为了在基板上形成功能性的MEMS结构，必须蚀刻先前沉积的薄膜和/或基板本身。通常，蚀刻过程分为两类：浸入化学溶液后材料溶解的湿法蚀刻干蚀刻，其中使用反应性离子或气相蚀刻剂溅射或溶解材料在下文中，我们将简要讨论最流行的湿法和干法蚀刻技术。湿蚀刻这是最简单的蚀刻技术。它所需要的只是一个装有液体溶液的容器，该溶液会溶解所讨论的物质。不幸的是，由于通常需要掩模来选择性地蚀刻材料，因此存在复杂性。必须找到一种掩模，该掩模不会溶解或至少比被图案化的材料腐蚀得慢得多。其次，某些单晶材料，例如硅，在某些化学药品中表现出各向异性刻蚀。与各向同性蚀刻相反，各向异性蚀刻是指材料在不同方向上的蚀刻速率不同。典型的例子是晶面侧壁，当在诸如氢氧化钾（KOH）的化学物质中蚀刻硅晶片中的孔时出现。结果是形成了金字塔形的孔，而不是带有各向同性蚀刻剂的带有圆形侧壁的孔。下图说明了各向异性和各向同性湿法蚀刻的原理。什么时候要使用湿蚀刻？这是一项简单的技术，如果您可以找到适合您的应用的蚀刻剂和掩膜材料的组合，将会获得良好的效果。湿蚀刻对于蚀刻基板上的薄膜非常有效，也可以用于蚀刻基板本身。基板蚀刻的问题在于各向同性工艺将导致掩模层的底切与蚀刻深度相同的距离。各向异性工艺允许蚀刻在衬底中的某些晶体平面上停止，但仍会导致空间损失，因为当蚀刻孔或腔时，这些平面不能垂直于表面。如果这对您有限制，则应考虑对基板进行干法蚀刻。然而，如...
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2021
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本项目采用以硫铁矿为原料的接触法硫酸生产工艺。它的主要工序包括硫铁矿的焙烧、炉气的净化、气体的干燥、二氧化硫的转化和三氧化硫的吸收。基本工艺流程图如下： 1-沸腾焙烧炉；2-空气鼓风机；3-废热锅炉；4-旋风除尘器；5-文氏管；6-泡沫塔；7-电除雾器；8-干燥塔；9-循环槽及酸泵；10-酸冷却器；11-二氧化硫鼓风机；12，13，15，16-气体换热器；14-转化器；17-中间吸收塔；18-最终吸收塔；19-循环槽及酸泵；20-酸冷却器经过破碎和筛分的硫铁矿或经过干燥的硫铁矿，送入沸腾焙烧炉l下部的沸腾床内，与经空气鼓风机2从炉底送人的空气进行焙烧反应。生成的二氧化硫炉气从沸腾炉顶部排出，进入废热锅炉3。矿渣则从沸腾床经炉下部的排渣口排除。炉气在废热锅炉内冷却到约350C，用以生产3.82Mpa、450摄氏度的过热蒸汽。主要的蒸汽蒸发管束设在废热锅炉内。装设在焙烧炉沸腾床内的冷却管也作为废热锅炉热力系统的一部分，与锅炉的汽包连接，用以回收部分焙烧反应热。从废热锅炉出来的炉气，还含有相当数量的矿尘，经旋风除尘器4初步除尘后，进入净化系统。废热锅炉、旋风除尘器除下的矿尘，与沸腾焙烧炉排出的矿渣一起送往堆渣场，等待进一步处理或出售。净化系统包括文氏管5、泡沫塔6和电除雾器7。文氏管对炉气进行除尘和降温，炉气经文氏管后，其中绝大部分矿尘被除去。泡沫塔对炉气进一步除尘、降温。在文...
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比如，用于三维IC的TSV刻蚀设备必须将刻蚀腔清洗步骤设计成常规清洗流程，是设备能够在生产和清洗模式之间迅速转换，使得腔室始终保持纯净状态，同时满足高量产对速度、工艺可预见性和工艺重复的要求；这类刻蚀系统还必须具有单台设备刻蚀所有材料的工艺处理能力，尽可能减小设备和设施的成本，消除工艺转移和排队造成的延迟，为客户在产能和设备拥有成本方面提供竞争力。另外，由于目前高端IC产品都使用300毫米晶圆，保证晶圆表面工艺处理的均匀性，TSV的刻蚀需要使用平面状等离子源（Planar Plasma）。对于刻蚀工艺模式的选择，业界目前仍在比较SSP（Steady State Processes）和RAP（Rapid Alternating Processes）技术。据了解，RAP刻蚀的选择性（selectivity）很高，可以刻蚀纵宽比很大通孔，速度也快，但是表面粗糙度是个挑战；SSP工艺和常规的刻蚀接近，速度高而且制作的侧壁光滑，不过Selectivity和Undercut的控制是难点。Steve认为，对用户来说真正满意的方案是，机台能够根据应用的要求进行工艺的选择和整合，实现两种模式的切换，整体控制刻蚀速度、selectivity、侧壁光滑性和纵宽比。当然，这需要大量的工艺知识积累，以及对所制造器件的了解。对量测提出新的要求可以预见，TSV的特殊性还会给3D IC制造的检测和量测带来前所未有...
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