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始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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1.2、异质结电池工艺流程简洁,拥有更高开路电压:异质结的工艺流程更为简洁,独特工艺是非晶硅薄膜沉积和TCO膜沉积。异质结电池全称为本征薄膜异质结电池(HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer),又称HIT、HJT或SHJ电池。其工艺流程十分简洁,主要是清洗制绒、非晶硅薄膜沉积、TCO膜沉积以及丝网印刷四道工序。与需要10余项流程的PERC+以及TOPCon相比,HJT工艺流程相当简洁。而且其中清洗制绒和丝网印刷都是传统硅晶电池的工艺,HJT独特的工艺在于非晶硅薄膜沉积以及TCO膜沉积。 从技术原理来看,HIT拥有更低的载流子复合速率和更低的接触阻抗造就了更高的开路电压。获得更高开路电压的两个重要条件是避免少数载流子与多数载流子发生复合,同时还要降低电阻促进多数载流子更有效运输。PERC技术由于其不可避免的开槽工艺造成了多子横向输运损耗,同时在开槽处金属极与Si局域接触仍然有较高的复合。而ITO薄膜(氧化铟锡薄膜,TCO薄膜中性能最好的材料)的特性是载流子复合速率高,但其接触电阻率低,而非晶硅薄膜(a-Si:H)的特性是载流子复合速率低,但接触电阻率高。异质结电池中薄膜沉积的顺序是非晶硅薄膜偏中间而ITO在最外层,这一顺序决定了异质结电池完美地结合了两者的优点。具体而言,非晶硅薄膜在偏中间位置,当光照到电池内时,光生伏特效应下产生了电子-...
发布时间: 2021 - 04 - 12
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3月20日,第二届华林科纳泛半导体湿法培训会在南通华林科纳半导体设备有限公司成功举办。这届培训会以“以声共汇平台,以友共筑数据”的主题面向芯片设计、晶圆制造、封装测试、材料和设备以及下游应用产业链多个群体。培训会进一步聚焦泛半导体湿法行业发展新动态、新趋势、新技术及创新项目,深入探讨湿法工艺的发展模式和行业发展趋势。中环科技、协鑫集团、三安光电、有研硅股、天科合达、中电科集团研究所、中科院半导体所、清华大学、浙江大学、中科大等多家单位代表出席培训会,国内近50家半导体知名企业与大学研究所80余人参加培训会。本次培训会面向湿制程设备实际使用者,主要由湿法行业领导者华林科纳牵头,汇集了湿法工艺&设备、湿制程的化学品知识、水处理知识、超声/兆声清洗知识、专业计量仪器应用知识等产业链各环节的优秀课程。每个课程的演讲者都是来自国际一流或者国内顶尖的供应链,无一不代表着当下产业内的领先水平。课程首先由华林科纳项目总监高艳带来的《湿法设备与工艺解析》,深入浅出的原理介绍了湿法清洗在半导体领域的影响。制程工艺每推进一代,清洗步骤增加约15%。半导体器件集成度和芯片复杂度的提高,使得芯片对杂质的敏感度大大提升。在工艺节点不断推进的前提下,为了降低杂质影响、提高良率,需要继续增加清洗步骤。而受当前国际疫情形势影响,且国内半导体行业在国家的大力发展下,本土清洗设备市场国有化率约为20%,国产化有...
发布时间: 2021 - 03 - 26
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近期,行业出现了一股热潮,即越来越多的模拟芯片企业,特别是功率半导体厂商或业务部门,热衷于兴建12英寸晶圆产线。本周,就有两则相关消息很受关注。    3月10日,东芝宣布,计划引进一条新的12英寸晶圆生产线。传统上,该公司的功率半导体主要使用8英寸晶圆生产。而随着采用12英寸晶圆生产模拟芯片成为全球趋势,该公司似乎也在跟紧潮流。东芝表示,新厂建成后,可将功率半导体产能提高20%。据悉,东芝引进12英寸晶圆生产线的主要目标是提高低压MOSFET和IGBT的生产能力。根据规划,新产线将于2023财年上半年投产,该公司表示,将根据市场趋势,逐步确定后续投资计划,并将继续扩大日本工厂的分立器件,特别是功率半导体器件的生产。    同样是在近期,欧洲大厂博世正在德国德累斯顿建设新的12英寸晶圆厂,投资额达到10亿欧元。计划今年下半年实现商用生产。其生产的产品主要是用于汽车的功率半导体,如用于电动和混合动力汽车的DC-DC转换器等。    2月,汽车功率半导体龙头企业英飞凌宣布,为了缓解全球车用芯片产能不足的困境,将在奥地利新建12英寸晶圆厂,专门用于生产车用芯片,预计将于今年第三季度动工。后续还计划在德国也建一座与奥地利相同的新厂。   &#...
发布时间: 2021 - 03 - 15
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华林科纳之半导体产业股权投资备忘录一、 概述(一)行业业绩回顾 1(二)筛选标的逻辑 3(三)疫情影响 4(四)行业展望 5(五)推荐标的清单 6二、半导体产业链与细分领域概况(一)产业链概况 9(二)半导体细分领域 9(三)半导体产品分类 11(四)国产细分领域发展 12三、半导体细分领域行业情况(一)集成电路 131、处理器 132、DSP 173、FPGA 184、存储芯片 195、人工智能芯片 226、EDA软件 257、显示驱动芯片 268、触控与指纹识别芯片 289、射频前端芯片 3110、蓝牙芯片 3611、电源管理芯片 38(二)传感器 401、图像传感器 402、MEMS传感器 42(三)分立器件 461、功率半导体 462、晶振 523、电容电阻 543、超级电容 57(四)光电子器件 591、光模块 592、光芯片 62(五)制造 631、晶圆代工 63(六)封测 651、第四代封装技术之一:WLCSP 封装 66(七)材料 671、硅片 712、湿电子化学品 723、靶材 753、光刻胶 75(八)设备 771、光刻机 792、刻蚀设备 803、薄膜设备 814、其他设备 81一、概述(一)行业业绩回顾在中美贸易摩擦、高科技企业被美封锁的背景下,2019年电子行业在逆境中迅速发展,整体实现营收与利润的共同增长。以申万电子行业板块的上市公司为样本进行统计,20...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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2014年9月,国家大基金一期成立,总投资额1387亿,带动新增社会融资约5000亿,实现集成电路产业链的全覆盖。近日国家大基金披露,二期基金已到位,11月开始投资。实际募资2000亿左右,按照1∶3的撬动比,所撬动的社会资金规模在6000亿左右。二期基金投资的布局重点在集成电路装备、材料领域。2019年1-6月,我国集成电路进口额1376.2亿美元,同比下降6.9%;集成电路出口额457.5亿美元,同比增长17.1%。这说明随着我国集成电路技术的进步,以及产能的扩张,我国集成电路进口替代取得了显著的效果。我国集成电路产业从前期大力投入,开始进入收获季节,相关公司开始增收增利。近日爆发的日韩贸易战中,韩国半导体产业就因日本限制了关键半导体材料的出口,而被锁住了命运的咽喉,半导体材料也因此成为了各界所关注的焦点。在整个半导体产业链中,半导体材料处于产业链上游,是整个半导体行业的重要支撑。在集成电路芯片制造过程中,每一个步骤都需要用到相应的材料。半导体材料主要包括晶圆制造材料与封装测试材料两大类。其中,晶圆制造材料主要包括硅晶圆、光刻胶、掩膜版、电子特种气体、湿电子化学品、溅射靶材、CMP 抛光材料等;封装材料包括引线框架、基板、陶瓷封装材料、键合丝、封装树脂、芯片贴装材料等(图 1)。  图 1 半导体材料涉及工艺流程(红色为湿电子化学品应用环节)一湿电子化学品简述湿电子化...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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增强现实(AR)便携式和可穿戴设备的市场正在迅速增长。在各种硬件实现形式中,带透明眼镜的头戴式显示器(HMD)或近眼显示器(NED)可提供最有效和身临其境的AR体验。由于其轻薄的特性,光波导被认为是消费级增强现实(AR)眼镜的无与伦比的选择,但由于其价格高昂和技术壁垒,它仍然被禁止。随着诸如Hololens II和Magic Leap One之类的主流AR可穿戴设备采用波导解决方案并展示了其批量生产能力,以及最近披露的针对AR光模块制造商DigiLens,NedAR和LingXi的融资新闻,波导已成为人们关注的焦点。 AR玻璃行业的热门话题。光波导在AR NED系统中如何工作?所谓的“阵列波导”,“几何波导”,“衍射波导”,“全息波导”和“体积波导”之间是什么关系?波导是如何在使AR玻璃行业发生革命的过程中开发的?1.光波导—随需应变光学系统通常由用于VR和AR近眼显示器(NED)的微型显示器和成像光学系统组成。微型显示器可以像微型OLED或时尚的微型LED面板一样主动提供图像,也可以通过在基于液晶的显示器(包括透射型LCD和反射型LCOS),数字微镜器件(DMD)和激光上间接照明来间接提供图像光束扫描仪(LBS)均由微机电系统(MEMS)启用。与VR相似,显示像素被成像到一定距离并形成虚拟图像以投射到人眼。与VR不同,AR NED需要“透视”功能,以便眼睛能够同时查看现实世界。成...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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多晶酸制绒原理多晶硅绒面制备方法多晶硅表面由于存在多种晶向,不如(100)晶向的单晶硅那样能利用各向异性化学腐蚀得到理想的绒面结构,因而对于多晶硅片,目前主要采用各向同性的酸腐方法来制备绒面。主要方法:是利用硝酸和氢氟酸、去离子水来配制酸性腐蚀液。对于多晶硅片进行各向同性腐蚀,在硅片表面形成蜂窝状的绒面结构,从而提高太阳电池的光电转换效率。根据溶液对硅的各向同性腐蚀特性,在硅片表面进行织构化处理而形成绒面。1.第一步:硅的氧化硝酸和氢氟酸的混合液可以起到很好的腐蚀作用,硝酸的作用是使单质硅氧化为二氧化硅,其反应为:3Si+4HNO3===3SiO2+2HO2+4NO2.第二步:二氧化硅的溶解二氧化硅生成以后,很快与氢氟酸反应 SiO2+4HF=SiF4+2H2O(四氟化硅是气体) SiF4+2HF=H2SiF6总反应: SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O终反应掉的硅以六氟硅酸的形式进入溶液并溶于水。这样,二氧化硅被溶解之后,硅又重新露出来,一步、二步的反应不断重复,硅片就可以被持续的腐蚀下去。单晶绒面图片多晶绒面图片 单晶硅制绒液体的组成和作用制绒溶液主要是由碱性物质(NaOH、KOH、Na2CO3等)及添加剂(硅酸钠、酒精或异丙醇)组成的混合溶液。碱性物质发生电离或者水解出OH离子与硅发生反应,从而形成绒面。碱的适宜浓度为5%以下。酒精或异丙醇有三个作用:a、协助...
发布时间: 2021 - 02 - 25
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衍射光学是基于光的衍射原理,利用计算机设计衍射图,并通过微电子加工技术在光学材料只做表面浮雕的元件,由于衍射光学元件及其灵活的控制波前,集多功能与一体和可复制的优良特性视光学系统及器件向轻型化,微型化和集成化发展。到了90年代至今,衍射光学元件的研究已成为光学界的前沿工作。随着衍射光学元件应用领域的拓展,大面积衍射元件的需求越来越多。湿法刻蚀技术是低成本制作特征尺寸及宽深比较大衍射光学元件较好的方法之一,特别在解决大口径元件的刻蚀均匀性方面具有很大优势。衍射光学自身具有许多优点使得它广泛地应用于各种光学系统或微光机电系统中,各种衍射光学元件目前已成为光通讯和光互联中的关键元件,对它们的性能分析和设计具有重要的理论意义和应用价值。与传统折反射光学元件比较,衍射光学元件(DOE)的光学处理功能非常灵活。DOE可以在极小的体积内,集成多种光学功能于一体,产生传统光学难以实现的各种光场分布。针对衍射光学元件的湿法刻蚀工艺,华林科纳研究了湿法刻蚀的化学机理,摸索了相关的规律,得到了有效控制刻蚀速率的方法,不同腐蚀条件下所对应的刻蚀速率。为基于工艺条件的优化设计方法提供依据,得到了制作工艺中的加工依据。公司具备独立的设计、制造及应用技术,能够为客户提供从咨询、设计、到制造的专业化、定制化整体解决方案。
发布时间: 2020 - 05 - 08
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湿法化学腐蚀是最早用于微机械结构制造的加工方法。所谓湿法腐蚀,就是将晶片置于液态的化学腐蚀液中进行腐蚀,在腐蚀过程中,腐蚀液将把它所接触的材料通过化学反应逐步浸蚀溶掉。用于化学腐蚀的试剂很多,有酸性腐蚀剂,碱性腐蚀剂以及有机腐蚀剂等。湿法腐蚀工艺由于其低成本,高产出,高可靠性以及其优良的选择比是其优点而仍被广泛接受和使用。华林科纳经过多年的生产经验及技术的不断改良,使得我们的设备在工艺路径及技术要求上得到稳步的提高,湿法腐蚀设备正朝着以下方向发展:a.自动化b.在微处理器控制下提高在腐蚀状态下的重复性,以帮助工艺工程师提供更良好的控制,阻止人为因素的影响。c.点控制过滤控制,以减小腐蚀过程中缺陷的产生d.自动喷淋设备的开发。所有这些,都使湿法腐蚀有一个更美好的前景。湿法腐蚀机理湿法腐蚀的产生一般可分为3步:1:反应物(指化学药剂)扩散到反应表面2:实际反应(化学反应)3:反应生成物通过扩散脱离反应表面在实际应用中,湿法腐蚀通常用来在SI衬底或薄膜上生成一定的图形,光刻版是典型的被用于覆盖所期望的表面区域防止被腐蚀液腐蚀掉,而光刻版在腐蚀后常被去掉,因此在线择湿法腐蚀工艺时,必须线择腐蚀液,合适的形成版的材料(光刻胶)必须具有良好的抗腐蚀能力,良好的完整覆盖特性,光刻胶常被用来作为版层材料,但有时边缘的黏附性差,常采用HMDS以增强其黏附性湿法腐蚀反应时可能存在多种反应机理,许多反应...
发布时间: 2020 - 05 - 08
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RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的,并由此而得名。CSE华林科纳RCA清洗是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法,是去除硅片表面各类玷污的有效方法,所用清洗装置大多是多槽处理式清洗系统。该清洗系统主要包括以下几种药液:(1)SPM:H2SO4 /H2O2 120~150℃ SPM具有很高的氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属,但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。(2)HF(DHF):HF(DHF) 20~25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜,因此,附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中,同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al,Fe,Zn,Ni等金属,DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时,在自然氧化膜被腐蚀掉时,硅片表面的硅几乎不被腐蚀。(3)APM (SC-1):NH4OH/H2O2 /H2O 30~80℃ 由于H2O2的作用,硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2),呈亲水性,硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀,因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中,从而达到去除粒子的目的...
发布时间: 2020 - 04 - 29
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