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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      目前的硅基技术要求万亿分之几(PPT)范围内的表面污染容限,要求烘烤温度低于800℃的硅外延等工艺的较低热预算,以及每次清洗的硅消耗量低于0.1毫米。      这些新的限制现在可能会超过同类最佳制造清洗序列的能力。一些关键原因是:      -其稀释化学物质的清洁效率,即使与万亿比特化学物质的使用相结合,也可能无法满足ppt污染要求,      -需要原始稳定的氢封端硅表面终端,以满足许多热处理的低热预算要求,      -按照ITRS路线图的定义,使用过氧化物和基于臭氧的化学物质,每次清洁消耗的硅量固有地超过0.1毫米。 清洁效率      制造环境中使用的大多数当前湿法清洗工艺仍然用天然、化学氧化物层终止硅。这种天然或化学氧化物是清洗后污染的主要部分。传统的湿法清洗化学品如氢氧化铵、盐酸、硫酸、氢氟酸和过氧化氢的净化已经投入了大量的努力。添加H2O2、HCl和醇也常用于dHF混合物中,以抑制污染。虽然这些可能是一些有效的补救措施,但这些混合物中的主要成分超纯水(UPW)仍然含有溶解的杂质,这些杂质会渗入化学氧化物或在清洗后终止于硅表面。&...
发布时间: 2021 - 09 - 25
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发布时间: 2021 - 09 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      清洗工艺的作用是制备完整的硅表面,硅表面纯度高,其条件是无颗粒、无金属粘附、无有机污染、无水粘附、无天然氧化物、无粗糙度、全覆盖氢终端、无电荷积聚。      当前的湿表面清洁是在空气中进行的。在大气中,氧很容易溶解到UPW(超纯水)中,结果,晶片表面立即被氧化。如果表面被氧化,氢终端将丢失,结果,清洗后形成的栅氧化物的特性将被破坏。      为了避免晶片表面退化,需要在大气中没有氧气的清洗系统。在本研究中,我们评估了能够实现低于10ppm的低氧浓度的清洗工艺。通过氮气吹扫。用红外光谱和接触角测量表面。为了评估低氧浓度的效果,测量水印的产生。实验      本实验中的晶圆类型为(100) 8-12欧姆·厘米。当清洗后立即在空气中进行UPW清洗时,从2060到2160 cm-1 [2]的峰消失,并且观察到在2250 cm-1附近氧化的硅的峰。由于通过UPW蚀刻硅而增加表面粗糙度,出现了峰的移动。当在低氧浓度下进行UPW冲洗时,维持氢终止。据了解,在低氧浓度下漂洗时,表面几乎没有氧化硅。      虽然清洗后立即的接触角约为78度,但与随后在空气中UPW漂洗8小时的接触角变得...
发布时间: 2021 - 09 - 10
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要         缩小特征尺寸的另一种选择是增加集成电路(IC)封装的密度和功能。模具尺寸和模具厚度已经大大减少。 推动薄模具需求的主要因素包括便携式通信和计算设备、存储卡、智能卡、以及CMOS图像传感器、混合、箔式柔性系统、led、MEMS、太阳能和电源设备。关键词:化学减薄、蚀刻、应力消除、波蚀、线性扫描、超薄晶片、处理、非接触卡盘。介绍       研磨、抛光和稀释技术;以及将晶圆与载体结合以进行处理、细化或加工的许多方法。因此,有一种新的化学稀释技术,它可以将晶片稀释到50µm或更少, 具有更好的均匀性,而且成本比传统的稀释更低。减薄和应力消除       化学稀释是消除亚表面损伤和减轻磨削和抛光留下的应力的必要步骤。化学稀释也是一种替代抛光(磨削后)的方法。   图2。材料去除均匀性(总厚度变化或TTV)典型的波蚀线性扫描减薄过程如上所示。在去掉75µm后,最终的厚度为112µm, TTV的范围从4”晶片的±1.5µm到8”晶片的±2.5µm。 文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁...
发布时间: 2021 - 08 - 20
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料          随着清洁和环境需求的增长,该行业标准的RCA清洁正慢慢地让位于多种选择可选择的晶圆清洗选项列表。关键因素:         清洗设备的类型,其年代而它的原始成本是关键因素晶圆沾污量该公司的一个部门经理例如,抽油烟机和再循环系统,”DePinto说。 “如果你如果你愿意花钱,这是可行的。”重金属“污垢”在飞利浦Semicanductors。 该公司以前加工100mm晶圆双极模拟设备。      “我们首先要考虑的是去除沉重的负担金属和化学清洁 ’’ 工程师艾伦·默滕斯报道。两步清洗:        Werner Kern博士,当时设计了RCA清洁,1965年RCA的使用,五年后公开审理。 这两步清洁是一种氧化和络合的治疗。 它使用H202 - NHIOH和Hz02 - HC1水溶液在75-80°C下搅拌10分钟。科恩说,从化学角度来说,它现在起作用了一个顾问,因为H202在高pH值是一种强氧化剂,会破坏有机污染物,并分解了H20 + 02。 NH40H是强络合剂对...
发布时间: 2021 - 08 - 18
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VDMOS生产工艺基本结构:•n+衬底,漏极D•n-外延层,漂移区•p阱(又叫p基区或体区)•n+源区,源极S•多晶硅栅,栅氧层,栅极G整个器件的构成:•前述结构实际只是器件的一个元胞,整个器件实际是由很多这样的元胞并联而成的•剖面图 立体图: 1、 原始硅片磨抛:原始硅片磨去40µm,抛光80µmN+535µm2、清洗,并且用显微镜检查表面3、外延生长N-:ρ=20~30Ω·cm,d=45µm4、清洗5、氧化:dox=6500±250Å,800℃-1000℃-800℃6、一次版7、腐蚀,去胶,清洗腐蚀:温度25℃8、P+扩散预扩:R□=80~100Ω/□•700℃-940℃-700℃主扩:R□=150~180Ω/□•800℃-1150℃-800℃9、氧化10、光刻:二次版反刻P+区,5000pm11、腐蚀,(温度25℃)t=8.1s12、去胶清洗13、栅氧化•dox=1000-1100Å•作C-V检查•实测dox=1060-1050Å14、生长多晶硅7000ű200Å15、 清洗16、三次版:光刻P-区(多晶硅)三次版留下栅和互连的多晶硅(使多晶硅成为p型)17、腐蚀多晶硅(P-区),干腐:9'50'&#...
发布时间: 2021 - 04 - 09
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清洗是工业生产必不可少的环节,目前工业清洗主要采用有机溶剂清洗和水溶液清洗。有机溶剂以挥发性溶剂(VOC)和含卤素的氯氟烂(CFC)溶剂为主,每年全世界要用几百万吨,由此引起对臭氧层的破坏、对大气环境的污染非常严重。1987年世界各国签署的蒙特利尔公约已经规定了这类溶剂的禁用日程表。水溶液清洗需要复杂的表面活性剂配方,干燥时间长,处理的金属易于生锈,而且会形成二次污染,也必然要增加设备和处理费用。因此,研究开发环境友好的清洗剂和清洗方法成为当务之急。超临界CO2(SCCO2)是一种可以代替VOC和CFC的清洗剂,具有一定的优点。SCCO2对有机物有一定的溶解能力,清洗过程中对各种清洗材料性能稳定,粘度低和扩散性高,表面张力低,润湿性良好,极易渗入待清洗材料内部,可有效去除死区的污垢,清洗后无需干燥,无残留。1 超临界流体的特性超临界流体是指物质的温度和压力分别处在其临界温度和临界压力之上时的一种特殊的流体状态。超临界流体的密度为气体的数百倍,接近于液体,粘度接近于气体,扩散系数大约为气体的1%,而较液体大数百倍。一般来讲,超临界流体的密度越大,其溶解度就越大。在恒温下,超临界流体中物质的溶解度随压力升高而增大。将温度和压力适当变化,可使溶解度在102~103倍的范围内变化。超临界流体的这一特性,会产生两种十分有利的应用效果:一方面,目标物(如要清除的污染物等)会最大限度地溶解于超临...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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“芯片之城”地标产业来了!日前,江北新区举行“芯片之城”地标产业签约仪式。市委常委、江北新区党工委专职副书记罗群,新区管委会副主任陈潺嵋,东南大学首席教授、南京集成电路产业服务中心主任时龙兴,金雨茂物投资管理股份有限公司董事长段小光, 南京中安半导体责任有限公司董事长曾安,江苏超芯星半导体有限公司董事长刘欣宇出席活动。活动中,超芯星半导体项目和中安半导体项目与新区签约,未来都将落户新区研创园。据了解,江苏超芯星半导体有限公司主要从事6-8英寸SiC碳化硅芯片衬底研发及产业化,是国内领先的碳化硅材料供应商,碳化硅作为三代半导体材料,将在轨道交通、5G、新能源汽车等领域有广泛的应用前景。目前公司已推出大尺寸碳化硅扩径晶体,实现厚度突破,属于技术领先的三代半产品。总部迁入研创园后将推动上市计划,项目规划三年实现6英寸碳化硅衬底年产3万片,未来还将在SiC衬底产品的基础上,将进一步研发SiC切磨抛工艺,打造国内SiC行业标杆企业。另外,中安半导体作为先进的半导体材料检测设备研发商,拥有国内领先的检测设备研发能力。项目团队拥有硅片检测核心技术,并且具备工程应用、生产管理以及销售服务等各方面的管理经验以及多年所累积的市场资源。此次项目主要是开发半导体硅片平整度和三维形貌检测设备,从事开发200mm和300mm硅片平整度和三维形貌检测设备,目前已获得金茂资本首期风险投资,未来将通过开发拥有独立知...
发布时间: 2020 - 04 - 20
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华林科纳清洗机视频,可点击全屏观看,查看甩干机介绍。
发布时间: 2019 - 08 - 16
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华林科纳清洗机视频,可点击全屏观看,查看兆声清洗设备介绍。
发布时间: 2019 - 08 - 16
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