半导体光刻工艺 —— 光刻工艺步骤↑ 此文件仅供参考学习，勿用于商业用途延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
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半导体清洗工艺 —— RCA湿法清洗工艺↑ 此文件仅供参考学习，勿用于商业用途延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
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半导体制造工艺 —— 光刻是如何进行的（下）↑ 此文件仅供参考学习，勿用于商业用途延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
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半导体制造工艺 —— 光刻是如何进行的（中）↑ 此文件仅供参考学习，勿用于商业用途延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
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半导体制造工艺 —— 光刻是如何进行的（上）↑ 此文件仅供参考学习，勿用于商业用途延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
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半导体制造工艺 —— 晶圆表面电路的设计（下）↑ 此文件仅供参考学习，勿用于商业用途延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
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半导体制造工艺 —— 晶圆表面电路的设计（中）↑ 此文件仅供参考学习，勿用于商业用途延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
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半导体制造工艺 —— 晶圆表面电路的设计（上）↑此文件仅供参考学习，勿用于商业用途在半导体制造中，许多芯片工艺步骤采用光刻技术，用于这些步骤的图形“底片”称为掩膜，其作用是：在硅片上选定的区域中对一个不透明的图形模板遮盖，继而下面的腐蚀或扩散将只影响选定的区域以外的区域。↑掩膜通常在光罩上形成图形的基本步骤和硅片相似，一般来说光罩的制作分为数据处理部分和工艺制造部分。↑光掩膜制作流程1、数据转换：将如GDSII版图格式分层，运算，格式转换为光刻设备所知的数据形式；2、图形产生：通过电子束或激光进行图形曝光；3、光阻显影：曝光多余图形, 以便进行蚀刻；4、铬层刻蚀对铬层进行刻蚀, 保留图形；5、去除光阻去除多余光刻胶；6、尺寸测量测量关键尺寸和检测图形定位；7、初始清洗清洗并检测作为准备；8、缺陷检测检测针孔或残余未蚀刻尽的图形；9、缺陷补偿对缺陷进行修补；10、再次清洗清洗为加保护膜版作准备；11、加保护膜保护膜加在主体之上, 这防止灰尘的吸附及伤害；12、最后检查对光掩膜作最后检测工作, 以确保光罩的正确。延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
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半导体制造工艺 —— 硅片的生产过程↑此文件仅供参考学习，勿用于商业用途单晶硅片制备阶段，需要将硅单晶棒加工成具有高面型精度和表面质量的原始硅片或光片，为IC前半制程中的光刻等工序准备平坦化超光滑无损伤的衬底表面。对直径Φ≤ 200mm的硅片，传统的硅片加工工艺流程为：单晶生长→切断→外径滚磨→切片→倒角→研磨→腐蚀→抛光→清洗→包装。↑硅片加工工艺流程延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
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华林科纳生产的清洗机中，QDR 快排冲洗槽是不可缺少的一部分，它主要用于去除晶圆表面微粒杂质和残留化学药液，使晶圆表面洁净。QDR 是晶圆湿法清洗中最重要的一个清洗工艺模块，主要由喷淋槽、溢流槽、匀流板、快排汽缸体、喷嘴喷管、管路和管件等组成。↑ QDR 示意图槽体由进口 NPP 板材焊接加工而成，由安装在槽体底部的快排汽缸、底部 DI 水注入孔及顶部左右两侧的 DI 水喷嘴实现槽体的快速注入与排放，有氮气鼓泡功能。在溢流排放口安装有 DIW 电阻率检测仪，可对冲洗溢流的水质适时检控。一、喷淋管路上喷淋管路共有两路， 形成相互交叉喷淋，但去离子水不宜直接喷淋冲洗晶圆表面，因晶圆在水蚀作用下直接喷淋晶圆表面，易产生微粒污泥而污染晶圆表面，因此，在去离子水的喷淋过程中，需要对冲洗水压、水量、方向和角度作出调整测试，以达到微粒污染少的最佳效果。 良好的喷嘴所喷淋范围涵盖全部晶圆及片盒； 而不良的喷淋冲洗形状，没有涵盖全部晶圆及片盒， 未被喷淋冲洗的死角地带，微粒、杂质及化学药液残留含量仍然很高，而达不到良好的清洗效果。二、氮气鼓泡上喷淋同时， 下喷淋管路由底部两侧不断进水，而后由内槽上沿四周溢出，这样，每个晶圆片缝、各处边角的去离子水都能连续得到更新。 同时，纯净氮气由下喷淋管路进入槽体。 氮气鼓泡有以下几个作用：（1）增加了去离子水的冲刷力，对槽体本身有很好的自清洗作用；（2）晶圆在水...
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