扫码添加微信，获取更多半导体相关资料摘要制备了 53 种已使用或可能可用于制造微机电系统和集成电路的材料样品：具有两种掺杂水平的单晶硅、具有两种掺杂水平的多晶硅、多晶锗、多晶 SiGe、石墨、熔融石英，Pyrex 7740，二氧化硅的其他九种制剂，氮化硅的四种制剂，蓝宝石，氧化铝的两种制剂。简介HEN 在设计微加工工艺时，必须知道要蚀刻的每种材料的蚀刻速率。例如掩蔽膜和底层，使得可以选择蚀刻工艺以获得良好的选择性（目标材料的蚀刻速率与其他材料的蚀刻速率的高比率）。蚀刻速率 略湿蚀刻 略干蚀刻 磷： 磷酸（按重量计 85%），160。它是为数不多的氮化硅湿法蚀刻之一。因为它会蚀刻光刻胶，所以必须使用另一种掩蔽材料，例如氧化物。这里报告的化学计量和富含硅的 LPCVD 氮化硅的蚀刻速率比之前报告的要快 。蚀刻速率对温度非常敏感，这个浴槽可能要高几度。还发现热磷酸能快速蚀刻铝。 略蚀刻速率变化蚀刻速率变化的许多原因在前面已经列举过。其中最重要的一项是材料的特性，这是生产方法和后续加工（例如退火）的结果。通过检查表 III 可以看出这一点：主要是二氧化硅的材料在 5:1 BHF 和其他蚀刻剂中的蚀刻速率差异很大。结论表中的数据显示了对大多数材料有用的蚀刻剂，并指出了材料在哪种蚀刻...
发布时间:
2021
-
08
-
26
浏览次数：205
扫码添加微信，获取更多半导体相关资料摘要几乎所有的直接晶圆键合都是在化学机械抛光的基板之间或在抛光基板顶部的薄膜之间进行的。在晶圆键合中引入化学机械抛光将使大量材料适用于直接晶圆键合，这些材料在集成电路、集成光学、传感器和执行器以及微机电系统中已经发现并将发现更多应用。介绍化学机械抛光 (CMP) 是一种经常用于制造高质量透镜和反射镜以及用于集成电路 (IC) 工艺的硅晶片制备的技术。自 1990 年代初以来，CMP 正成为现代亚微米 (0.35 |±m) 超大规模集成 (VLSI) 电路中层间电介质 (ILD) 平面化和/或金属层平面化的关键工艺。DWB 中表面形态学的影响典型的 DWB 工艺包括三个步骤：晶圆清洁、室温键合和退火。为了实现自发、无空隙的室温键合，晶片表面应该平坦、干净且极其光滑。 CMP的表面平滑度工艺 CMP 与 DWB 的关系 ...
发布时间:
2021
-
08
-
25
浏览次数：100
扫码添加微信，获取更多半导体相关资料摘要通过离子注入在二氧化硅牺牲层中产生损伤，以提高二氧化硅在液相和气相氢氟酸中的蚀刻速率。在蒸汽氢氟酸 (VHF) 中，注入和未注入二氧化硅之间的蚀刻速率比大于 150。这个特征对于大大减少微机电系统锚的底蚀很有意义。基于实验提取的未注入和注入二氧化硅的蚀刻速率，可以通过模拟来预测牺牲层的图案化。介绍制造微机电系统 (MEMS) 的两种主要方法是体微加工技术和表面微加工技术。在体微加工的情况下，可移动结构的制造是通过选择性蚀刻掉结构层下方的处理基板来实现的，而在表面微加工中，一系列薄膜沉积和选择性蚀刻堆叠的特定层（称为牺牲层）导致最终所需的悬浮微结构。 图1 (a) 释放悬臂梁示意图，(b) 在锚垫下方蚀刻。底部蚀刻的宽度是释放光束宽度的一半，(c) 结构材料在预定牺牲层上的阶梯覆盖注入二氧化硅的 VHF 蚀刻 略 样品制作 略文章全部详情，请加华林科纳V了解：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁
发布时间:
2021
-
08
-
25
浏览次数：413
扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言 半导体技术必须持续发展，以増 加IC性能与功能，同时减小芯片尺 寸，降低耗电量与成本。现在发展出具创新性、小尺寸、成本效益 之三维导线互连技术，可满足以上需求。其中，技术由于采取三维互连方法， 可加速晶片堆叠技术上之应用，尤其在异质元件整合上，具有重要地位。 封装技术之演进 晶圆级封装(WLP)与三维技术(3 D Technology)是两种截然不同之技术, 绝不可相混淆。有许多三维工艺技术 被应用于晶圆级封装，但不可归类于晶圆级封装。真正的电子封装趋势， 是由二维结构(2D Configuration)进展 到三维工艺技术(3D Process Technology),然后发展到三维集成电 路。系统级封装 略发展三维整合技术 促使三维整合技术发展的首要驱动力，主要是尺寸的缩小，也就是使 封装体尽量缩小到最小体积。然而, 使用并列封装(Side by Side)、封装体 与封装体之间的堆叠(Stacked Packages)和晶片堆叠(Stacked Die)等方 案，其导线连接长度仍然太长。因导 线连接长度太长，则会导致讯号传输 速度变慢，以及増加电力消耗。发展硅导孔 &...
发布时间:
2021
-
08
-
25
浏览次数：120
扫码添加微信，获取更多半导体相关资料摘要污染的控制在微电子组件制造过程中，这是一项不容忽视的关键问题。迄今半导体业界已投入许多心血,在减低制造环境中颗粒(Particle) 和残留物(Residue)的数量，进而防止 缺陷(Defect)产生和提高良率(Yield)。 除了致力于防止工艺中之污染物入侵 到电子组件外，清洗工艺仍然持续占据整个微电子制造过程之很大成分。 典型污染物及其影响 先进构装清洗工艺要去除之典型 污染物，包括：表面氧化物、有机膜、 离子性污染物、锡铅助熔剂残留物、 光阻层、以及一般残留物与微粒等。氧化物、有机膜和离子性污 染物 略锡铅助熔剂(Solder Flux)之残 留物 略湿式清洗和蚀刻之化学机制 清洗工艺是指选择性地 (Selectively)去除不需要的材料，并且 尽可能不要损害到电子组件本身的材 料。蚀刻也可考虑为清洗工艺的一 种，其目的在选择性移除不需要材 料，以形成一种预期需要的图案，或 者制造一个功能组件。晶圆级构装之湿式清洗和蚀刻工艺 略结论 有关晶圆级构装之湿式工艺和设 备,在本文中已针对:污染物种类、清 洗...
发布时间:
2021
-
08
-
25
浏览次数：108
扫码添加微信，获取更多半导体相关资料氮化钛硬膜和蚀刻残留物去除公开了从 28/20nm 图案晶片去除 PVD等的组合物、方法和系统。该组合物使用过氧化物作为氧化剂，在微碱性条件下去除 PVD，TiN 硬掩模。背景随着尺寸越来越小，集成电路 (IC) 的可靠性越来越受到 IC 制造技术的关注。跟踪互连故障机制对器件性能和可靠性的影响需要更多来自集成方案、互连材料和工艺。一种最佳的低 k 介电材料形成双镶嵌互连图形需要其相关的沉积、图形光刻、蚀刻和清洗。互连图案晶圆制造的硬掩模方案方法是能够以最严格的最佳尺寸控制将图案转移到底层。蚀刻工艺已经开发出组合物来从基板拉回或去除这些类型的金属硬掩模。以下专利具有代表性 略详细说明随后的详细描述仅提供优选的示例性实施例，并不旨在限制本发明的范围、适用性或配置。相反，优选示例性实施例的随后详细描述将为本领域技术人员提供实现优选示例性实施例的可行描述。 文章全部详情，请加华林科纳V了解：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁
发布时间:
2021
-
08
-
25
浏览次数：411
扫码添加微信，获取更多半导体相关资料通过增强微观蚀刻剂浓度均匀性和减少氢气泡粘附来形成亚微米级基本无缺陷硅结构的方法。蚀刻剂混合物经受超声波的应用。超声波促进在微观水平上混合蚀刻剂混合物的空化，并且还有助于促进气泡脱离。将润湿剂添加到蚀刻剂混合物中以增强硅表面的亲水性，从而减少气泡粘附。还公开了执行形成硅结构的方法的装置。 随着对更小硅器件的需求不断增加，并且分辨率持续低于亚微米水平，对均匀和精确的微加工的需求也在增加。半导体器件和扫描探针显微镜中使用的微器件和微结构需要光滑的 2Q 表面和亚微米级的精确蚀刻。此外，在微器件的形成过程中，需要无缺陷的表面将微加工零件粘合在一起。发明内容这是一种在通过使含有润湿剂的湿蚀刻溶液经受超声波来蚀刻硅微结构时提高蚀刻均匀性和图案清晰度的方法。润湿剂使气泡粘附最小化，而超声波用于在微观水平上混合溶液，以提高浓度的均匀性，并从待蚀刻的表面去除气泡。还提供了一种进行超声波辅助湿蚀刻的装置。 本方法的优点和特征将从以下详细说明和图示本发明优选实施例的附图中变得明显。 文章全部详情，请加华林科纳V了解：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁
发布时间:
2021
-
08
-
25
浏览次数：150
扫码添加微信，获取更多半导体相关资料摘要 提出了一个完整的FinFET蚀刻模块的工艺流程，作为实验，以确保目标薄膜以适当的速度均匀地蚀刻。 提出的工艺流程是在RIT开发的，旨在紧密复制了半导体行业使用的自对齐双模式 (SADP)过程模块，同时推进了RIT目前的洁净室设施能力。 图形蚀刻研究的动机 图1.1:两种类型的MOSFET:平面FET(a)和FinFET(b) 图形蚀刻研究的动机 图1.2:通过SADP简化FinFET的形成光刻、等离子体沉积与蚀刻理论 半导体技术是由生产更小的功能驱动的。 减小源波长是获得更小特征的最简单的方法。 文章全部详情，请加华林科纳V了解：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁
发布时间:
2021
-
08
-
25
浏览次数：203
扫码添加微信，获取更多半导体相关资料摘要 提供了一种用于半导体晶片清洁操作的系统。清洁系统具有顶盖和底盖。顶盖密封在晶片的顶面接触环上，底盖密封在晶片的底面接触环上。晶片保持在顶盖和底盖之间。边缘清洁辊用于清洁晶片的边缘。驱动辊被配置为旋转晶片、顶盖和底盖。边缘清洁辊以第一速度旋转，驱动辊以第二速度旋转，以便于边缘清洁辊对晶片的边缘清洁。 边缘排除 众所周知，在半导体芯片制造过程中，需要清洁晶片，其中已经执行了在晶片的表面、边缘、斜面和凹口上留下不需要的残留物的制造操作。这种制造操作的示例包括等离子蚀刻（例如，钨回蚀（WEB））和化学机械抛光（CMP）。在 CMP 中，晶片被放置在支架中，支架将晶片表面推向滚动传送带。该传送带使用由化学品和研磨材料组成的浆料进行抛光。不幸的是，这个过程往往会在晶片的表面、边缘、斜面和凹口处留下浆液颗粒和残留物的堆积。如果留在晶圆上进行后续制造操作，多余的残留材料和颗粒可能会导致，其中包括晶圆表面划痕等缺陷以及金属化特征之间的不适当相互作用。在某些情况下，此类缺陷可能会导致晶片上的器件无法运行。为了避免丢弃具有无法操作的装置的晶片的过度成本，因此有必要在留下不需要的残留物的制造操作之后充分而有效地清洁晶片。文章全部...
发布时间:
2021
-
08
-
25
浏览次数：166
扫码添加微信，获取更多半导体相关资料摘要 本文提出了一种新的室温湿化学数字蚀刻砷化镓技术，该技术采用双氧水和酸两步蚀刻工艺， 第二步用一种不攻击未氧化砷化镓的酸除去氧化层。 这些步骤依次重复，直到得到所需的蚀刻深度。介绍 现代生长技术如分子束和金属有机化学气相沉积已经证明了以原子层精度、可控物质摩尔分数和精确掺杂浓度来生长半导体能力。 这种可控性使得材料结构的生长具有最佳的器件性能，这是由器件理论和建模决定的。 因为数字蚀刻技术去掉了材料中的几个原子层 ，这是一种可控的方式，可以为制造最佳器件提供蚀刻所需的材料。 一般来说，数字蚀刻技术由两步化学过程组成去除固定厚度的材料。 标准的111-V半导体湿化学蚀刻 通过氧化半导体表面和蚀刻产生氧化。由氧化晕剂和络合(氧化蚀刻)剂组成的液体混合物中的半导体。 因此，氧化和蚀刻同时发生反映，导致蚀刻深度取决于半导体暴露在蚀刻剂中的时间。 数字腐蚀实验 介绍了几种湿法化学数字蚀刻技术试图确定一个能提供一致和可再生的效果是 蚀刻的一个重要步骤。 数字蚀刻实验结果 略 文章全部详情，请加华林科纳V了解：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁
发布时间:
2021
-
08
-
25
浏览次数：149