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湿法制程整体解决方案提供商

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推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
新闻中心 新闻资讯
国家能源局、工业和信息化部、国家认监委日前联合下发《关于促进先进光伏技术产品应用和产业升级的意见》(以下简称《意见》),提出应提高光伏产品市场准入标准,支持先进技术产品扩大市场,全面实施“领跑者”计划,引导光伏技术进步和产业升级。备受政策支持的光伏行业再获利好,令投资者大呼光伏行业暖春已至。承接2014年利好趋势,2015年入年以来,光伏行业已获包括国务院、国家能源局、发改委、工信部在内的多个政府机关和部委的政策力挺。《关于下达2015年光伏发电建设实施方案的通知》、《关于进一步深化电力体制改革的若干意见》等多项核心扶持政策的出台,对于光伏行业而言已达到强有力的提振作用。而此次三部委联合发布的《意见》无疑又是一剂强心针。值得注意的是,区别于以往政策,三部委此次发文首次将“领跑者”计划准入标准进行量化,且明确提出将以政策资金和政府采购方式对“领跑者”先进技术产品进行政策倾斜。 “领跑者”需拿技术说话所谓“领跑者”专项计划实则衍生于2015年1月8日发改委等八部门发布的《能效“领跑者”制度实施方案》。能效“领跑者”是指同类可比范围内能源利用效率最高的产品、企业或单位。具体到此次三部委所提的“领跑者”专项计划,国家能源局将每年安排专门的市场规模实施该计划,要求项目采用先进技术产品。《意见》指出,2015年,“领跑者”先进技术产品应达到以下指标:多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光...
发布时间: 2016 - 05 - 31
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SOLAR SIMULATOR SIMULATORMODEL # SS150AAA太阳能模拟器型号   SS150AAAFEATURES 性能 TECHNICAL SPECIFICATIONS 技术参数
发布时间: 2016 - 03 - 24
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EchoProbe SOFTWARE反射探针软件setup of Recipes,Data logging,Real time Display 设置菜单,数据记录,实时显示 EchoProbe SOFTWARE反射探针软件Programable Data Points and Patterns, Variety of Displays可控数据点,模式,显示种类 Presentation of Results结果陈列  Advantages of Optical EchoProbe光学反射探针优势•  Can measure Si or III/V wafers with or without tape, with Film frame, bumped wafers, bonded wafer - with Si or Glass or Sapphire carriers.可测量胶带及Si或者III/V裸硅片,带薄膜框架,凸起硅片,Si或者玻璃粘合硅片•  Not affected by tape thickness, adhesives, pattern structures or non conducting materials不受胶带厚度,粘合剂,图案结构或者不导电材料影响•  Non contact tec...
发布时间: 2016 - 03 - 24
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Wafer and Membrane Thickness, Warp, TTV硅片和薄膜厚度,弯曲,TTVOptical EchoProbe光学反射探针 Outline概要•   Introduction简述•   Measurement Requirements for Wafer Thinning硅片减薄测量要求•   Discussion  of different approaches for Wafer Thickness Measurement硅片厚度检测不同方法的讨论•   Optical  EchoProbe for Wafer Thickness Measurement光学反射探针的硅片厚度检测•   Applications应用   –  Thickness and Warp after Grinding, Etching研磨,蚀刻后的厚度和翘曲  – Measurement of stacks of non- and semiconducting materials (MEMS)   –半导体材料(MEMS)的堆叠检测•   Configur...
发布时间: 2016 - 03 - 24
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Bump Height Measurement凸起高度测量 Ultra Fast Measurements (UF 800)超快速测量• Acquisition time of 125 μs accomplished with High Speed reference mirror and optical encoder•   高速参考反射镜和光编码器使设备仅需125 μs采集时间•   Ideal  solution for measurement on spinning wafers旋转硅片测量的理想方法•   Pressurized  enclosure for measurement in challenging environments高压密闭检测 •   Software  and hardware interface for customizitation/OEM按客户需求订制软件和硬件界面  413 Optical EchoProbe光学反射探针Overview about Configurations结构综述413EC (Manual System手动系统)413-200 (Semiautomated system –m...
发布时间: 2016 - 03 - 24
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Long Distance Measurement长距离测量  Topography of a strained Wafer w/ Film on Topw已变形硅片构形/顶部有薄膜  Real World Samples实际样例Mounted Wafers on Elastic Tapes硅片置于橡皮圈胶带上 Inhomogeneous tapes heavilyscatter light, and complicate measurements不均匀的胶带使灯光散开,使测量复杂化(distance between text and tape is  Warp Measurement翘曲检测•   Warp翘曲: 101.86•   Bow弓起 44.68
发布时间: 2016 - 03 - 24
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Applications应用•  Wafer Thickness and TTV硅片厚度和TTV•  Topography构状•  Strained wafers已变形的硅片•  Profile depth轮廓深度•  Measurement of Tape胶带测量•  Warp翘曲•  Bump Height凸起高度•  Ultra Fast Measurements超快速测量 Warp and Dam Thickness?翘曲和坝厚度  Dam Thickness坝厚度  Warp翘曲  Measurement of Wafer Topography硅片图形测量• wafer topography and thickness using EchoprobeTechnology.硅片图形和厚度用回射探针技术• Values on iso-lines are expressed inμm Wafer is concave in the middle.iso线的测量值是以um表示的,硅片中间是凹的   Measurement of Profile Depth轮廓厚度测量High Aspect Rat...
发布时间: 2016 - 03 - 24
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Introduction to 128, 128L, 128LC2C Product Line for Film Stress Measurement128 128L 128LC2C薄膜应力测试产品简介128, 128L, 128C2C Product Line Introductions介绍• Product Pictures产品图片• Basic principles of 128 Line  128产品系列基本原理• Film Stress薄膜应力• Dual laser scanner双激光扫描• Stoney equation for film stress薄膜应力Stoney方程式• Who needs the products?谁需要这种产品?• Film property monitor and/or R&D薄膜性能监测及研发• What are the simple specifications?什么是基本参数?• Film stress range / reproducibility薄膜应力范围/可再生性 128 Film Stress and Flatness Measurement Models ( Room Temperature )薄膜应力和平整度测试设备(室温) Film Stress & Wafer Yi...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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Optical EchoProbe 413光学反射探针Latest Optical Technique最新的光学技术Ideal solution for Wafer Backgrind and Etch Thickness Gauging on Si, GaAs or III-Vs, non-conducting materials like Glass, Tape硅片背面研磨蚀刻厚度测量最理想方案用于Si, GaAs或者III-Vs,非导电材料比如玻璃,胶带 Optical EchoProbe Technology光学反射探针技术Low Coherence Interferometry (other than classical interferometry) is suitable for rough surfaces even in the case of speckle imaging. This makes it interesting for industrial use.低相干干扰量度法(不同于传统的干扰量度法)适用于粗糙表面,甚至是斑点图象。这另它适用于工业使用。Fiber-optic implementation of Michelson interferometer LS with low coherence light source 低凝聚光源的迈克...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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超声清洗的物理机制主要是超声空化,所以要达到良好的清洗效果必须选择适当的声学参数和清洗剂的物理化学性质。  声强。声强愈高,空化愈强烈。但声强达到一定值后,空化趋于饱和。声强过大会产生大量气泡增加散射衰减,同时声强增大会增加非线性衰减,而减弱远离声源地方的清洗效果。  频率。频率越高空化阈愈高,也就是说要产生声空化,频率愈高,所需要的声强愈大。例如在水中要产生空化,在400kHz时所需要的功率要比在10kHz时大10倍。一般采用的频率范围是20—40kHz。低频空化强度高,适用于大清洗件表面及污物与清洗件表面结合强度高的场合,但不易穿透深孔和表面形状复杂的部件,且噪声大;较高频率虽然空化强度较弱,但噪声小,适用于较复杂表面形状、狭缝及污物与清洗件表面结合力弱的清洗。声场分布。稳定的混响场对清洗有利,如果清洗槽中有驻波声场,则因声压分布不均匀,清洗件得不到均匀的清洗。因此,在可能的条件下,槽的几何形状要选择适合于建立混合声场的形状。除此以外,可以采用双频、多频和扫频工作方式以避免清洗“死区”。  清洗液的温度。温度升高液体的表面张力系数和粘滞系数会下降,因而空化阈值下降,使空化易于产生;但由于温升,蒸汽压增大会降低空化强度。水的较佳温度为60摄氏度,不同的清洗剂有不同的最佳温度。  粘滞系数。粘滞系数大的液体难于产生空化,而且传播损失也加大,不利于清洗。  蒸汽压。蒸汽压低,空化阈高...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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