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外延片清洗机-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

在LED外延及芯片制造领域，湿法设备占据约40%以上的工艺，随着工艺技术的不断发展，湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备，如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺，现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封，具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制，功能强大，操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ；18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncse.com），现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。

旋转式喷镀台-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点，在6＂（150mm）晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成，一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、Ｎ２保护单元组成的阴极回转体，二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下：从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出，采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中，阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决，从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式，可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射，实现搅拌功能，消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构，镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行，可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证，镀液入口采用扇形喷咀式结构，可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理，由于结构上的特点，该方法经实验验证具有：①结构简单；②工艺参数控制容易；③有利气泡的消除；④镀制均匀性得到提高；⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺，同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统，目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用，产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标：最大晶...

双腔甩干机

发布时间： 2016 - 06 - 22

双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台，可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下. 2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨，並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動異常警告 5. 電控系統l 控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...

枚叶式清洗机-华林科纳CSE

发布时间： 2016 - 03 - 07

枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长：单片式清洗装置的优点（与浸渍.槽式比较）1.晶片表面的微粒数非常少（到25nm可对应）例：附着粒子数…10个/W以下（0.08UM以上粒子）（参考）槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…（例）1%DHF的情况 20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size（根据每个客户可以定制）液体溅射（尘埃强制除去）（推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncas.com），现在热线咨询400-8768-096；18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

自动供酸系统（CDS）-CSE

发布时间： 2016 - 03 - 07

自动供酸系统（CDS）-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统适用对象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送，经管道至设备；具有自动化程度高，配比精确，操作简便等特点；具有良好的耐腐蚀性能。控制模式：手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统（Chemical Dispense System System）简称：CDS2. CDS 将设置于化学房内：酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房；3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材，内部管路及组件采PFA 451 HP 材质；4. 系统为采以化学原液双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点；5. 过滤器：配有10” PFA材质过滤器外壳；6. 供液泵：每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸碱类采用一般型静电容近接开关；8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能：每种化学液体配两个桶（自动切换）、配两台泵（一用一备）、带过滤器；系统控制单元：配带OMRON 8”彩色触摸屏，OMRON品牌PLC系统；2. 操作模式： CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制，操作介面以流程方式执行，兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...

单片清洗机CSE

发布时间： 2018 - 01 - 23

单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗（包括光刻板清洗）刻蚀去胶金属剥离等；可处理晶圆尺寸2'-12'；可处理晶圆材料：硅砷化镓磷化铟氮化镓碳化硅铌酸锂钽酸锂等；主要应用领域：集成电路声表面波器件微波毫米波器件 MEMS 先进封装等设备名称CSE-单片清洗机类型单片式适用领域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清洗方式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量：1L/min/片4、蚀刻均一性良好（SiO₂氧化膜被稀释HF处理）：≤2%5、干燥时间：≤20S6、药液回收率：＞95%单片式优点1、单片处理时间短（相较于槽式清洗机）2、节约成本（药液循环利用，消耗量远低于槽式）3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构，占地面积小更多的单片（枚叶）式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网，关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096，18913575037

氢氟酸HF自动供液系统-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统适用对象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送，经管道至设备；具有自动化程度高，配比精确，操作简便等特点；具有良好的耐腐蚀性能。控制模式：手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸（HF）供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统（Chemical Dispense System System）简称：CDS2. CDS 将设置于化学房内：酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房；3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材，内部管路及组件采PFA 451 HP 材质；4. 系统为采以化学原液双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点；5. 过滤器：配有10” PFA材质过滤器外壳；6. 供液泵：每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸碱类采用一般型静电容近接开关；8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能：每种化学液体配两个桶（自动切换）、配两台泵（一用一备）、带过滤器；系统控制单元：配带OMRON 8”彩色触摸屏，OMRON品牌PLC系统；2. 操作模式： CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制，操作介面以流程方式执行，兼具自动化与亲和力。在...

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半导体湿法工艺实验平台对外开放

半导体湿法工艺实验平台于2019年完成建设，实验室提供湿法工艺实验验证和核心功能模块演示服务。由于工艺实验涉及纳米尺度的工艺，对实验环境有特定的需要，因此配备了专门的隔离空间及回风过滤系统，也配备了超纯水DIW、压缩干燥空气CDA以及废气处理系统等工艺辅助设施，已能够满足用户产品及工艺的快速验证。湿法刻蚀清洗可以提供2”-12”晶圆的湿法刻蚀实验台、超声兆声清洗实验台、IPA干燥慢提拉实验机、甩干机（立式、卧式）、CDS供液系统等不同类型的设备，能够满足绝大多数用户在刻蚀、清洗、电（化学）镀、干燥的工艺验证需求。具体可进行验证工艺实验名称见下表：核心功能模块演示包括超声兆声功能、自动配液功能、循环功能、过滤功能、加热功能、制冷功能、恒温功能、抛动晃动功能等。自动配液：主要用于湿法腐蚀清洗等工序需要使用的腐蚀液集中进行配送，经管道配送至使用端；具有自动化程度高、配比精确（达到2‰）、操作简便等特点，具有耐腐蚀性，可适用于：HF、HNO3、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、H2O2、IPA等。CDS自动配液机恒温控温：采用电子冷热交换器，当设定好制程药液所需温度，由控制单元精准控制，则无需别的操作。通过外接循环水的温度，将药液温度控制精度达到±0.5℃，电子冷热器内部温度控制精度达到±0.1℃，保证多批次清洗、刻蚀效果一致。电子冷热交换器工作原理...

发布时间: 2019 - 07 - 09

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华林科纳CSE-CHEC-VI电子冷热器

在半导体湿制程、生物制药、冶金化工等诸多行业，制程工艺往往需要药液的高精确控温，若采用传统的加热与外水冷却的方式来实现控温，药液温度精度误差大、控温速率低、防腐性能低等等。而华林科纳半导体型电子冷热器正好弥补以上缺陷。　　传热的三种基本方式是：热传导、对流和辐射。华林科纳半导体型电子冷热器的传热方式是属于热传导，热量从物体内温度较高的部分传递到温度较低的部分或者传递到与之接触的温度较低的另一物体的过程称为热传导。通过冷热交替从而实现热液-冷液间温度的传递，最终达到用户需要的温度（冷热都可以实现）。　　然而，在上述提及的行业中，很多控温的药液往往带有腐蚀性，制程工艺要达到100℃以上高温，这就需要冷热交换器用不同的材质来适应不同的材质。作为湿制程设备专业制造商，经过多年研发及更新换代，华林科纳公司研发的新型CSE-CHEC-VI电子冷热器能够实现各行业95%以上的不同湿制程要求下的精确控温。　　冷热交换取热器，包括冷热交换单元与控制系统两个部分。冷热交换单元根据药液的不同特性，可采用PVDF、PTFE、不锈钢等不同材质制造。冷热交换单元内置半导体冷热交换片、超温保护单元、漏液保护单元、药液防腐隔离单元等等。工艺槽的药液经过防腐泵、过滤器后、半导体冷热控制单元形成一个闭环控制。根据槽体内的温度传感器采集，PID数字闭环调节，重新注入处理槽内。由此，经过不断循环交换冷热，将药液温度实时控...

发布时间: 2019 - 07 - 01

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半导体常见干燥方式应用对比

在材料加工科学的不断推动下，半导体器件和集成电路制作工艺取得了长足进步，发生了巨大变化，但是其中的湿法清洗工艺作为最为有效的半导体晶片洗净技术，一直未能被取代。随着晶片表面洁净要求的不断提高，清洗工艺的焦点已逐步由清洗液、兆声波等转移到晶片干燥上。干燥作为湿法清洗的最后一个步骤，最终决定了晶片的表面质量，是清洗工艺的核心所在。　　在各种晶片的干燥中，尤以衬底抛光片的干燥最为困难，它不仅要求表面达到脱水效果，还要避免在表面留下任何水痕缺陷或颗粒。为达到这种要求，以设备为依托的各类干燥技术发展迅速。　　1.1离心甩干技术　　离心甩干是通过外力使晶片短时间内达到高速旋转的状态，晶片表面的水受到离心力作用而从表面消失的干燥技术。这种干燥方式由于简单可靠，在晶片清洗领域得到了广泛应用。根据晶片运动方式的不同，离心甩干又分为立式离心甩干和水平式离心甩干（见图 1 和图 2），虽然二者的脱水原理相似，但是由于运动方式的不同，在工艺上有很大的差异。为保证晶片的洁净，一般在干燥步骤之前，会增加一步药液、去离子水旋转喷淋过程，对表面进行二次洁净。为保证干燥效果，甩干过程中将引入热氮气，对晶片进行吹拂。　　影响甩干效果的因素有很多，如转速的设置，氮气的流量，排气通路的设计、腔体的密闭性和旋转产生的共振等。　　离心甩干的优点是技术成熟稳定，干燥后的表面均一性好，不易产生水印；缺点是仅适合半导体前道的裸片...

发布时间: 2019 - 06 - 28

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IPA清洗工艺

目前在半导体工业生产中，普遍采用RCA清洗技术清洗抛光硅片，今天我们介绍一种溶浸式湿法化学清洗，串联的SC1和兆声去除颗粒，含O3的去离子水工艺形成均匀硅氧化膜，最后用IPA干燥。IPA干燥是利用IPA的低表面张力和易挥发的特性，取代硅片表面的具有较高表面张力的水分，然后用热N2吹干，达到彻底干燥硅片水膜的目的。此种干燥工艺比传统的离心式甩干法、真空干燥法、单纯热N2干燥法在降低金属和颗粒站务的引入及干燥速度方面有较大的有事。但此工艺在有片盒干燥的过程中易产生边缘目检缺陷的缺点。针对这点，我们在生产中总结了一下经验，并通过控制将此缺陷降到可控范围内。1、硅片进入IPA干燥腔后，通过片盒支架的特殊设计，使抛光面自动与片盒脱离接触。这样IPA蒸气可充分分布到抛光面表面，有利于均匀的干燥。2、PFA片盒作为硅片的载体，由于材料微观多孔的特性，经过反复烘干，孔被放大，加上长时间的化学溶浸，少量化学物质吸附在PFA的孔内，烘干后易在硅片上行程边缘缺陷，因此定期处理PFA片盒是很必要的。作为湿制程设备专业制造商，南通华林科纳半导体设备有限公司对IPA干燥系统有丰富的生产经验和产线使用验证，为硅片的清洗、干燥提供有效的保障。更多清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网，关注http://www.hlkncse.com ,18913575037

发布时间: 2019 - 06 - 26

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光学加工中IPA系统的应用

在光学冷加工中，超声波清洗是如何实现洗净目的的呢？一般来说，清洗工艺主要以干燥的方式命名，如 IPA 工艺，是指利用 IPA（异丙醇）蒸汽进行脱水干燥的清洗工艺，纯水工艺是指利用热纯水慢提拉或冷纯水甩干的方式进行干燥的清洗工艺。当然，还有其他的命名方式。经过不断的变化、发展，光学冷加工中的清洗工艺主要以 IPA 工艺和纯水工艺为主。　　IPA干燥　　IPA 工艺包括四个流程：洗涤、漂洗、脱水、干燥。　　　　因为洗涤过程分溶剂清洗和水基清洗，所以有不同的工艺：有先进行溶剂清洗、溶剂蒸汽干燥再进行水基清洗；也有先进行溶剂清洗，再用乳化剂溶解溶剂，再进行水基清洗的。显然，后者在流程上更流畅、紧凑，对设备要求也简单。经过洗涤后的镜片表面不会有结合牢固的污垢，仅可能有一些清洗剂和松散污垢的混合物。　　　　我们知道，无机光学玻璃是一种过冷的熔融态物质，没有固定的分子结构，它的结构式可描述为二氧化硅和某些金属氧化物形成的网状结构。其骨架结构为键能很大的硅氧共价键，外围是键能小、易断裂的氧与金属离子形成的离子键。在洗涤时，由于超声场和化学洗剂的共同作用，某些硅氧键含量少或者外围键能特别小的的材料易于在清洗过程中发生变化而导致洗涤效果不良。所以，选择性能温和的洗剂、合适的洗剂浓度、温度、超声功率、洗涤时间对保证镜片的清洗质量十分重要。　　　　利用流水将洗涤后镜片表面的洗剂和污物溶解、排除的过程称为漂...

发布时间: 2019 - 06 - 11

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异质结高效电池（HJT、HIT）产业化现状

根据研究数据显示，在大规模量产方面，首屈一指的当然是日本三洋，现有产能1GW，量产效率达23%。除此之外，具有较成熟HIT技术的还有Keneka、Sunpreme、Solarcity、福建均石、晋能、新奥、汉能等企业。图表：国内外HIT太阳能电池产业化情况（单位：%，MW）目前HIT产品的量产难点主要包括以下几方面：（1）高质量硅片：相较常规N型产品，HIT电池对硅片质量有更高的要求，需要谨慎选择硅片供应商。（2）制绒后硅片表面洁净度的控制：HIT电池对硅片表面洁净度要求非常高，需要平衡硅片清洗洁净程度和相关化学品以及水的消耗。（3）各工序Q-time控制：HIT电池在完成非晶硅镀膜之前，对硅片暴露在空气中的时间以及环境要求比较严苛，需要注意各工序Q-time的控制。（4）生产连续性对于TCO镀膜设备的影响：TCO镀膜必须保证连续投料，否则良率和设备状况都会受到影响，尤其在产线刚投产时，保持生产连续性是一大挑战。（5）高粘度浆料的连续印刷稳定性：在HIT电池制备过程中，浆料粘度大导致的虚印断栅现象较多，需要数倍于常规产线的关注。（6）焊带拉力的稳定性：拉力稳定的窗口窄，双玻双面发电的组件结构进...

发布时间: 2019 - 05 - 05

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异质结高效电池（HJT、HIT）优势和特点

HIT电池具有发电量高、度电成本低的优势，具体特点如下：（1）低温工艺HIT电池结合了薄膜太阳能电池低温（900℃）扩散工艺来获得p-n结。这种技术不仅节约了能源，而且低温环境使得a_Si：H基薄膜掺杂、禁带宽度和厚度等可以较精确控制，工艺上也易于优化器件特性；低温沉积过程中，单品硅片弯曲变形小，因而其厚度可采用本底光吸收材料所要求的最低值（约80μm）；同时低温过程消除了硅衬底在高温处理中的性能退化，从而允许采用“低品质”的晶体硅甚至多晶硅来作衬底。高温环境下发电量高，在一天的中午时分，HIT电池的发电量比一般晶体硅太阳电池高出8-10%，双玻HIT组件的发电量高出20%以上，具有更高的用户附加值。（2）双面电池HIT是非常好的双面电池，正面和背面基本无颜色差异，且双面率（指电池背面效率与正面效率之比）可达到90%以上，最高可达96%，背面发电的优势明显。（3）高效率HIT电池独有的带本征薄层的异质结结构，在p-n结成结的同时完成了单晶硅的表面钝化，大大降低了表面、界面漏电流，提高了电池效率。目前HIT电池的实验室效率已达到23%，市售200W组件的电池效率达到19.5%。（4）高稳定性HIT电池的光照稳定性好，理论研究表明非品硅薄膜/晶态硅异质结中的非晶硅薄膜没有发现Staebler-Wronski效应，从而不会出现类似非晶硅太阳能电池转换效率因光照而衰退的现象；H...

发布时间: 2019 - 05 - 05

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异质结高效电池（HJT、HIT）工艺流程

2、HIT电池工艺流程HIT电池的一大优势在于工艺步骤相对简单，总共分为四个步骤：制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备。图表2：HIT太阳能电池工艺流程制备的核心工艺是非晶硅薄膜的沉积，其对工艺清洁度要求极高，量产过程中可靠性和可重复性是一大挑战，目前通常用PECVD法制备。 HIT电池的制备工艺步骤简单，且工艺温度低，可避免高温工艺对硅片的损伤，并有效降低排放，但是工艺难度大，且产线与传统电池不兼容，设备资产投资较大。

发布时间: 2019 - 05 - 05

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新型实验室自动配液机完美解决人工配液难题

在许多大学、研究所，研究员在实验室做实验时，往往需要配比很多不同类型的溶液。这些溶液有酸碱液、有机液，人工配液时接触，不仅存在安全隐患，还经常存在配液比例不准确，效率低下的问题。同时，由于人工反复不断的配比，人在疲倦的时候容易出错，还易造成药液的浪费。　　华林科纳公司设计的CSE-LIQOUR-II自动配液机，专为解决以上问题而研发，可以适用于各类化学生物制药工艺实验室，是用来满足药液自动配比的设备，通过称重、流量计准确计量、气压输送或注塞抽取等方式将药液按照比例输送，配液精确度能够达到2‰。　　该配液机由配液控制单元与配液称量单元两部分组成。配液控制单元由显示操作区域、外接原液桶装置与计算控比装置组成，通过操作区域输入化学药液的浓度、配比比例与需要的药液量，经过计算控比装置的精确计算，将几种药液进行混合配比，从而实现药液的精确配比。同时，配有精确的配液称量单元，最高配液分辨率可达到0.01g。除了可以用量杯进行大规格的调制之外，还可以配备标准试管支架，以用来固定试管，进行精确地试管配比。　　该配液机能够达到高精准、高效率的配液，并具有抗腐蚀性、毒性、耐压、防燃防爆等功能，保证操作者安全；通过计算控比单元与机台界面自动化，实现自动控制操作的运转；接触部分与绝大多数化学品（如硫酸H2SO4、硝酸HNO3、磷酸H3PO4、盐酸HCL、氢氟酸HF、缓冲氧化物刻蚀液BOE等酸性溶液；氨水N...

发布时间: 2019 - 06 - 28

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异质结高效电池结构和原理

1、HIT电池结构和原理HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin-layer的缩写，意为本征薄膜异质结，因HIT已被日本三洋公司申请为注册商标，所以又被称为HJT或SHJ（Silicon Heterojunction solar cell）。该类型太阳能电池最早由日本三洋公司于1990年成功开发，当时转换效率可达到14.5%（4mm2的电池），后来在三洋公司的不断改进下，三洋HIT电池的转换效率于2015年已达到25.6%。2015年三洋的HIT专利保护结束，技术壁垒消除，是我国大力发展和推广HIT技术的大好时机。下图是HIT太阳能电池的基本构造，其特征是以光照射侧的p-i型a-Si：H膜（膜厚5-l0nm）和背面侧的i-n型a-Si：H膜（膜厚5-l0nm）夹住晶体硅片，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，构成具有对称结构的HIT太阳能电池。图表：HIT太阳能电池结构示意图在电池正表面，由于能带弯曲，阻挡了电子向正面的移动，空穴则由于本征层很薄而可以隧穿后通过高掺杂的p+型非晶硅，构成空穴传输层。同样，在背表面，由于能带弯曲阻挡了空穴向背面的移动，而电子可以隧穿后通过高掺杂的n+型非晶硅，构成电子传输层。通过在电池正反两面沉积选择性传输层，使得光生载流子只能在吸收材料中产生富集然后从电池的一个表面流出，从而实现两者的分离...

发布时间: 2019 - 05 - 05

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