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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言为了实现微粒子的x射线荧光分析(XRF),需要单色色的x射线化和聚焦。作为一种器件,有一种具有双曲率和单色聚焦x射线。但是,它要求晶体的表面没有缺陷。作为制备双弯曲晶体材料的硅单晶的方法,我们提出了采用化学反应的数控局部湿蚀刻(NC-LWE)。本文报道了NC-LWE机对五轴硅单晶的加工性能。通过利用以SPring―8为代表的大型放射光设施的X射线, 虽然得到了较高的空间分辨率, 必须将测量试料带入设施, 不能发挥迅速、简便的优点,为了发挥这一优点, 希望在研究室水平开发具有亚微米级空间分解能的微小部分荧光X射线分析装置。因此,本文提出了数控局部湿蚀刻法(NC―LWE:Numerically Controlled Local Wet Etching)作为其加工法2)。本加工法的特征是,通过双重结构的加工喷嘴头供给蚀刻剂。加工成厚度为30µm的圆筒状,之后,对于曲率半径R,2Rsin2円的台座,研究了双重弯曲,使之粘结的2阶段的程序。 实验NC-LWE中硅的加工特性:为了通过LWE进行NC加工, 通过对目标去除形状和单位加工痕迹形状进行反卷积模拟, 有必要求出加工喷嘴头的停留时间分布,因此,首先, 采用吸口径φ5mm的加工喷嘴头获取单位加工痕迹, 测定了其形状。测定中, 使用了扫描型白色显微干涉仪(ZYGO公司制造New Vi...
发布时间: 2021 - 11 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      本文报道了1wt%氢氧化钾溶液中Si{100}湿蚀刻的蚀刻特性。蚀刻速率随着温度在90度以下的升高而逐渐增加 C. 接近沸温度(100℃)时蚀刻速率低于90℃ C. 在1wt%KOH溶液中的最大蚀刻速率约为1µm/min。研究发现,这个比率是切实可行的。然而,微金字塔出现在蚀刻的表面。作为硅各向异性湿法蚀刻的代表性蚀刻液, 使用氢氧化钾(KOH:毒物)或氢氧化四甲基铵(TMAH:毒物)水溶液。      这次,评价了使用1wt%KOH水溶液时的蚀刻速度及蚀刻表面外观,把握了加工特性的特征,因此进行报告。 实验      实验方法蚀刻装置是将蚀刻槽、加热器、温度计以及搅拌器的表面作为聚四氟乙烯材料,直接浸入液体中的构造。      通过该装置,可以将蚀刻液的温度控制调整到±0.2℃以内。作为试料,使用了将P型Si{100}晶圆切成1边1cm的四角形的小片。在芯片上,蚀刻部分形成了1边约1mm的四角形图案等。蚀刻前浸入1%HF水溶液中,除去表面的自然氧化膜。之后,进行了所希望的时间的蚀刻。蚀刻完成后,水洗,干燥,用激光显微镜评价蚀刻深度,用光学显微镜评价蚀刻表面外观。蚀刻液使用1wt%K...
发布时间: 2021 - 11 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      本文提供了用于蚀刻膜的方法和设备。一个方面涉及一种在衬底上蚀刻氮化硅的方法,该方法包括:(a)将氟化气体引入等离子体发生器并点燃等离子体以形成含氟蚀刻溶液;(b)从硅源向等离子体提供硅;以及(c)将氮化硅暴露于蚀刻物质,以相对于衬底上的其他含硅材料选择性地蚀刻氮化硅。硅源可以提供给衬底上游的等离子体。在一些实施例中,硅源被提供给远程等离子体发生器中的等离子体。替代地或附加地,硅源可以被提供给衬底和容纳衬底的腔室的前端之间的等离子体。硅源可以在容纳衬底的室的喷头处或附近提供给等离子体。      硅源可以包括两个或多个硅源。在各种实施例中,硅源是固体。硅源的例子包括含硅化合物,例如石英、硅、硅锗、碳化硅和氧化硅。在一些实施例中,硅源是包括硅的适配器环。在一些实施例中,硅源是包括硅的气体扩散器。衬底可以容纳在包括喷头的腔室中,喷头可以包括硅。在一些实施例中,硅源附着到等离子体发生器的壁上。      在各种实施例中,硅源是硅源,并且可以是含硅化合物。例如,进入容纳衬底的腔室的气体总流量的至少约0.5%(体积)可以是硅源。流体硅源的例子包括硅烷、乙硅烷、四氟化硅、四氯硅烷、正硅酸乙酯和四甲基硅烷。实验      进行了...
发布时间: 2021 - 11 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      本文研究了通过光敏抗蚀剂的湿蚀刻剂渗透。后者能够非常快速地响应选择湿蚀刻剂/聚合物的兼容性,以保护下面的膜不被降解。如今,大多数材料图案化是用等离子蚀刻而不是湿法蚀刻来进行的。事实上,与通常的各向同性湿法蚀刻条件相比,由于非常高的各向异性,反应离子蚀刻工艺能够实现更好的蚀刻尺寸控制。尽管如此,当使用敏感材料(即栅极氧化物[1])或当尺寸放宽时,使用光敏抗蚀剂的湿法图案化仍然是参考工艺。本文研究了整个湿法腐蚀过程中抗蚀剂保护的完整性。给出了确保这种保护的一些提示,以及评估这种保护的相关新方法。 实验      这里测试的所有聚合物都是248纳米深紫外线商用光敏抗蚀剂。选定的湿蚀刻剂取决于要蚀刻掉的材料。SC1(标准清洁1)在室温下以1 / 4 / 27的比例(NH4OH / H2O2 / H2O)用于蚀刻TiN膜。测试的氮化钛薄膜厚度为7纳米,由PVD公司沉积。氢氟酸或BOE(缓冲氧化物蚀刻剂)用于二氧化硅。BOE比是1 / 7 / 160 (HF / NH4F / H2O),在样品中仅使用了热氧化物。湿法蚀刻系统由300毫米旋转干燥单晶片工具或浸没式批量工具组成。非接触C (V)(电容(电压))测量在来自Semilab的FAaST工具上进行。 结果和讨...
发布时间: 2021 - 11 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料半导体器件的制造是在半导体衬底或其它衬底上形成特征的多步骤过程。步骤可以包括材料生长、图案化、掺杂、沉积、蚀刻、金属化、平坦化等。形成在衬底上的特征可以包括各种晶体管。晶体管可以是平面的或非平面的,也可以有单栅极或多栅极。非平面晶体管(有时称为3D晶体管)包括鳍式场效应晶体管等。这种非平面晶体管通常包括垂直取向的或者用作源极和漏极之间的沟道的凸起鳍片。栅极也是垂直定向或凸起的,并且位于鳍片上方(鳍片顶部和鳍片侧壁周围)。这种非平面晶体管可以具有多个鳍和/或多个栅极。平面晶体管也具有相关的高度,尽管非平面特征的相对高度通常大于平面晶体管的相对高度。半导体器件的制造通常包括放置隔离物和/或虚拟材料,以帮助构造给定的特征设计,包括非平面晶体管上的特征。为了改善栅极功能,通常在非平面晶体管上指定侧壁隔离物。随着晶体管栅极的尺寸继续缩小,栅极和触点之间以及栅极和源极/漏极面之间的边缘电容已经增加。为了抵消边缘电容的增加,低k介电材料被用作隔离材料。间隔物的成功受到间隔物蚀刻工艺的影响,该工艺可以影响间隔物的介电常数以及间隔物覆盖图1是各种衬底上保护层生长的横截面示意图 图2是示出根据本文公开的实施例的蚀刻技术的曲线图 图3是这里描述的示例方法的流程图 包括增加材料间蚀刻选择性的方法。这里的技术包括氮化硅(SiN)隔离物和硅(例...
发布时间: 2021 - 11 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文一般涉及处理光掩模的领域,具体涉及用于从光掩模上剥离光致抗蚀剂和/或清洗集成电路制造中使用的光掩模的设备和方法。光掩模是涂有金属层的透明陶瓷衬底,该金属层形成电子电路的图案。在集成电路的制造过程中,薄膜通常用于密封光掩模使其免受颗粒污染,从而隔离和保护光掩模表面免受来自光掩模图案焦平面的灰尘或其他颗粒的影响。为了以高成品率生产功能性集成电路,光掩模和薄膜需要无污染。光掩模的污染可能发生在光掩模本身的制造过程中,也可能发生在光掩模的使用过程中集成电路制造过程中的光掩模,特别是光掩模加工和/或处理过程中的光掩模40。一种类型的污染是光掩模表面的有机/分子污染。光掩模表面上的有机/分子污染物,例如化学污渍或残留物,降低并降低了透射率特性45和/或光掩模的特性,最终影响被制造的半导体器件的质量。光刻过程中影响集成电路质量的另一种污染是微粒污染。颗粒污染物可以包括任何小颗粒,例如灰尘颗粒,它们可以在光掩模上或者夹在光掩模和薄膜之间。光刻过程中投射的是从光掩模表面剥离光刻胶。类似于集成电路器件的制造,在光掩模的制造过程中,光致抗蚀剂被施加到光掩模的表面,并且光和/或紫外线辐射以期望的电路图案被施加到光掩模表面。在光掩模制造过程中和作为集成电路维护的一部分,光掩模的制作和清洁10个晶圆厂。常规方法使用硫酸和过氧化氢的高温混合物(“SPM”)来在第二步中剥离...
发布时间: 2021 - 11 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      超临界二氧化碳(COC)由于其低成本、低毒性、不燃性和环境可接受性,已被确定为各种精密清洁应用中氟氯化碳的有前途的溶剂替代品。本文介绍了最近使用COC作为清洗溶剂的经验,以将该技术应用于商业实践。      超临界流体在精密清洗中的应用源于过去十年该技术的发展。超临界流体的新的溶剂特性,特别是二氧化碳,已经在食品、制药和石油工业中得到商业利用。最近,超临界流体技术已被商业应用于从工业废水中提取有害有机化学品。目前,二氧化碳正被用于多种精密清洁应用,第一批商用系统正在运行中。 实验      典型的一氧化碳清洗过程是使用多个清洗容器作为间歇操作或半连续过程进行的。典型的间歇系统由两个主压力容器、一个清洗室和一个分离器组成。其他主要设备包括期间很少或没有操作员注意清洁周期。在后一种情况下,一组预编程的操作参数。针对正在清洗的材料进行了优化,可控制过程中的流程示意图Figure1说明了基本的批量清洗操作。      使用合适的篮子、容器或固定装置将待清洁的材料装入清洁室。然后,使用为操作人员和工作环境设计的快速开启关闭机构来密封腔室。清洁过程开始于将液态一氧化碳从储存容器泵入清洁室,并将清洁室加压至工作条件。...
发布时间: 2021 - 11 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      随着超精密加工技术的发展,在机械加工中也需要纳米级的加工控制技术,从这个观点出发,近年来,利用扫描型探针显微镜(SPM)的极微细加工技术被广泛研究1)~5)。为了确立纳米级的机械加工技术, 考虑到化学效果,理解加工现象是重要的研究课题。 实验      图1是利用FFM机制进行的极微细机械加工(以下称FFM加工)的概略图。      图2是实验方法的概略图。首先,使用安装了加工用悬臂梁的FFM机构,对单晶硅的抛光面((100)面,Ra5nm)进行正方形领域的凹痕形成加工,其次,用KOH水溶液对该试料进行蚀刻处理。为了提高蚀刻处理后的试料表面的粗糙度,将异丙醇(IPA)作为添加剂混合在蚀刻液中使用。加工条件如表1和表2所示。经过一定时间后,充分进行流水冲洗,使表面干燥后,用观察用悬臂梁对加工部的变化进行AFM观察。 图2实验方法的示意图      以垂直负荷789μN,加工速度120μm%s进行机械加工的试料表面的AFM观察像。形成了深度约34nm的凹痕。图1是用15wt%KOH水溶液进行20分钟蚀刻处理的加工部的AFM观察像。加工部表面显示出很强的掩膜作用,其周围被选择性地蚀刻。其结果,残留形...
发布时间: 2021 - 11 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      介绍了摩擦力显微镜下的悬臂梁对单晶硅表面(100)正方形进行微加工的研究。结果发现,用氢氧化钾溶液蚀刻工件后,加工区域变为凸凸。了解了凸面的高度取决于加工条件,特别是氢氧化钾溶液的浓度的关系。为了了解相反的刻蚀处理结果,采用透射电镜(发射电子显微镜)和激光拉曼法对加工表面的结构进行了分析,得到了表面的厚氧化和下劣化。此外,还验证了超声波清洗结合刻蚀提高粗糙度和去除残留物的效率。并应用实验结果,提出了无掩模形成微结构的方法。 实验      在加工部位发现了很强的面罩作用, 发现了凸状结构残留形成的情况。这个掩膜作用是加工条件, 特别是显示了对KOH水溶液浓度的强烈依存,即, 如图1D所示, 用浓度约20wt%以下的KOH水溶液蚀刻FFM加工区域后,加工区域会有选择地呈凸状(掩蔽效果)。 明确了在20wt%以上的情况下反而变成凹状(蚀刻促进效果)。      通过用浓度不同的KOH水溶液蚀刻FFM加工后的试料,产生掩蔽效果或蚀刻促进效果。这表明,在FFM加工区域的表层存在结晶性紊乱,与大气中的氧结合,化学性质发生变化的层。因此,为了阐明这两种相反的化学效果的机理,FFM; 对加工表面层进行了结构分析。 图1氢氧化钾浓度与结构...
发布时间: 2021 - 11 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      单晶S1, 作为IC、LSI的电子材料, 用于微小机械部件的材料,也就是说,作为结构材料的新用途已经开发出来了。其理由是, 除了单晶SI或机械性强之外,还在于通过利用仅可用于单晶的晶体取向的各向异性烯酸,精密地加工出微细的立体形状。以各向异性烯酸为契机的半导体加工技术的发展,在晶圆上形成微细的机械结构体,进而机械地驱动该结构体,在20世纪70年代后半期的Stanford大学,IBM公司等的研究中,这些技术的总称被使用为微机械。在本稿中,关于在微机械中占据重要位置的各向异性烯酸技术,在叙述其研究动向和加工例子的同时,还谈到了未来微机械的发展方向。 实验      作为用于化学各向异性蚀刻的蚀刻剂,已知有KOH水溶液、乙烯胺水溶液等1}。当使用这些进行蚀刻时,具有轮胎蒙特晶体结构的S1的(111)的蚀刻率与其他晶面的蚀刻率相比显示出极小的值。例如,在40℃下对40%KOH水溶液的所有方向的蚀刻率进行测量的结果如图1所示2)。用等高线表示布。全方位中表示蚀刻速率的最大值的是(110),表示最小值的是(111)。两者的蚀刻速率的比约达到1801.另一方面,S1的氧化膜(S102),氮化膜(S13N4),另外掺杂了大量杂质的S1的蚀刻速率与S1相比也非常小。利用这样的性质...
发布时间: 2021 - 11 - 25
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