新闻信息中心 - 单片刻蚀清洗设备 - 刻蚀腐蚀设备 - 南通华林科纳半导体设备有限公司

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外延片清洗机-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

在LED外延及芯片制造领域，湿法设备占据约40%以上的工艺，随着工艺技术的不断发展，湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备，如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺，现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封，具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制，功能强大，操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ；18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncse.com），现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。

旋转式喷镀台-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点，在6＂（150mm）晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成，一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、Ｎ２保护单元组成的阴极回转体，二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下：从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出，采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中，阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决，从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式，可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射，实现搅拌功能，消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构，镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行，可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证，镀液入口采用扇形喷咀式结构，可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理，由于结构上的特点，该方法经实验验证具有：①结构简单；②工艺参数控制容易；③有利气泡的消除；④镀制均匀性得到提高；⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺，同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统，目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用，产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标：最大晶...

双腔甩干机

发布时间： 2016 - 06 - 22

双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台，可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下. 2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨，並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動異常警告 5. 電控系統l 控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...

枚叶式清洗机-华林科纳CSE

发布时间： 2016 - 03 - 07

枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长：单片式清洗装置的优点（与浸渍.槽式比较）1.晶片表面的微粒数非常少（到25nm可对应）例：附着粒子数…10个/W以下（0.08UM以上粒子）（参考）槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…（例）1%DHF的情况 20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size（根据每个客户可以定制）液体溅射（尘埃强制除去）（推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncas.com），现在热线咨询400-8768-096；18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

自动供酸系统（CDS）-CSE

发布时间： 2016 - 03 - 07

自动供酸系统（CDS）-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统适用对象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送，经管道至设备；具有自动化程度高，配比精确，操作简便等特点；具有良好的耐腐蚀性能。控制模式：手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统（Chemical Dispense System System）简称：CDS2. CDS 将设置于化学房内：酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房；3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材，内部管路及组件采PFA 451 HP 材质；4. 系统为采以化学原液双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点；5. 过滤器：配有10” PFA材质过滤器外壳；6. 供液泵：每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸碱类采用一般型静电容近接开关；8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能：每种化学液体配两个桶（自动切换）、配两台泵（一用一备）、带过滤器；系统控制单元：配带OMRON 8”彩色触摸屏，OMRON品牌PLC系统；2. 操作模式： CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制，操作介面以流程方式执行，兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...

单片清洗机CSE

发布时间： 2018 - 01 - 23

单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗（包括光刻板清洗）刻蚀去胶金属剥离等；可处理晶圆尺寸2'-12'；可处理晶圆材料：硅砷化镓磷化铟氮化镓碳化硅铌酸锂钽酸锂等；主要应用领域：集成电路声表面波器件微波毫米波器件 MEMS 先进封装等设备名称CSE-单片清洗机类型单片式适用领域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清洗方式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量：1L/min/片4、蚀刻均一性良好（SiO₂氧化膜被稀释HF处理）：≤2%5、干燥时间：≤20S6、药液回收率：＞95%单片式优点1、单片处理时间短（相较于槽式清洗机）2、节约成本（药液循环利用，消耗量远低于槽式）3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构，占地面积小更多的单片（枚叶）式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网，关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096，18913575037

氢氟酸HF自动供液系统-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统适用对象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送，经管道至设备；具有自动化程度高，配比精确，操作简便等特点；具有良好的耐腐蚀性能。控制模式：手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸（HF）供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统（Chemical Dispense System System）简称：CDS2. CDS 将设置于化学房内：酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房；3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材，内部管路及组件采PFA 451 HP 材质；4. 系统为采以化学原液双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点；5. 过滤器：配有10” PFA材质过滤器外壳；6. 供液泵：每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸碱类采用一般型静电容近接开关；8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能：每种化学液体配两个桶（自动切换）、配两台泵（一用一备）、带过滤器；系统控制单元：配带OMRON 8”彩色触摸屏，OMRON品牌PLC系统；2. 操作模式： CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制，操作介面以流程方式执行，兼具自动化与亲和力。在...

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450mm湿法清洁挑战

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料随着技术复杂性在亚20nm节点上的加速，半导体制造成本已经快速增加，晶圆尺寸从300毫米过渡到450毫米将是解决这一问题的方法之一，平均而言，采用300毫米晶圆的成本比之前的200毫米晶圆降低了30%，300毫米设备的开发只是简单地缩放200毫米工具，这不足以实现450毫米的成功，工艺技术、衬底处理/运输和工艺灵活性方面的创新是必要的，主要挑战如下:先进技术节点的清洁度、图案塌陷和损坏、湿法蚀刻均匀性、降低拥有成本、通过单晶片工具回收晶片、Si3N4选择性蚀刻。对先进技术节点的清洁性：根据国际半导体技术路线图(ITRS ),可以肯定的是，半导体制造的未来将继续面临表面准备和关键清洗步骤的重大挑战，例如对颗粒和金属污染的严格要求等，从硬件的角度来看，它可以从三个方面来解决，即室气氛、流体的质量控制以及部件清洁和老化，如表1所示，采用新的室气氛控制设计理念，即使不考虑更大的晶片表面面积(x2.25)，450毫米alpha工具的颗粒性能也与300毫米生产工具相当或略好。模式崩溃和损坏：随着尺寸和间距的缩小，在湿法清洗步骤中图案坍塌和损坏的风险增加，使用20纳米以下的FinFET使其更加脆弱，300毫米工具的可行解决方案，例如IPA干燥、低表面张力流体和先进的分配方法，将全部转移到450毫米工具，450毫米湿法清洗工具需要创新的解决方案，目标...

发布时间: 2022 - 05 - 14

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蚀刻性能：需要考虑的 9 个因素

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料通常在蚀刻过程之后通过将总厚度变化除以蚀刻时间或者通过对不同的蚀刻时间进行几次厚度测量并使用斜率的“最佳拟合”来测量，当怀疑蚀刻速率可能不随时间呈线性或蚀刻开始可能有延迟时，这样做有时可以实时测量蚀刻速率。蚀刻速度应与应用相称，需要非常浅的蚀刻的应用应该具有相对低的蚀刻速率以保持控制，相反对于具有非常深的特征的应用，实际上蚀刻速率更快以避免冗长的处理时间。重要的是要认识到其他参数会影响蚀刻速率，例如开口面积的大小或结构的纵横比(特征宽度/特征深度)，当调整蚀刻速率时，在均匀性、轮廓或选择性之间也可能存在折衷，纵横比也影响蚀刻速率，因为纵横比越大，蚀刻速率越慢。蚀刻中的均匀性是对特定参数下整个晶片一致性的度量，通常，均匀性是指蚀刻速率，但它也可以指其他蚀刻后特征，如选择性和轮廓，由于数据是测量值的集合，因此通常使用统计数据，通过标准偏差来确定数据的分布，通常将一致性称为一个、两个或三个西格玛，另一种方法是使用公式((最大值-最小值)/2 x平均值)，必须记住识别由于箝位或其他边缘效应而应排除度量的区域。轮廓是指已经被蚀刻的特征的轮廓或斜率，有些应用需要垂直剖面，有些应用需要倾斜剖面，当开发一个规范时，概要文件经常被作为要考虑的参数之一，轮廓控制是材料、工艺和掩模的函数。选择性是两个蚀刻速率之间的比率，通常是被蚀刻的材料和掩模之间的比率，通常，选择性...

发布时间: 2022 - 05 - 13

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采用不同蚀刻方法的GaN薄膜

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料本文采用混合酸溶液(H3PO4 : H2SO4 = 1 : 3)和熔融KOH作为湿法腐蚀介质，盐酸作为阳极腐蚀介质，用扫描电镜和透射电镜分别观察了蚀坑和T-Ds。图1显示了在熔融KOH中蚀刻的GaN膜的平面SEM图像。如图1中清楚示出的，蚀刻坑都具有相似的对比度，并且都是发育良好的六边形，具有平边缘和尺寸从0.2pm到1 μm的不同尺寸的面，这意味着蚀坑的来源是相同的，最大坑B都是孤立的中等坑和的0，下午7点和1点，可以清楚地看到过蚀刻区域中的不同凹坑，这说明蚀坑不是均匀分布的，蚀坑密度是可靠的，图1( b)显示了放大倍数更高的更清晰的SEM显微照片，通过图1(a ), EPD可以估计为4 X 107/cnr，图2显示了在混合酸溶液中蚀刻的GaN膜的平面图SEM图像，蚀坑也不是均匀分布的，它们的尺寸从0，下午1点到0点，5pm具有不同的对比度，从图2估计的EPD约为5X 108/cm-1，比图1中的EPD大一个数量级，这表明图2中的蚀坑来源比图1中的多。用化学腐蚀方法，如硝酸溶液(H3PO4 : HzSOq 1 : 3)和熔融KOH，盐酸蒸气腐蚀法，扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)研究了GaN薄膜中的腐蚀坑和穿透位错，HCl气相刻蚀和湿法刻蚀GaN薄膜同一位置的SEM图像显示出明显不同的腐蚀坑密度和形状，结果表明，盐酸气相刻蚀可...

发布时间: 2022 - 05 - 10

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使用全湿法去除 Cu BEOL 中的光刻胶和 BARC

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料这项研究首先集中于去除直接沉积在硅衬底上的193纳米厚的光刻胶和BARC层，使用FTIR和椭圆偏振光谱(SE)来评估去除效率，在第二部分中，研究了金属硬掩模/多孔低k镶嵌结构上蚀刻后光刻胶和BARC层的去除，扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)用于评估清洗效率，使用平面电容器结构确定暴露于等离子体和湿化学对低k膜的介电常数的影响。图1显示了在50°c下使用溶剂基湿法去除后PR/BARC膜的FTIR光谱，原始PR的特征在于分别归因于PR分子侧基中内酯和酯官能团的约1795 cm-1和约1730 cm-1处的两个吸收峰(数据未显示)，对于所研究的所有实验条件，即使清洗时间很短，PR的吸收峰也完全消失，表明PR层被去除，BARC层更难去除。例如，在30-60秒的短清洗时间内，BARC中酯功能的特征吸收带(~ 1725 cm-1和1690 cm-1)仍然存在，更长的清洗时间导致BARC层的完全去除，如这些吸收带的完全消失所证明的。图2显示了对于图案化结构获得的C/Ti原子比的变化，使用实验部分中描述的等离子体序列蚀刻BARC和TiN硬掩模层导致在PR外壳中形成含氟和含钛物质，氟和无机物质的引入使得PR的去除更具挑战性，因为这些物质会导致外壳溶解度显著降低，使用XPS评估图案化结构的去除效率，图2示出了通过XPS测量多孔低介电常数...

发布时间: 2022 - 04 - 29

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22nm互连的光刻蚀刻后残留去除的挑战和新方法

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料本文描述了去除金属硬掩模蚀刻后光致抗蚀剂去除和低k蚀刻后残留物去除的关键挑战并概述了一些新的非等离子体为基础的方法。随着图案尺寸的不断减小，金属硬掩模(MHM)蚀刻后留下的光刻抗蚀剂更难去除，因为没有或只有很小部分的光刻抗蚀剂(PR)没有交联的，采用MHM模式，干燥的PR带通常会导致低k材料的顶角的第一类等离子体损伤，延伸到MHM层的边缘下方，这个受损的区域在随后的清洗中很容易受到攻击，从而产生具有非平面顶部表面的介电线，这反过来又会导致严重的线间电容和隔离问题，因此探索了替代的非等离子体途径来去除MHM上的PR。通过UV预处理和浸泡在溶解的溶剂中，从MHM中获得了良好的PR去除效果，如下图所示，这一过程去除了整个等离子体修饰的PR和有机BARC层，紫外处理是在222纳米准分子灯在25mW/cm2的真空下进行的，没有有意加热，臭氧是通过以2标准l/分钟总流量的氧气流到臭氧发生器获得的，其出口的臭氧浓度为20w-ppm，这种臭氧和氧气混合物通过溶剂容器底部的扩散器起泡，同时还证明，这三个方面都是必要的：紫外线预处理臭氧和溶剂，通过选择性地消除每一个单独。首先使用汞探针进行的测量表明，由于单独对部分蚀刻的低k材料进行紫外处理，导致的k值增加小于0.1，这个过程被认为是这样工作的，紫外处理导致PR外壳中C=C结合浓度增加，由FTIR分析解释，这些C=C...

发布时间: 2022 - 04 - 28

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气相二氧化硅蚀刻和金属污染物去除

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言本文在高真空组合工具中研究了气相预栅极氧化物表面制备：用无水氟化氢蒸汽和甲醇蒸汽蚀刻二氧化硅并通过改变晶片温度、室压和气体流速，这样就可以很好地控制氧化物蚀刻速率。本实验已经实现了氧化物蚀刻速率的5%的标准误差。在60/分钟的氧化物蚀刻速率下，每125毫米晶片产生的颗粒少于10个。原子力显微镜测量显示没有增加硅表面的微观粗糙度，这归因于蒸气氟化氢(HF)蚀刻。介绍现代集成电路(IC)制造中最重要的工艺之一是预栅氧化晶片表面制备。事实表明，金属氧化物半导体(MOS)器件的性能取决于栅极氧化物生长之前的清洁工艺。然而，在传统制造工艺中，每次工艺完成后，晶圆会在洁净室中从一个工具转移到另一个工具，因此会面临再次污染的风险。对于一些关键的工艺顺序，例如栅极氧化物生长，应该在晶片清洗后立即生长氧化物，以减少氧化物缺陷并获得高的器件成品率。为了实现无污染制造，集群是选项之一。组合工具允许单晶片处理，在此期间，晶片在真空下在处理模块之间转移，并且降低了再污染的风险。配备原位诊断，可以更好地控制过程稳定性。随着晶片尺寸越来越大，单晶片加工变得越来越有吸引力。与真空兼容的气相清洁工艺目前正受到越来越多的关注。在气相过程中，氧化物和其他表面污染物可能会通过活性气体和表面层/污染物之间的反应而被去除。气相处理也具有清洁较小特征的潜力，因为湿法处理受到溶...

发布时间: 2022 - 04 - 27

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亚微米沟槽冲洗和清洁

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言表面和亚微米深沟槽的清洗在半导体制造中是一个巨大的挑战。在这项工作中，使用物理数值模拟研究了使用脉动流清洗毯式和图案化晶片。毯式晶片清洗工艺的初步结果与文献中的数值和实验结果吻合良好。毯式和图案化晶片的初步结果表明，振荡流清洗比稳定流清洗更有效，并且振荡流的最佳频率是沟槽尺寸的函数。介绍微污染是大多数大规模生产的超大规模集成电路的产量损失[1]。传统上，晶片清洗工作专注于毯式晶圆。然而，化学和微粒污染自然发生在图案化的晶片也是如此。例如，离子注入、反应离子蚀刻(RIE)、湿法化学清洗所有留下的金属和/或化学物质图案化晶片表面上的污染物。跟随许多BEOL过程、污染物或化学品可以留在战壕里。因此，有一个迫切需要开发有效的清洁技术并用亚微米尺寸沟槽冲洗晶片表面。盖尔和布斯纳娜研究了兆频超声波清洗和用于毯式晶片的清洗工艺提供了一些早期的建模结果。尽管兆频超声波清洗目前被用于图案化晶片清洗的机理用于图案化晶片的兆频超声波清洗工艺不是很好理解。本文基于毯式晶片的实验和数值研究清洗，去除亚微米级的污染物使用兆频超声波清洗的沟槽使用物理建模。利用控制动量和质量守恒方程的有限差分解，模拟了湿清洗几何结构中的流体流动和污染物输运。对流动通过一系列空腔的模拟进行了验证，与帕金斯的数值和实验结果非常吻合。结果和讨论毯式晶圆清洗最初，模拟了兆频...

发布时间: 2022 - 04 - 26

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基板旋转冲洗过程中小结构的表面清洗

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言小结构的清洗和冲洗是微电子和纳米电子制造中的重要过程。最新技术使用“单晶片旋转清洗”，将超纯水(UPW)引入到安装在旋转支架上的晶片上。这是一个复杂的过程，其降低水和能源使用的优化需要更好地理解过程的基本原理。本文提出了一个数学模型，它使用了基本的物理机制并提供了一个综合的过程模拟器。该模型包括流体流动，静电效应，以及整体和表面的相互作用。该模拟器被应用于研究具有铪基高k微米和纳米结构的图案化晶片的清洗动力学的特定情况。研究了关键清洗工艺参数的影响，例如水流速度、晶片旋转速度、水温、晶片尺寸和晶片中的沟槽位置。在表面处理过程的设计和控制中成功地结合这种冲洗模拟器将消除对更昂贵和更费时的外部分析技术的依赖。半导体和其它纳米尺寸器件制造顺序中的一个关键步骤是在衬底(例如硅或介电层)被图案化和蚀刻后清洁小结构。图案化晶片的清洗和冲洗是继许多其它制造步骤之后最常用的工艺。在整个制造过程中，它也是最大的用水单位，半导体制造厂的用水量超过60%[2]。所有现代工厂现在都使用旋转清洗和冲洗设备，其中超纯水(UPW)被引入到安装在旋转支架上的晶片上。多个过程，如解吸和再吸附、扩散、迁移和对流，都是这个冲洗过程及其潜在瓶颈的因素。这些过程中的任何一个都可能成为漂洗过程的限速步骤或瓶颈。对图案化晶片的旋转清洗的基本原理知之甚少。确保漂洗过程中的最佳资源利用和周期...

发布时间: 2022 - 04 - 25

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化学镀NiP-Pd沉积过程中铜和镍的腐蚀

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料介绍对于集成电路(IC)芯片，焊盘金属化是在晶片被切割和芯片被封装之前的制造过程中的最后一步。自集成电路工业开始以来，铝(Al)一直是使用最广泛的互连金属。然而，在过去十年中，它已被新一代IC的铜(Cu)互连所取代。与铝不同，铜易受环境退化的影响，并且由于可靠性问题而不能用于金(Au)引线键合。因此，对于Cu互连技术，IC制造商要么用Al覆盖Cu，要么用Al 成最后的互连层。本文介绍了使用化学镀镍-磷/钯(NiP-Pd)来覆盖铜焊盘，而不是用铝来覆盖它。使用无电工艺覆盖铜键合焊盘比其他替代方案便宜得多，因为无电薄膜可以选择性地沉积在键合焊盘上。这消除了许多步骤，包括光图案化、蚀刻和清洗。在铜垫上化学镀镍的工作非常有限。然而，近年来，无电NiP/无电Pd (ENEP)、无电NiP/无电镀金(ENIG)或无电NiP/无电Pd/浸金被广泛研究和使用，用于覆盖引线键合应用的Al焊盘以及倒装芯片应用的凸点下冶金。铜覆盖的无电镀工艺提出了许多独特的挑战。无电镀工艺中的所有子步骤都必须优化，因为每个步骤都可能导致严重的缺陷问题，如腐蚀、表面污染、桥接、台阶沉积、漏镀、结节和毯式电镀(图1)。腐蚀是焊盘可靠性最关键的问题之一，也是本文的重点。图 1在无电处理过程中发生的两种类型的腐蚀机制已经被确定:腐蚀Cu衬底；和化学镀镍的腐蚀。在这两种情况下，腐蚀副...

发布时间: 2022 - 04 - 24

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刻蚀后残留物的去除方法

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言化合物半导体处理通常使用高密度等离子体蚀刻来建立通孔金属接触，该通孔金属接触通常在诸如金(Au)的惰性金属上停止。蚀刻工艺可以从正面或背面穿过衬底和/或有机电介质，例如聚酰亚胺或双苯并环丁烯(BCB)。蚀刻工艺的固有副产物是形成蚀刻后残留物，该残留物包含来自等离子体离子、抗蚀剂图案、蚀刻区域的物质混合物，以及最后来自浸渍和涂覆残留物的蚀刻停止层(Au)的材料。普通剥离剂对浸金的蚀刻后残留物无效，需要在去除残留物之前对金属进行单独的KI浸出。本文描述了一种使用普通fab制造工具在单一工艺中同时去除蚀刻后残留物的简单快速的技术。介绍小通孔技术的发展满足了许多器件对热传导和接触的需求。其中包括用于军事和卫星通信的30-75微米功率GaAs MMIC，以及用于低成本MESFET的高功率、高频GaAs pa，用于手机和VSAT应用的HBT和pHEMT。[3]虽然这些过孔中的大多数都是“钻”穿晶圆衬底，但它们也存在于电介质中，如BCB [4]或聚酰亚胺[5]，器件性能处于较低频段，因此可以使用非晶材料，而不会产生谐振频率效应。此外，将正面电介质层与背面镀金相结合增加了衬底强度，这有利于减薄为了有效的蚀刻速率和可接受的各向异性控制，可以通过使用包含Ar和BCl3/Cl2的气体混合物的反应离子蚀刻(RIE)或电感耦合等离子体(ICP ),在GaA...

发布时间: 2022 - 04 - 23

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