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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      为了评估用各种程序清洗和干燥的晶圆表面的清洁度,我们通过高灵敏度的大气压电离质谱(APIMS)成功地分析了这些晶圆表面的排气量。特别是,通过将晶片表面的解吸气体引入APIMS,研究了IPA蒸汽干燥后异丙醇(IPA)的解吸和晶片中的水分。结果表明,在这些实验条件下,定性和定量的微量杂质小至单分子吸附层的1/10。结果证实,湿化学过程和干燥方法对晶片表面条件的影响。      本文介绍在硅片上吸附分子的分析结果。为了估计湿式化学处理后的微污染,表面分析是通过用大气压力电离质谱(APIMS)测量来自晶片表面的解离气体来进行的,它显示出极好的灵敏度(1ppb到低于0.01ppb)。APIMS不仅具有高灵敏度,而且能够连续检测杂质,因此可以以高分辨率监测工艺气体中微量杂质含量的动态变化。 实验      为了研究杂质分子在超薄载流子气体环境中加热从晶圆表面的解吸,将晶圆表面的解吸气体与载流子气体一起运输,并引入APIMS分析仪的离子源。图1为实验装置的示意图。它由气体供应系统、具有金属配件的加热室、护套加热器和分析设备(APIMS)组成。为了对从晶片表面剥离的微量杂质进行可靠的分析,我们利用超精益技术的概念构建了整个油管系统。 图1...
发布时间: 2021 - 10 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      本文研究了湿化学清洗过程中硅(001)表面形成的天然氧化物的均匀性。均匀性由光激发氟刻蚀初始阶段的表面形貌决定。由于光激发氟蚀刻硅的速度比蚀刻氧化硅快40倍,它突出了硅表面上的硅原生氧化物,使它们可以通过扫描隧道显微镜或原子力显微镜观察到。在盐酸:过氧化氢:过氧化氢(1:1:4)溶液中煮沸形成30-70纳米的氧化物岛。岛屿之间的区域没有被氧化。在NH4OH-H2O2-H2O (1:1.4:4)中沸腾也形成直径为30-70 nm的氧化物岛,但是岛间区域被轻微氧化。      表面清洗是超大规模集成(ULSI)晶圆加工的一个重要方面。许多工艺受到湿法化学清洗过程中形成的天然氧化物的影响。要开发新的工艺,对形成机理的基本了解至关重要。已经通过包括x射线光电子能谱(XPS)、红外区衰减全反射光谱(ATR-IR)和热解吸光谱(TDS)的方法研究了天然硅氧化物。然而,这些报告仍然局限于生长动力学或化学结构因素,例如低氧化物(SiO x=1-3)、硅氢化物(-SiH,y=1-3)或硅羟基(—SiOH)的量。尽管天然氧化物通常被视为薄而均匀的薄膜,但我们实际上发现它们是岛状结构,通常带有许多针孔。      图1显示了氧化物评估原理。数字1(a)显示岛状,1(b...
发布时间: 2021 - 10 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      我们研究了电化学沉积的铜薄膜在含HF的脱氧和非脱氧商业清洗溶液中的腐蚀行为。采用电感耦合等离子体质谱监测Cu2+,利用x射线光电子谱监测硅片表面的氧化态,研究了薄膜铜的溶解和反应动力学。确定了反应动力学相对于心衰和氧浓度都是一阶的。提出了一种涉及氧的Cu0和Cu1+的还原和氧化的动力学方案,这与实验确定的反应动力学顺序和在清洗过程中观察到的不良铜残留物在半导体晶片上的沉积相一致。我们研究目的是研究铜薄膜在含氟化氢和有机化合物的水溶液中腐蚀/溶解的动力学及其与铜互连DD过程的相关性。这种溶液通常用于工业中的等离子体蚀刻后清洗。给出了溶解氧、溶解氧和氟化氢浓度的动力学。 实验      我们实验使用铜在覆盖硅晶片铜/硅衬底上进行。使用典型的工业电镀设备均匀沉积铜膜,然后进行化学机械平面化步骤,以在DD过程中紧密模拟实际的铜表面。由四点探针法表面电阻率仪测定,铜膜的厚度为400纳米。      在进行溶解实验之前,用0.49重量%的氟化氢进行表面处理,以确保表面清洁。进行了一组筛选实验来研究用于表面清洁的HF溶液中的最佳浸泡时间。图1描述了cleanH802的溶解氧浓度1分钟的高频治疗是合适的。这种预处理提供了清洁的表面,在该表面上天然氧...
发布时间: 2021 - 10 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      晶体硅的弹性体表面钝化在生产效率为25%的太阳能电池和准确测量高质量基质中载流子扩散长度方面是必不可少的。硅表面的钝化在历史上一直是通过高温氧化来实现的。高效光伏器件的开发和大块材料的表征中,将界面处的载流子复合降至最低是极其重要的。在这里,我们研究了一种基于临时室温超强酸的钝化方案,它提供了低于1厘米/秒的表面复合速度,从而使我们的钝化膜成为最先进的电介质膜。这项工作中开发的钝化策略将有助于诊断太阳能电池加工条件下的体寿命退化,也有助于量化新钝化方案的电子质量。 实验       所有使用的硅晶片的晶体取向均为(100),晶片直径为100mm。所研究的样品是四分之一的晶圆。钝化液的制备:      为了尽量减少溶液制备过程中的水分污染,我们测量了化学物质,并混合在一个用氮气净化的手套箱中。为了制备溶液,测量出100毫克双(三氟甲烷)磺酰亚胺,然后溶解在50ml无水1,2-二氯乙烷中。溶液被储存在一个带有密封盖的玻璃容器中。我们发现该溶液可以使用多次,但当溶液变得浑浊时,必须准备一种新的溶液。湿化学预处理:对硅表面进行化学优化处理是钝化过程的重要组成部分。使用的水必须是纯度非常高的去离子水。在我们的实验中,去离子水的测量电...
发布时间: 2021 - 10 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      近年来,氧化锌薄膜因其低成本、低光敏性、无环境问题、特别是高迁移率而被研究作为薄膜晶体管中的有源层来代替非晶硅。此外,氧化锌的低温制造使得在塑料薄膜上制造成为可能。氧化锌(ZnO)半导体由于在低沉积温度下具有高电子迁移率,非常适用于柔性显示和有机发光二极管器件,作为一种新的半导体层取代了薄膜晶体管中使用的非晶硅半导体,在表征方面取得了重大进展。氧化锌的湿法图形化是大规模生产氧化锌薄膜晶体管器件的另一个重要问题。然而,氧化锌薄膜在薄膜晶体管工业中常规使用的湿法腐蚀水溶液中的湿腐蚀行为尚未见报道,本文采用电化学分析方法研究了射频磁控溅射氧化锌薄膜在各种湿溶液如磷酸和硝酸溶液中的湿腐蚀行为。还考察了沉积参数如射频功率和氧分压对腐蚀速率的影响。 实验      利用射频磁控溅射系统在玻璃衬底上沉积氧化锌薄膜。沉积后立即测量沉积薄膜的厚度。用轮廓仪测量厚度。残余应力测量通过记录沉积前后硅衬底的曲率来进行。薄膜的应力由斯通尼公式得到,电阻率是通过探针站使用传输线方法在氧化锌薄膜上沉积金属薄膜后获得的。      在包括硝酸(0.1M)、磷酸(0.1M)、盐酸(0.1M)和乙酸(0.1M)的酸溶液中浸泡5秒钟后,用轮廓仪从厚度梯度经时间测量膜的溶...
发布时间: 2021 - 10 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      湿式光掩模清洗依赖于兆频超声波搅拌来增强工艺,但要可靠地最大化粒子去除效率并最小化损坏,还有许多挑战。随着向无薄膜EUV掩模的转变,光掩模工艺更容易受到污染,增加了改进清洁工艺的紧迫性。这一困难主要是由于无法对声场进行适当的测量。典型地,关于声输出的所有已知信息是驱动频率和传送到换能器的电功率,这两个全局参数很少说明基底上的场分布、基底处声音的实际振幅或基底处存在的空化水平(稳定和瞬态)。对于给定的超声过程,空化的振幅在较高的频率下较低。虽然有几项关于1兆赫下粒子去除和模式损伤的研究,但对高于该值的频率下的空化性能知之甚少。 实验超声波源:      考虑了两种不同的兆频超声波设备。一种是一种新颖的设计,包括一个耦合到倾斜的截顶石英锥的换能器,该石英锥具有悬浮在衬底上的平坦表面,留下大约4cm×6cm[4]的椭圆形足迹。它通过注入在锥体任一侧的清洗液与衬底耦合。二种设备是传统的点簇射器,通过以1.5 L/min的速度流动的直径为4 mm的清洁流体的平滑喷射将喷嘴换能器耦合到基板上方。声学测量方法:      两种换能器配置的声学性能通过各种方法来表征,这些方法的应用取决于设备的几何形状及其应用模式。在所有情况下,试验均在室...
发布时间: 2021 - 10 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      高效的硅片清洗需要最佳的工艺控制,以确保在不增加额外缺陷的情况下提高产品产量,同时提高生产率和盈利能力。      硅半导体器件是在高度抛光的晶片上制造的。晶圆上的划痕和其他缺陷可能会影响最终产品的性能。因此,表面准备是获得干净、镜面抛光、未受损硅表面的关键步骤。化学清洗是一种行之有效的方法,用于去除晶圆表面的污染物。最常见的工艺是RCA清洗,通过两个连续的标准溶液清洗晶圆。标准清洁1 SC1浴(或氨过氧化物混合物APM)由NH4OH和H2O2组成。标准清洁2 SC2浴由盐酸和H2O2制成。有效清洗晶片的关键因素是清洗槽的停留时间和最佳化学浓度。对主要SC1/SC2槽成分的快速在线监测保证了晶片产量的增加,同时降低了缺陷密度。      SC1浴从晶片上去除颗粒、薄膜和有机残留物,并在表面形成薄氧化层。然而,过渡金属氢氧化物也可以保留在晶片表面上。也就是说,在后化学机械平面化化学机械抛光清洗顺序中,SC2浴变得至关重要。SC2浴是酸性的,有助于去除表面的碱和过渡金属。这种清洗过程在晶片表面留下一层薄的钝化层,以避免未来的污染。 图1 用于清洗液分析的在线近红外光谱(NIRS)系统配置      半导体器件越...
发布时间: 2021 - 10 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      我们开发了一种可控、平滑的氢氧化钾基湿法刻蚀技术,AlN和AlxGa1xN之间的高选择性被发现对于基于AlGaN的深紫外发光二极管实现有效的衬底减薄或去除至关重要,从而提高光提取效率。AlGaN的高选择性作为铝组成的函数的机理可以解释为与在N-极性表面顶部的氧化物/氢氧化物的形成和溶解有关。横截面透射电子显微镜分析最终证明这些小丘与下面的螺纹位错无关。      迄今为止,氮化铝基板减薄或去除面临许多挑战。例如,由于在AlGaN/AlN界面上没有位错,激光剥离预计不能用于将AlN衬底与假晶AlGaN外延膜分离。此外,反应离子蚀刻(RIE)的蚀刻速率相对较低,会引入等离子体相关的损伤。与这些技术相比,湿法蚀刻具有表面损伤小、成本低的优点,同时易于大面积制造。然而,为了与DUV发光二极管和激光器件制造兼容,更温和和可控的技术是必要的。此外,需要无缺陷选择性蚀刻技术,在这种情况下,可控蚀刻方案可以应用于不同的材料系统,而不管位错密度如何。最近,我们从蚀刻速率、选择性、表面形态和在氢氧化钾水溶液中的化学计量比等方面全面研究了氮化铝和氮化镓单晶样品的湿法蚀刻行为提出了一种与非缺陷相关的蚀刻行为,并证明了在氮化镓上选择性蚀刻氮化铝的潜力。      使用氢氧...
发布时间: 2021 - 10 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      随着半导体技术的发展,为了在有限的面积内形成很多器件,技术正在向多层结构发展。要想形成多层结构,会形成比现有更多的薄膜层 ,这时晶片背面也会堆积膜。目前,在桔叶式设备中,冷却晶片背面膜的方法是翻转。翻转晶片进行蚀刻工艺的话,蚀刻均匀度最好在1%以下。因此,如果一面进行工程,工程时间将增加一倍。为了减少工序时间,对在进行顶面工序的同时进行背面工序的方法进行了评价。本研究旨在制作可安装在晶片背面的蚀刻喷嘴,评价喷嘴的性能,同时控制喷嘴中药液喷射的方向和位置,使用高温(60℃)的药液对晶片背面的膜进行蚀刻,使均匀度低于5%。 实验      评价中使用的实验设备是晶片顶部的全部进行面食角,底部是可以进行面食角的结构。图1是一个300毫米枯叶植食装置的模拟图,其中包括可以蚀刻晶片背面的喷嘴。晶片背面与喷嘴的距离约为L5厘米,晶片固定为6艘,工艺进行。主轴头最多可旋转2000RPM,使用的晶片为300mm。图2是为晶片背面蚀刻而制作的是一个喷嘴。喷嘴包括药液喷射部分和DIW(DE- Water)各部分组成。药液粉丝孔直径为 0.7毫米,孔与孔之间的间距设计各不相同。孔的间距是根据300毫米晶片的面积设计的。实验中使用的晶片是沉积在硅晶片上约2000 Ao用于蚀刻的药液使用...
发布时间: 2021 - 10 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      在太阳能电池工业中,最常见的纹理化方法之一是基于氢氧化钠或氢氧化钾的水溶液和异丙醇(IPA)。然而,IPA是有毒的,而且相对昂贵,因此人们正在努力取代它。在过去的几年中,硅异质结(SHJ)太阳能电池由于晶体硅的良好性能和薄膜技术的多功能性而引起了光伏行业的兴趣。这些SHJ太阳能电池是通过将薄膜非晶态或微晶硅沉积在碳硅晶片上而形成的。其主要特点是转换效率高、开路电压高、温度系数。这些太阳能电池的性质使它们的界面占主导地位。 实验      纹理化过程首先在硅晶片上进行了分析。一旦确定了纹理化的最佳条件,该工艺将应用于其他类型的基板,FZ晶片厚度为255-305mm,CZ晶片厚度为280-320mm。晶片直径为100mm,但样品尺寸为40mm40mm。在纹理化过程之前,样品在超声波浴中用乙醇清洗。然后,样品在室温下在1wt%HF:DIW(18.2Mocm电阻率DIW稀释)溶液中蚀刻,以去除天然氧化物。最后用DIW冲洗。在纹理化过程中,晶片浸在一个包含纹理化溶液的盖容器中。这种溶液以前已经使用带有不锈钢温度传感器的数字控制热板在测定温度下加热。当蚀刻时间结束后,从溶液中取出样品,用DIW冲洗,以停止化学反应。 结果和讨论     ...
发布时间: 2021 - 10 - 25
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