扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言电化学技术一直被用于理解和提高各种湿式化学处理步骤的性能，如在集成电路(IC)制造中使用的蚀刻、清洗、钝化和冲洗。本文的目的是提供几个例子，说明如何使用电化学技术来探测湿法加工中的一些重要领域。 在电流产生的集成电路的制造中，大约三分之一的工艺步骤涉及湿式化学处理，如清洗、蚀刻、抛光和冲洗。许多这些步骤涉及导电材料与不同水平溶解气体的水溶液之间的接触，因此电化学现象可能在控制这些步骤的有效性方面发挥重要作用。 电化学效应:电化学增强最近被报道为大气清洗。这种技术被称为声电化学技术，可用于在低超气体功率密度(<1W/cm2)下从导电表面去除颗粒。对于同时使用的超气场，具有共振大小的氢气泡可以在表面附近振荡，导致粒子去除。除了氢的演化外，阴极极化还会导致在金属表面附近形成氢氧化根离子，从而提供一些表面蚀刻，以增强粒子的去除。声电化学技术已被用于清洁被硅颗粒污染的Ta表面。在本研究中，将∼1.5~2V的阴极电位(相对于Ag/AgCl电极)应用于去离子水或氯化钾溶液中，并暴露于0.93MHz声场。首先获得了样品上几个区域的显微镜图像。（如图7所示） 图7清洁图案（介电传导）表面，即使在这项研究中没有研究，使用这种技术是可能的。这是因为1MHz的共振气泡半径为∼3微米，从技术上讲，这种大小的气泡可以在具有小线/空间(L/S)结构的表面上振荡，甚至...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料前言砷化镓GaAs(晶片)和氮化镓的热湿氧化是在N2作为主要气体和H2O作为氧化剂进行的。采用x射线衍射、椭偏仪、光反射仪、显微拉曼光谱、光学显微镜和原子力显微镜研究了材料的参数和表面形貌。缺少材料参数或材料参数范围很广，特别是折射率、介电常数及其对氧化物成分和结构的依赖性，构成了测量过程中的一些问题。砷化镓氧化比氮化镓氧化更难，尤其是来自HVPE的氮化镓。实验砷化镓和氮化镓在一个三区耐电炉中通过使用支架被氧化。为了确定合适的参数，改变了水源温度和反应（氧化）区温度。气体流量和该过程中的时间也有所不同。得到的氧化镓厚度从几纳米到数百纳米。这些研究使用了MOVPE和HVPE在蓝宝石基底上制造的砷化镓晶圆和氮化镓层。湿热氧化反应动力学和反应结果取决于几个参数：区域反应温度(a)、水源温度（水泡器）(b)、主要输送气体(c)、通过水泡器(d)的输送气体、反应时间(e)和凝结气体类型(f)。研究采用裸晶片或脱毛层晶片的砷化镓，氧化温度的范围在483到526摄氏度之间。时间从60分钟到300分钟不等。典型的氮气主流量分别为2800 sccm/min，通过水起泡器的典型流量分别为260和370sccm/min。使用了两种氮化镓样品——蓝宝石基质上的氮化镓脱毛层——MOVPE薄层和HVPE厚层。砷化镓样品的氧化温度较高，分别为：755、795和82，典型的水温...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言用于光电子的半导体激光器等半导体光器件，多利用注入的少数载流子，而且其浓度在2×1018cm―3以上，处于相当高的水平。 在使用GaAs和InP等化合物的光学器件中，作为可靠性较高的加工法，湿法化学蚀刻依然被用于实际应用。对基于化学蚀刻的半导体光器件的微细加工，特别是激光谐振器的形成进行总结，并介绍几个具体例子。实验首先，在表1中总结了光·电子设备所需的微细结构及其应用领域。表1首先，在基板上或生长了2重异质结构的晶圆上形成的脊和台面，用于嵌入异质(BH)激光器等，在FET的栅极制作中，宽度较窄的脊也很重要。 第二个，通道、沟槽、平台，还是应用在折射率波导型半导体激光器上。 如果具有这些形状，在基板上进行晶体生长，核心层的厚度自然变为不均0，形成波导。 最初的形状为脊或台面，用于嵌入式异质(BH)激光、光波导、FET等的通道形成等。 表2在表2 中对台面蚀刻的例子进行总结的1～6，①和③中，如果在GaAs和InP的基板上形成的台面上生长2重异质结构，就会通过一次生长形成嵌入结构。 另外，在②和④中，在形成GaAs/GaAIAs和InP/GaInAsP的2重异质结构后，通过台面蚀刻向活性层下挖掘，然后从两侧生长嵌入层。 总之，台面高度和宽度的控制是一个重要因素。表3中有通道、沟或露台形成的蚀刻方法，用表中所示的蚀刻液形成V槽...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言我们研究了高温退火法对4h-SiC蚀刻形状的转变。虽然蚀刻掩模是圆形的，但蚀刻的形状是六边形、十二边形或十八边形，这取决于蚀刻面积的大小(图。 1).六边形经过高温退火后，六边形转化为十二边形，十二角形转化为十八边形。 1).不同边缘方向的六边形和十边形的十二边形在退火过程中经历了不同的转变。 2).一条对应于一个{1-10x}面的边显示为一条直线，似乎是最可取的。与{11-2x}面对应的边缘也出现在一个曲线特征中，这表明它是第二大首选。明显的结构（密集），但在11-2倍的表面上微弱（微弱）。 3).因此，在考虑退火变换的情况下，需要在实际器件中设计形状及其方向。我们报告了在SiC沟槽型MOSFET的制作中，通过SiH4/Ar和H2气氛中的2阶段高温退火，可以改善沟槽形状控制和蚀刻侧壁的平滑性（6）。 研究过程中发现SiC表面形状的变化具有晶面取向各向异性。 此次，我们调查了高温退火引起的变形因蚀刻面积和形状的不同而不同，以及退火形成的晶面方位的稳定性。实验方法对4H―SiC基板（n型，8°关断，C面）进行清洗后，使用等离子CVD装置成膜了厚度为2.5μm的SiO2膜。 使用一般的照相工艺，在直径不同的圆形、6角形、12角形上对光刻胶进行了图案化。 然后用抗蚀剂作为掩模，用干法蚀刻法蚀刻SiO2图案化了。 干蚀刻是用CHF3/Ar气...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言概要扫描探针显微系统( SPM )、电子背散射板( ebsd )、极化曲线测量晶体组织对硫酸-过氧化氢蚀刻引起的铜蚀刻速率的影响 接近{001}面的方位快，被蚀刻发现被凹陷后，{111}和{101}面附近的方位被缓慢蚀刻。 显示出大蚀刻速率的多晶体铜，腐蚀电位高，局部阴极反应的极化小。 这表明，多晶体铜的蚀刻速率由各个晶面的过氧化氢还原反应速度的平均值决定。为了调查多晶体的蚀刻速率与晶体组织的关系，测量了轧制铜材、添加剂和成膜条件下晶体组织发生变化的电解镀铜膜的蚀刻速率。 制作的试料的结晶组织用EBSD进行了分析。 进而，通过极化曲线的测量，考察了晶体组织的不同对蚀刻反应的影响。另外，作为缓和组织不同引起的蚀刻速率差、降低咬边的方法，报告了向蚀刻液中添加1 -丙醇的影响。实验以无氧铜板三菱伸铜制C1020为试料，作为预处理，以85%磷酸中的试料为阳极，通过极间电压为2 V的恒压电解进行电解研磨，在去除加工变质层的同时使表面平滑。 之后，利用TSI公司制造的带有EBSD系统的FE-SEM日本电子制造的JSM-7001FA，对各个晶粒的方位进行了鉴定。 该试料用SII纳米技术制造的SPM Nano Cute，测量与EBSD测量同视野的SPM像，得到了试料表面的三维形状像。 测量视野为50 m 50 m。 然后，用转速设定为500 rpm的磁力搅拌...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言过氧化氢是一种绿色氧化剂，本文概述了其在水中和氧气中分解的爆炸式增长，其全球使用量已从过去三十年的0.5百万工业使用量和三十年前每年百万吨的状态上升到工业制造领域的450万吨，2014年每年的重要细节仍在攀升。与传统的汽车氧化工业和民用部门相比，氧气和氢气的不同用途决定了直接生产的可行性。实验全世界所有商业生产的H2O2都来自蒽醌AO工艺。其原料是氢气、蒽醌和空气，氢气是通过甲烷的蒸汽重整就地制造的，而空气是免费的。因此，现代技术采用不需要过滤的固定床反应器，而不是装备有过滤器的老式淤浆型加氢反应器；产物混合物容易从固定床加氢催化剂中分离出来，以便在AO步骤中用压缩空气充气。为了提取有机相中存在的H2O2，将软化水添加到高(> 30 m)液-液萃取塔的顶部，以确保水与工作解决方案。水在穿孔塔板上沿塔向下流动，同时工作溶液被泵入塔中。H2O2随后通过蒸馏(用蒸汽，过氧化物不与水形成共沸混合物，并且可以通过蒸馏完全分离)纯化和浓缩至不同的商业等级，通常高达70 %，之后通过加入稳定剂稳定浓缩产品，防止不希望的分解，然后泵入产品储罐。包括均匀的4纳米金属合金纳米颗粒(图2)。图2一个原因可能是直接合成只能用昂贵的过量纯O2来实现，而不能用自由获得的空气。此外，反应压力通常比AO工艺中通常采用的压力高得多。因为氧气的价格非常高(3.0-3.2 ...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言目前，193纳米光刻的K1远低于0.4，显著增加了整个光刻工艺的工艺复杂性和成本。ITRS要求32 nm和22 nm节点分别实现1.7 nm和1.2 nm的LWR (3s)，剂量灵敏度为(5至15) mJ/cm2。为了理解剂量灵敏度、LWR和分辨率之间的权衡，需要使用模型EUV光致抗蚀剂系统研究潜像形成和显影图像的组合效应。以前对这种模型光致抗蚀剂聚合物中酸扩散的研究表明，去保护分布的空间范围随着剂量或酸浓度的增加而增加，但即使不使用碱猝灭剂2，3，它也能自限于光致抗蚀剂的未曝光区域。我们研究了PAG负载和显影剂强度对EUV图案保真度的影响。实验使用的模型光致抗蚀剂是聚(羟基苯乙烯-丙烯酸共叔丁酯)(P(HOSt-co-tBA))(数均相对摩尔质量(Mn) = 11，459 g/mol，多分散指数(PDI) = 1.83，含有49摩尔%的HOSt和51摩尔%的tBA(杜邦电子聚合物)。该模型光致抗蚀剂和显影剂溶液中不含其他添加剂，因此可以对PAG加载和显影剂强度的影响进行受控研究。当提到PAG载荷(或浓度)时，从这一点开始，它将被暗示为质量百分比。对于对比曲线表征，SEMATECH-North Albany抗蚀剂测试中心Exitech MET与相同的PAB和PEB一起用作模式研究。在所有晶片上的EUV曝光之后，立即在90℃下进行30 s的曝光...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言氧化锌（ZnO） 压敏电阻， 电子照相感光剂 不仅仅是作为气体传感器等的电子陶瓷材料， 其C轴取向膜， 表面弹性波元件等1）的音响装置， 也可用于光波导等2）的光学器件。另外， 通过掺杂Al等3价元素，有望应用于透明导电膜。当薄膜作为半导体及透明电极材料使用时， 微细加工是必不可少的， 一般进行蚀刻。蚀刻有干法蚀刻3）和湿法蚀刻2种。干法蚀刻的方法是通过溅射进行物理蚀刻。 通过等离子中生成的激发活性物质进行化学蚀刻，这种蚀刻法是目前半导体加工的主流。 根据缺乏挥发性的物质的不同，也存在不可能进行蚀刻的情况。因此，在本报告中，我们注意到ZnO与乙酰丙酮的反应，尝试了用有机溶剂的蚀刻。另外，从蚀刻速度和温度的倒数中，可以求出蚀刻的活化能，由于活化能是绝对量，因此被认为是可以相互比较的ZnO膜的新的评价方法。另外，不仅可以用乙酰丙酮蚀刻可以在多方面利用的氧化锌膜，而且可以从蚀刻处理液中回收作为CVD用原料的乙酰丙酮锌，可以实现对地球环境友好的再循环。实验ZnO膜的合成中，使用了不使用真空装置的开放型热CVD装置5）和R.F.磁控溅射装置（日电阿内尔瓦制造，SPF―332）。作为制作膜的评价，使用触针式表面粗糙度形状测量机（东京精密，Surfcom 550A）测量膜厚，求出膜的减量。另外，表面组织用扫描电子显微镜（JEOL； 通过JSM，T―300）...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言氧化锌具有宽带隙，提供电子由于是通过添加而显示出优良的电学及光学特性的物质，因此被广泛使用。由于可以比较容易地制备均匀性优良的薄膜，因此特别用于制作需要均质、大面积氧化锌薄膜的透明电极。最近，随着以VLSI为代表的半导体元件开发的急剧进步，以吸收低电压电子电路中的浪涌为目的的低电压用压敏电阻的开发迫在眉睫。在3-10V左右的低电压下，为了在电压和电流的关系中表现出较大的非线性，在使用以往使用的氧化锌粒子（10―20″m）时，需要制作出能够保持与该粒子大小大致相同厚度的烧成体。目前，正在尝试将使用刮刀法制作的生片进行多重积层化的方法，但由于电压―电流（VJ）特性中的非线性系数值较小，还存在许多技术问题。在本研究中，作为液相法制作氧化锌薄膜相关研究的一环，在含有锌和镨的溶液上浸涂基板，之后通过烧制，调制添加镨的氧化锌薄膜。特别是在本报告中，在详细叙述薄膜前驱体溶液的调制法的同时，将所得薄膜的结晶粒径及压敏电阻特性与液相沉淀法和固相法调制的试料进行了比较研究，现将其结果进行报告。实验在调节前驱体溶液时，作为Zn源的醋酸锌二水和物（试剂特级）杏， 作为添加剂的Pr源，使用氧化镨（信越化学试剂特级）。 另外作为溶剂使用了特级乙醇。并且前驱体溶液的稳定化， 以及作为粘度调整的成膜助剂， 单乙醇胺， 使用烯醇胺及三乙醇胺（各Nakarai Tesk试剂特级...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言为了LSI的小型·高性能化， 为了实现高精度的基板表面粗糙度，在制造工序中推进了微细且多层布线化。 要求使用粒径100 nm以下的纳米粒子的CMP（Chemical Mechanical Polishing）工程。 工艺后晶圆上残留纳米粒子，成为产生缺陷产品的原因抛光后的清洗之一是利用软PVA（Polyvinyl Alcohol）刷直接接触清洗晶圆。 通过具有内部孔和结构凹凸的刷子的机械旋转运动和供给的药液流动，附着在表面的纳米粒子从晶圆上脱离[3]。在清洗过程中，观察表面上的抛光纳米粒子的清洗现象。 阐明机制， 对于更有效的纳米粒子清洗是必不可少的。在本研究中使用渐逝光的PVA刷的氮化膜上的纳米二氧化硅粒子接触清洗现象的观察中，PVA刷与基板表面接触使粒子从表面脱离时，由于PVA刷的散射光明亮，所以很难观察与纳米二氧化硅粒子的相互行为。因此，在本稿中，通过使用与PVA刷不同波长的荧光特殊纳米二氧化硅粒子，识别蓝色散射光的PVA刷和红色荧光的纳米二氧化硅粒子，观察表面附近的接触清洗现象，因此进行报告。实验图1显示了PVA刷的接触擦洗。通过向晶圆表面的PVA刷旋转接触和药液供给的并用，使附着在基板上的100 nm以下的二氧化硅研磨粒子脱离。由于该纳米尺度现象在距离表面数百nm的范围内高度发生，本研究中如图2所示，通过使用仅在表面附近局...
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