清洗是工业生产必不可少的环节，目前工业清洗主要采用有机溶剂清洗和水溶液清洗。有机溶剂以挥发性溶剂（VOC)和含卤素的氯氟烂（CFC)溶剂为主，每年全世界要用几百万吨，由此引起对臭氧层的破坏、对大气环境的污染非常严重。1987年世界各国签署的蒙特利尔公约已经规定了这类溶剂的禁用日程表。水溶液清洗需要复杂的表面活性剂配方，干燥时间长，处理的金属易于生锈，而且会形成二次污染，也必然要增加设备和处理费用。因此，研究开发环境友好的清洗剂和清洗方法成为当务之急。超临界CO2(SCCO2)是一种可以代替VOC和CFC的清洗剂，具有一定的优点。SCCO2对有机物有一定的溶解能力，清洗过程中对各种清洗材料性能稳定，粘度低和扩散性高，表面张力低，润湿性良好，极易渗入待清洗材料内部，可有效去除死区的污垢，清洗后无需干燥，无残留。1 超临界流体的特性超临界流体是指物质的温度和压力分别处在其临界温度和临界压力之上时的一种特殊的流体状态。超临界流体的密度为气体的数百倍，接近于液体，粘度接近于气体，扩散系数大约为气体的1%,而较液体大数百倍。一般来讲，超临界流体的密度越大，其溶解度就越大。在恒温下，超临界流体中物质的溶解度随压力升高而增大。将温度和压力适当变化，可使溶解度在102~103倍的范围内变化。超临界流体的这一特性，会产生两种十分有利的应用效果：一方面，目标物（如要清除的污染物等）会最大限度地溶解于超临...
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2021
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“芯片之城”地标产业来了！日前，江北新区举行“芯片之城”地标产业签约仪式。市委常委、江北新区党工委专职副书记罗群，新区管委会副主任陈潺嵋，东南大学首席教授、南京集成电路产业服务中心主任时龙兴，金雨茂物投资管理股份有限公司董事长段小光， 南京中安半导体责任有限公司董事长曾安，江苏超芯星半导体有限公司董事长刘欣宇出席活动。活动中，超芯星半导体项目和中安半导体项目与新区签约，未来都将落户新区研创园。据了解，江苏超芯星半导体有限公司主要从事6-8英寸SiC碳化硅芯片衬底研发及产业化，是国内领先的碳化硅材料供应商，碳化硅作为三代半导体材料，将在轨道交通、5G、新能源汽车等领域有广泛的应用前景。目前公司已推出大尺寸碳化硅扩径晶体，实现厚度突破，属于技术领先的三代半产品。总部迁入研创园后将推动上市计划，项目规划三年实现6英寸碳化硅衬底年产3万片，未来还将在SiC衬底产品的基础上，将进一步研发SiC切磨抛工艺，打造国内SiC行业标杆企业。另外，中安半导体作为先进的半导体材料检测设备研发商，拥有国内领先的检测设备研发能力。项目团队拥有硅片检测核心技术，并且具备工程应用、生产管理以及销售服务等各方面的管理经验以及多年所累积的市场资源。此次项目主要是开发半导体硅片平整度和三维形貌检测设备，从事开发200mm和300mm硅片平整度和三维形貌检测设备，目前已获得金茂资本首期风险投资，未来将通过开发拥有独立知...
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华林科纳清洗机视频，可点击全屏观看，查看甩干机介绍。
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华林科纳清洗机视频，可点击全屏观看，查看兆声清洗设备介绍。
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华林科纳单片清洗机视频，可点击全屏观看，查看单片清洗机介绍。
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国外经典半导体工艺视频：晶圆表面电路的设计（下）↑ 此文件仅供参考学习，勿用于商业用途延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
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华林科纳晶圆电镀设备分两个系列， CPE(半自动)/CPEA（全自动），主要 用于半导体晶圆凸点UBM金属层制作 以及陶瓷基板上的金属层的电镀； 还 可用于硅片制造中表层剥离、去除杂 质以及大尺寸图形腐蚀等方面。• 目前,比较典型的凸点制作工艺流程主要包括焊料凸点制作和金凸点制作。• 焊料凸点制作工艺流程: • 清洗→溅射Ti/Cu→光刻1→电镀Cu/Ni→去胶→腐蚀→介质制作→光刻2→腐蚀介质→去胶→溅射Ti/Cu→光 刻3→镀Cu/Ni→镀焊料→去胶→腐蚀Cu→腐蚀Ti→硅片回流→检测凸点→划片分割→成品。• 金凸点制作工艺流程: • 清洗→溅射TiW/Au→厚胶光刻→扫胶→电镀Au→去胶→清洗→腐蚀Au→腐蚀TiW→退火→检测→成品。• 一般来说,凸点制备过程中,主要采用电镀铜、镍、金、锡铅、锡银等镀种,一些特殊的凸点工艺还使用金锡、 锡、银、铟、化学镀镍等镀种。 更多的半导体清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncas.com），现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
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刻蚀的目的是把经曝光、显影后光刻胶微图形中下层材料的裸露部分去掉，即在下层材料上重现与光刻胶相同的图形。刻蚀方法分为：干法刻蚀和湿法刻蚀，干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术，一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区，它是各向异性的刻蚀技术，即在被刻蚀的区域内，各个方向上的刻蚀速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术；湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，这是各向同性的刻蚀方法，利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料，通常SiO2采用湿法刻蚀技术，有时金属铝也采用湿法刻蚀技术，国内的苏州华林科纳CSE在湿法这块做得比较好。下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程：二氧化硅腐蚀：在二氧化硅硅片腐蚀机中进行，国内腐蚀机做的比较好的有苏州华林科纳（打个广告），腐蚀液是由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时，腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高，腐蚀越快，掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度最敏感，温度越高，腐蚀越快。具体步骤为：1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S，上下晃动，浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）的作用是减小硅片的表面张力，使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触，从而达到充分腐蚀；2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液（氟化铵溶液）的槽中浸泡...
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2016
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光刻的作用是把掩模版上的图形转换成晶圆上的器件结构，它对集成电路图形结构的形成，如各层薄膜的图形及掺杂区域等，均起着决定性的作用。 光刻的基本流程：前处理——涂胶——对版曝光——显影——显影检查——后烘——腐蚀——腐蚀检查——去胶——检验归批。前处理硅片容易吸附潮气到它的表面，硅片暴露在潮气中叫做亲水性。对于光刻胶的粘附性，具有干燥成疏水性的硅片表面非常重要，所以在成底膜和光刻胶旋涂前要进行脱水烘焙。典型的烘焙是在传统的充满惰性气体（如氮气）的烘箱或者真空烘箱中完成，实际的烘焙温度是可变的，常用的温度是200—250℃。脱水后的硅片马上要用OAP （常用HMDS溶液：六甲基二硅胺烷）成底膜进行表面处理，它起到提高粘附力的作用。在硅片成底膜操作后尽快涂胶，使潮气问题达到最小化。成底膜的方法有：1、滴浸润液和旋涂：温度和用量容易控制，但系统需要排液和排气装置，HMDS溶液消耗量大。2、喷雾分滴和旋转：优点是喷雾有助于硅片上颗粒的去除，缺点是处理时间长和HMDS消耗大。3、气相成底膜和脱水烘焙：最常用，气相成底膜一般200—250℃下约30S完成。优点是由于没有与硅片接触减少了来自液体HMDS颗粒沾污的可能，HMDS的消耗量也小。一种方法是先进行脱水烘焙，再将单个硅片置于热板上通过热传导熏蒸形成底膜，这种方法优点是硅片由里向外烘焙，低缺陷密度，均匀加热和可重复性。另一种方法是以...
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2016
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1.盐酸有何特征?答：纯净的盐酸是无色透明的液体，一般因含有杂质三氯化铁而呈黄色。常用浓盐酸中约含37%的氯化氢。盐酸易挥发，是一种强酸。在电镀生产中广泛使用盐酸作为浸蚀剂。2.硫酸有和特征?答：浓度为96%的硫酸溶液，比重为1.84。浓硫酸具有吸水性，吸水过程中放出大量的热量。在电镀生产中广泛使用硫酸作为浸蚀剂，由于其挥发性低，所以可利用加热提高浸蚀速度。3.硝酸有何特征?答：硝酸是一种氧化型的强酸，在见光受热时分解放出氧而使别的物质氧化，所以硝酸应盛在棕色瓶内，电镀生产中广泛使用权有作为浸蚀剂。4.现有浓盐酸、浓硝酸、浓硫酸各一坛，能凭目测将它们分辨出来吗?答：冒白雾的是盐酸，冒黄烟的是硝酸，无烟雾的是硫酸。5.如何区别碳酸钠，片碱(NaOH)?答：碳酸钠又名纯碱，又称弱碱，是白色粉末，水溶液呈碱性，电镀中配制去油溶液。片碱，化学名氢氧化钠，是强碱，又称烧碱，是白色固体或片状体。与水溶解后放出热量，易灼烧皮肤，电镀中用碱性镀槽、发黑、去油等用处。6.什么叫溶液、溶剂与溶质?答：一种或数种物质分散到另一种液体物质里形成的均匀、稳定液体叫溶液。能够溶解其它物质的液体叫溶剂，被溶剂溶解的物质叫溶质。7.什么叫溶解与溶解度答：溶质在溶剂作用下，以分子状态不断地扩散到溶剂分子间去的过程叫做溶解。在一定温度和压力下，某溶质在100克溶剂里达到饱和所溶解的克数，叫做该溶质在这种溶剂里的溶解度...
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