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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      清洁是半导体集成电路生产过程中经常反复出现的一个过程步骤。它既可以从前一个过程中去除残留物,也可以为下一个过程准备表面。清洁和薄膜沉积过程的集成是至关重要的。氢氟酸最后一次清洗过程后的沉积延迟会导致环境暴露下裸硅表面的氧化物再生,或仅仅是表面的再污染。这将导致生长模式的改变或薄膜质量的恶化,并最终导致设备性能或生产的下降。 实验      这项研究使用了导体蚀刻室、电介质蚀刻室、微波剥离室和湿式清洁室的集群工具。清洁室基于Lam的受限化学清洁技术,使用清洁头以高流量流体流扫描晶圆表面,确保持续的化学物质补充和快速的副产品去除。清洁过程的暴露时间约为1秒。      对于接触应用,图1使用了65纳米节点兼容的短回路流程,该流程由用于栅极叠层、隔离物和NiSi的标准工艺模块组成。最小尺寸为90纳米的接触孔在25纳米PECVD氮化物/90纳米高纵横比工艺HARP氧化物/200纳米PECVD氧化物的叠层上用“193纳米浸没光致抗蚀剂”构图。使用CO/O2/C4F6/CH2F2氧化物蚀刻和N2/CHF3 Si3N2开口的等离子体工艺顺序蚀刻晶片,随后是CF4/O2/N2微波带。随后,用不同的化学溶液清洗晶片,并研究干蚀刻/剥离和湿清洗之间的延...
发布时间: 2021 - 10 - 23
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      通过在含有H2O2的HF溶液中蚀刻,在两步工艺中对商用硅太阳能电池进行纹理化。银纳米粒子作为催化位点,有助于蚀刻过程。确定了在表面制备纳米孔的蚀刻时间。利用光谱仪测量了硅太阳能电池表面纳米结构的光学特性。样品的全反射系数低于未经处理的硅太阳能电池。硅太阳能电池的整体效率取决于所选的银离子浓度制备条件和湿法蚀刻时间。太阳能电池的纹理化表面显示出效率的提高,电路光电流高于没有纹理化的参考硅太阳能电池。给出了各种硅电池的J-V曲线,并讨论了其与表面形态的关系。 实验      材料所有反应均在室温下进行。接收时使用硝酸银、过氧化氢抛光的单晶(100)型砷掺杂硅晶片,电阻率为0.001-0.005Ωcm,将晶片切成1.0×1.0cm2的区域,在室温下用丙酮和去离子水进行超声清洗10min。购买纹理单晶硅太阳能电池,在室温下用丙酮和去离子水进行超声清洗10分钟。      通过在室温下将硅(100) n型和硅太阳能电池浸入5%硝酸银m/m和HF 5M的混合物中一段时间来进行湿法蚀刻。然后将样品浸入H2O2 5% m/m和HF 5M的第二水溶液中一定时间,范围从30 s到10 min。      还使用原...
发布时间: 2021 - 10 - 23
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      原子平面的制备是半导体基板上原子尺度操作的必要前提。由于自组装现象或使用原子探针技术操纵单个原子,只有原子平面的表面才能产生可重复制造纳米级原子结构的机会。原子平坦的表面也应该是原子清洁的,因为氧化物和污染会引响原子尺度的粗糙度。原子平坦和清洁的表面也需要许多在微和光电子的应用。 实验      实验是在砷化镓外延层上进行的,以避免结构缺陷的可能影响,这些缺陷存在于由机械和化学机械抛光制备的商业基底的表面附近。我们使用液相外延(LPE)在传统GaAs(100)基质和图形GaAs(100)基质上生长的砷化镓层,不同大小的方形中台面面积在0.2到2mm2不等。       HCl-iPA溶液的制备包括盐酸蒸汽对iPA的等光饱和,制备方法如下:将含有100ml高纯双蒸馏iPA的玻璃放入装满300ml高纯浓缩37%盐酸的3-l干燥器中。为了确定溶液中盐酸浓度CHCl的时间依赖性,从玻璃中提取1mlHCl-ipa探针。用水稀释的探针的比例计算浓度CHCl。这些测量值的精度约为5%,并通过滴定法进行了验证。CHCl的时间依赖性如图所示:1.由闭上的圆圈表示。结果表明,在t50h时,浓度线性增加到CHCl10%,并在CHCl20%时饱和...
发布时间: 2021 - 10 - 23
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      晶体硅光伏效率和场退化领域的技术差距/需求已经被确定。效率低下和快速退化的原因可能有共同的根源。极少量的污染会导致光伏效率低下,并且在现场安装后暴露在阳光下时容易进一步降低效率。在最近的试验中,我们进行了同类最佳的清洗,将隐含的开路电压提高了3%。在批量和在线湿法清洗工具的分批生产试验中,纹理化后蚀刻导致多晶硅晶片上的单元效率绝对提高0.3%。 实验      光伏晶体应用清洁化学的目标是消除晶体衬底材料加工过程中产生的或无意中添加到制造环境中的表面污染物。清洁剂所针对的污染物是释放到湿法处理槽中的金属阳离子。在处理晶片的正常过程中,两个处理步骤对于损坏太阳能电池表面是最关键的。下面讨论这两个步骤。首先是在纹理化蚀刻后去除污染物。纹理化蚀刻通过提供光学粗糙的表面来改变硅表面。纹理蚀刻从晶片上去除大块材料。被去除的硅衬底中存在的任何污染物被释放到纹理化浴中。在纹理化蚀刻之后,移除晶片并通过加入酸浴来中和。这种浴通常是氟化氢的稀溶液,有时也是氯化氢。晶片表面上存在的任何金属污染物都转移到该槽中。第二个处理步骤:略。 结果和讨论      单晶硅后纹理和后清洁:根据测量的载流子寿命和载流子注入,计算出隐含的开路电压。在图1中,后...
发布时间: 2021 - 10 - 23
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      人们对用于器件应用的碳化硅(SiC)重新产生了浓厚的兴趣。它具有良好的晶格常数和热膨胀系数,可以作为第三族氮化物外延生长的衬底。在许多应用领域,例如与航空航天、汽车和石油工业相关的领域,需要能够在高功率水平、高温、高频和恶劣环境下工作的电子设备。硅(Si)不能满足这些要求;碳化硅可以。此外,由于其典型的化学和机械性能,碳化硅与硅结合,在传感器和微机电系统(微机电系统)中得到更广泛的应用。      对于阳极蚀刻,避免形成钝化的表面氧化物二氧化硅至关重要,二氧化硅可以形成二氧化硅,并且在HF水溶液中是可溶的。已知二氧化硅也可溶于碱性溶液;硅微机电系统技术的许多方面都利用了这一特性。令人惊讶的是,在高酸碱度下对碳化硅的电化学腐蚀很少受到关注。本文表明这种方法既可用于碳化硅的均匀刻蚀,也可用于碳化硅的钝化。还使用了带有反电极但没有电压的n型碳化硅的光阳极蚀刻。我们考虑与该方法的两种可能用途相关的结果:缺陷揭示和层选择性蚀刻。 实验      n型晶片轴向取向,掺氮,电阻率在0.01和0.07厘米之间变化。p型晶片取向为8°离轴,掺铝,电阻率为3.86厘米。本研究中使用的所有样品都具有硅极面。对于电化学实验,使用Si3N4掩模在样...
发布时间: 2021 - 10 - 22
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      高效太阳能电池需要对硅片的正面和背面进行单独处理。在现有技术中,电池的两面都被纹理化,导致表面相当粗糙,这对背面是不利的。因此,在纹理化后直接引入在线单面抛光步骤。随后,使用双面扩散工艺来构造发射器。为了避免太阳能电池的前侧和后侧之间的短路,后侧上的发射器在进一步的湿化学工艺步骤中被移除。所以总共有两个单面湿化学过程,一个在扩散过程之前,一个在扩散过程之后。在降低成本方面,我们打算将这两个过程合并为一个步骤。(图1) 图1标准工艺(左)和组合湿化学工艺(右)的PERC太阳能电池概念的工艺方案      在本文中,我们研究了影响晶片前后表面的因素以及新开发的在线湿化学处理概念的关键特征。一个新的运输系统将减少由于反应性气体造成的磨损、阴影和前侧发射器损坏。该系统是为成熟的湿化学工艺设计的。 影响晶片表面的因素      影响单侧蚀刻晶片前后表面的因素有所不同(图3)。所以必须保护正面免受发射器损坏的两个主要来源。一种是包裹在前端的流体,破坏了局部发射体和表面纹理。另一个问题是废气与整个正面反应造成的发射器损坏。环绕气体和活性气体可以通过修改蚀刻混合物和从背面去除的材料量来控制。在后侧,必须获得均匀的表面。有两种机制会影响这一...
发布时间: 2021 - 10 - 21
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      本文研究了KOH基溶液中AIN的湿式化学蚀刻与蚀刻温度和材料质量的关系。这两种材料的蚀刻速率都随着蚀刻温度的增加而增加,从20~80°C不等。通过在1100°C下快速热退火,提高了反应性溅射制备的A1N的晶体质量,随着退火温度的增加,材料的湿蚀刻率降低。在1100°C退火后,在80°C蚀刻温度下,蚀刻速率降低了约一个数量级。用金属有机分子束外延生长的In019A1081N在硅上的蚀刻速率大约是在砷化镓上的三倍。这与在砷化镓上生长的材料的优越的晶体质量相对应。我们还比较了掺杂浓度对蚀刻速率的影响。蚀刻两个晶体质量相似的主要样品,一个用nc1016cm3(2.6%In)完全耗尽,另一个用n5。这些蚀刻的活化能非常低,溅射的A1N为2.0 0.5 千卡摩尔。主要的活化能依赖于成分,在2-6千卡摩尔。在80时,GaN和InN层在氢氧化钾温度下没有显示任何蚀刻°C。 实验      在IntevacGenII系统中,使用半绝缘、(100)砷化镓基质或p型(1 11 cm)硅基质的金属加纳分子束外延(MOMBE)基质上生长。III组源分别为三乙基镓、三甲胺亚烷和三甲基钠,原子氮来自于在200W正向功率下运行的ECR脉波源。各...
发布时间: 2021 - 10 - 21
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      光增强电化学(PEC)湿蚀刻也被证明用于氮化镓。PEC蚀刻具有设备成本相对较低、表面损伤较低的优点,但尚未找到一种生产光滑的垂直侧壁的方法。氮化镓的裂切面也有报道,在蓝宝石基质上生长的氮化镓的均方粒根粗糙度在16nm之间,在尖晶石基质上生长的氮化镓的均方根粒度在11和0.3nm之间。      虽然已经发现基于氢氧化钾的溶液可以蚀刻氮化铝和氮化铟锡,但之前还没有发现能够蚀刻高质量氮化镓的酸或碱溶液.在这篇文章中,我们使用乙二醇代替水作为氢氧化钾和氢氧化钠的溶剂,因此我们能够使用90℃至180℃的温度。通过这样做,我们开发了一种两步工艺,将晶体表面蚀刻成ⅲ族氮化物。我们的样品是用金属有机化学气相沉积法在c面蓝宝石上生长的2mm厚的n型GaN外延层。      晶体蚀刻工艺中的两个蚀刻步骤中的第一个用于建立蚀刻深度,并且可以通过几种常见的处理方法来执行。在第一步中,我们使用了几种不同的处理方法,包括氯基等离子体中的反应离子蚀刻、氢氧化钾溶液中的PEC蚀刻。第二步是通过浸入能够晶体蚀刻氮化镓的化学物质来完成的。该蚀刻步骤可以产生光滑的结晶表面,并且可以通过改变第一步骤的取向、化学试剂和温度来选择特定的蚀刻平面。表一总结了本工作中使用的所有化学品的蚀刻速...
发布时间: 2021 - 10 - 21
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      薄晶片已经成为各种新型微电子产品的基本需求。其中包括功率器件、分立半导体、光电元件和用于射频识别系统的集成电路。机械研磨是最常见的晶圆减薄技术,因为其减薄率很高。新的微电子产品要求硅晶片厚度减薄到150米以下。机械研磨仍然会在晶片表面产生残留缺陷,导致晶片破裂,表面粗糙。因此,化学蚀刻法主要用于生产具有所需厚度的光滑表面的可靠的薄晶片。      在本工作中,我们研究了在硝酸和氢氟酸的混合溶液中,不同硝酸浓度对硅片总厚度和重量损失、刻蚀速率、形貌和结构特性的影响。结果表明,随着硝酸浓度和刻蚀时间的增加,总厚度和失重增加。较高的硝酸浓度导致较高的蚀刻速率,并且蚀刻速率随着蚀刻时间的延长而降低。随着刻蚀时间和硝酸浓度的增加,光学显微镜观察到更平滑、更清晰的均匀硅表面图像。XRD分析表明,腐蚀后硅片的强度比纯硅片高,这可能表明腐蚀后表面形成更光滑。本文的研究结果对生产一种可靠的、理想的、在集成电路制造中至关重要的硅晶片具有参考价值。 材料和方法      使用的化学品是硝酸,高频,乙醇,丙酮和蒸馏水。所有仪器在干燥前都用蒸馏水冲洗,以确保所有使用的仪器没有任何污染物。在蚀刻之前,硅晶片经历溶剂清洗过程,目的是去除其表面的油和有机残留物。首...
发布时间: 2021 - 10 - 21
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言对基于III-V半导体纳米异质结构的多结太阳能电池(MJSC)的关注是由于它们太阳能到电能的高效转化。MJSC参数的进一步改善通常与通过增加更多的光活性p-n连接和通过稀释底物来减少单个SCs的重量来提高效率有关。反过来,MJSC中光活性p-n连接数量的增加导致光流总值的自然下降,从而导致光活性p-n结的空间电荷区(SCR)电流的“重组”和“隧道陷阱”(过量)机制对SC效率的影响更大。这对MJSC的效率产生了负面影响。在这项工作中,我们提出了一种生长后制造工艺,其中在单阶段湿化学蚀刻工艺中将InGaP/Ga(In)As/Ge外延晶片分离成单个元件,这产生了平滑的蚀刻轮廓。为了评估制造的多结太阳能电池的质量,在电流密度为(110-12-10A/cm2)和电压为(0 - 3)伏的情况下,直接在外延晶片上测量J-V特性。我们已经证明,具有InGaP/Ga(In)As/Ge外延晶片的单阶段分离蚀刻的生长后工艺允许制造具有非常相似的J-V特性。 实验为了制造三结太阳能电池芯片的实验,InGaP/Ga(In)As/Ge纳米异方差通过MOCVD外延生长在掺杂到1·1018cm-3水平的锗p基板上。基底厚度为120-150µm,结构总厚度约为6微米。生长后,在顶部n层(Au(Ge)/Ni/Au)和p基底(Ag(Mn)/Ni/Au...
发布时间: 2021 - 10 - 20
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