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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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MEMS(Micro Electro mechanical System)即微机电系统,是指采用微机电加工技术按照功能要求在微米量级的芯片上集成机械零件、电子组件和传感器执行组件等而形成的一个独立智能系统。由于单晶石英材料具有压电效应,且具有优良的温度、机械性能、高品质因素等特性,采用单晶石英制作的石英 MEMS 加速度传感器、压力传感器和石英 MEMS 陀螺仪等,具有高精度、高稳定性、高分辨率等特点,在微型惯性导航系统、姿态测量与控制、航空航天、汽车电子、仪器仪表等领域具有广泛应用,其加工工艺和设备制造技术研究对促进产业发展提供技术支持具有十分重要的意义。 1 石英 MEMS 传感器敏感芯片结构石英 MEMS 传感器主要应用于振动惯性器件,是通过振动原理测量运动物体的各种运动参数(包括角速度、角度、线加速度等)的惯性器件。石英 MEMS 振动惯性器件主要包括石英微机械振动陀螺、石英振梁加速度计等,其敏感结构采用石英晶体,基于石英晶体压电效应原理、采用微电子加工工艺,是振动惯性技术与微机械加工技术的有机结合。石英微机械振动陀螺是一种音叉结构的哥氏振动陀螺,是一种 MEMS 角速度传感器。其敏感芯片结构为双端音叉结构,包括驱动音叉、读出音叉及支撑结构。石英微机械振动陀螺工作原理及敏感芯片结构如图 1 所示。驱动音叉被激励以其自然频率左右振动,当石英 MEMS 陀螺绕其垂直轴...
发布时间: 2021 - 08 - 06
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论是医学,还是航空航天,抑或是信息科技,在我们能够想到的科技领域中,材料都扮演着极其重要的角色。材料的强度、柔韧度、耐腐蚀性、电子迁移率、比表面积等等各种物理、化学、电学性质,默默影响着最终产品性能的实现或发挥,甚至起着决定胜负的作用。这也是为什么很多科学家在孜孜不倦地寻找更多新型材料,因为新的材料性能,意味着全新的可能,为新技术的实现提供了崭新舞台。德国科学家正在研制一种由镁制成的小型植入物和螺钉,具有足够的机械稳定性,并在人体内的降解程度可控,不会导致人体组织损伤。在骨头破裂的地方,医生通常会用植入物来固定骨头碎片,而选择哪种植入物需要慎重考虑。钛或钢制螺钉和固定板在机械、化学性能上非常稳定,但如果要拆卸就必须再次手术;有机材料植入物,则可能会慢慢溶解,还存在强度不足、溶解物对人体有害等缺点。针对这一难题,德国联邦材料测试研究所利用镁开发出功能表面最佳的合金板和矫形螺钉。这种镁植入物尤其适用于骨骼迅速增长的儿童,生物降解的螺钉不会影响孩子的骨骼生长,可以免去二次手术,降低感染风险并节省成本。            研究人员艾利·布鲁尼克说:“镁合金植入物不仅具有生物相容性,而且在最初的脆弱愈合阶段具有与骨骼相似的机械性能,因此比钛更合适。”想用镁合金...
发布时间: 2021 - 08 - 06
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1. 引言目前半导体IC产业进入大规模和超大规模集成电路时代,集成电路的特征向着纳米尺寸发展,这就要求集成电路用表面质量越来越高的单晶硅片或者外延硅片,表面如有加工过程的机械损伤等,会造成外延表面的缺陷或者层错,这也会给后续器件加工带来良率损失。根据目前硅片加工技术看,抛光衬底或者外延衬底表面粗糙度基本在纳米级别,微电子技术从微米级进入到纳米级,甚至到14或者7 nm级别,对硅片表面的微粗糙度或者颗粒的特征粒径尺寸要求越来越小 ,150 mm或者200 mm重掺单晶生长外延后,需要严格管控表面颗粒和缺陷水平,如果颗粒过多,会造成外延缺陷,影响产品成品率和表层质量,一般要求硅片颗粒小于特征线宽的三分之一。通常情况下,由于衬底原因或者外延原因造成的外延层雾状缺陷,通过清洗的方式是去除不掉的,所以一般会考虑衬底或者外延工艺改进。有些学者也利用原子力显微镜进行微观分析雾状微观形态,雾状区域起伏较大 。对于影响外延片表面颗粒质量的,我们需要从衬底片表面和外延反应机理进行探讨,衬底表面粗糙度增大,会严重影响外延片的表面质量 ,同时外延工艺中合适气体的选择使用也会进一步提高外延片表面的质量。 本文发现部分抛光硅片在外延后出现0.12 um颗粒聚集分布现象,外延炉同炉其他批次外延后均未发现有类似现象。为解决此类问题,我们对抛光片衬底微粗糙度进行分析,并外延验证。 2. 实验部分...
发布时间: 2021 - 08 - 06
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高纯多晶硅是电子工业和太阳能光伏产业的基础原料,在未来的50年里,还不可能有其他材料能够替代硅材料而成为电子和光伏产业主要原材料。近年来,全球太阳能电池产量快速增加,直接拉动了多晶硅需求的迅猛增长。多晶硅市场需求经历了由“半导体产业主导”向“光伏产业主导”的转变。光伏行业很快出现高速发展的局面,硅材料生产过程中必需的清洗设备的市场需求仍然非常大。这些设备分别用于半导体材料行业中多晶硅块料、棒料和硅芯的清洗。我公司结合多年电子行业清洗机制造经验,针对该工艺的生产特点,开发出针对以上产品的专用全自动清洗设备,并已在多家硅材料生产厂家得以成功应用。1、工艺研究在多晶硅生产过程中,清洗的作用是在尽量减小材料损失的前提下,有效去除晶片表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石英器Ⅲ的污染物。采用酸液剥离表面沾污层,再通过纯水进行冲洗的方法达到洗净效果。在规模生产中,一般采用HF+HNO3,作为腐蚀液与硅材料发生化学反应。为了降低剥离层厚度,对于反应温度、时间的控制非常关键。对于块状料,由于其形状不规则且处理过程互相堆叠,增加了清洗及干燥的难度,我们在经过多次试验后发现:对腐蚀槽溶液降温能有效控制反应速度、降低材料损失并可以获得更好的表面质量。通过QDR、阶梯溢流、加热超声的依次水洗,可以将残留酸液去除。热氮吹扫去除水滴,真空加热干燥对于堆叠工件(块状料)的干燥效果良好。2、结构设计基于上述...
发布时间: 2021 - 08 - 06
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本文主要介绍在镀膜以前,快速清洗各种形状和尺寸的单个基片的方法。对表面的清洗基本上可以分成清洗和干燥两个阶段:清洗的目的是清除零件表面严重污染,如水汽、油污、微粒等,进一步清除零件表面残留物;最后是对零件进行干燥。在清洗和干燥阶段,需尽量避免对零件造成重新污染。各种清洗方法介绍基片的清洁度对薄膜性能有很大影响。在镀膜以前,最理想的情况是使用刚抛光完的基片,否则基片表面会变质。特别是当基片经受了不正确处理和贮存后,其情况变得更加严重。但是,即使是对刚抛光完的基片来说,有时也会由于存在氧化筛抛光粉的污染而使这种基片在镀膜以后在某些地方出现较大的散射。只有在抛光以后,立即清洗基片表面,并且在镀膜以前再次清洗才能消除这种影响。通常,只对基片重要表面进行抛光,共余表面,如基片边绿部份保持研磨后状态。清洗基片表面时,只需清洗基片抛光面就行了。清洗粗糙面的污染往往比较困难,有时会因为想清洗这些表面而影响到抛光面的清洁。1.清洗清洗方法的适用性取决于基片材料和基片原始表面状态。通常是用一种阴离子介面活性剂的稀释溶液来清洗基片表面。清洗时,用浸有这种溶液的脱脂棉轻轻擦洗基片表面。在清洗后,再将基片放在含有这种洗涤剂的稀释溶液的超声波槽里继续进行清洗。1976年Mathewson介绍了先用全氯乙稀蒸汽脱脂,然后用碱性洗涤剂超声波清洗的方法。上述预清洗方法,虽然能为基片进一步清洗打下良好的基础。但是处理...
发布时间: 2021 - 08 - 06
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1.2、异质结电池工艺流程简洁,拥有更高开路电压:异质结的工艺流程更为简洁,独特工艺是非晶硅薄膜沉积和TCO膜沉积。异质结电池全称为本征薄膜异质结电池(HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer),又称HIT、HJT或SHJ电池。其工艺流程十分简洁,主要是清洗制绒、非晶硅薄膜沉积、TCO膜沉积以及丝网印刷四道工序。与需要10余项流程的PERC+以及TOPCon相比,HJT工艺流程相当简洁。而且其中清洗制绒和丝网印刷都是传统硅晶电池的工艺,HJT独特的工艺在于非晶硅薄膜沉积以及TCO膜沉积。 从技术原理来看,HIT拥有更低的载流子复合速率和更低的接触阻抗造就了更高的开路电压。获得更高开路电压的两个重要条件是避免少数载流子与多数载流子发生复合,同时还要降低电阻促进多数载流子更有效运输。PERC技术由于其不可避免的开槽工艺造成了多子横向输运损耗,同时在开槽处金属极与Si局域接触仍然有较高的复合。而ITO薄膜(氧化铟锡薄膜,TCO薄膜中性能最好的材料)的特性是载流子复合速率高,但其接触电阻率低,而非晶硅薄膜(a-Si:H)的特性是载流子复合速率低,但接触电阻率高。异质结电池中薄膜沉积的顺序是非晶硅薄膜偏中间而ITO在最外层,这一顺序决定了异质结电池完美地结合了两者的优点。具体而言,非晶硅薄膜在偏中间位置,当光照到电池内时,光生伏特效应下产生了电子-...
发布时间: 2021 - 04 - 12
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3月20日,第二届华林科纳泛半导体湿法培训会在南通华林科纳半导体设备有限公司成功举办。这届培训会以“以声共汇平台,以友共筑数据”的主题面向芯片设计、晶圆制造、封装测试、材料和设备以及下游应用产业链多个群体。培训会进一步聚焦泛半导体湿法行业发展新动态、新趋势、新技术及创新项目,深入探讨湿法工艺的发展模式和行业发展趋势。中环科技、协鑫集团、三安光电、有研硅股、天科合达、中电科集团研究所、中科院半导体所、清华大学、浙江大学、中科大等多家单位代表出席培训会,国内近50家半导体知名企业与大学研究所80余人参加培训会。本次培训会面向湿制程设备实际使用者,主要由湿法行业领导者华林科纳牵头,汇集了湿法工艺&设备、湿制程的化学品知识、水处理知识、超声/兆声清洗知识、专业计量仪器应用知识等产业链各环节的优秀课程。每个课程的演讲者都是来自国际一流或者国内顶尖的供应链,无一不代表着当下产业内的领先水平。课程首先由华林科纳项目总监高艳带来的《湿法设备与工艺解析》,深入浅出的原理介绍了湿法清洗在半导体领域的影响。制程工艺每推进一代,清洗步骤增加约15%。半导体器件集成度和芯片复杂度的提高,使得芯片对杂质的敏感度大大提升。在工艺节点不断推进的前提下,为了降低杂质影响、提高良率,需要继续增加清洗步骤。而受当前国际疫情形势影响,且国内半导体行业在国家的大力发展下,本土清洗设备市场国有化率约为20%,国产化有...
发布时间: 2021 - 03 - 26
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近期,行业出现了一股热潮,即越来越多的模拟芯片企业,特别是功率半导体厂商或业务部门,热衷于兴建12英寸晶圆产线。本周,就有两则相关消息很受关注。    3月10日,东芝宣布,计划引进一条新的12英寸晶圆生产线。传统上,该公司的功率半导体主要使用8英寸晶圆生产。而随着采用12英寸晶圆生产模拟芯片成为全球趋势,该公司似乎也在跟紧潮流。东芝表示,新厂建成后,可将功率半导体产能提高20%。据悉,东芝引进12英寸晶圆生产线的主要目标是提高低压MOSFET和IGBT的生产能力。根据规划,新产线将于2023财年上半年投产,该公司表示,将根据市场趋势,逐步确定后续投资计划,并将继续扩大日本工厂的分立器件,特别是功率半导体器件的生产。    同样是在近期,欧洲大厂博世正在德国德累斯顿建设新的12英寸晶圆厂,投资额达到10亿欧元。计划今年下半年实现商用生产。其生产的产品主要是用于汽车的功率半导体,如用于电动和混合动力汽车的DC-DC转换器等。    2月,汽车功率半导体龙头企业英飞凌宣布,为了缓解全球车用芯片产能不足的困境,将在奥地利新建12英寸晶圆厂,专门用于生产车用芯片,预计将于今年第三季度动工。后续还计划在德国也建一座与奥地利相同的新厂。   &#...
发布时间: 2021 - 03 - 15
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华林科纳之半导体产业股权投资备忘录一、 概述(一)行业业绩回顾 1(二)筛选标的逻辑 3(三)疫情影响 4(四)行业展望 5(五)推荐标的清单 6二、半导体产业链与细分领域概况(一)产业链概况 9(二)半导体细分领域 9(三)半导体产品分类 11(四)国产细分领域发展 12三、半导体细分领域行业情况(一)集成电路 131、处理器 132、DSP 173、FPGA 184、存储芯片 195、人工智能芯片 226、EDA软件 257、显示驱动芯片 268、触控与指纹识别芯片 289、射频前端芯片 3110、蓝牙芯片 3611、电源管理芯片 38(二)传感器 401、图像传感器 402、MEMS传感器 42(三)分立器件 461、功率半导体 462、晶振 523、电容电阻 543、超级电容 57(四)光电子器件 591、光模块 592、光芯片 62(五)制造 631、晶圆代工 63(六)封测 651、第四代封装技术之一:WLCSP 封装 66(七)材料 671、硅片 712、湿电子化学品 723、靶材 753、光刻胶 75(八)设备 771、光刻机 792、刻蚀设备 803、薄膜设备 814、其他设备 81一、概述(一)行业业绩回顾在中美贸易摩擦、高科技企业被美封锁的背景下,2019年电子行业在逆境中迅速发展,整体实现营收与利润的共同增长。以申万电子行业板块的上市公司为样本进行统计,20...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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2014年9月,国家大基金一期成立,总投资额1387亿,带动新增社会融资约5000亿,实现集成电路产业链的全覆盖。近日国家大基金披露,二期基金已到位,11月开始投资。实际募资2000亿左右,按照1∶3的撬动比,所撬动的社会资金规模在6000亿左右。二期基金投资的布局重点在集成电路装备、材料领域。2019年1-6月,我国集成电路进口额1376.2亿美元,同比下降6.9%;集成电路出口额457.5亿美元,同比增长17.1%。这说明随着我国集成电路技术的进步,以及产能的扩张,我国集成电路进口替代取得了显著的效果。我国集成电路产业从前期大力投入,开始进入收获季节,相关公司开始增收增利。近日爆发的日韩贸易战中,韩国半导体产业就因日本限制了关键半导体材料的出口,而被锁住了命运的咽喉,半导体材料也因此成为了各界所关注的焦点。在整个半导体产业链中,半导体材料处于产业链上游,是整个半导体行业的重要支撑。在集成电路芯片制造过程中,每一个步骤都需要用到相应的材料。半导体材料主要包括晶圆制造材料与封装测试材料两大类。其中,晶圆制造材料主要包括硅晶圆、光刻胶、掩膜版、电子特种气体、湿电子化学品、溅射靶材、CMP 抛光材料等;封装材料包括引线框架、基板、陶瓷封装材料、键合丝、封装树脂、芯片贴装材料等(图 1)。  图 1 半导体材料涉及工艺流程(红色为湿电子化学品应用环节)一湿电子化学品简述湿电子化...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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