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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料MLCC(Multi-layer Ceramic Capacitors)是片式多层陶瓷电容器的英文缩写,是一种电路中广泛应用的电容器,又被称为“独石电容器”。电容器是重要的电子元器件,属于被动元件中的电路类(电阻、电容、电感,合称 LCR)元器件,是复杂电路架构的重要组成部分。电容在电路中的主要作用是储存电荷、交流滤波、旁路、提供调谐及振荡和用于微分、积分电路等。华林科纳CSE总结了与其他种类的电容器相比,MLCC 具有多种优良特性:(1) 容量范围大:相对于单层电容,MLCC 的多层堆叠技术使得其具有更大的电容量。(2) 超小体积:智能手机和平板等产品的不断更新换代带来了产品轻薄化的趋势,对应用的电容器产生了缩小体积的迫切需求,目前产品尺寸正向 0201、01005 发展。(3) 低等效串联电阻:MLCC 的 ESR 一般只有几毫欧到几十毫欧,与其它类型的电容器相差多个数量级。ESR 较小代表运行时元件自身散发热较少、从而将大部分能量用于电子设备的运作而不是以热能的形式耗费,提高运行效率的同时也提高了电容器的使用寿命(4) 额定电压高:陶瓷高温烧结工艺使其结构致密,相比其它材质的电容,耐电压特性更优秀,电压系列也更宽,可满足不同电路的需求。(5) 高频特性好:材料的发展使得 MLCC 在各频段都有合适的陶瓷材料来实现低 ESR 和阻抗,在高频电...
发布时间: 2022 - 01 - 14
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文提出了一种利用原子力显微镜(AFM)测量硅蚀刻速率的简单方法,应用硅表面的天然氧化物层作为掩膜,通过无损摩擦化学去除去除部分天然氧化物,暴露地下新鲜硅。因此,可以实现在氢氧化钾溶液中对硅的选择性蚀刻,通过原子精密的AFM可以检测到硅的蚀刻深度,从而获得了氢氧化钾溶液中精确的硅的蚀刻速率。首先,在乙醇中通过超声波清洗硅基底,使用原子力显微镜,在潮湿空气(相对湿度≃50%)划伤二氧化硅尖端后,通过摩擦化学去除清洁硅基板表面3×3μm2方形区域内的天然氧化物,如图所示1,磨损面积的深度为∼2nm,超过了天然氧化硅的厚度,因此,四方形区域的新鲜地下硅原子被暴露出来,利用真空中的氮化硅尖端进行AFM表面形貌扫描,确定了硅基底表面的方形区域的表面形貌和方形区域的深度d0。 图1第二,经过初始表面形貌扫描后,将处理后的硅衬底在室温下用一定pH的制备的氢氧化钾溶液中浸泡一定时间,硅(Si-100)的蚀刻率是氧化硅的185倍,而低浓度氢氧化钾溶液中氧化硅的蚀刻率极低。因此,在短时间内,氢氧化钾溶液几乎无法蚀刻天然氧化硅,但暴露的新鲜地下硅可以明显地蚀刻,经过一段时间后,取出硅衬底,然后用超纯水冲洗,然后,通过AFM扫描蚀刻后的硅衬底表面,得到四方形面积的深度d1。最后,在氢氧化钾溶液中蚀刻后,可以估计硅面积的蚀刻深度,蚀刻深度Δd为d0与d...
发布时间: 2022 - 01 - 14
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文研究了用氟化铵(NH4F)、氢氟酸(HF)和水之间的BHF蚀刻掺杂CVD薄膜的蚀刻速率和反应机理,在我们的研究中,BHF中NH4F的~浓度低于传统成分比的BHF,即NH4F的浓度设置在较高水平,在本实验中,通过将NI-I4F浓度设置在15~20%,约为常规浓度的一半,有几个好处,但并不影响热氧化物的蚀刻速率。在5in上沉积了各种掺杂的CVD薄膜,在300~500~o2、Sill4、乙硼烷、磷化氢和砷化氢的温度下,将硅晶片逐一地引入环境中,薄膜厚度范围为2000~10000A,通过将薄膜溶解在高纯度的HF中,测定了掺杂的CVD薄膜中B、P和As的浓度,BHF中HF和NH4F的浓度有所变化,在每次蚀刻过程中,蚀刻剂的温度均保持在25_+0.1~,蚀刻速率定义为薄膜厚度在单位时间内的减小,采用光学型薄膜厚度计(Nanospec210LCW-VT/SP200)测量薄膜厚度。硅酸砷玻璃膜--As浓度为2%:无热处理,因此,随着NH4F浓度的升高,二氧化硅的蚀刻速率急剧增加,然而,一旦NH4F浓度超过等摩尔浓度,HF~的生成就会变得稳定,即使NH4F浓度进一步增加,蚀刻速率也几乎没有上升。当NH4F浓度接近20%时,即使HF~生成稳定,蚀刻速率也开始下降,这可能是因为优势离子HF~的迁移率由于NH~的增加而降低,图1显示了当NH4F浓度变化时,热二氧化硅...
发布时间: 2022 - 01 - 14
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言使用酸性或氟化物溶液对硅表面进行湿蚀刻具有重大意义,这将用于生产微电子包装所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了湿蚀刻对浸入48%高频/水溶液中的硅片厚度耗散、减重、蚀刻速率、表面形貌和结晶性质的影响。蚀刻率由深度蚀刻随时间的变化来确定。结果表明,随着蚀刻时间的延长,硅的厚度减重增加。在高分辨率光学显微镜下,可以观察到蚀刻的硅片表面的粗糙表面。XRD分析表明,蚀刻后硅的晶体峰强度变弱,说明在硅衬底上形成的非晶结构表面的光散射减少。毕竟,这一发现可以有价值地用于生产可靠的硅薄晶片,这对于更薄的微电子器件制造和纳米封装至关重要,进而减少环境污染和能源消耗,以实现未来的可持续性。 材料、制备在蚀刻前,硅片经过了溶剂清洗过程。其主要目的是去除其表面的油和有机残留物。首先,用丙酮清洗晶片,其中将烧杯中的丙酮在温度下加热至55℃。然而,丙酮留下了自己的残基,因此乙醇被用来清洗丙酮残基。然后将晶片放入含有乙醇的水浴中放置10分钟。然后将晶片从浴液中取出,用蒸馏水冲洗。这些晶片在蚀刻前在空气中干燥一天。在蚀刻过程中,将硅片以48%浓度的高频蚀刻剂/水溶液中,时间间隔为10分钟至1小时。然后用蒸馏水清洗晶片,用空气干燥,然后进行进一步的表征。采用分析半微平衡(GH-202系列)测量重量减轻,采用数字微米(DTG03L型)测定硅片厚度减少。分别采用光学显微镜...
发布时间: 2022 - 01 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言线路背面(BEOL)铜(Cu)互联线的宽度和间距随着技术节点的每次进步而减小。了解减小的尺寸是如何影响BEOL化学机械抛光(CMP)过程是很重要的。本研究的重点是利用三类浆液配方(即氧化铝磨料、二氧化硅磨料和无磨料),利用尺寸与亚20nm技术相关的测试结构,对CuCMP进行评价。 实验所有的CMP实验都是在直径为300mm的晶圆上进行的,使用了不同线宽的双大马士革测试结构(40nm,32nm和28nm)。除特别说明外,试验结构的衬垫材料是采用物理气相沉积(PVD)工艺沉积的TaN-Ta。为了填充铜沟槽,使用电化学镀层沉积了约4500A的铜覆盖层。Cu CMP采用浆液A、浆液B、浆液c三种不同的泥浆进行。在本研究中,对Cu线宽度/间距为40nm及以下的先进技术节点的泥浆A和B进行了评价。浆液C已用于铜线宽为40nm(或更大)的技术节点,作为记录过程(POR)。在本研究中,采用浆C作为参考工艺,以建立的基线工艺测定新的浆。 结果和讨论衬里的选择性:覆盖层Cu和Ta薄膜的去除率见表1。所有泥浆的铜去除率都高于Ta,而泥浆A和B的铜去除率可以忽略不计。此外,在不同硬度和垫槽的抛光垫上测试了泥浆A,但在较硬垫上的铜去除率较高,但没有明显的Ta去除。这一结果突出了垫片硬度,开槽变化没有改变浆料对Ta的选择性。相比之下,在较低抛光压力下...
发布时间: 2022 - 01 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料在衬底温度、压力和紫外暴露等不同工艺条件下,在200◦C下使用紫外增强O2GPC去除聚乙EG的实验,通过在200◦C的衬底温度下,在150秒内去除约200nm厚度的PEG薄膜,证实了使用UV/O2GPC作为低温原位清洗工具进行有机去除的可能性,在衬底温度高于玻璃化转变温度的紫外/o2GPC中,聚乙二醇去除率的显著增加可以用表面波的形成来解释,可以通过考虑气相和有机膜上的紫外能量在衬底之间的分配来理解最佳的压力条件,本文通过观察聚PEG薄膜中的光谱和比例(C-O+C=O)/(C-H),确定了最佳压力为5Torr。样品用丙酮、乙醇和去离子水在声速浴中分别预清洗10min,然后用氮气吹制干燥。将2wt%的固态聚乙二醇溶解在乙腈溶剂中,制备了聚乙二醇(聚乙二醇,平均分子量为20万)溶液,用2000RPM的转速涂覆170nm厚的薄膜30秒,然后在100◦C下烘烤15min,将4英寸、p型、(100)导向(RS=22∼38Ω-cm)的硅片切成2×2cm2的碎片,安装在UVGPC系统的样品架上,GPC实验在一个配有紫外灯的负载锁定反应器中进行,以暴露反应气体和底物,该仪器的示意图如图所示1。 图1用于在不同的清洗时间、压力和衬底温度下去除PEG的UV/o2GPC,波长为254nm和185nm的紫外灯功率分别固定在40∼50mW/cm2和2....
发布时间: 2022 - 01 - 12
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本研究报道了使用稀高频溶液在Cu和碳掺杂氧化物(CDO)低k介质上选择性去除CuOX,通过系统研究HF浓度、溶解氧(DO)和pH对CuOX/Cu和CuOX/CDO选择性的影响,对配方进行了优化,利用电化学极化和电化学石英晶体微平衡(EQCM)技术,探讨了铜在稀高频中清洗过程中可以钝化的条件。用电化学还原技术测定了等离子体氧化法制备的氧化铜膜的厚度,结果表明,氧化铜膜的总厚度为~10nm,其中包括~3nm氧化铜和~7nm氧化铜,用扫描电镜研究了氧化铜薄膜的形貌,在高倍扫描电镜图像清楚地显示了空洞和裂纹形式的缺陷数量,孔隙尺寸不等,直径可达~75nm。关键溶液变量HF浓度、溶解氧(DO)水平和pH对CuOX、Cu和CDO去除率的影响如图2所示,稀释的氢氟酸溶液通过气泡氮气脱氧,并使用TMAH调整pH,由于材料兼容性问题,很难使用DO传感器测量高频溶液中的DO含量。然而,由于实验中使用了非常稀释的高频,因此在类似条件下测量了去离子(DI)水的DO含量,并假设稀释的高频溶液是相同的,测定空气饱和去离子水和氮气脱气后的溶解氧含量分别为8.2ppm,~为3-4ppm。 图2从图2可以看出,在所有pH和HF浓度下,脱氧和充气条件下的CuOX和CDO去除率相同,而脱氧条件下的铜去除率低于曝氧条件。可以注意的是,选择性被计算为氧化铜与铜的去除率的比值。由...
发布时间: 2022 - 01 - 12
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料在本研究中,我们研究了碱性后刻蚀表面形貌对p型单晶硅片少子寿命的影响,在恒温下分别使用30%和23%的氢氧化钠和氢氧化钾溶液,表面状态通过计算算术平均粗糙度(Ra)和U-V-可见光-近红外光学反射率来表征,而电学表征通过准稳态光电导测量来完成,这揭示了所得表面状态和少数载流子寿命之间的相关性。测量的表面粗糙度表明,23重量%的氢氧化钾溶液具有高的少数载流子寿命。为了确定提供最光滑硅表面的氢氧化钾溶液,在第一步中,我们通过在90 ℃的恒温下研究四种不同的浓度来优化氢氧化钾溶液。在第二步中,我们将优化的氢氧化钾溶液的表面状态的结果与常规的30%重量的氢氧化钠溶液进行了比较。最后,研究了表面态与少数载流子寿命之间的关系。 在常规清洗过程之后,硅衬底的双面减薄和抛光在几个恒定温度的氢氧化钾浴中进行,以达到320 um的最终厚度,研究的浓度分别为15%、23%、30%和40 %,本研究的目的首先是确定显示最光滑的蚀刻硅表面的氢氧化钾浓度,然后将低表面粗糙度方面获得的氢氧化钾浓度的最佳值与在几项工作中广泛参考的30重量%的氢氧化钠浴获得的表面进行比较。 图1显示了氢氧化钾浓度对在90℃恒温下蚀刻20分钟的晶片的表面粗糙度的影响,我们比较了由4种不同氢氧化钾浓度的氢氧化钾水溶液蚀刻的硅晶片的粗糙度,粗糙度随着硅上氢氧化钾浓度的增加而降低,但是在我们的研究中,在...
发布时间: 2022 - 01 - 11
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本研究的目的是为高效半导体器件的制造提出高效的晶圆清洗方法,主要特点是清洗过程是在室温和标准压力下进行的,没有特殊情况。尽管该方法与实际制造工艺相比,半导体公司的效率相对较低,但本研究可以提出在室温和标准压力下进行硅片干洗工艺的可能性。这意味着可以减少使用化学品,节省能源的加热基板和疏散清洁室,并为这些设施节省资金。由于与其他半导体相比,线宽18㎛相对较宽,因此在实验中得到的蚀刻率相对较低。在六氟化硫等离子体蚀刻晶片的SEM显微图中显示,当臭氧/紫外清洗时间为5min时,光刻胶没有被去除,图中有大量污染物颗粒和光刻胶碎片,臭氧/紫外清洗时间为5min,图4.16为臭氧/紫外清洗时间为20min时不去除光刻胶的晶片,在图4.16中也可以确认清洁的晶片表面,以500次放大倍数拍摄。 图4-16图4.17显示了当臭氧/紫外循环衰减时间为1min时,用丙酮用1000倍放大的蚀刻晶片去除光刻胶的SEM显微图。可见,图4.17的晶圆表面比图4.16的晶圆更粗糙。 图4-17从每个实验和分析中可以得出以下结果:(1)在流量0.5ℓ/min和放电功率分别为22.9W、21.0W、21.0W、26.2W和每个真空0.1Torr、1个Torr和760Torr下,最大臭氧浓度分别为8840ppm、7770ppm和6595ppm;(2)在流速为1ℓ/...
发布时间: 2022 - 01 - 11
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文分析了太阳能电池制作时使用的工艺参数对效率的相互关系,太阳能电池制造中使用的工艺包括纹理、兴奋剂、防反光膜、金属形成和烧结等,分析了各工序中的参数对效率的影响,对于纹理工艺,通过调整NaOH、IPA的比例来调整金字塔尺寸,金字塔越小,反射率就越低,如果以此为基础构建单元,光吸收量就越大,产生的电流就越大,另外,光产生的载体增加会导致开路电压增加。本实验采用太阳能电池Si基板,蚀刻溶液采用NaOH、IPA(C3H7OH)及H2O加入,以NaOH为基础的表面纹理,由于水溶液大部分是超纯水,因此硅的表面张力较大,因此IPA用于改善表面张力较低的表面熔深。 此外,IPA的OH-离子在表面与Si反应,欲形成SiO2,从而消除了H2泡,在70度到80度之间,IPA挥发,如果不定期补充,表面纹理的均匀性就会下降,反射率就会提高。首先用SOD法将液源涂敷在硅胶表面,转速3000rpm,旋转时间30秒,通过旋转将液源涂匀后在200℃干燥10分钟,之后利用快速处理(RTP)系统将附着在表面的源扩散到晶片内,通过这个过程在太阳能电池上形成埃米,兴奋剂时热处理温度及时间调节成为重要变量。 为此,在本研究的埃米形成中,将兴奋剂时热处理的温度控制在700~750℃,工艺时间控制在1~20min,找到了面电阻形成50Ω/-的条件,在(图3-1)中展示了RTP系统的结构。 ...
发布时间: 2022 - 01 - 08
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