、氟里昂等作为清洗剂,这类物质虽然溶解性强,但有的易挥发,毒性大,有的对大气臭氧层有破坏作用,被逐步禁用。现...
发布时间: 2020 - 05 - 08
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随着半导体技术的发展,半导体器件和集成电路内各元件及连线越来越细微,因此制造过程中,尘粒、金属等的污染,对晶片内电路功能的损坏影响越来越大。因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外,集成电路制造工艺过程中均需要对硅片表面进行清洗,以有效地使用化学药液清除残留在硅片表面上的各种杂质。硅片是半导体器件和集成电路中使用最广泛的基底材料,对其表面的清洗是整个硅片制造工艺中极为重要的环节之一。半导体领域中的湿法清洗技术是伴随设备的微小化及对产品质量要求的不断提高而提高的,是以RCA清洗技术为基本的框架,经过多年的不断发展形成。华林科纳是一家湿制程设备公司,是国内最早致力于研究湿法设备的企业,多年来与国内众多半导体企业合作,研制开发适合的半导体清洗机设备。一、设备概况华林科纳研发的RCA湿法清洗机,可按照需求定制为不同的尺寸大小。可适用于硅晶片2-12inch。二、适用领域半导体、液晶、MEMS等三、设备用途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备四、设备配置设备主体、电气控制部分、化学工艺槽、纯水清洗槽等;并提供与厂务供电、供气、供水、排废水、排气系统配套的接口等。五、主体构造特点1、设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境中2、主体:设备为半敞开式,主体使用进口WP...
发布时间: 2020 - 04 - 29
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众做周知,湿法腐蚀和湿法清洗在很早以前就已在半导体生产上被广泛接受和使用,许多湿法工艺显示了其优越的性能。伴随IC集成度的提高,硅片表面的洁净对于获得IC器件高性能和高成品率至关重要,硅片清洗也显得尤为重要。湿法腐蚀是一种半导体生产中实现图形转移的工艺,由于其高产出,低成本,高可靠性以及有很高的选择比仍被广泛应用。湿法腐蚀工艺湿法化学腐蚀是最早用于微机械结构制造的加工方法。所谓湿法腐蚀,就是将晶片置于液态的化学腐蚀液中进行腐蚀,在腐蚀过程中,腐蚀液将把它所接触的材料通过化学反应逐步浸蚀溶掉。用于化学腐蚀的试剂很多,有酸性腐蚀剂,碱性腐蚀剂以及有机腐蚀剂等。根据所选择的腐蚀剂,又可分为各向同性腐蚀和各向异性腐蚀剂。各向同性腐蚀的试剂很多,包括各种盐类(如CN基、NH 基等)和酸,但是由于受到能否获得高纯试剂,以及希望避免金属离子的玷污这两个因素的限制,因此广泛采用HF—HNO3腐蚀系统。各向异性腐蚀是指对硅的不同晶面具有不同的腐蚀速率。基于这种腐蚀特性,可在硅衬底上加工出各种各样的微结构。各向异性腐蚀剂一般分为两类,一类是有机腐蚀剂,包括EPW(乙二胺、邻苯二酚和水)和联胺等,另一类是无机腐蚀剂,包括碱性腐蚀液,如KOH、NaOH、NH4OH等。就湿法和干法比较而言,湿法的腐蚀速率快、各向异性差、成本低,腐蚀厚度可以达到整个硅片的厚度,具有较高的机械灵敏度。但控制腐蚀厚度困难,且难以...
发布时间: 2020 - 04 - 29
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在半导体行业中,用于硅晶圆片和碳化硅晶圆片批量生产的外延炉的内腔因为耐高温、透光、无物质沾污的需求,基本使用高纯度石英材料制作,除了石英钟罩作为密闭腔体内用途外,为了保证晶体表面生长的气流均匀性和温度一致性,另外还会在腔体内放置各种形状的石英件。石英件的表面在一定次数的外延过程后,表面会沉积多种残留物质。这些残留物质在设备维护保养过程中定期清洗,否则会严重影响硅晶圆片和碳化硅晶圆片的外延层生长质量。华林科纳是国内最早致力于湿法设备的研制单位,多年来与众多的半导体企业密切合作,研制开发适合的半导体清洗机设备。关于钟罩清洗机,其中又有卧式或立式的分别。下图是一个卧式的钟罩清洗机。它的优点是:1.成熟专业的电气设计,友好的人机交互界面,提供更好地操作体验;2.极高的生产效率;3.结合最先进工艺技术,主体材质的整洁可靠,槽体的个性化定制,辅助功能齐全;4.最佳的占地面积,节省空间;5.优越的可靠性;6.独特的模块化结构;7.极其便于后期维修。它的特征是:1.可编制程序使得清洗管旋转,清洗更均匀,更全面;2.配备的PVDF工艺槽,可耐一定浓度的酸碱;3.装有清洗溶剂的储备槽(根据使用化学品的数量)放置在工艺槽的后下方—直接注入且内部进行不断循环,使得清洗更彻底;4.特别的喷淋嘴更益于石英管清洗;5.集成水枪和N2枪,以获得更好的清洗效果,6.单独排液系统,将废弃的药液统一排放到固定的容器内,...
发布时间: 2020 - 04 - 29
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随着我国经济的不断发展,化学包装桶的用量 和清洗回用量一直处于增长状态,南通华林科纳从管理角度我国 包装桶的清洗和再生基本划入危废处理范畴早, 由于包装桶收集、清洗、利用过程涉及化学物质众 多,这些化学物质具有腐蚀性、毒性、易燃性、反 应性,厂区安全生产和环境污条防治晃为重要叽 目前,除个别包装桶清洗企业外,大部分包装 桶清洗再生企业均存在安全隐患和环境污染问题, 大量不规范的企业及个人收集、清洗、出售包装 桶,造成含各种化学品的废水被随意排'放,一些容质量控制及安全生产等众多技术要求和规 范,从包装桶识别、收集、分类存放、余料收集、 分别清洗、废物处理处置,再生加工冬过程开展蔔 装桶清洁星产和污染防治,实现包装桶清洗行业的 源头减排、再利用、资源化和无害化化学包装桶清洗行业生产现状和问题.我国化学包装桶收集、清洗和再生利用行业包 含4类企业,一类是原料和产品生产企业,产品相 对单一,使用包装桶量大,回收自用同类包装桶, 这些企业一般有较完善处理处置设施;其次是具有 危废收集处理资质的大、中型综合包装桶清洗、再 生企业,具有较完善的处理处置设施,但由于包装 桶涉及化学物质复杂,或多或少的存在环境问题; 第三是非法收集和清洗企业,有一定规模,具有流 动性,隐蔽性强的特点,但部分也相对固定,没有 水处理设施或仅有简陋的水池,一般要实施有价余 料收集;此外,非法个人收集和非法企业...
发布时间: 2020 - 05 - 08
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简单介绍一下晶振。“石英晶振”就是用石英材料做成的石英晶振谐振器产生频率的作用,具有稳定,抗干扰性能良好,广泛应用于各种电子产品中。石英晶振是晶振中的一种,晶振的正确分类方法是石英晶振和陶瓷晶振,显而易见石英和陶瓷就是对晶振材质的区分。石英晶振 是一种用于稳定频率和选择频率的电子元件,已被广泛地使用在无线电话、载波通讯、广播电视、卫星通讯、数字仪表、钟表等各种电子设备中。晶体谐振器和晶体振荡器的区别石英晶体谐振器是一种无源晶体,石英晶体振荡器角度来说就是有源晶振。而无源晶体和有源晶振的区别就在于,前者无电压范围,后者有电压;再一个区别就在于后者的价格往往要高于前者价格的几倍。两个名次术语如同双胞胎,仅一字之差。而正是这一字之差使得两者的属性参数在电路板中都有着决然不同的角色。如何正确区分石英晶体谐振器和石英晶体振荡器简而言之即是晶体谐振器和晶体振荡器的差别在哪里,我们先不看它的材质。共同点:1、晶体谐振器和晶体振荡器都有贴片封装和插件封装。2、晶体谐振器和晶体振荡器使用范围都一致。通信,无线,GPS随处可见他们的身影。不同点:1、晶体振荡器价格往往要比晶体谐振器价格高。2、晶体振荡器参数有电压单位,晶体谐振器参数不会有电压单位。3、晶体振荡器脚位均是4脚以上包括4脚,晶体谐振器通常是2脚或者4脚,不会存在4脚以上的晶体谐振器。4、晶体振荡器的高度往往要高于晶体谐振器。5、...
发布时间: 2020 - 04 - 29
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