清洗与洁净技术 - 华林科纳（江苏）半导体设备有限公司

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外延片清洗机-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

在LED外延及芯片制造领域，湿法设备占据约40%以上的工艺，随着工艺技术的不断发展，湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备，如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳（江苏）CSE深入研究LED生产工艺，现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备设备名称华林科纳（江苏）CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封，具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制，功能强大，操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳（江苏）半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ；18915583058更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncse.com），现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。

旋转式喷镀台-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点，在6＂（150mm）晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成，一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、Ｎ２保护单元组成的阴极回转体，二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下：从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出，采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中，阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决，从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式，可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射，实现搅拌功能，消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构，镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行，可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证，镀液入口采用扇形喷咀式结构，可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。华林科纳（江苏）CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理，由于结构上的特点，该方法经实验验证具有：①结构简单；②工艺参数控制容易；③有利气泡的消除；④镀制均匀性得到提高；⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺，同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统，目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用，产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标：最...

双腔甩干机

发布时间： 2016 - 06 - 22

双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台，可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下. 2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨，並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動異常警告 5. 電控系統l 控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...

枚叶式清洗机-华林科纳CSE

发布时间： 2016 - 03 - 07

枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳（江苏）半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长：单片式清洗装置的优点（与浸渍.槽式比较）1.晶片表面的微粒数非常少（到25nm可对应）例：附着粒子数…10个/W以下（0.08UM以上粒子）（参考）槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…（例）1%DHF的情况 20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size（根据每个客户可以定制）液体溅射（尘埃强制除去）（推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncas.com），现在热线咨询400-8768-096；18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

自动供酸系统（CDS）-CSE

发布时间： 2016 - 03 - 07

自动供酸系统（CDS）-华林科纳（江苏）CSEChemical Dispense System System 华林科纳（江苏）半导体CSE-CDS自动供酸系统适用对象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送，经管道至设备；具有自动化程度高，配比精确，操作简便等特点；具有良好的耐腐蚀性能。控制模式：手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳（江苏）CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统（Chemical Dispense System System）简称：CDS2. CDS 将设置于化学房内：酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房；3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材，内部管路及组件采PFA 451 HP 材质；4. 系统为采以化学原液双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点；5. 过滤器：配有10” PFA材质过滤器外壳；6. 供液泵：每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸碱类采用一般型静电容近接开关；8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能：每种化学液体配两个桶（自动切换）、配两台泵（一用一备）、带过滤器；系统控制单元：配带OMRON 8”彩色触摸屏，OMRON品牌PLC系统；2. 操作模式： CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制，操作介面以流程方式执行，兼具自动化与亲和力。在...

单片清洗机CSE

发布时间： 2018 - 01 - 23

单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳（江苏）CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗（包括光刻板清洗）刻蚀去胶金属剥离等；可处理晶圆尺寸2'-12'；可处理晶圆材料：硅砷化镓磷化铟氮化镓碳化硅铌酸锂钽酸锂等；主要应用领域：集成电路声表面波器件微波毫米波器件 MEMS 先进封装等设备名称CSE-单片清洗机类型单片式适用领域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清洗方式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量：1L/min/片4、蚀刻均一性良好（SiO₂氧化膜被稀释HF处理）：≤2%5、干燥时间：≤20S6、药液回收率：＞95%单片式优点1、单片处理时间短（相较于槽式清洗机）2、节约成本（药液循环利用，消耗量远低于槽式）3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构，占地面积小更多的单片（枚叶）式清洗相关设备可以关注华林科纳（江苏）半导体官网，关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096，18913575037

氢氟酸HF自动供液系统-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳（江苏）CSEChemical Dispense System System 华林科纳（江苏）半导体CSE-氢氟酸供液系统适用对象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送，经管道至设备；具有自动化程度高，配比精确，操作简便等特点；具有良好的耐腐蚀性能。控制模式：手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳（江苏）CSE-氢氟酸（HF）供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统（Chemical Dispense System System）简称：CDS2. CDS 将设置于化学房内：酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房；3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材，内部管路及组件采PFA 451 HP 材质；4. 系统为采以化学原液双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点；5. 过滤器：配有10” PFA材质过滤器外壳；6. 供液泵：每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸碱类采用一般型静电容近接开关；8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能：每种化学液体配两个桶（自动切换）、配两台泵（一用一备）、带过滤器；系统控制单元：配带OMRON 8”彩色触摸屏，OMRON品牌PLC系统；2. 操作模式： CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制，操作介面以流程方式执行，兼具自动化...

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钛种植体阳极氧化的分析--华林科纳CSE

纯钛及钛合金的表面改性一直是研究的热点。钛表面阳极氧化技术因其操作简单、临床效果显著，成为钛表面改性的常用方法之一。目前研究多集中于通过钛表面阳极氧化以提高种植体-骨结合性能，增强抗菌性，种植修复体周围形成良好的软组织封闭，或与其他表面改性方法结合以提高钛生物活性等方面。微弧氧化是在阳极氧化基础上发展起来，可明显提高钛表面生物活性。本文对钛表面阳极氧化参数及其在口腔种植中的应用进行分析。1.钛的特性钛为银灰色金属，因其在空气中易被氧化形成1.8~17nm的氧化膜，具有良好的生物相容性及抗腐蚀性而广泛应用于口腔种植中。钛表面化学元素组成、形貌、表面能均影响其生物相容性和活性。学者们一直致力于对钛表面改性以提高其生物学性能，常用的方法包括：酸蚀处理法、阳极氧化法、喷砂法、羟基磷灰石涂层法等。20世纪30年代出现的钛表面阳极氧化技术操作简单、成本较低、临床效果明显，成为常用的改性方法。微弧氧化因能明显提高钛表面的生物学性能而被广泛应用。2.阳极氧化影响因素2.1电压电压是影响传统阳极氧化及微弧氧化的指标之一。传统阳极氧化阶段，随电压升高氧化膜厚度随之增加，且氧化膜厚度与电压成线性关系，增长速度为1.4~2.78nm/V。此氧化膜为透明膜，可发生光的干涉现象，使钛表面呈现不同颜色。因此可通过氧化膜的颜色评定氧化膜厚度。当氧化膜达到一定厚度时，继续增加电压，钛表面发生介质击穿现象，此时传统阳...

发布时间: 2021 - 09 - 16

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氮(氧)化硅湿法刻蚀后清洗方式的改进

氮(氧)化硅湿法刻蚀后清洗方式的改进摘要：在半导体制造工艺的湿法刻蚀中，用热磷酸刻蚀氮化硅和氮氧化硅是其中一个相对复杂又难以控制的工艺。在这个工艺中，热磷酸刻蚀后的去离子水（ＤＩＷ）清洗更是一个非常重要的步骤。主要分析了由于去离子水清洗不当造成的表面缺陷的形成机理，并通过合理的实验设计和分析，给出了具体的解决方案。关键词：半导体制造；氮化硅；湿法刻蚀；湿法清洗；１引言热磷酸湿法刻蚀已经在半导体制造工艺中应用了几十年了。由于热磷酸对氮化硅和氮氧化硅刻蚀具有良好的均匀性和较高的选择比，一直到了９０ｎｍ的最先进制程也是采用热磷酸来刻蚀氮化硅与氮氧化硅。常用的热磷酸刻蚀液是由８５％浓磷酸和１５％去离子水（ＤＩＷ）配合而成，并保持在１６０℃的温度下进行刻蚀。热磷酸刻蚀之后的芯片一般采用热去离子水清洗。当芯片从１６０℃的磷酸槽进入水槽时，芯片表面残余磷酸的粘度极剧增加，并且形成一层带有磷酸和副产物的薄层紧贴于芯片表面。如果不将这层残余物质清洗干净，将严重影响芯片的后续制程，造成芯片成品率的损失和可靠性问题。所以热磷酸后清洗比其他酸液（如ＳＣ２，ＳＰＭ，ＨＦ等易去除的试剂）之后的清洗更关键，也更具有挑战性［１］。２清洗缺陷产生机理分析随着工艺尺寸的逐渐缩小，定义和刻蚀精准的多晶硅线条变得越来越困难。工业界常采用在多晶硅表面覆盖一层由化学汽相沉积的氮氧化硅（ＳｉＯＮ）来解决这个问题。在定义多晶硅线...

发布时间: 2020 - 12 - 17

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半导体硅片的化学清洗技术

一. 硅片的化学清洗工艺原理　　硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类：　　A. 有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。　　B. 颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μm颗粒，利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μm颗粒。　　C. 金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类：　　a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。　　b. 另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。　　硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污，一般可按下述办法进行清洗去除沾污。　　a. 使用强氧化剂使“电镀”附着到硅表面的金属离子、氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。　　b. 用无害的小直径强正离子（如H+）来替代吸附在硅片表面的金属离子，使之溶解于清洗液中。　　c. 用大量去离水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：　　⑴ 美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术。　　⑵ 美国原CFM公司推出的Full-Flow systems...

发布时间: 2018 - 08 - 22

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影响超声波清洗的因素

超声清洗的物理机制主要是超声空化，所以要达到良好的清洗效果必须选择适当的声学参数和清洗剂的物理化学性质。　　声强。声强愈高，空化愈强烈。但声强达到一定值后，空化趋于饱和。声强过大会产生大量气泡增加散射衰减，同时声强增大会增加非线性衰减，而减弱远离声源地方的清洗效果。　　频率。频率越高空化阈愈高，也就是说要产生声空化，频率愈高，所需要的声强愈大。例如在水中要产生空化，在400kHz时所需要的功率要比在10kHz时大10倍。一般采用的频率范围是20—40kHz。低频空化强度高，适用于大清洗件表面及污物与清洗件表面结合强度高的场合，但不易穿透深孔和表面形状复杂的部件，且噪声大；较高频率虽然空化强度较弱，但噪声小，适用于较复杂表面形状、狭缝及污物与清洗件表面结合力弱的清洗。声场分布。稳定的混响场对清洗有利，如果清洗槽中有驻波声场，则因声压分布不均匀，清洗件得不到均匀的清洗。因此，在可能的条件下，槽的几何形状要选择适合于建立混合声场的形状。除此以外，可以采用双频、多频和扫频工作方式以避免清洗“死区”。　　清洗液的温度。温度升高液体的表面张力系数和粘滞系数会下降，因而空化阈值下降，使空化易于产生；但由于温升，蒸汽压增大会降低空化强度。水的较佳温度为60摄氏度，不同的清洗剂有不同的最佳温度。　　粘滞系数。粘滞系数大的液体难于产生空化，而且传播损失也加大，不利于清洗。　　蒸汽压。蒸汽压低，空化阈高...

发布时间: 2016 - 03 - 23

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喷雾清洗设备及工艺

稀释酸清洗工艺是在200mm和300mm晶圆的两套不同的FSI ZETA?/SUP喷雾清洗系统上进行的。200mm系统如图1所示。在PFA处理盒里，晶圆必须保持水平。200mm系统可处理4篮晶圆，每篮25片，而300mm系统可处理2篮，每篮25片。篮子放置在旋转速度高达500rpm的PFA转盘上。旋转的晶圆篮放在有密封塞的氮气净化腔内。化学试剂，清洗水和氮气由附在腔盖的中心喷洒柱喷出，液体从边上的喷洒柱喷向净化腔的墙壁。化学试剂使用混合分管进行混合和稀释。混合比例由工艺配方确定，并由精确的流程控制器进行严格控制。使用IR发热器来控制试剂喷进腔前的温度。试剂流经晶圆表面的温度由安装在腔内的温度计严格监视。这种测量法可使工艺最优化，或者在精密的刻蚀应用中，可用来控制刻蚀时间以取得所需的刻蚀成度。本文中，我们用稀释的H2SO4, H2O2和HF混合物来去除铝线条（M1和M2），氧化层通孔及键合焊盘窗口的残留物。在所有情况下，无需进行主动的温度控制就可以取得良好效果。化学试剂在混合后温度达35℃, 在雾化发送进腔内的过程中降温. 晶圆表面温度经过3分钟的处理，慢慢地从室温升至25℃左右。在M1和M2的清洗中，我们也检测了在处理晶圆前先把混合物冷却至25℃，如下所述。表1列示出用于本操作中的喷雾时间范围，试剂的温度及浓度的范围。M1金属叠层包括一个位于Al-Cu-Si合金下的 T...

发布时间: 2016 - 03 - 23

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蓝宝石晶片清洗工艺

蓝宝石晶片的净化包括清洗方式、清洗剂的配方、清洗设备、清洗环境和清洗工艺。清洗方式主要分为湿式清洗和干式清洗, 目前湿式清洗在蓝宝石晶片表面净化中仍处于主导地位。下面主要就蓝宝石晶片的湿式清洗的清洗剂性质、清洗设备、清洗环境分别阐述。清洗剂的性质清洗剂的去污能力, 对湿式清洗的清洗效果有决定性的影响, 根据蓝宝石晶片清洗目的和要求, 选择适当的清洗剂是湿式清洗的首要步骤。蓝宝石晶片清洗中常用的化学试剂和洗液主要有无机酸、氧化剂、络合剂、双氧水溶剂、有机溶剂、合成洗涤剂、电子清洗剂等七大类清洗设备 ●超声波清洗机超声波清洗机是微电子工业中广泛应用的一种清洗设备, 超声波的清洗原理是: 在强烈的超声波作用下(常用的超声波频率为20-40kHz), 清洗剂内部会产生疏部和密部, 疏部产生近乎真空的空穴, 当空穴消失的瞬间, 其附近便产生强大的局部压力, 使分子内的化学键断裂, 从而使蓝宝石晶片表面的杂质解吸。当超声波的频率和空穴的振动频率共振时,...

发布时间: 2016 - 03 - 23

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硅片纳米微粒清洗洁净新技术

１引言目前，半导体行业中广泛使用的清洗方法仍是ＲＣＡ（美国无线电公司）清洗法。但在向下一代６５ｎｍ节点的迈进中，新结构的纳米器件对于清洗设备不断提出了新的挑战，因而对硅片表面各种污染物的控制规定了纳米微粒去除的特殊要求。根据国际半导体技术发展路线图计划，当半导体器件从９０ｎｍ提升到６５ｎｍ工艺时，必须将清洗过程中单晶硅和氧化硅的损失量从０.１ｎｍ减小到０.０５ｎｍ［１］。这就对新一代清洗设备和清洗技术提出了无损伤和抑制腐蚀的新工艺要求，所以研发新颖的、合适的硅片表面的纳米微粒清洗技术势在必行。２传统的硅片湿法清洗和干法清洗技术２.１污染物杂质的分类根据污染物产生的原因，大致可将它们分为颗粒、有机物杂质、金属污染物三类。（１）颗粒：主要是一些聚合物、光致抗蚀剂等。颗粒的存在会造成ＩＣ芯片短路或大大降低芯片的测试性能［２］。（２）有机物杂质：它在硅片上以多种方式存在，如人的皮肤油脂、防锈油、润滑油、松香、蜡等。这些物...

发布时间: 2016 - 03 - 23

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硅片的化学清洗工艺

硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类： A. 有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。 B. 颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μm颗粒，利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μm颗粒。 C. 金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污。硅片表面金属杂质沾污有两大类：一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污，一般可按下述办法进行清洗去除沾污。 ...

发布时间: 2016 - 03 - 23

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硅抛光片化学清洗的办法有哪些

硅片的表面受到比较严重的污染，这时候可以考虑使用如下几种化学清洗方法进行清洁： a.使用强氧化剂使“电镀”附着到硅表面的金属离子、氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。 b.用无害的小直径强正离子(如H+)来替代吸附在硅片表面的金属离子，使之溶解于清洗液中。 c.用大量去离水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如： ⑴美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术。 ⑵美国原CFM公司推出的Full-Flowsystems封闭式溢流型清洗技术。 ⑶美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术(例GoldfingerMach2清洗系统)。 &#...

发布时间: 2016 - 03 - 23

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对抛光片清洗技术的研究

摘要：研究了一种新颖的添加了表面活性剂和HF的RCA的改进工艺，并和标准RCA工艺与目前被广泛采用的稀释RCA工艺进行了比较后指出，改进工艺对金属沾污和表面颗粒的有效去除能力，使0.18mm以上的颗粒能够控制在15颗以内，金属沾污能够有效降至109原子cm-2以下（Al略高小于1010cm-2）。1 引言目前在半导体工业生产中，普遍采用的清洗工艺是改进的RCA清洗技术，多年来，人们对RCA清洗技术的清洗效果进行了深入的研究，kern证明RCA工艺可在硅片的表面形成1～1.5nm的氧化硅钝化膜[1]，okumura观察到标准的RCA清洗对硅片表面有较严重的粗糙化作用[2]，研究人员一直没有放弃取代技术的研究。1994年，山东大学发明了可以与标准RCA工艺相媲美的新型清洗技术[3]，采用了DGQ-1和DGQ-2新型清洗剂，近年来也被广泛采用。本文主要讨论了添加表面活性剂和HF的RCA改进清洗技术对抛光片金属沾污和表面颗粒的影响。2 实验方法分别采用φ150mm，p(100)，8～11Ω·cm；φ125mm，p（111），3～5Ω·cm；φ100mm，n（100），0.0012～0.0015Ω·cm；φ100mm...

发布时间: 2016 - 03 - 23

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