陶瓷盘清洗机-CSE设备名称：陶瓷盘清洗机-华林科纳CSE设备外型结构及主要参数 控制模式: 手动控制模式 自动控制模式。 清洗对象：陶瓷盘 设备形式: 室内放置型。 尺寸(参考，详见图纸，含地脚)：3000 mm(L)× 1500 mm(W)× 2200 mm(H)。 机台总体结构暂定分为两部分，机械运行机构装置与机台前方；机台前方为清洗工作区域及机械行走区，机台后上方为电器和气路布置区域，后下方为液路布置区域。更多半导体设备可以关注华林科纳（江苏）半导体设备官网www.hlkncse.com；现在咨询400-8768-096，18913575037，可立即免费获取华林科纳CSE提供的设备相关方案
兆声波清洗机—华林科纳CSE Mega sonic cleaning machine华林科纳（江苏）CSE-兆声波清洗机 适用于硅晶片 蓝宝石晶片 砷化镓晶片 磷化铟晶片 碳化硅晶片 石英晶片可处理晶片尺寸2'-8'；可处理晶圆材料：硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等；主要应用领域：半导体 太阳能光伏 液晶等 设备名称CSE-兆声波清洗机类型槽式尺寸(参考)约3500（L）×1350 (W)×2300mm (H)清洗件规格4” 2篮50片设备净重1T运行重量1.5T±10%电源380v 50hz 功率70kw槽体尺寸200mm*400mm*260mm槽数6个操作方式手动/半自动/全自动适用规格2英寸-8英寸适用领域半导体、太阳能、液晶等 设备稳定性1、清洗良品率≥99%2、≥0.2um颗粒少于10颗 产品简介1设备机架采用不锈钢骨架外包PP板，耐酸碱腐蚀；2电气区设置在设备后上部，与湿区和管路区完全隔离；3槽体材料选用耐相应溶液腐蚀的材料；4机械手探入湿区部分的零部件表面喷氟或套PFA管处理；5设备排风采用顶部百级FFU送新风，台面下抽风，每套工艺清洗槽都有自动开闭的槽盖，槽盖下有单独的抽风装置，排风口处设有自动调节风门，即上电打开风门，断电关闭风门，具有风压检测功能，以及氮气、压缩空气压力报警功能；6溶液槽中药液自动供液按设定好比例混合，并可在工作过程中根据设定补液；客户根据自身工艺条件自行设定；7台面为多孔结构，便于台面上冲洗水、液的排出；8操作面设有透明PVC安全门；9设备设有漏电、急停、液位、过温、安全门开、漏液、超时等保护和报警装置，保证设备的安全可靠；10配备有进口PFA，水、气枪各一。 更多半导体兆声清洗...
设备名称：晶棒腐蚀机---CSE产品描述： ●此设备自动化程度高,腐蚀清洗装置主要由水平通过式腐蚀清洗主体(槽体部分/管路部分等),移动机械传送装置,CDS系统，抽风系统,电控及操作台等部分组成; ●进口优质透明PVC活动门（对开/推拉式），保证设备外部环境符合劳动保护的相关标准，以保证设备操作人员及其周围工作人员的身体健康; ●机械臂定位精度高; ●整体设备腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠; ●设备成本合理,自动化程度高,使用成本低;技术先进,结构合理,适宜生产线上大批次操作. ●非标设备，根据客户要求具体定制，欢迎详细咨询！更多半导体清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlcas.com），现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下 3.设备说明3.1 排风系统●排风装置（排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计）将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外（室外排放遵守国家环保要求），避免扩散到室内；●排风通道内设有风量导流板，从而使排风效果达到最佳；●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个)，排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体；●排风口处设有手动调节风门，操作人员可根据情况及时调节排风量；3.2设备防护门：●本体前方安装有防护隔离门，隔离门采用透明PVC板制成，前门可以轻松开合，在清洗过程中，隔离门关闭，以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水；●给排水排废接头均为活性连接；●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程， ●人机界面为触摸屏，接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能，各工作位过程完成提前提示报警，触摸屏选用优质产品；●触摸屏加锁定，以防非授权人员修改或设定参数；●所有电控部分需独立封闭，带抽风系统，独立的配电柜●设备照明：设备其它部位--低电压灯，根据工作需要可控照明；●设备整体采取人性化设计，方便操作；并装有漏电保护和声光报警提示装置，保证性能安全可靠；电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线，电气控制部分内部还通有压缩空气保护，可防水耐腐蚀；●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护，免受腐蚀；●设备具有良好的接地装置；
RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的，并由此而得名。RCA清洗是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法，是去除硅片表面各类玷污的有效方法，所用清洗装置大多是多槽处理式清洗系统。 该清洗系统主要包括以下几种药液：（1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。（2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时，在自然氧化膜被腐蚀掉时，硅片表面的硅几乎不被腐蚀。（3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时，H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。（4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。在室温下HPM就能除去Fe和Zn。CSE清洗基本步骤：化学清洗—漂洗—烘干。硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般硅片表面沾污大致可分在三类：1、有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。...
设备概况：（仅做参考）主要功能：本设备主要手动搬运方式，通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理，从而达到一个用户要求的效果。设备名称：KOH Etch刻蚀清洗机 设备型号：CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考)：自动设备约2500mm（L）×1800mm(W)×2400mm(H)；被清洗硅片尺寸： 2--6寸（25片/篮）设备形式:室内放置型;操作形式：手动各槽位主要技术工艺：设备组成：该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向：方案图按 “左进右出”方式，另可按要求设计“右进左出”方式；设备描述：此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮，与触摸屏互相配合主体材料：德国进口10mmPP板，优质不锈钢骨架，外包3mmPP板防腐；台面板为德国10mm PP板；DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材，需满足18M去离子水水质要求，酸碱管路材质为进口PFA/PVDF；采用国际标准生产加工，焊接组装均在万级净化间内完成;排风：位于机台后上部工作照明：上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑：设有EMO(急停装置)， 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置（CDA Purge）设备三层防漏 楼盘倾斜 漏液报警 设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型，可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备（KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等）以及干燥设备（马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...