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始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
新闻中心 新闻资讯
半导体湿法清洗专家华林科纳介绍硅片清洗机的相关工艺1、硅片清洗机概述   硅片清洗机广泛应用于光伏,电子等行业硅片清洗;由于硅片在运输过程中会有所污染,表面洁净度不是很高,对即将进行的腐蚀与刻蚀产生很大的影响,所以首先要对硅片表面进行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有机沾污,然后溶解氧化膜,因为氧化层是“沾污陷进”,会引起外延缺陷;再去除颗粒、金属等,同时使硅片的表面钝化。  目前多采用传统的RCA清洗方法,不仅可以去除硅片表面的金属、有机物等,还可以去除小颗粒等污染物。2、清洗工艺  RCA清洗法  RCA清洗法又称工业标准湿法清洗工艺,是由美国无线电公司(RCA)的Kem和Puotinen等人于20世纪60年代提出后,由此得名。  RCA湿法清洗由两种不同的化学溶液组成,  SPM具有很高的金属氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能将有机物氧化生成二氧化碳和水。用SPM清洗硅片可以去除表面的种有机沾污和部分金属,当沾污特别严重时,难以去除干净。  DHF(HF),可以去除硅片表面的自然氧化膜,同时抑制氧化膜的形成。易去除硅表面的Al、Fe、Zn、Ni等金属,也可以去除自然氧化膜上的氢氧化物。在自然那氧化膜被腐蚀掉时,硅片...
发布时间: 2017 - 01 - 06
浏览次数:453
华力微基于SONOS的55纳米闪存试产日前,赛普拉斯与华力微共同宣布,基于华力 55纳米低功耗工艺技术和赛普拉斯SONOS (氧化硅氮氧化硅)嵌入式闪存知识产权相结合,为闪存产品树立了一个新的里程碑。华力的客户已经开始使用这项技术进行低功耗嵌入式闪存产品的试生产,针对蓝牙低功耗和物联网应用。赛普拉斯高耐用性、可扩展的SONOS嵌入式闪存工艺针对低功耗需求进行了优化,使其成为微控制器(MCU)和物联网(IoT)应用的理想选择。2017年下半年,华力的客户即可采用该技术和设计IP进行全面量产。高性能氧化铱/铂纳米锥复合镀层提高神经电极电刺激性能近日,中国科学院深圳先进技术研究院医工所微纳中心研究员吴天准及其研究团队成功研发出一种具有纳米结构的高性能氧化铱/铂纳米锥复合镀层。这种高性能复合镀层有效解决了随着电极阵列化和集成化带来的高电化学阻抗、低电荷存储能力及低电荷注入能力的问题,并显著提高了神经电极的电刺激性能。相关研究成果Electrodeposited Iridium Oxide on Platinum Nanocones for Improving Neural Stimulation Microelectrodes(《铂纳米锥上电沉积氧化铱在改善神经刺激电极中的应用》)已在线发表于电化学期刊ElectrochimicaActa。同时该工作的阶段性成果被IEEE NEMS 201...
发布时间: 2017 - 04 - 17
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半导体加工中的刻蚀技术包括湿法化学刻蚀 (Wet Chemical Etching),等离子刻蚀(Plasma Etching),反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching)和离子研 磨(Ion Milling)。与其它刻蚀技术相比,湿法化学刻蚀工艺的主 要优点是成本低,对硅片上器件几乎无损害,高选 择比。缺点是各向异性差,工艺控制性(对温度敏 感)差,微颗粒控制差,化学品处理费用高,由于气 泡等因素很难使用于小的图形。 半导体工业中的湿法刻蚀工艺,主要使用酸 液去除金属、二氧化硅(SiO2)、硅等材料。相比等离子刻蚀,在刻蚀速率和经济性上要高于后者,但由 于酸液刻蚀在方向性上为各向同性,在高深宽比 沟槽的刻蚀控制上也不及后者,所以湿法刻蚀多 用于线宽尺寸较大,对刻蚀图形精度要求不太高 的应用。 在单片湿法刻蚀方法与传统槽式处理方法相 比,避免了在同一槽内批处理时硅片之间的互相污 染,洁净度好,且单片处理速度更快,对刻蚀图形的 精度控制也好于后者。 湿法刻蚀供酸管路系统的主体为主循环回 路,并有其它辅助的管路用于化学液补充或废液子刻蚀,在刻蚀速率和经济性上要高于后者,但由 于酸液刻蚀在方向性上为各向同性,在高深宽比 沟槽的刻蚀控制上也不及后者,所以湿法刻蚀多 用于线宽尺寸较大,对刻蚀图形精度要求不太高 的应用。 在单片湿法刻蚀方法与传统槽式处理方法相 比,避免了在同一槽...
发布时间: 2017 - 01 - 04
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中芯国际今年总销售增长率上看20%,其中先进制程产能扩产与28纳米工艺放量成长,将是主要两大驱动力。中芯国际也将在13日举办专题技术研讨会,全面对客户展现先进工艺制程与物联网平台的完整布局。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。  中芯国际日前预估,2017年相较2016年增长率将上看20%,尽管2017年上半年正在经历季节性调整,但是中芯国际对于下半年业绩抱持乐观展望,很可能展现“先蹲后跳”的实力。  其中,冲刺28纳米最先进制程工艺的布局,进展最快的就是中芯国际。根据统计,2016年中芯国际28纳米晶圆产能全球占比不足1%,与28纳米制程市占率分别为66.7%、16.1%与8.4%的前三大纯晶圆代工厂商台积电、格罗方德、联电仍保持较大的差距。  而28纳米将是2017年中芯主要成长动能之一,预期2017年底28纳米以下制程工艺将占公司营收比重达到7%-9%。并将在2017年底28纳米季度营收占比接近10%。  尽管中芯国际的28纳米制程工艺已在此前量产,但从产品规格来看,多偏向中低端的28纳米Ploy/SiON技术,对于高端的28纳米HKMG制程工艺涉足并不深,今年能否在HKMG制程工艺如期放量成长,乃外界观察指标之一。       今年中芯国际在先进工艺平台有几个重点,一是28纳米放量成长,二是14纳米起步开始有营收贡献,三是7纳...
发布时间: 2017 - 04 - 13
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湿刻蚀是通过化学刻蚀液和被刻蚀物质之间的化学反应将被刻蚀物质剥离下来的刻蚀方法。大多数湿法刻蚀是不容易控制的各向同性刻蚀。(1) 特点:适应性强,表面均匀性好、对硅片损伤少,几乎适用于所有的金属、玻璃、塑料等材料。(2) 缺点:图形刻蚀保真想过不理想,刻蚀图形的最小线难以掌控。(3) 植入广告!!该公司在这湿蚀刻方面比较优越!!!!!苏州华林科纳,成立于2008年3月,总投资4500万元;目前已形成湿法清洗系统、刻蚀系统、CDS系统、尾气处理系统的四大系列数十种型号的产品; 广泛应用于大规模集成电路电力电子器件、光电子器件、MEMS和太阳能电池等领域。 干法刻蚀的刻蚀剂是等离子体,是利用等离子体和表面薄膜反应,形成挥发性物质,或直接轰击薄膜表面使之被腐蚀的工艺。(1) 特点:能实现各向异性刻蚀,从而保证细小图形转移后的保真性。(2) 缺点:造价高。 从所产生通道截面形状分类,刻蚀又可分为两类:各向同性刻蚀和各向异性刻蚀。(1) 各向同性刻蚀:刻蚀剂从基片表面向下腐蚀的速率与在其他各方向大致相同,这种刻蚀成为各向同性刻蚀。例如含氢氟酸的溶液刻蚀玻璃和石英就是各向同性的。(2) 各向异性刻蚀:刻蚀剂在某一方向的刻蚀速率远大于其他方向时,就是各向异性刻蚀。例如用氢氧化钠、氢氧化钾等碱金属的氢氧化物或季铵盐刻蚀硅片时是各向异性的更多的半导体材料工艺设备相关资讯可以关注华...
发布时间: 2016 - 12 - 28
浏览次数:2203
单片清洗机在安装调试的过程中,会遇到一些常见问题,华林科纳CSE的安装技术工程师也整理了如下注意事项,可供大家参考:机械部分1.设备结构主要分为:设备壳体,中间选转部分,四周摆臂部分,后部滚刷部分,设备管路系统,供酸系统;2.中间选转部分在安装时,要保证安装完成后,中间旋转部分的高度可以调节,真空压力要保证好,防止旋转时及进行滚刷时把片子转飞掉,在腐蚀清洗时,要保证有一定的转速,药液从片着四周出去,防止污染片子背面;3.四周摆臂机构,根据工艺要求每个摆臂上面的药液和喷头也不一样,工艺制作时,根据药液来选择摆臂,摆臂设计时,因为有些药液有温度要求,摆臂应该药液预热或者预冷位置,让药液进行预热或者预冷,同时不会喷到片子上面,摆臂还有摆动喷洒药液的供液,摆动的幅度和摆动的范围都是要可以调整的;4.后部滚刷部分,在整个机构组装安装完成之后,摆动的高度也是可以进行上下调整的,滚刷伸出和缩回的距离也应该可以进行设定,因为滚刷的材料是PVA的,用之前是进行真空包装,安装之后,要每隔10秒滚刷进行滚动,滚动同时上面要进行喷水,不然滚刷就会变硬;5.旋转,摆动,滚刷,根据工艺的不同,可以进行选择,然后进行不同的组合。电器部分1.在制作程序时,有要求设定参数时,都应该设有该参数的最大值和最小值,让用户在范围内进行设定,防止发生错误;2.因为单片机的药液温度要求较高,所以制作程序时要考虑药液预热和预冷的...
发布时间: 2018 - 01 - 02
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凤凰科技讯 据The Investor网站北京时间4月12日报道,三星电子将从7月份开始运营位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂。新设施是全球规模最大的芯片工厂,占地289万平方米。三星将在该工厂量产第四代3D NAND闪存芯片,该芯片垂直堆叠达到64层。据《首尔经济新闻》报道,三星已要求合作伙伴在5月底之前供应必要的芯片制造设备。消息称,一开始,新工厂的产量将较为有限,需要几年时间才能全面运转。三星预计将于今年开始在这一芯片制造综合体运营,但是尚未正式宣布具体时间表。新工厂从2015年开始建造,耗资15.6万亿韩元(约合136亿美元)。平面和垂直NAND闪存芯片的总产能预计将达到每月45万片晶圆,3D NAND闪存芯片将占据一半以上。三星目前是全球最大的NAND闪存芯片制造商。市场研究公司IHS Markit发布的报告显示,三星去年在NAND闪存芯片市场的份额从2015年的32%增长到了36.1%。更多半导体相关新闻信息,可以关注华林科纳(江苏)CSE网站http://www.hlcas.com/
发布时间: 2017 - 04 - 13
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华林科纳主要通过偏心旋转改善蚀刻均匀度以及斜度,通过精准的温度控制及时间调节定位蚀刻深度更多的相关设备调试视频可以关注华林科纳CSE官网(http://www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2018 - 01 - 02
浏览次数:345
导读: 去年,中国成功发射了全球第一颗量子通信卫星,目前正在按照预期工作。在量子通信方面,中国已经走在世界前列。传统硅基半导体计算机的提升越来越困难,而量子计算机普遍被视为未来的新希望,尤其是美国正全力投入研发,已经有了不少成果。那么中国呢?其实也在悄然进行中。据中科院院长白春礼透露,中科院正在研制中国第一台量子计算机,预计最近几年就有望研制成功。白春礼表示,科学家已经能够对单粒子和量子态进行调控,量子通信、量子计算机等都将产生变革性的突破。那么,量子计算机到底有多厉害?白春礼举了一个形象的例子:如果要求解一个亿亿亿变量的方程组,如果用亿亿次的当今第一超级计算机天河二号计算,需要长达100年,而使用一台万亿次的量子计算机计算,只需区区0.01秒。去年,中国成功发射了全球第一颗量子通信卫星,目前正在按照预期工作。在量子通信方面,中国已经走在世界前列。 更多半导体行业新闻可以关注华林科纳(江苏)网站:http://www.hlkncse.com/
发布时间: 2017 - 04 - 12
浏览次数:225
导读: 随着联电厦门子公司联芯的 28 纳米先进制程计划在今年第二季正式量产,TrendForce 旗下拓墣产业研究院指出,中国本土晶圆代工厂今年将冲刺在 28 纳米最先进制程的布局,进度最快的本土晶圆代工厂为中芯国际与华力微电子...随着联电厦门子公司联芯的 28 纳米先进制程计划在今年第二季正式量产,TrendForce 旗下拓墣产业研究院指出,中国本土晶圆代工厂今年将冲刺在 28 纳米最先进制程的布局,进度最快的本土晶圆代工厂为中芯国际与华力微电子,然而,随着外资纷纷于中国大陆地区设立晶圆厂,本土晶圆代工厂面临技术、人才、市场上的直接竞争压力。拓墣指出,中国大陆地区纯晶圆代工厂商目前最先进的量产制程为 28 纳米,根据统计,中芯国际 28 纳米晶圆产品 2016 年的年晶圆产能全球占比不足 1%,与 28 纳米制程市占率分别为 66.7%、16.1% 与 8.4% 的前三大纯晶圆代工厂商台积电、格罗方德、联电仍有较大差距。不过,根据中芯国际季报显示,2016 年第四季 28 纳米营收占比达到 3.5%。中芯国际首席CEO邱慈云在 2 月 15 日的法说会上表示,28 纳米以下制程会是 2017 年中芯的成长动能之一,预期 2017 年底 28 纳米以下制程,将占公司营收比重达到 7%~9%。甫公布的中芯国际 2016 年业绩报告中,也展望 2017 年底 28 纳米...
发布时间: 2017 - 04 - 11
浏览次数:227
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