扫码添加微信，获取更多半导体相关资料从表面科学的角度和器件制造的角度来看，半导体基底的清洁是一个非常重要的方面。作为一种简单而低温的硅清洗方法，报告了一种高效、相对简单的Ge衬底清洗方法。最后，我们描述了一种高效、简单的Ge衬底清洗方法。光谱和微观证据表明，这种方法确实对后续的生长研究很有用。首先，晶片在运行的去离子水中清洗，并在HF中冲洗(I-IF：H，O以9：1的比例冲洗，然后再在自来水中进行清洗。将样品浸入H、O、（H、O*：H、O按9：1的比例）中10-15s，然后用自来水洗涤，制备一层薄薄的氧化物，将样品浸入相同的高频溶液中5-10s，从而蚀刻氧化层，这个过程重复3-5次，该程序确保了Ge的多个原子层的去除。以同样的方法将晶片浸入H、OZ（H、Oz：H、O的9：1比）中浸泡10-15s，制备最终的氧化物层，样品通过吹制N2气体进行干燥，并装入UHV腔室，所有的湿式清洗过程均在分析设备保存的同一洁净室内进行，样品在300°C下退火20-30min，并在约500°C下进一步退火15min。两步退火是用于必要的出气和随后的氧化层分解。 图1在图中1我们绘制了氧化的Ge（100）表面和退火后的HeIUPS光谱。如图1所示，O2p态在5.2eV左右表现出一个明显的峰，该峰的结合能与硅表面的氧化物的结合能不同，这种差异和与锗表面氧化过程相关的效应将在接下...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言本文研究了硅的氧化物和氮化物的气相氟化氢蚀刻作用，新的氧化物选择性模式，概述了通过将无水高频与控制量的水蒸汽混合而产生高频蒸汽蚀刻剂的实现方法，描述了一种通过将氮气通过高频水溶液而引入高频蒸汽的系统。 实验图1显示了本工作中使用的反应器的示意图；该反应器由一个惰性碳化硅反应室和两个装有适当溶液的加热汽化器组成，通过使受控量的氮气载气通过汽化器来输送蒸汽，该室没有被加热，并且处理压力保持在350托。为了进行电学表征，在掺硼多晶硅上制备了具有450纳米掺杂栅的LOCOS隔离MOSCAPs 5-10 Q-cm (100)取向的硅衬底，12纳米的栅氧化层是在900℃的干燥氧气环境中生长的，电容器既没有接受氧化后惰性环境，也没有接受金属化后形成气体退火。 结果与讨论通过气相高频氧化物蚀刻，可以实现孵育时间和不同模式的蚀刻选择性。硅的各种氧化物和氮化物的蚀刻速率列于表1。与高频水溶液一样，气相等效物对不同的硅氧化物表现出不同的蚀刻速率，从而产生了蚀刻选择性，蚀刻速率从热生长到沉积氧化物，从未掺杂到掺杂氧化物增加。虽然氮化硅的低蚀刻速率使其成为硅氧化物的合适蚀刻掩模，但需要注意的是，气相HF与水对应物一样，产生各向同性蚀刻。气相和水相高频之间有明显的区别。如表1所示，蚀刻发生的时间存在于蚀刻过程的开始，这种孵育时间与在晶片表面...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料硅晶片的蚀刻预处理方法包括:对角度聚合的硅晶片进行最终聚合处理，对上述最终聚合的硅晶片进行超声波清洗后用去离子水冲洗，对上述清洗和冲洗的硅晶片进行SC-1清洗后用去离子水冲洗，对上述清洗和冲洗的硅晶片进行佛山清洗后用去离子水冲洗的步骤，对所有种类的硅晶片进行蚀刻预处理，特别是P(111)。本发明涉及评估硅晶片内部缺陷(defect)的方法，在半导体器件的制造中，主要用作基板的硅晶片通常在制造高纯度多晶硅棒后。随着超大规模集成(ULSI)电路设备(device)密度的增加，设备所在晶片表面的活动区域没有缺陷和污染，安全的降级区，特别是，在设备制造过程中，被热遗弃的晶片内部的缺陷不仅表明消除对设备电气特性有致命影响的金属杂质的有益影响，而且对晶片的强度也有重要影响，因此准确评价晶片到目前为止，硅晶片内部的缺陷评价一直是通过将热处理过的晶片切割干净或角聚化后用光(wright)蚀刻液不均匀地蚀刻缺陷，用光学显微镜观察蚀刻过的缺陷部位来进行的。从上述晶片的切面简单地用光蚀刻来评价出现的缺陷密度的方法具有简单可行的优点，但根据硅片的类型，表面出现了artifact，观察缺陷有困难。将现有硅晶片内部的缺陷评价球晶显示在第一度。根据上述方法，特别是P(100)、N(100)、P Epi/P(100)晶片在蚀刻后表示良好的morphology(形态)，但P(11...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料本文涉及一种清洗太阳能电池晶片的清洗设备，特别涉及一种用于干燥清洗后的晶片的太阳能电池晶片清洗器的干洗装置。根据发明的太阳能电池晶片洗涤器用干装置包括:在内部注入晶片的情况下使晶片干燥的腔室、在该腔室内旋转支承的情况下提供空气以使注入腔室内的晶片干燥的摆动喷嘴、旋转驱动该摆动喷嘴的摆动驱动装置，从而确保更好的干燥性能，大大缩短干燥时间，从而有助于提高生产率。太阳能电池是吸收太阳光并产生电动势的光电转换元件，是太阳能发电系统的核心，目前晶体硅(Si)占太阳能电池材料的90%以上。太阳能电池级晶片与已经用作半导体电路元件基板50多年的半导体级硅片相比，为了降低制造成本，纯度比11 Nine低6 Nine(99.9999%)但是，虽然电路的复杂性或线宽大小有差异，但从根本上说，半导体所子和太阳能电池都是通过添加硼(B)、磷(P)等兴奋剂形成P型和n型区域，制作电极的过程是相同的。形成如此众多光电转换元件的太阳能电池级晶片被称为Solar Wafer。这样制造Solar Wafer，配置电池并安装在现场，太阳能发电系统就完成了。另一方面，太阳能电池制造工艺由光刻、蚀刻（蚀刻）、离子注入、薄膜形成等众多单位工程组成，在一个单位工程结束，进入下一个单位工程之前，必须经过清洁工艺。这样，清洁设备可以降低昂贵的工艺设备部件和材料的更换费用，是提高半导体/LCD/...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料本文涉及一种感光膜去除方法，通过使半导体制造工艺中浇口蚀刻后生成的聚合物去除顺畅，可以简化后处理序列，从而缩短前工艺处理时间，上述感光膜去除方法是:在工艺室内晶片被抬起的情况下，用CF4+O2等离子体去除聚合物的步骤； 将晶片安放在板上，然后用O2等离子体去除感光膜的步骤； 和RCA清洗步骤。图1是示出浇口蚀刻过程中过量生成的聚合物的图。 图2a内地图2b为本发明浇口蚀刻后的感光膜去除方法的工艺剖面图。 图3是从设备方面说明本发明的感光膜去除方法的概要的图，该方法将在Asher的工艺室内进行。本发明涉及一种半导体元件的制造工艺，更详细地说，涉及一种在浇口蚀刻后能够顺利地去除聚合物和感光膜的方法，在半导体制造过程中，每一步都必须写照相工艺。 该照相工艺将感光剂均匀涂布在晶片上， 使用步进器等曝光设备， 是指将蒙版或复制品上的图案缩小投影曝光后，经过显影过程，形成所需二维图案的感光膜的所有工序。 在照相过程中形成图案后， 使用感光膜作为掩膜，实施蚀刻或离子注入工程等，之后实施去除不必要的感光膜的工程，称为感光膜去除。 为了解决上述问题， 本发明的目的在于针对浇口蚀刻后生成的聚合物的特性，首先顺畅地去除聚墨，从而提供一种能够简化感光膜去除工艺的感光膜去除方法。为达到上述目的，本发明包括:在工艺室内晶片被抬起的情况下，用CF4+O2等离子体去除聚合物的步...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言本文的目的是寻找改进玻璃蚀刻剂的湿式蚀刻技术的方法，分析了玻璃湿蚀工艺的基本要素。为此，提出了一种改进的玻璃深湿蚀刻技术。用Cr/Au和光刻胶掩模蚀刻了一个500µm厚的Pyrex玻璃晶片，据我们所知，这是所报道的最佳结果。对于改进的表面，建立了高温和苏石灰玻璃的最佳溶液HF/HCl（10：1）。本文将重点研究玻璃的湿蚀刻过程，重点研究最常用的玻璃玻璃之一（康宁7740）。 玻璃蚀刻技术玻璃蚀刻主要有三种技术：机械、干燥和湿。机械方法包括传统的金刚石钻头钻头、超声波钻孔、电化学放电或粉爆，这些方法通常用于通过玻璃晶片进行蚀刻。然而，使用这种方法不能生成光滑的表面，干式蚀刻技术包括等离子体和激光蚀刻玻璃。目前有大量的玻璃，每一种都有不同的性质和不同的成分。玻璃是氧化物的“混合物”，这些氧化物的组成和浓度赋予了主要的性质。因此，玻璃蚀刻的表征只能进行一般术语的分析。玻璃的湿式蚀刻主要是在hf基溶液中进行的。由于成分的不同，蚀刻速率也有所不同。 图1不同眼镜的深度与蚀刻时间图1给出了一个例子，其中三种不同的玻璃(康宁7740、打石灰和HoyaSD-2)在HF49%溶液中湿蚀刻,可以观察到，只有康宁7740呈现出恒定的蚀刻速率，而其他两种玻璃的深度在时间上有抛物线变化。对这种效应的解释可以在玻璃成分中找到。结果在蚀刻后，...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言本文研究了CMP化学物质诱导的多孔硅-sio低材料的降解，并描述了其降解机理和回收方法。描述了CMP工艺对漏电流退化的影响和介电常数，发现漏电流和介电常数增加。根据傅立叶变换FTIR吸收，由于CHx和OH键的增加，CMP后清洗溶液，这是因为化学机械抛光后清洗溶液中的表面活性剂渗透到多孔二氧化硅中，渗透的表面活性剂在CMP工艺之后，可以通过用2-丙醇或乙醇冲洗来去除多孔二氧化硅。 实验 本文研究的工艺流程是使用CMP扫描机NPS3301尼康对300mm硅片上的多孔硅片进行了Cmp工艺直接抛光和CMP后清洗，将浆液的流量保持在150mL/min时保持不变，抛光压力和平均相对速度分别保持在0.34kPa和1.79m/s。这个多孔的二氧化硅被抛光了30秒，清洗液1pH9.0和清洗液2pH5.0与刷砂一起进行cmp后清洗，清洗时间分别为38和60s。此外，用n2气-水二相流动清洗清洗抛光后的多孔二氧化硅18s。 为了研究CMP化学物质的降解和对回收过程的影响，进行了浸渍试验，即将多孔硅膜浸入CMP化学物质中1min，用去离子水或乙醇冲洗8min，n2吹法干燥。FTIR作为一个指硅衬底在透射模式下的入射角和垂直入射角的差光谱进行测量。采用固着液滴法测量了接触角。...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料本文公开了一种用湿式均匀清洗半导体晶片的方法,所公开的本发明的特点是:具备半导体晶片和含有预定清洁液的清洁组、对齐上述半导体晶片的平坦区域，使其不与上述清洁组的入口相对、将上述对齐的半导体晶片浸入清洁组的步骤、旋转上述沉积的半导体晶片的凸缘区域，在规定的时间内清洗上述旋转的半导体晶片、将上述清洁的半导体晶片浸入上述清洁组之外的步骤。涉及半导体晶片湿式清洗方法，特别是，半导体晶片用湿式均匀清洗方法。一般来说，半导体器件制造过程中，通过氧化和扩散过程、照相过程、蚀刻过程和薄膜沉积过程等，将半导体器件聚集到Weiper中的过程中，会伴随着粒子、灰尘和水分等不可选择的杂质。这种杂质是引起半导体器件物理缺陷及特性下降的原因，最终会使器件的收率下降。因此，为了使元件的收率保持在适当状态，正在单位工序前后进行清除不需要的杂质的清洗过程。 图1图1是用于说明根据现有技术的半导体晶片清洗方法的图纸。参照图1，为了从晶片(10)的表面消除污染源，将晶片(10)的平坦区域对准预定方向，然后将晶片(10)浸泡在含有清洗液的清洗槽中,这时，晶片的平坦区域按照不与洗涤池的入口相对的方向排列。因此，晶片按A区域、B区域、C区域的顺序沉积在洗涤池中。在这里，清洗液由适当的溶剂或化学溶液组成，以消除目标污染源。在图1中，箭头指示晶片(10)沉积在洗涤液(20)上的方向。...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料半导体制造过程中，在每个过程前后实施的清洗过程约占整个过程的30%，是重要的过程之一。特别是以RCA清洁为基础的湿式清洁工艺，除了化学液的过度使用、设备的巨大化、废水造成的环境污染等问题外，重要的是有效地冲洗，防止清洁化学液在道工序后在晶片表面残留，以及防止水斑点等污染物再次污染。因此，最近在湿清洗过程中，正在努力减少化学液和超纯水的量，回收利用，开发新的清洗过程，在干燥过程中，使用超纯水和IPA分离层的marangoni干燥方法正在引入。本研究考察了不同于传统的marangoni方法，利用超纯水和IPA的混合溶液表面进行干燥和去除污染颗粒的效果。自制了超纯水和IPA混合溶液安装在室内，为了制造一定浓度的混合溶液，我们先在单独的容器中混合，并保持混合溶液在bath内以3 LPM的流量恒定地投入。此外，为了方便晶片的干燥，还采取了其他措施。根据IPA的浓度变化，观察晶片表面污染颗粒的增减情况，在IPA添加量为低浓度和高浓度的情况下，可以观察到良好的结果。而且，将晶片从bath内取出到大气中时的解除速度对晶片表面的污染粒子数没有太大影响，但对晶片底部的water droplet形成有很大影响，结论表明与GAN有密切关系。另外，继续反复使用超纯水和IPA混合溶液进行工艺，表明晶片表面存在的粒子数量没有增加，而是保持在一定水平。干燥过程中吹的hot N2...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言本设计涉及自旋干燥器的晶片导向结构， 更详细的说明是为了减少蚀刻后的晶片在干燥中的颗粒所造成的污染， 内侧有支撑各种结构的躯体， 使多个晶片在上述体内侧可旋转支撑的多个回收站， 对于由多个晶片导轨组成的自旋驱动装置，上述每个晶片的边缘结合在一起，从而使上、下晶片在一定的间隙内高速旋转， 上述晶片导轨的特点是，由倾斜角度约为12°的斜角槽和宽约为0.9 mm的长方形槽组成，使与晶片的摩擦最小化。 图1图1a为城市通常自旋干装置的一部分的平面图，图1b为城市图1a的1-1线的部分截面图。 其中， 图1b是图1a的1-1线， 上述晶片导轨形成了倾斜的倾斜凹槽，以使晶片的边缘易于插入； 与上述倾斜凹槽联通时，形成了一定宽度及一定深度的矩形槽。进行这种配置的传统自旋干燥器的晶片导轨在多个晶片插入上述晶片导轨的直方槽后， 其作用是在超纯水喷射到上述晶片表面的同时，在高速旋转（大约为1200RPM）的过程中，抓住晶片以防止上述晶片移动。 当然，在上述晶片的高速旋转下，残留在上述晶片上的蚀刻液都会外排。但是，这种传统的自旋干燥器的晶片导轨存在着一个问题，由于与晶片的摩擦，大量的particle和物质留在晶片的边缘，导致晶片被顶出（reject）处理。也就是说， 由于晶片边缘与上述晶片导轨的矩形槽之间的摩擦，上述矩形槽可能会轻微损坏，...
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