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湿法制程整体解决方案提供商

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推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
新闻中心 新闻资讯
Wafer and Membrane Thickness, Warp, TTV硅片和薄膜厚度,弯曲,TTVOptical EchoProbe光学反射探针 Outline概要•   Introduction简述•   Measurement Requirements for Wafer Thinning硅片减薄测量要求•   Discussion  of different approaches for Wafer Thickness Measurement硅片厚度检测不同方法的讨论•   Optical  EchoProbe for Wafer Thickness Measurement光学反射探针的硅片厚度检测•   Applications应用   –  Thickness and Warp after Grinding, Etching研磨,蚀刻后的厚度和翘曲  – Measurement of stacks of non- and semiconducting materials (MEMS)   –半导体材料(MEMS)的堆叠检测•   Configur...
发布时间: 2016 - 03 - 24
浏览次数:350
Bump Height Measurement凸起高度测量 Ultra Fast Measurements (UF 800)超快速测量• Acquisition time of 125 μs accomplished with High Speed reference mirror and optical encoder•   高速参考反射镜和光编码器使设备仅需125 μs采集时间•   Ideal  solution for measurement on spinning wafers旋转硅片测量的理想方法•   Pressurized  enclosure for measurement in challenging environments高压密闭检测 •   Software  and hardware interface for customizitation/OEM按客户需求订制软件和硬件界面  413 Optical EchoProbe光学反射探针Overview about Configurations结构综述413EC (Manual System手动系统)413-200 (Semiautomated system –m...
发布时间: 2016 - 03 - 24
浏览次数:271
Long Distance Measurement长距离测量  Topography of a strained Wafer w/ Film on Topw已变形硅片构形/顶部有薄膜  Real World Samples实际样例Mounted Wafers on Elastic Tapes硅片置于橡皮圈胶带上 Inhomogeneous tapes heavilyscatter light, and complicate measurements不均匀的胶带使灯光散开,使测量复杂化(distance between text and tape is  Warp Measurement翘曲检测•   Warp翘曲: 101.86•   Bow弓起 44.68
发布时间: 2016 - 03 - 24
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Applications应用•  Wafer Thickness and TTV硅片厚度和TTV•  Topography构状•  Strained wafers已变形的硅片•  Profile depth轮廓深度•  Measurement of Tape胶带测量•  Warp翘曲•  Bump Height凸起高度•  Ultra Fast Measurements超快速测量 Warp and Dam Thickness?翘曲和坝厚度  Dam Thickness坝厚度  Warp翘曲  Measurement of Wafer Topography硅片图形测量• wafer topography and thickness using EchoprobeTechnology.硅片图形和厚度用回射探针技术• Values on iso-lines are expressed inμm Wafer is concave in the middle.iso线的测量值是以um表示的,硅片中间是凹的   Measurement of Profile Depth轮廓厚度测量High Aspect Rat...
发布时间: 2016 - 03 - 24
浏览次数:374
Introduction to 128, 128L, 128LC2C Product Line for Film Stress Measurement128 128L 128LC2C薄膜应力测试产品简介128, 128L, 128C2C Product Line Introductions介绍• Product Pictures产品图片• Basic principles of 128 Line  128产品系列基本原理• Film Stress薄膜应力• Dual laser scanner双激光扫描• Stoney equation for film stress薄膜应力Stoney方程式• Who needs the products?谁需要这种产品?• Film property monitor and/or R&D薄膜性能监测及研发• What are the simple specifications?什么是基本参数?• Film stress range / reproducibility薄膜应力范围/可再生性 128 Film Stress and Flatness Measurement Models ( Room Temperature )薄膜应力和平整度测试设备(室温) Film Stress & Wafer Yi...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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Optical EchoProbe 413光学反射探针Latest Optical Technique最新的光学技术Ideal solution for Wafer Backgrind and Etch Thickness Gauging on Si, GaAs or III-Vs, non-conducting materials like Glass, Tape硅片背面研磨蚀刻厚度测量最理想方案用于Si, GaAs或者III-Vs,非导电材料比如玻璃,胶带 Optical EchoProbe Technology光学反射探针技术Low Coherence Interferometry (other than classical interferometry) is suitable for rough surfaces even in the case of speckle imaging. This makes it interesting for industrial use.低相干干扰量度法(不同于传统的干扰量度法)适用于粗糙表面,甚至是斑点图象。这另它适用于工业使用。Fiber-optic implementation of Michelson interferometer LS with low coherence light source 低凝聚光源的迈克...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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超声清洗的物理机制主要是超声空化,所以要达到良好的清洗效果必须选择适当的声学参数和清洗剂的物理化学性质。  声强。声强愈高,空化愈强烈。但声强达到一定值后,空化趋于饱和。声强过大会产生大量气泡增加散射衰减,同时声强增大会增加非线性衰减,而减弱远离声源地方的清洗效果。  频率。频率越高空化阈愈高,也就是说要产生声空化,频率愈高,所需要的声强愈大。例如在水中要产生空化,在400kHz时所需要的功率要比在10kHz时大10倍。一般采用的频率范围是20—40kHz。低频空化强度高,适用于大清洗件表面及污物与清洗件表面结合强度高的场合,但不易穿透深孔和表面形状复杂的部件,且噪声大;较高频率虽然空化强度较弱,但噪声小,适用于较复杂表面形状、狭缝及污物与清洗件表面结合力弱的清洗。声场分布。稳定的混响场对清洗有利,如果清洗槽中有驻波声场,则因声压分布不均匀,清洗件得不到均匀的清洗。因此,在可能的条件下,槽的几何形状要选择适合于建立混合声场的形状。除此以外,可以采用双频、多频和扫频工作方式以避免清洗“死区”。  清洗液的温度。温度升高液体的表面张力系数和粘滞系数会下降,因而空化阈值下降,使空化易于产生;但由于温升,蒸汽压增大会降低空化强度。水的较佳温度为60摄氏度,不同的清洗剂有不同的最佳温度。  粘滞系数。粘滞系数大的液体难于产生空化,而且传播损失也加大,不利于清洗。  蒸汽压。蒸汽压低,空化阈高...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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稀释酸清洗工艺是在200mm和300mm晶圆的两套不同的FSI ZETA?/SUP喷雾清洗系统上进行的。200mm系统如图1所示。在PFA处理盒里,晶圆必须保持水平。200mm系统可处理4篮晶圆,每篮25片,而300mm系统可处理2篮,每篮25片。篮子放置在旋转速度高达500rpm的PFA转盘上。旋转的晶圆篮放在有密封塞的氮气净化腔内。化学试剂,清洗水和氮气由附在腔盖的中心喷洒柱喷出,液体从边上的喷洒柱喷向净化腔的墙壁。化学试剂使用混合分管进行混合和稀释。混合比例由工艺配方确定,并由精确的流程控制器进行严格控制。 使用IR发热器来控制试剂喷进腔前的温度。试剂流经晶圆表面的温度由安装在腔内的温度计严格监视。这种测量法可使工艺最优化,或者在精密的刻蚀应用中,可用来控制刻蚀时间以取得所需的刻蚀成度。本文中,我们用稀释的H2SO4, H2O2和HF混合物来去除铝线条(M1和M2),氧化层通孔及键合焊盘窗口的残留物。在所有情况下,无需进行主动的温度控制就可以取得良好效果。化学试剂在混合后温度达35℃, 在雾化发送进腔内的过程中降温. 晶圆表面温度经过3分钟的处理,慢慢地从室温升至25℃左右。在M1和M2的清洗中,我们也检测了在处理晶圆前先把混合物冷却至25℃,如下所述。表1列示出用于本操作中的喷雾时间范围,试剂的温度及浓度的范围。M1金属叠层包括一个位于Al-Cu-Si合金下的 T...
发布时间: 2016 - 03 - 23
浏览次数:213
蓝宝石晶片的净化包括清洗方式、清洗剂的配方、清洗设备、清洗环境和清洗工艺。清洗方式主要分为湿式清洗和干式清洗, 目前湿式清洗在蓝宝石晶片表面净化中仍处于主导地位。下面主要就蓝宝石晶片的湿式清洗的清洗剂性质、清洗设备、清洗环境分别阐述。    清洗剂的性质          清洗剂的去污能力, 对湿式清洗的清洗效果有决定性的影响, 根据蓝宝石晶片清洗目的和要求, 选择适当的清洗剂是湿式清洗的首要步骤。蓝宝石晶片清洗中常用的化学试剂和洗液主要有无机酸、氧化剂、络合剂、双氧水溶剂、有机溶剂、合成洗涤剂、电子清洗剂等七大类清洗设备     ●超声波清洗机  超声波清洗机是微电子工业中广泛应用的一种清洗设备, 超声波的清洗原理是: 在强烈的超声波作用下(常用的超声波频率为20-40kHz), 清洗剂内部会产生疏部和密部, 疏部产生近乎真空的空穴, 当空穴消失的瞬间, 其附近便产生强大的局部压力, 使分子内的化学键断裂, 从而使蓝宝石晶片表面的杂质解吸。当超声波的频率和空穴的振动频率共振时,...
发布时间: 2016 - 03 - 23
浏览次数:383
1 引言       目前,半导体行业中广泛使用的清洗方法仍是RCA(美国无线电公司)清洗法。但在向下一代65nm节点的迈进中,新结构的纳米器件对于清洗设备不断提出了新的挑战,因而对硅片表面各种污染物的控制规定了纳米微粒去除的特殊要求。根据国际半导体技术发展路线图计划,当半导体器件从90nm提升到65nm工艺时,必须将清洗过程中单晶硅和氧化硅的损失量从0.1nm减小到0.05nm[1]。       这就对新一代清洗设备和清洗技术提出了无损伤和抑制腐蚀的新工艺要求,所以研发新颖的、合适的硅片表面的纳米微粒清洗技术势在必行。2 传统的硅片湿法清洗和干法清洗技术2.1 污染物杂质的分类       根据污染物产生的原因,大致可将它们分为颗粒、有机物杂质、金属污染物三类。       (1)颗粒:主要是一些聚合物、光致抗蚀剂等。颗粒的存在会造成IC芯片短路或大大降低芯片的测试性能[2]。       (2)有机物杂质:它在硅片上以多种方式存在,如人的皮肤油脂、防锈油、润滑油、松香、蜡等。这些物...
发布时间: 2016 - 03 - 23
浏览次数:272
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