欢迎访问华林科纳(江苏)半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829



新闻资讯 新闻中心
133-5806-4333
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
新闻中心 新闻资讯
LED芯片是一种将直接电能转化为光能的半导体器件,是现代信息产业的核心器件。随着我国科学技术的不断进步与微电子设备研制的发展,国内从事芯片设计制造企业也逐渐增长到几百家,但是他们普遍自主知识产权及自主创新设计制造水平不高。LED芯片制造及高端封装技术是技术密集型产业,其发展水平离不开高端工艺与硬件设备。近年来国内微电子设备产业急速扩张,而支撑其技术引领的高端设备却严重缺乏,发展瓶颈逐渐成形。目前产业高端设备依然依赖国外进口,亟需开发研制自己的高端设备。LED封装就是在保证其芯片无损以及高光取出效率的前提下将外部引线与内部芯片电极相互连接。在整个LED产业链当中,封装技术是产业与市场的连接纽带,而在LED芯片制造和高端封装过程当中去胶这一工艺过程起着非常重要的作用。1当前面向LED芯片制造和封装去胶设备现状随着科学技术水平的不断发展,集成电路技术现已主要通过凸点封装模式来大幅提升封装密度与效率。凸点封装技术包括了膜沉积、光照、去胶等多项半导体芯片制备技术。现代高端封装工艺一般面向300 mm晶圆、65 nm及以下极大规模集成电路封装需求,开发凸点个数3000以上、间距200μm以内的小间距凸点制作技术和再布线技术。其核心过程是在已制成芯片的特征位置定义并形成凸点、重布层(RDL)或通孔(Via)等特征图形。由于特征尺寸的缩小、特征图形密度的增加,其特征图形的定义就必须通过涂覆超厚胶 ...
发布时间: 2017 - 02 - 09
浏览次数:1215
最新新闻汇总1.先进半导体委任CEO洪沨为执行董事;2.浙江金瑞泓全面建成8英寸硅片规模化生产线;3.蓝思周群飞:3D曲面玻璃放量增长机会来临;4.侵权门再添一员!三星Gear VR涉嫌盗用专利;5.三星大规模扩增产线 面板、半导体设备厂商喜获订单;6.可挠式OLED面板市场规模将超越硬式OLED 蒸镀设备厂受惠最多1.先进半导体委任CEO洪沨为执行董事;先进半导体发布公告,于2017年5月16日举行的公司周年股东大会批准委任洪沨为第五届董事会执行董事,任期由2017年5月16日至2019年3月1日。洪沨博士自 2017 年 2 月 6 日起被委任为公司首席执行官。根据洪沨博士与该公司签定首席执行官之委任的合同,期限自 2017 年 2 月 6 日至 2020 年 2 月 5 日。根据该合同,洪将获得每年币 2,112,768 元人民币的薪水,按每月币 176,064 元人民币的數额支付。洪博士亦能获得由董事会决定高达币 683,838 元人民币的年度变动工资,以及奖金,该部分乃基于洪博士的表现由该公司支付。此外,洪博士亦能获得每年最高不超过 500,000 元人民币的住房补贴及子女教育补贴。洪沨博士,1960年生于上海,美国国籍。于1983年获得复旦大学物理学士学位,于1986年获得复旦大学电子工程硕士学位,于1993年获得美国北卡罗莱纳州立大学材料科学与工程博士学位。2010年...
发布时间: 2017 - 05 - 18
浏览次数:784
蓝宝石晶片表面净化技术研究随着光电子领域对氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)的发光性能要求不断提高 , 从而对金属有机化学气相沉积法 (MOCVD)生长 G aN 的蓝宝石 (α-A l2O3 )衬底晶片的表面质量要求越来越严, 这主要是因为蓝宝石衬底晶片抛光表面的杂质沾污会严重影响 LED的质量和成品率 ,对于开盒即用 (是经清洗封装后的晶片, 从片盒里取出后即可以投入到MOCVD生长炉中直接使用而不需要额外的清洗)的 2英寸蓝宝石衬底晶片,影响 G aN 生长的临界颗粒尺寸为 0. 3μm,抛光片表面大于 0. 2 μm 的颗粒数应小于 20个 /片。在目前的 LED生产中, 仍有 50%以上的废品是由于表面污染引起的, 由于在衬底晶片生产中 , 几乎每道工序都有清洗问题, 所以蓝宝石晶片清洗的好坏对 LED 的发光性能有严重的影响 , 处理不当, 可能使全部蓝宝石晶片报废, 做不出 LED 管子来, 或者制造出来的 LED性能低劣、稳定性和可靠性很差。因此弄清楚蓝宝石晶片清洗的方法和原理 ,不管是对从事蓝宝石晶片加工还是 LED 生产的人来说都具有十分重要的工程意义。以下主要针对蓝宝石晶片的净化原理、净化工艺、净化效果等方面技术问题进行了研究, 提出了能够满足 G aN 生长要求的蓝宝石晶片的净化工艺和清洗液的配方 。1 蓝宝石晶片表面净化原理为了能够有效地获得一个洁净的...
发布时间: 2017 - 01 - 19
浏览次数:1208
导读:目前全球硅晶圆已集中在前五大供货商手中,包括信越半导体、胜高、台湾的环球晶、德国的Silitronic、南韩LG等,全球市占率达92%,其中胜高是台积电最大供货商,其次是信越,但信越全球市占高达27%,略高于胜高的26%,预料在二大硅晶圆厂下半年采取温和涨价下...全球前二大半导体硅晶圆厂信越半导体和日本胜高(SUMCO)达成默契,下半年硅晶圆涨幅仅一成,远低于市场传言的三成,跌破市场眼镜。此外,胜高也与台积电议定四年的供应长约,约定涨幅不会超过四成,凸显面临硅晶圆供不应求的情况,全球市占超过五成的日本二大半导体硅晶圆厂决定维持温和调涨,不希望急涨让部分停产的小厂死灰复燃。这也是硅晶圆在连二季大涨后,主要供应大厂在价格策略踩煞车,对近期市场传出下半年再涨三成,且明年再涨一倍的传言,浇了一盆冷水。台积电最大硅晶圆供货商日本胜高,证实对台积电硅晶圆供应价格不会如外传般狂飙,而会采取温和且保证长期供应稳定,不会恣意涨价。半导体业者表示,全球硅晶圆过去因长期处于供过于求,不堪严重亏损,部分业者逐步停产或出售,例如环球晶近几年就相继收购日本CVS和美国的半导体硅晶圆厂。但前年半导体硅晶圆逐趋供需平稳,前年下半年一度试着涨价,但短暂调涨一季后就沉寂。去年下半年,市场担心中国大陆晶圆厂产能开出后硅晶圆恐缺货,因此大量屯积货源,导致供需产生缺口,甚至连测试片都缺货,导致今年首季主要供应大厂调...
发布时间: 2017 - 04 - 25
浏览次数:742
光刻版清洗设备工艺光刻技术是大规模集成电路制造技术和微光学、微机械技术的先导和基础,他决定了集成电路(IC)的集成度[1]。光刻版在使用过程中不可避免地会粘上灰尘、光刻胶等污染物,这些污染物的存在直接影响到光刻的效果。近些年,国家将 LED照明列入为重点发展产业,LED 行业迅猛发展。LED 制造过程中,具有光刻版的使用量多,使用频繁的特点。大多生产厂家为了节省成本,主要采用接触式曝光。接触式曝光虽然可以利用成本低廉的设备达到较高的曝光精度,但是由于甩胶式涂胶方法会造成晶圆边缘胶层过厚,在接触式曝光过程中光刻版极易接触到晶圆边缘的光刻胶,导致光刻胶粘附到光刻版表面(图 1)。对于 IC 行业,因为线条更细,精度要求更高,所以光刻版的洁净程度更加重要。对于硅片清洗而言,其颗粒移除率(PRE)不需要达到 100%,但对于光刻版而言却并非如此,其原因是对于产品良率而言,光刻版表面颗粒的影响更大,单晶圆缺陷只影响一个缺陷,而一个光刻版却影响到每一个芯片[2,3]。由于零成像缺陷是可以实现的,工厂内生产的光刻版需要经常清洗。为了保证光刻版洁净,必须定期对光刻版进行清洗,而清洗的效果与清洗工艺以及各清洗工艺在设备上的合理配置有着密切的联系。1 光刻版清洗工艺1.1 光刻胶及其他有机污染物的去除对于光刻胶及其他有机污染物,比较常见的方法是通过有机溶剂将其溶解的方法将其去除,例如利用丙酮浸泡光刻版...
发布时间: 2017 - 01 - 11
浏览次数:1600
导读:国内近些年开始重视半导体投资,试图减少对国外进口芯片的依赖,各地陆续上马了芯片厂项目。不过据台湾电子时报网站4月21日报道,最近多个项目的建设暂时搁置,可能和市场过热有关。 国内近些年开始重视半导体投资,试图减少对国外进口芯片的依赖,各地陆续上马了芯片厂项目。不过据台湾电子时报网站4月21日报道,最近多个项目的建设暂时搁置,可能和市场过热有关。根据国际半导体产业协会的消息,2017年,中国市场将会建成的芯片工厂数量为14家。到2018年,中国半导体行业设备投资将超过100亿美元,成为全球第二大生产设备投资国。  众所周知的是,半导体和芯片厂是一个投资密集型的产业,建设一个工厂需要几十亿甚至是上百亿美元的资金。之前,中国中央政府已经制定了鼓励发展半导体产业的远期计划,而各地地方政府也正在积极引进项目,发展芯片制造业。  行业观察人士指出,中国芯片厂建设出现热潮,和地方政府的支持密切相关。  不过最近据行业人士观察,中国的多家12英寸芯片厂建设项目,暂时搁置。在半导体行业,12英寸指的是晶圆的直径,晶圆面积越大,生产芯片的效率也就越高,意味着技术更加先进。  据消息人士称,福建晋华集成电路公司计划在台湾台南市建设芯片厂,而台联电为该公司进行的一些技术开发工作已经暂停。据悉,该公司计划建设一座12英寸晶圆的芯片厂,主要生产内存芯片,使用台联电的技术。  对于相关报道,台联电表示相关...
发布时间: 2017 - 04 - 24
浏览次数:584
从半导体原材料到转化为各式各样的集成电路或者分立器件,其转化过程利用了几百种复杂程度不同的化学反应。毫无疑问,在半导体的制造工业中,需要大量的特殊材料和化学品。芯片制造首要是一种化学工艺,或者更准确地说,是一系列的化学 物理工艺过程,高达20%工艺步骤是wafer清洗和表面的处理。近年来光电与光伏半导体工业发展迅速,相关的制程越来越复杂,线宽越来越窄(已将进入纳米级),工艺要求也越来越高,生产过程需要使用大量的化学药品,而这些化学品都具有一定危险性和腐蚀性,稍有疏忽,就会造成人员伤亡和设备的损失,所以如何将这些化学品在保证品质的前提下安全输送到制程设备并安全使用是至关重要的,同时如何将这些使用过的化学品合理地回收处理,也将是半导体产业工厂生产安全的重要问题,这些都对工厂各系统的持续无故障运行能力以及所提供的制程相关原料品质提出了更高的要求。在半导体产业化的生产中,化学液供应系统主要以中央供应系统为主,用量较少之化学液则采取人工供应方式。中央化学液供应系统缩写为CDS(Chemical Dispense Systerm)或者简写为BCD(Bulk Chemical Distribution),它是为生产线24h不间断供应化学液的系统。一般使用CDS系统的化学液都有需求量大、危险性高的特点。CDS系统上主要供应给以下的工艺步骤:光刻显影制程需要的化学液显影芯片图案;晶圆清洗制程需要的化...
发布时间: 2017 - 01 - 10
浏览次数:3294
导读:近日,由沈阳拓荆科技有限公司建设的我国首个半导体薄膜设备生产基地在沈阳市浑南区落成投产。近日由沈阳拓荆科技有限公司建设的我国首个半导体薄膜设备生产基地在沈阳市浑南区落成投产。该基地一期可容纳1000人规模的研发制造团队,年产能可达100台(套),实现产值15亿元。全部达产后,年产能可达350台(套)。我国是全球最大的电子制造国。IC即集成电路是电子设备中最重要的组成部分,承担着运算和存储的功能,是计算机、数字家电、通信等行业的“心脏”。据行业协会发布的数据显示,去年,我国集成电路产业总营收达4335.5亿元,同比增长20.1%。沈阳拓荆科技是由海外技术专家组建的高新技术企业,创立于2010年4月。2015年,拓荆科技获得国家集成电路产业投资基金(简称“国家大基金”)2.7亿元战略投资,是“国家大基金”在辽宁投资的第一家企业。同年,拓荆科技新厂区在沈阳市浑南区破土动工。新厂区占地面积5.2万平方米,拥有先进的研发设备、场所及生产用十级、百级和千级无尘洁净间,是我国首个半导体薄膜设备生产基地。此前,该技术一直被发达国家垄断,设备进口严重受限,极大地制约了国产芯片产业发展。作为IC装备核心装备之一,该项目的建成一举填补了国内空白,显著提升了我国集成电路产业整体竞争力。拓荆科技的产品性能、指标达到国际一流设备水平,设备国产化率超过70%,产能是进口设备的1.1倍,成本却比进口设备低了...
发布时间: 2017 - 04 - 18
浏览次数:531
半导体湿法清洗专家华林科纳介绍硅片清洗机的相关工艺1、硅片清洗机概述硅片清洗机广泛应用于光伏,电子等行业硅片清洗;由于硅片在运输过程中会有所污染,表面洁净度不是很高,对即将进行的腐蚀与刻蚀产生很大的影响,所以首先要对硅片表面进行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有机沾污,然后溶解氧化膜,因为氧化层是“沾污陷进”,会引起外延缺陷;再去除颗粒、金属等,同时使硅片的表面钝化。目前多采用传统的RCA清洗方法,不仅可以去除硅片表面的金属、有机物等,还可以去除小颗粒等污染物。2、清洗工艺RCA清洗法RCA清洗法又称工业标准湿法清洗工艺,是由美国无线电公司(RCA)的Kem和Puotinen等人于20世纪60年代提出后,由此得名。RCA湿法清洗由两种不同的化学溶液组成,SPM具有很高的金属氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能将有机物氧化生成二氧化碳和水。用SPM清洗硅片可以去除表面的种有机沾污和部分金属,当沾污特别严重时,难以去除干净。DHF(HF),可以去除硅片表面的自然氧化膜,同时抑制氧化膜的形成。易去除硅表面的Al、Fe、Zn、Ni等金属,也可以去除自然氧化膜上的氢氧化物。在自然那氧化膜被腐蚀掉时,硅片几乎不被腐蚀。表2.1 基础的RCA清洗机配方SC-1清洗液是能去除颗粒和有机物质的碱性溶液。由于过氧化氢为强氧化剂,能氧化硅片表面和颗粒。颗粒上的氧化层能提供消散机制,...
发布时间: 2017 - 01 - 06
浏览次数:1073
华力微基于SONOS的55纳米闪存试产日前,赛普拉斯与华力微共同宣布,基于华力 55纳米低功耗工艺技术和赛普拉斯SONOS (氧化硅氮氧化硅)嵌入式闪存知识产权相结合,为闪存产品树立了一个新的里程碑。华力的客户已经开始使用这项技术进行低功耗嵌入式闪存产品的试生产,针对蓝牙低功耗和物联网应用。赛普拉斯高耐用性、可扩展的SONOS嵌入式闪存工艺针对低功耗需求进行了优化,使其成为微控制器(MCU)和物联网(IoT)应用的理想选择。2017年下半年,华力的客户即可采用该技术和设计IP进行全面量产。高性能氧化铱/铂纳米锥复合镀层提高神经电极电刺激性能近日,中国科学院深圳先进技术研究院医工所微纳中心研究员吴天准及其研究团队成功研发出一种具有纳米结构的高性能氧化铱/铂纳米锥复合镀层。这种高性能复合镀层有效解决了随着电极阵列化和集成化带来的高电化学阻抗、低电荷存储能力及低电荷注入能力的问题,并显著提高了神经电极的电刺激性能。相关研究成果Electrodeposited Iridium Oxide on Platinum Nanocones for Improving Neural Stimulation Microelectrodes(《铂纳米锥上电沉积氧化铱在改善神经刺激电极中的应用》)已在线发表于电化学期刊ElectrochimicaActa。同时该工作的阶段性成果被IEEE NEMS 201...
发布时间: 2017 - 04 - 17
浏览次数:506
Copyright ©2005 - 2013 华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋高新区桃金东路90号
电话:0513-87733829
Email:xzl1019@aliyun.com
www.hlkncse.com

传真:0513-87733829
邮编:226500
X
1

QQ设置

3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 133-5806-4333
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开