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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      在镶嵌集成方案中,铜被用作互连材料。在镶嵌集成方案中,通过等离子体工艺的蚀刻处理导致形成聚合物残留物、在电介质侧壁上溅射的铜、通孔底部的铜氧化以及硬掩模表面的铜沉淀。为了去除这些杂质,必须进行通孔后蚀刻清洗。      我们测试了几种由稀释的氟化氢和有机酸组成的含水清洗溶液。稀释的氟化氢主要用于去除聚合物残留物和有机酸,以清洁铜表面。这些混合物已经被研究过,并且与几种多孔和致密的ULK材料相容。本文研究了稀氢氟酸溶液中有机酸和气泡对铜和氧化铜溶解速率的影响。首先,通过X射线反射仪表征确定的铜溶解动力学获得氧化铜和铜蚀刻速率和粗糙度。其次,进行形态计算以解释作为溶液和气体鼓泡的函数的铜蚀刻速率差异。 实验      通过在硅衬底上100-150的TiN层上沉积500的铜(PVD)层来制备200 mm样品。将铜晶片暴露在洁净室气氛中,以获得几埃(35至40埃)的氧化铜膜。测试了几种含有3.5重量%有机酸或稀释的0.05重量%氟化氢加3.5重量%有机酸的溶液(水基化学)(表1)。通过O2或N2气体鼓泡来调节溶液中的气体含量。 表1 测试的清洗溶液      对于动力学研究,将相同的铜样品在25℃的溶...
发布时间: 2021 - 11 - 09
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料在过去的几十年中,结晶硅基聚乙烯醇缩丁醛由于其低成本、稀土丰富和可靠性而在商业聚乙烯醇缩丁醛中占主导地位;然而,差的红外线由于其间接带隙的吸收,以及由表面纹理化工艺产生的高反射率,损害了电池效率,因此对硅基光伏模块的大规模部署提出了令人生畏的挑战。此外,努力更有效地利用阳光的新思想也在发展中。一种有前途的高效硅光伏技术是使用黑硅太阳能电池,这种电池基于具有微/纳米结构表面的晶体硅(c-Si)晶片,它可以有效地捕获宽范围波长和入射角的太阳光。硼硅卓越的光俘获能力允许显著减小晶片厚度,即使没有应用抗反射涂层;因此,它是具有成本效益银图标聚乙烯吡咯烷酮的有前途的候选材料。迄今为止,硼硅生产中最强的趋势之一是在氧化氟化氢溶液中利用金属催化的硅蚀刻,因为它具有以下优点:简单、快速、多功能和可扩展性。近年来,通过浸渍法可规模化生产硼硅的进展促进了其在高效硅太阳能电池中的实际应用。MacEtch制造b-Si的成功与其简单性和与现有工业硅太阳能电池生产设施的兼容性密切相关。 硅浸渍法制备黑硅:浸渍黑硅表面的微/纳米结构取决于金属催化剂的种类、蚀刻时间、蚀刻剂的组成和处理温度。图10a–d显示了镀银硅片在含氧化性硝酸盐的HF水溶液中的形态演变。随着蚀刻时间的推移,银颗粒逐渐深入大块硅中,并导致在硅表面形成排列整齐的SiNW阵列。在氧化HF溶液中,硅的金浸...
发布时间: 2021 - 11 - 08
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言随着半导体器件不断向越来越小的尺寸发展,保持硅表面无污染以提高器件功能、产量和可靠性变得越来越重要。基于RCA的湿法化学清洗仍然广泛用于半导体器件制造工艺。经过SC-1和SC-2处理后,硅表面具有约1纳米厚的化学氧化层。对于预浸清洗,低质量的化学氧化层最好在生长高质量的热栅氧化层之前去除。这可以通过稀氟化氢(DHF)处理来实现。在本方法中,我们结合电位测量技术、TXRF技术和电感耦合等离子体质谱法来测定不同添加剂在DHF溶液中对硅表面超压铜输出的影响。用光散射和透射电镜研究了溶液中表面活性剂与铜离子的相互作用。用扫描电镜研究了表面活性剂对减少硅表面铜成核的影响。硅表面吸附的表面活性剂层用原子力显微镜进行了验证。在此基础上,总结了DHF清洁生产中对铜产出的表面影响。 实验我们选用盐酸、双氧水、硝酸、阳离子表面活性剂和阴离子表面活性剂等不同添加剂,研究它们对铜输出的影响。我们使用的阳离子表面活性剂是烷基四甲基溴化铵(CTAB),阴离子表面活性剂是含硫表面活性剂。它们具有相似的链结构和分子量。我们之前的结果表明,这两种方法在稀释过程中都有效地防止了颗粒的再沉积。用一个2英寸(100)电阻率为1-10ωcm的n型硅片(Silicon Quest International)在安装到定制的特氟隆电化学电池之前,经过SC-1清洗、DHF清洗和去...
发布时间: 2021 - 11 - 08
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      硅晶片在晶片制造工艺或元件制作工艺过程中,会受到各种污染物、表面特性的影响。 这些污染物是导致半导体元件产出率下降的原因,可以在晶圆制造工序后的最后阶段进行清洁处理,也可以在元件制造工序前和工序中间进行清洁处理。进行清洁工程,使污染物浓度最小化。      使用HF清洗后,必须对重新吸入的微粒进行清除。BOE溶液是NH4F和HF混合的溶液,与DHF溶液一样,NH4F溶液有助于酸的货物去除和NH4F溶液去除微粒,NH4F和HF混合使效果比HF颤抖。本方法对广泛应用于通用器件的Polished Si晶片和用于逻辑器件的Epitaxially-grown Si晶片进行了表面处理时表面的化学物理变化,确定了相互之间的三个定过程后特性差异。 实验      本方法对直径为300mm的抛光晶片和EpiLayer晶片采用不同的清洁液进行表面处理后,表面的变化进行了鉴定。晶片为P-type兴奋剂,以抑制杂质为1016cm−3浓度,在1200摄氏度高温下进行离子注入掺杂。 切成10 mm×10 mm大小的雕塑试片后,用清洁液进行了表面处理。 选用SC-1作为RCA洗脱方法; SC-1洗脱方法是由氨水及过氧化氢水、超纯水按1:1:5的比例混合...
发布时间: 2021 - 11 - 08
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      晶圆-机械聚晶(CMP)过程中产生的浆体颗粒对硅晶片表面的污染对设备工艺中收率(Yield)的下降有着极大的影响。      为了去除氧化后CMP晶片表面的颗粒,通过与DHF(稀释HF)、非离子表面活性剂PAAE(聚氧乙烯烷氧芳基醚)、DMSO(二甲基亚砜)和D.I.W.混合制备了新的清洗溶液。硅酮晶片故意被硅、氧化铝和PSL(聚苯乙烯乳胶)污染。与传统的AMP(氢氧化铵、过氧化氢和D.LW的混合物)相比,这种大气辐照下的清洗溶液可以在室温下同时去除颗粒和金属,而不会增加微粗糙度、金属线腐蚀和有机污染物沉积等副作用。这表明这种清洗溶液在铜刷清洗工艺和传统的铜刷后清洗工艺中具有广阔的应用价值。 实验      本方法采用直径在0.1 nm~0.5 im之间的二氧化硅颗粒、铝矾土颗粒和polystylene latex(PSL)颗粒。 在人为污染的清洁槽中加入晶片,吸附量调整到表面约30000个左右,该数值在本实验期间保持恒定使用。 所用超声波采用的是间接方式的1000 KHz/600 W,本方法研究的清洁液A-HF(DHF,Polyoxyethylene Alkyl Aryl Ether和Dimethylsulfoxide的混合物)的...
发布时间: 2021 - 11 - 08
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言最近,作为替代能源,太阳能电池在世界范围内受到很大的管道种植。太阳能电池是将太阳能转换为电能的无污染和半永久性装置,其发展性备受期待。在多种太阳能电池中,晶体硅太阳能电池占整个太阳能电池市场的80%以上,正处于太阳产业的核心。据预测,这种晶体硅太阳能电池的产业发展战将持续一段时间。可以说,太阳能电池产业最重要的是提高效率,降低制造单价。为了减少光的表面反射损失,形成了表面组织和防反射膜,形成了防止太阳电池背面电子-专业对团聚损失的背面电场,提高了短波长区域光能的吸收率。在表面钝化的情况下,减少晶体硅片表面的dangling bonds等引起的电子-专业对团聚。在HF处理引起化学钝化的情况下,由于晶圆表面的dangling bonds等键的氢种团,期待钝化效果。Si3N4膜由于最小的氢(hydrogen)减少了dangling bonds等缺陷、固定电荷(fixed positive charge)的电场效应减少了团聚等原因,正被用作或正在研究太阳能电池前/后的钝化膜。本文采用光引起的矿化度carrier lifetime测量方法,考察了N型硅片的化学HF(以下简称HF)处理效果。 实验表1显示了本研究中的实验方法。样品采用4等分法使用了无电阻3-5ωCM、厚度500-550 m的N型(100) 4inch单晶硅基板。样品的基本清洗采...
发布时间: 2021 - 11 - 08
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言半导体生产过程中,蚀刻工艺是非常重要的工艺。蚀刻工艺中使用的方法通常有浴式和枯叶式两种。浴式是用传统的方法,在药液浴中一次性加入数十张晶片进行处理的方法。但是随着半导体技术的发展,开发出了一张处理晶片的枯叶式。在常温的药液中,浴式的均匀度在3%以上,而每叶式的均匀度在1%以下,非常优秀。另外,与浴式相比,枯叶式的超纯用量少1/15左右,在Cu工艺等担心金属污染的工艺中处理晶片一张,从而防止反向污染。枯叶式是一次性展示晶片时喷射书药液的方法。这时喷射喷嘴可以从伟珀中心向边框方向来回转动,通过boom swing均匀地冷却。本方法将batch和batch结合起来,用没有boom swing的方法评价了蚀刻工艺。在进行蚀刻工艺时,以消除boom swing为基础,用晶片上有板的结构制作了枯叶式装置,进行了蚀刻评价。在没有Boom Swing的枯叶式结构中,将常温的药液从晶片中央喷射出来进行了蚀刻评价,并进行了评价,以了解使用高温药液时的结果果。使用高温药液时,出现了口感不均匀的问题。对此时发生的问题进行了这一理论考察,并在理论计算结果的基础上,改进了高温药液的喷射方法。 实验利用枯叶式装置,用晶片上有板的词组制作了装置,进行了评价。图2是有桌面制作的枯叶式装置的外观。晶片的旋转最高可达2000RPM,使用晶片的大小为300 mm。...
发布时间: 2021 - 11 - 06
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言随着集成电路器件制造工业追求更小和更先进的技术,其制造工艺的效率和精度变得越来越重要。微细加工的关键工序之一是特征的蚀刻和清洗。随着特征尺寸的扩大,清洗化学品的润湿对于去除亚45纳米结构中的蚀刻碎片至关重要。这些化学物质及其润湿行为如何随时间变化,将关系到清洗过程的效率。为了获得成功的润湿行为,必须了解三个因素:基底的表面化学性质(和表面能),氟化氢溶液和基底之间的化学相互作用,以及氟化氢溶液的有效蒸发。这衬底的表面化学性质受到先前应用的等离子体灰化的影响。这些灰可以通过去除疏水基团而降低基材对湿法蚀刻工艺的抵抗力,因此,使得亲水表面更容易受到HF的侵蚀。氟化氢溶液的蒸发也会影响基材的润湿行为。延长润湿时间会导致氟化氢溶液蒸发。随着液体体积的损失,接触角会受到影响。为了量化这种行为,从表面化学、粗糙度和轮廓方面测量和检查在固液界面形成的接触角。 实验样品采用化学蒸气沉积的SiOCH低k薄膜(2700A沉积在硅片上),孔隙率约为25-30%,孔径约为2nm,k值为2.3。薄膜在以下条件下进行等离子体清洗处理:N2/H2 (30 s、900sccm、2000W、2Torr、260C)、N2/H2(60s、900sccm、2000W、2Torr、260C)和O2(20s、25C)。这些薄膜被单独安装在湿度控制环境下的接触角测角计上。通过在...
发布时间: 2021 - 11 - 06
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言近年来,小尺寸、轻重量、低生产成本和可再现的可制造性的器件变得非常重要。通过湿法蚀刻单晶硅或玻璃的微机械加工可以符合这些严格的要求。硅或玻璃的湿法蚀刻是体微机械加工的关键技术,用于生产微器件,如压力传感器的隔膜、光纤对准的V形槽和生物芯片的微通道。随着微机电系统市场的增长,基于湿法刻蚀的体微操作的精确控制越来越受到关注。特别是,蚀刻表面的粗糙度变化可能是微机电系统器件商业化中最主要的因素之一。此外,为了通过使用粘合技术组装微机械零件来制造微器件,需要光滑且无缺陷的表面。为了改善湿法刻蚀的特性,制作了兆频超声波搅拌组件。在本方法中,在有和没有兆频超声波搅动的湿法蚀刻过程中,研究了MAM的特性。MAM的使用改善了湿法蚀刻的特性,例如蚀刻速率、蚀刻均匀性和表面粗糙度。特别地,在硅和玻璃两种情况下,整个晶片上的蚀刻均匀性都小于1%。通常,单晶硅的初始均方根粗糙度(Rrms)小于0.5 nm。一些研究者通过磁力搅拌和超声波搅拌分别获得了566和66 nm的粗糙度。在这项研究中,蚀刻硅表面的粗糙度小于60纳米。用兆频超声波搅拌湿法蚀刻硅可以在蚀刻过程中保持几乎原始的表面粗糙度。结果表明,大气搅拌是提高蚀刻率、蚀刻均匀性和表面粗糙度的有效途径,所开发的微加工系统适用于制造复杂结构的器件。 实验样品的起始材料为6英寸。(100)的硅晶片和一个6英寸...
发布时间: 2021 - 11 - 06
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言在氨过氧化氢混合物(APM)(或SC1)清洗处理之前,硅晶片暴露于包含HF蚀刻步骤的清洗序列。这些晶片根据至少三种机制进行粗糙化。一种粗糙化机制是由于来自APM混合物的蒸汽,而另外两种与金属污染密切相关。首先,来自热APM溶液的氨蒸汽将凝结在冷的疏水晶片表面上,并将蚀刻该表面。第二,铁离子污染(以氢氧化铁聚集体的形式存在于APM中)会催化过氧化氢的分解。在晶片浸入过程中,这些铁离子聚集体会沉积在硅表面。因此,随着这些聚集体继续催化其分解,产生了局部过氧化氢损耗。这导致深度为2-5纳米的典型环中的硅的局部蚀刻,而3-8纳米的氧化硅边缘被沉积在环旁边。最后,诸如铜和镍的金属可以在APM步骤之前的HF步骤中镀在硅晶片上。它们在原电池中充当阴极,而铜(或镍)核周围的硅正在阳极溶解。 实验用于实验的化学物质具有低金属污染的过氧化氢(30%)和氨(25%)。将标准铁(NO3)3 (1000重量ppm)溶液稀释至1或10重量ppm储备溶液。使用这些储备溶液时,APM被添加到0.1-10重量ppb的水平。用沸腾的稀硝酸(5%)清洗石英容器和晶片容器1小时,然后用去离子水冲洗。监控硅片(n型或p型,[100]取向,150 mm直径)在喷雾处理器中清洗[硫酸过氧化氢混合物(SPM)-稀HF-APM-盐酸过氧化氢混合物(HPM)序列],并在SPM浴中浸泡...
发布时间: 2021 - 11 - 06
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