欢迎访问华林科纳(江苏)半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829



新闻资讯 新闻中心
400-8798-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
新闻中心 新闻资讯
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      半导体制造工业中的湿法清洗/蚀刻工艺用于通过使用高纯化学品清洗或蚀刻来去除晶片上的颗粒或缺陷。扩散、光和化学气相沉积(CVD)、剥离、蚀刻、聚合物处理、清洁和旋转擦洗之前有预清洁作为湿法清洁/蚀刻工艺。清洗工艺在半导体晶片工艺的主要技术之前或之后进行。晶片上的颗粒和缺陷是在超大规模集成电路制造过程中产生的。控制硅片上的颗粒和缺陷是提高封装成品率的主要目标。随着更小的电路图案间距和更高的大规模集成电路密度,已经研究了颗粒和微污染对晶片的影响,以提高封装产量。湿法清洗/蚀刻工艺的湿法站配置有晶片装载器/卸载器、化学槽、溢流冲洗槽和干燥器。 介绍      本文开发了多化学品供应系统,并将其应用于湿式站,该系统采用多化学品同浴工艺。多化学品供应系统有两个化学品瓶、气动系统、两个供应泵、电容传感器、化学分析仪和可编程逻辑控制器(PLC)单元。为了控制两种化学品的浓度,供给泵控制逻辑使用可编程逻辑控制器编程。 实验      图1显示了在三京湿法站中使用的一种槽配置,其中100:1稀释氢氟酸(DHF)化学品和去离子水(去离子水)被供应到槽中。DHF化学用于预扩散清洗、预氧化物剥离和氧化物蚀刻。浴槽由聚四氟乙烯材料制成,过滤器用于过滤...
发布时间: 2021 - 11 - 24
浏览次数:36
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      许多晶圆清洗技术都在竞争高效太阳能电池处理的使用。有些是从集成电路制造中借鉴而来的,在本工作中,对上述技术进行了定性比较,并在清洁效率和作为预扩散清洁的适用性方面对后三种技术进行了实验比较,所述预扩散清洁用于加工效率超过21 %的双面和IBC n型太阳能电池领域的工业应用。      一般认为高效太阳能电池器件,如PERC电池、双面n型太阳能电池如ISC的BiSoN概念和交叉背接触(IBC)太阳能电池如ISC的ZEBRA概念需要比标准铝背表面场太阳能电池更先进的晶片清洗。电池效率在20% (BiSoN) 左右和21% (ZEBRA) 以上,只有在高温步骤前表面足够清洁的情况下才能实现。对于这种太阳能电池概念的工业实施来说,需要直接且成本高效的高通量清洁技术。 实验      清洁效率的比较:根据图1清洗使用RENA monoTEX纹理化的晶片。      在所有清洗程序中,使用的稀释氟化氢(d HF)浓度为2%。POR和工业清洗液中稀释的氯化氢浓度为3%,浸泡时间为5分钟。      在80℃下,在SPM(硫酸过氧化氢混合物)中的浸泡时间为10分钟。整个POR过程需要45分...
发布时间: 2021 - 11 - 24
浏览次数:15
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言本研究考察了利用超临界二氧化碳和共溶剂添加剂去除硅晶片表面Si3N4刨除的技术。 首先,通过关于几种表面活性剂和添加剂的超临界二氧化碳溶解度及刨花板分散性评价,确定了其对超临界工艺的适用性。 通过调整各种变量,进行了刨花板洗脱实验,确立了最佳去除条件。 实验中使用的表面活性剂除垢效果差,实验后证实有次生污染物形成。 而trimethyl phosphate是IPA共溶剂和微量HF混合的清洁添加剂,含超临界二氧化碳为5 wt%的流体,温度50℃; 在压力2000psi下,以15mL min-1的流速洗脱4分钟,结果表明,除垢效率为85%。 实验试剂和材料:作为实验中使用的蚀刻用试剂,HF水溶液以HF/water(1:1, 德山),并购买了IPA(东友精密化学)、Tergitol(ALDRICH)、TMN-6(ALDRICH,)、Trimethyl phosphate(ALDRICH)作为公用溶剂和添加剂,按适当比例配伍使用。 这些药品均为试剂级,没有单独的提纯过程使用,试验使用的蒸馏水采用了三次蒸馏水。 购买并使用纯度为99.99%的二氧化碳(临沧气体),购买并使用Silicon nitride(Si3N4,50 nm,ALDRICH)作为污染样品的污染源,wafer使用的是由纳米综合Fab中心设备制作的silicon材质bare w...
发布时间: 2021 - 11 - 24
浏览次数:59
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      为了应用于透明导电氧化物电极(transparent conductive oxide electrodes),在RF磁控溅射方法中的年玻璃基板上沉积了氧化锌薄膜。为了实际的消磁应用,通过光子光成像形成pattern,通过湿式蚀刻探讨其特性。湿式蚀刻中使用的蚀刻溶液(etchant)使用了多种酸溶液(硫酸、草酸、磷酸),并了解了酸浓度变化时的蚀刻特性以及蚀刻时间和蚀刻图像(表面形状)的变化。结果,氧化锌的湿式蚀刻与酸的种类无关,很大程度上取决于所买溶液的农度(即pH),随着pH的增加,蚀刻率在指数函数上下降,同时首次考察了各种蚀刻图像的出现。 实验      氧化锌薄膜的合成:为了用作透明导电电极,需要高透光率和低电阻。氧化锌根据溅射沉积条件(例如目标与基板的距离、基板的温度、RF power、沉积温度等)进行其特性的变化。为了了解氧化锌薄膜在优化条件下的结构特征(与目标和基板的距离为30毫米、RF功率为200 W、常温沉积),本烟区观察了wide scan XRD,如图1所示。众所周知氧化锌是从基体表面开始平行于C轴生长的。该林1显示了以(002)面生长的氧化锌,在34附近以高C轴生长的图表。另外,图1中插入的图表示33~36之间的高解析XRD模式。图1 典型...
发布时间: 2021 - 11 - 24
浏览次数:55
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      本文简要综述了所提出的清洗机制。然后介绍了聚VA刷摩擦分析结果。在摩擦分析中,刷的粘弹性行为、平板的表面润湿性以及刷的变形是重要的。此外,我们还介绍了PVA电刷和接触面之间真实接触面积的可视化结果。在半导体器件制造过程中,这次的专题“清洗与净化”是一个非常重要的事项。基本上半导体工厂都是洁净室,各种工艺都是在极度受控的环境下使用的。 实验      用PVA刷摩擦表面的清洗机构并不那么简单。那是因为使含有非常多液体的刷子在表面移动,因此提出了如Fig.1所示的各种清洗模型。用液体和固体去除表面存在的粒子,为正混相流。   图1粒子移动模型另外,在这样的干洗中,据说粒子的除去性会根据进行 洗涤的高分子(洗涤工具)、要除去的粒子、以及被洗涤物 表面各自之间的分子间力的大小的不同、该高分子的形 状而发生 变化。例如对附着有二氧化硅粒子的PMMA平 面(被清洗物)进行清洗。面向壁虎自清洁机 制的阐明,报道了活跃的研究成果“3-7” O在利用模拟 它们的高分子进行干洗(不使用液体的干燥状态下的粒子 除去)中,Fig.2中显示。 图2加载-拖动-卸载运动中的干清洁图3显示的是利用测压元件在板上压缩PVA电 刷时的垂直力FX和变形的关系...
发布时间: 2021 - 11 - 24
浏览次数:147
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言III―V族的化合物半导体GaAs,与Si半导体相比,如果能利用快6倍的电子移动度和少的配线容量,就有利于高速化,由于是单纯的晶体管的构造,高集成化元件也是合适的。根据这样的特征,GaAs在超高速演算元件,半导体激光,通信领域被广泛应用。以Si晶圆为代表,用于器件平坦化的CMP被积极地研究。但是,GaAs晶圆的CMP与其重要性相比,研究并不多。这是因为GaAs晶圆的直径还很小,使用量也不如Si,即使是现有的浆料也能满足CMP特性的要求。目前,III-V族化合物半导体,特别是GaAs和lnP晶圆的CMP用浆料主要使用次氯酸钠(NaOCl)作为蚀刻剂,其镜面加工的机理也在考察中。但是,由于对环境问题的应对越来越多,对开发新的GaAs超精密抛光用浆料的要求越来越高。本方法的主要目的是开发对人体和机器的工作环境无害的新的GaAs CMP浆料。 实验本方法中的GaAs晶圆是Si掺杂N―type的(100)方位角。浆料的成分是具有光触媒用锐钛矿结晶状的TiO2的粉末,过氧化氢使用30%浓度的溶液。为了比较加工特性,使用了GaAs晶圆专用的研磨药品。研磨实验全部进行了3次。图1表示实验装置。图1(a)是一般的CMP装置的模式图,(b)是为了调查本研究中使用的紫外线照射的影响的CMP装置。在表面板上使用紫外线吸收少的石英,为了将紫外线通过石英直接照...
发布时间: 2021 - 11 - 23
浏览次数:58
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料RCA清洗技术是用于清洗硅晶圆等的技术,由于其高可靠性,30多年来一直被用于半导体和平板显示器(FPD)领域的清洗。其基础是以除去颗粒为目的的氨水-过氧化氢溶液组成的SC―1洗涤和以除去金属杂质为目的的盐酸-过氧化氢溶液组成的SC―2洗涤相结合的洗涤技术。SC-1洗涤的机理说明如下。首先,用过氧化氢氧化硅晶片的表面,用作为碱的氨蚀刻氧化硅,并通过剥离去除各种颗粒。此外,如图1所示,在pH 10.5附近的SC-1清洗液中,硅衬底和各种颗粒的表面电势(ζ电势)都为负,因此,通过静电排斥力去除各种颗粒,并防止再粘附。另一方面,在SC-2清洗中,许多金属溶解在pH为0-2的酸性溶液中,如SC-2清洗液,并作为离子稳定存在,因此晶片上的金属杂质也被溶解和去除。到目前为止,为了改进RCA洗涤技术,已经开发了以下新的洗涤液和洗涤装置。我们开发了使用臭氧水和电解离子水等功能水的洗涤技术,并在一部分的洗涤工艺中被采用。另外,使用超临界流体的洗涤工艺的研究也在进行中,被导入到MEMS等的洗涤工艺中。这些以水和二氧化碳为主要成分,其特征是洗涤后的废液处理容易且对环境友好。但是,为了制造功能水和超临界流体,需要导入新的设备。通过引入300毫米的晶片,加速了从所谓的分批式清洗装置引入片状清洗装置的速度,所述分批式清洗装置用于在一个槽中共同浸泡和清洗数十个晶片,所述片状清洗...
发布时间: 2021 - 11 - 23
浏览次数:43
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言在作为半导体光刻原版的光掩模中,近年来,与半导体晶圆一样,图案的微细化正在发展。 在半导体光刻中,通常使用1/4~1/5的缩小投影曝光,因此光掩模上的图案线宽是晶圆上线宽的4~5倍,虽然要求分辨率比半导体工艺宽松,但近年来,从边缘粗糙度、轮廓形状等角度来看,干蚀刻已成为主流。 半导体用光掩模是对在合成石英基板上成膜的铬、氧化铬、氮化铬等铬系薄膜进行图案化的掩模,特别是在尖端光刻用掩模中,现状是从硝酸铈系的湿蚀刻剂加工,基本完成了向氯、氧系混合气体的等离子蚀刻加工的转移。在提高光刻分辨率的相移掩模技术中,湿法蚀刻技术再次受到关注。 这是因为,在蚀刻玻璃基板,使曝光光具有相位差的Levenson型相移技术中,通过湿法蚀刻控制图案轮廓的形状是不可或缺的。在本文中,简单说明了需要这种技术的背景,并介绍了使用湿法蚀刻的尖端光掩模制造的现状。 关于光刻技术和掩模半导体光刻技术取其最小线宽或设计中的最小间距的半数,多在世代或技术节点中进行讨论。迄今为止,为了实现更精细的技术节点,主要通过光刻的短波长化进行了应对,但近年来,图案的精细化正在以超过短波长化的速度发展。一般来说,对于曝光波长形成的线宽足够大,转印对比度充分的光刻,MEEF为1。也就是说,掩模的尺寸误差只在缩小倍率部分小,反映在晶圆上的状态。 另一方面,当形成的线宽小于曝光波长时,MEE...
发布时间: 2021 - 11 - 23
浏览次数:31
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      最近的电子器件大多是由微细的电路元件构成的,为了制造这些元件,微细加工已成为必须的技术。以前,为了这个目的使用了蚀刻技术(光刻法)。但是,半导体集成电路(IC)的集成度以年率约2倍的比例提高,据说使用光的加工早晚会达到极限。为了打破这一问题,正在研究使用更短波长的紫外线、电子射线、软X射线、离子射线等新射线源的方法。另一方面,适用于这些新辐射源的抗蚀剂材料的研究也在势力范围内进行。在此,以光刻胶为中心,对各光刻胶的现状、今后的课题进行概述。 光刻法      图1 示出了使用光刻的微加工的概略工序。首先在基板表面形成要蚀刻的物质(例如铝)的薄膜,在其上通过旋涂法等涂覆抗蚀剂。光刻胶是通过光照射,其溶解性发生变化的被膜材料,在蚀刻时具有保护基板的作用。通过具有所需图案的光掩膜(类似于照相干板),用光照射涂有光刻胶的基板,使其发生化学变化后,将其浸入适当的溶剂(显影液)中,仅照射部分或未照射部分有选择性地溶出,形成光刻胶的图案,因此,溶解性增大,该部分溶出的称为正型抗蚀剂,相反,通过照射使其不溶解,仅未照射部分溶出的称为负型抗蚀剂。 接着,使用适当的蚀刻剂对该基板进行蚀刻后,被抗蚀剂图案覆盖的部分未被蚀刻而残留。 最后,剥离作用结束的光刻胶后,可以得到所需的蚀刻图案。&...
发布时间: 2021 - 11 - 23
浏览次数:58
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      半导体的制造以硅晶圆为起点,经过形成前工序的晶体管的FEOL,插头形成的MOL,以及连接晶体管作为电子电路发挥作用的布线工序的BEOL,形成器件芯片,在后工序中,将芯片进行个片化后进行封装,完成。随着芯片的高性能/低电力化,工艺变得复杂化,仅前工序就已经达到数百工序,其中约1/4~1/5被清洗工序所占据。特别是在FEOL中,1970年开发出了组合高纯度药品使用的RCA清洗,现在也被广泛使用。在本文中,为了在半导体制造中的平坦化工艺,特别是在形成布线层的工程中实现CMP后的高清洁面,关于湿法清洗所要求的功能和课题,关于适用新一代布线材料时所担心的以降低腐蚀及表面粗糙度为焦点的清洗技术,介绍了至今为止的成果和课题,以及今后的展望。 清洗的原理和机理      在22 nm附近作为工艺上无法跨越的障碍,其技术动向的变迁如图1所示。在此期间,在清洗中,金属杂质浓度以及残留粒子数以及尺寸的降低,此外,这些检查持续要求提高出灵敏度等。另外,在铜配线的CMP中,在阻挡金属的研磨浆料中添加了特定的pH以及氧化还原电位作用的BTA(1,2,3―Benzotriazole)或者其衍生物等的防腐蚀剂,在研磨中在铜表面形成如图2所示的保护膜,抑制其腐蚀,另一方面也成为基板表面如图3所示...
发布时间: 2021 - 11 - 23
浏览次数:18
1319页次31/132首页上一页...  26272829303132333435...下一页尾页
Copyright ©2005 - 2013 华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋高新区桃金东路90号
电话:0513-87733829
Email:xzl1019@aliyun.com
www.hlkncse.com

传真:0513-87733829
邮编:226500


X
1

QQ设置

3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8798-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开