市场垄断/技术封锁 我国传感器产业发展仍需政策引导长期以来，我国传感器产业化未能受到高度重视，与市场需求和作用不相适应，企业均处于小规模生产阶段，存在工艺老化、结构不合理等问题，缺乏产业化生产的基础条件。核心技术与产品停留在实验室或小批量生产的初级阶段，难以形成和产生规模经济效益。在国内已有的1700多家企业、大专院校、科研机构中，都有不同程度的研发、小批量生产制造传感器产品。由于非专业型、非主流产品的企业比例较高，产值相对较低，重视程度不够，因此，产值过亿的企业仅占总数的5％，产品种类齐全的专业厂家不足3％。与国外相比，在产品品质、工艺水平、生产装备、企业规模、市场占有率和综合竞争能力等方面存在较大差距。新品研制仍落后近10年，而产业化水平落后10－15年。目前我国敏感元件与传感器大约有60％依赖进口，核心芯片约80％以上依赖进口，物联网中使用的MEMS 传感器几乎全部依赖进口。致使我国持续增长的庞大市场被国外长期控制与垄断，不仅造成经济利益的损失，而且对于国家政治、经济、军事等信息安全造成严重影响和威胁。同时，严重制约和影响我国物联网、大数据、云计算、“互联网＋”，乃至智慧城市，特别是军工与武器装备水平的整体发展与提高，现实问题与矛盾尤为突出。此外，我国在国家战略规划和产业政策上没有提到相应高度予以足够的重视和扶持培育，资源配置偏离行业发展，政策关注度不够也是传感器产业化与国际...
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2017
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硅片清洗原理与方法---苏州华林科纳CSE1 引言 硅片经过切片、倒角、研磨、表面处理、抛光、外延等不同工序加工后，表面已经受到严重的沾污，清洗的目的就是为了去除硅片表面颗粒、金属离子以及有机物等污染。2 硅片清洗的常用方法与技术化学清洗是指利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质及油污发生化学反应或溶解作用，或伴以超声、加热、抽真空等物理措施，使杂质从被清除物体的表面脱附（解吸），然后用大量高纯热、冷去离子水冲洗，从而获得洁净表面的过程。在半导体器件生产中，大约有30％的工序和硅片清洗有关，而不同工序的清洗要求和目的也是各不相同的，这就必须采用各种不同的清洗方法和技术手段，以达到清洗的目的。 化学清洗又可分为湿法化学清洗和干法化学清洗，其中湿法化学清洗技术在硅片表面清洗中仍处于主导地位，因此本文仅对湿法化学清洗及与之相关的技术进行介绍。3 湿法化学清洗原理常用化学试剂及洗液的去污能力，对于湿法化学清洗的清洗效率有决定性的影响，根据硅片清洗目的和要求选择适当的试剂和洗液是湿法化学清洗的首要步骤。4 湿法化学清洗方法4.1 溶液浸泡法溶液浸泡法就是通过将要清洗的硅片放入溶液中浸泡来达到清除表面污染目的的一种方法，它是湿法化学清洗中最简单也是最常用的一种方法。它主要是通过溶液与硅片表面的污染杂质在浸泡过程中发生化学反应及溶解作用来达到清除硅...
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2016
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扫码添加微信，获取更多相关湿法资料1.刻蚀速率刻蚀速率是指在刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度通常用Å/min表示， 刻蚀窗口的深度称为台阶高度。 为了高的产量， 希望有高的刻蚀速率。 在采用单片工艺的设备中， 这是一个很重要的参数。 刻蚀速率由工艺和设备变量决定， 如被刻蚀材料类型、 蚀机的结构配置、 使用的刻蚀气体和工艺参数设置。 2.刻蚀剖面刻蚀剖面指的是被刻蚀图形的侧壁形状。 有两种基本的刻蚀剖面： 各向同性和各向异性刻蚀剖面。各向同性的刻蚀剖面是在所有方向上(横向和垂直方向) 以相同的刻蚀速率进行刻蚀， 导致被刻蚀材料在掩膜下面产生钻蚀面形成的，这带来不希望的线宽损失。 湿法化学腐蚀本质上是各向同性的，因而湿法腐蚀不用于亚微米器件制作中的选择性图形刻蚀。一些干法等离子体系统也能进行各向同性刻蚀。 由于后续上艺步骤或者被刻蚀材料的特殊需要， 也自一些要用到各向同性腐蚀的地方。3.刻蚀偏差刻蚀偏差是指刻蚀以后线宽或关键尺寸间距的变化。它通常是由于横向钻蚀引起的， 但也能由刻蚀剖面引起。 当刻蚀中要去除掩膜下过量的材料时， 会引起被刻蚀材料的上表面向光刻胶边缘凹进去， 这样就会产生横向钻蚀。4.选择比选择比指的是在同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料相比刻蚀速率快多少。 它定义为被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比。高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。一个...
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2021
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太阳能光伏最新新闻资讯韩七电企投资30亿美元发展可再生能源 近四成将用于太阳能根据韩国政府规划，到2025年，可再生能源占全国电力总量比例将达到11％。同时，政府鼓励公共能源企业和私营企业大力投资可再生能源，以实现全国可再生能源发展目标和减排目标。韩国六大电力企业联合韩国电力工社KEPC日前宣布，将在2017－2018年投资30．6亿美元发展可再生能源，尤其是可再生能源发电设施、新技术的开发，从而加强韩国在可再生能源领域的重要地位，共同应对气候变化。据介绍，这笔投资的38．6％将用于太阳能发电，35％用于风力发电，17．9％用于燃料电池。其中，燃料电池已成为交通领域最受关注的新兴市场，而韩国已经成为成为最具吸引力的燃料电池市场。政府和企业的投入将进一步推动该市场的发展。微信8元炒白银＋油关注公众号：金投粤微盘（cngoldywp）原油专家直播室专属参谋集金号原油贵金属行情软件根据韩国政府规划，到2025年，可再生能源占全国电力总量比例将达到11％。同时，政府鼓励公共能源企业和私营企业大力投资可再生能源，以实现全国可再生能源发展目标和减排目标。 （出自：电缆网）双轴追光柔性支架水上光伏电站建成近日，双轴追光柔性支架水上光伏电站示范项目施工顺利完成，项目实现了双轴追光，属全球首创，比行业同类产品发电量提高20%以上;水上漂浮系统采用的柔性网架，完全自有设计，比行业同类产品成本...
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2017
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华林科纳CSE晶圆电镀设备分两个系列， CPE(半自动)/CPEA（全自动），主要 用于半导体晶圆凸点UBM金属层制作 以及陶瓷基板上的金属层的电镀； 还 可用于硅片制造中表层剥离、去除杂 质以及大尺寸图形腐蚀等方面。• 目前,比较典型的凸点制作工艺流程主要包括焊料凸点制作和金凸点制作。• 焊料凸点制作工艺流程: • 清洗→溅射Ti/Cu→光刻1→电镀Cu/Ni→去胶→腐蚀→介质制作→光刻2→腐蚀介质→去胶→溅射Ti/Cu→光 刻3→镀Cu/Ni→镀焊料→去胶→腐蚀Cu→腐蚀Ti→硅片回流→检测凸点→划片分割→成品。• 金凸点制作工艺流程: • 清洗→溅射TiW/Au→厚胶光刻→扫胶→电镀Au→去胶→清洗→腐蚀Au→腐蚀TiW→退火→检测→成品。• 一般来说,凸点制备过程中,主要采用电镀铜、镍、金、锡铅、锡银等镀种,一些特殊的凸点工艺还使用金锡、 锡、银、铟、化学镀镍等镀种。
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2016
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扫码添加微信，获取更多湿法工艺资料平版印刷术被定义为“一种从已经准备好的平坦表面(如光滑的石头或金属板)印刷的方法，以便油墨仅粘附在将要印刷的设计上”。在半导体器件制造中，石头是硅片，而墨水是沉积、光刻和蚀刻工艺的综合效果，从而产生所需的特征。因为用于器件制造的光刻涉及使用光学曝光来创建图案，所以半导体光刻通常被称为“光刻”。与已经讨论的检查和计量技术一样，光刻是图案化的选择技术，因为它是光学的，因此能够实现小特征和高晶片产量。这与直接书写和压印等其他技术形成对比。光刻的基本原理图1示出了用于定义浅沟槽隔离特征的典型光刻工艺。这一过程包括以下步骤:1. 基板清洁和准备2. 形成热氧化层，并在干净的衬底上沉积一层氮化硅3. 沉积碳硬掩模，然后沉积一层抗反射材料4. 沉积一层光刻胶5. 预烘焙光刻胶6. 对准衬底/光刻胶和掩模版，使用紫外辐射和4x-5x成像曝光光刻胶。重复步骤和扫描7. 曝光后烘焙8. 在光致抗蚀剂中显影图案，并硬烘焙以去除剩余的溶剂9. 执行蚀刻以打开电介质抗反射涂层(DARC)和硬掩模图案，并去除光致抗蚀剂和DARC10. 执行蚀刻以在衬底中打开沟槽并去除硬掩模11. 清洁表面 ...
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2021
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半导体行业最新新闻资讯 2017年我国将调整集成电路等进出口关税据财政部发布消息，经国务院关税税则委员会审议通过，并报经国务院批准，自2017年1月1日起，我国将调整部分商品的进出口关税。据介绍，明年关税调整将秉承创新驱动发展的理念，继续鼓励国内亟需的先进设备、关键零部件和能源原材料进口，以进口暂定税率方式降低集成电路测试分选设备、飞机用液压作动器、热裂解炉等商品的进口关税。为丰富国内消费者的购物选择，还将降低金枪鱼、北极虾、蔓越橘等特色食品和雕塑品原件等文化消费品的进口关税。为回应国民对医疗和健康的关注，降低生产抗癌药所需的红豆杉皮和枝叶、治疗糖尿病药所需阿卡波糖水合物的进口关税。为充分发挥关税对国内产业的保护作用，明年对此前实行暂定税率的丙烯酸钠聚合物、具有变流功能的半导体拈等商品的进口关税税率进行相应调整。明年还将取消氮肥、磷肥和天然石墨等商品的出口关税，适当降低三元复合肥、钢坯等商品的出口关税。为扩大双边、多边经贸合作，加快实施自由贸易区战略，明年我国将继续对原产于25个国家或地区的部分进口商品实施协定税率，其中需进一步降税的有中国与韩国、澳大利亚、新西兰、秘鲁、哥斯达黎加、瑞士、冰岛、巴基斯坦的自贸协定；商品范围和税率水平均维持不变的有中国与新加坡、东盟、智利的自贸协定，以及亚太贸易协定；同时，内地分别与港澳的更紧密经贸安排（CEPA）将适当增加实施零关税的商品...
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2016
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—本文来自华林科纳 网络部掺杂的作用是制作N型或P型半导体区域，以构成各种器件结构。掺杂工艺的基本思想就是通过某种技术措施，将一定浓度的三价元素（如硼、锑）或五价元素（如磷、砷等）掺入半导体衬底，从而原材料的部分原子被杂质原子代替。掺杂工艺方法分为：热扩散法和离子注入法。热扩散是最早使用也是最简单的掺杂工艺，它利用原子在高温下的扩散运动，使杂质原子从浓度很高的杂质源向硅中扩散并形成一定的分布。热扩散通常分两个步骤进行：预淀积（预扩散）和主扩散（也称推进）。预淀积是在高温下利用诸如硼、磷等杂质源对硅片上的掺杂窗口进行扩散，在窗口处形成一层较薄但具有较高浓度的杂质层。主扩散是利用预淀积所形成的表面杂质层做杂质源，在高温下将这层杂质向硅体内扩散的过程。通常推进的时间较长。 现分别列出不同扩散方式的步骤：CSD涂源扩散（硼源）CSD涂源扩散的步骤为：CSD涂源——CSD预淀积——后处理——基区氧化——基区再扩散（或者后两步同时进行即基区氧化再扩散）：1、硼源CSD涂覆：利用凃源机在硅片表面进行硼源涂覆，硼源选用硼源B 30，主要成份是B2O3，液态。涂源步骤为：1）清洗：硅片在2号清洗液中清洗，如果硅片较脏，还需要在煮沸的SH清洗液中浸泡清洗；2）涂覆：硅片旋转速度约为2500转/min，涂覆后硅片传送到加热板，温度为（80±1）℃，加热时间为20S；3）测试：硼源涂覆...
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2016
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扫码添加微信，获取更多湿法工艺资料光刻是将掩模上的几何形状转移到硅片表面的过程。光刻工艺中涉及的步骤是晶圆清洗；阻挡层的形成；光刻胶应用；软烤；掩模对准；曝光和显影；和硬烤。晶片清洗、阻挡层形成和光刻胶应用在第一步中，晶片被化学清洗以去除表面上的颗粒物质以及任何有机、离子和金属杂质的痕迹。清洗后，用作阻挡层的二氧化硅沉积在晶片表面。在二氧化硅层形成之后，光致抗蚀剂被施加到晶片的表面。硅片的高速离心旋转是集成电路制造中应用光刻胶涂层的标准方法。这种技术被称为“旋涂”，在晶片表面产生一层薄而均匀的光刻胶。正性和负性光刻胶光刻胶有两种:正片和负片。对于正性抗蚀剂，抗蚀剂在要去除底层材料的地方用紫外光曝光。在这些抗蚀剂中，暴露于紫外光会改变抗蚀剂的化学结构，从而使其在显影剂中更易溶解。然后曝光的抗蚀剂被显影液洗掉，留下裸露的底层材料窗口。换句话说，“无论什么节目，都会去。因此，掩模包含要保留在晶片上的图案的精确拷贝。消极抵抗的行为正好相反。暴露在紫外光下会导致负性抗蚀剂聚合，并且更难溶解。因此，负性抗蚀剂在其被曝光的任何地方都保留在表面上，并且显影剂溶液仅去除未曝光的部分。因此，用于负性光致抗蚀剂的掩模包含待转印图案的反转(或照相“负片”)。下图显示了使用正性和负性抗蚀剂产生的图案差异。 负抗蚀剂在集成电路加工的早期历史中很流行，但是正抗蚀剂逐渐变得更广泛使用，因为它们为小几何特...
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2021
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半导体行业最新新闻资讯2016.12.27韩媒：中国半导体正在加快崛起 有望赶超韩国韩媒称，在1年多的时间里，中国半导体专业设计公司增加到了之前的2倍之多。市场调查机构集邦科技21日透露，中国半导体设计公司从去年初的736家，增长到了现在的1362家。压倒性地超过了几年来一直在200多家规模上原地踏步的韩国，实现了急速增长。韩国《朝鲜日报》网站12月22日报道，中国半导体正在加快崛起，在存储芯片工厂建设方面投资了几十万亿韩元，还在倾尽全力培育相当于半导体产业大脑的设计公司。半导体设计公司是专门设计电子回路的企业，技术人才是竞争力的源泉。不仅是存储芯片，在韩国相对薄弱的设计领域，中国也意欲上升至世界最高水平。中国对创业者给予破例的资金支持，大举召回在外国学习的本国半导体人才。半导体行业有关人士说：“中国展露出了跃升为涵盖设计和生产的综合半导体大国的野心。”报道称，中国将视线转向了半导体设计领域，是为了掌握未来IT（信息技术）产业的主导权。半导体设计公司大部分以担当信息计算和处理的“系统半导体”为主业。系统半导体是PC和智能手机以及物联网、无人驾驶汽车等未来产业的核心技术，因此跨国半导体公司间的角逐异常激烈。报道称，中国在半导体生产方面已经进行了天文数字的投资。在韩国名列世界第一位的存储（信息存储）芯片领域，今年初清华紫光集团和XMC分别宣布投资300亿美元和240亿美元进行工厂建设。...
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