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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本研究研究了各种去除氮化镓中污染物的表面清洗技术。螺旋电子谱(AES)分析用于监测表面污染物的存在,原子力显微镜(AFM)用于监测表面粗糙度。AES分析表明,氢氧化钾能有效去除碳(C)。比较盐酸、氢氧化钾和(NH4)2S在水溶液中清洗的氮化镓表面的地形;研究发现,在(NH4)2S中清洗的表面清洁最好,C和O、RMS粗糙度和Ga/N比均最低。通过在真空中加热样品,几乎完全去除C和O。 介绍       湿蚀和干蚀刻方法广泛用于去除表面污染物的表面制备。此外,金属化前衬底表面的形貌对用于制造用于紫外线检测的肖特基势垒二极管的超薄金属的连续性有影响。在金属化之前,氮化镓已经使用化学品对基质进行湿和干洗。干洗方法会损坏表面,通常使材料电不适合。各种表面分析技术,如螺旋电子谱(AES)、x射线光电子谱(XPS)、低能电子衍射(LEED)和二次离子质谱(SIMS)已被用于鉴定表面污染物、氧化物、金属颗粒和重建。原子力显微镜(AFM)已被用于监测表面清洁度作为地形的函数。       在这项工作中,我们研究了氮化镓表面的化学清洗,并用原子力显微镜和原子发射光谱法对结果进行了评估。研究了各种去除氧和碳的湿化学方法。我们特别报道了氯化氢、氢...
发布时间: 2021 - 10 - 12
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文开发了一种新颖的单晶片清洗技术,以满足化合物半导体制造的需求:去除光刻胶和蚀刻后残留物,同时保持与各种化合物半导体材料、暴露金属和介电层的兼容性。CoatsClean平台是工艺和化学技术的结合,具有显著减少化学物质使用、缩短工艺时间、晶圆间一致性和工艺灵活性的特点。本文描述了CoatsClean技术,并展示了在生产聚酰亚胺过孔和基座层的GaAs异质结双极晶体管(HBT)时去除蚀刻后残留物的能力。 介绍      我们开发了一种新型的单晶片清洁技术,针对化合物半导体制造的需求:去除光刻抗蚀剂和蚀刻后残留物,同时保持与无数化合物半导体材料、暴露金属和电介质层的兼容性。Clean™平台是工艺和定制化学配方技术的结合。这一创新源于洞察晶圆清洗是一种化学工艺,以及为晶圆清洗设计最佳化学工艺的有意识选择。该技术的特点是显著减少化学使用,使用点加热,和短工艺时间在单个碗工具。除了环境可持续性外,减少化学使用允许在每个晶片上使用新鲜的、未使用的解决方案,导致晶片之间的一致性和拥有成本可能低于用于制造砷化镓hbt的其他抵抗剥离工艺,包括等离子化干燥条、单晶片喷雾和浸泡。 该技术在光刻抗蚀剂清洗过程中提供了灵活性,包括平衡抗蚀剂去除与材料兼容性的能力,增加了化学配方的稳定性,以...
发布时间: 2021 - 10 - 12
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      使用旋转圆盘电极在各种磷酸基电解质中研究了铜和铜/钽/硅晶片样品的电抛光,包括几种添加乙醇和其他物质作为稀释剂的电解质。稀释剂允许获得大范围的水浓度,还降低了铜电解抛光过程中的溶解速率,简化了镶嵌工艺的可能应用。对测得的极限电流密度进行莱维奇分析,证明水是速率决定步骤中涉及的受体物种。所确定的有效扩散系数与先前从电流体动力阻抗获得的几乎完全一致,这不需要了解极限物质。 介绍      电抛光长期以来在工业上用于各种目的,最常见的是用于进一步处理或分析的表面准备和用于美容目的的表面抛光。电抛光可包括表面平整和或表面光亮。尽管这些术语经常互换使用,但调平通常与大于1微米的表面特征的平滑有关,而与小于1微米的特征的增亮有关。尽管广泛使用,但这种机制电抛光通常发生在金属表面钝化的高阳极电位下的质量传递限制电流下。然而,研究人员提出了多种对电抛光至关重要的工艺,包括在电化学界面形成粘性膜,与该膜接近其溶解度极限相关的动态效应,以及溶解金属离子的溶液相受体种类。这些不同效应的相对重要性和相互依赖性仍不清楚。      在本报告中,我们介绍了铜在磷酸溶液中电抛光的研究,该溶液含有稀释剂,并确定水是速率确定步骤中涉及的受体物种。实验  &...
发布时间: 2021 - 10 - 12
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍      硅表面的湿化学处理经常用于光伏、电子和其他工业中的几个不同的处理步骤。例如,它们被用于去除锯伤、表面清洁以及晶片表面的抛光或纹理化。这里我们报道了含有氢氟酸、盐酸和过氧化氢的溶液,它们是用于硅晶片纹理化和清洁的新型酸性蚀刻混合物。显示了溶液的反应性和清洁特性,以及经处理的硅晶片的表面形态和反射性能。 反应性研究      在室温下蚀刻金刚石线锯晶片期间,观察到高达8 nm s-1的硅蚀刻速率。反应性取决于过氧化氢和盐酸的浓度。这可以用氯作为硅表面原子氧化剂的形成增加来解释。氢氟酸浓度的增加导致氧化硅物质的溶解速度加快。 清洁属性      锯切后,金刚石线锯切晶片表面有高浓度的金属。用HF-HCI-H2O2混合物处理后,浓度要低10倍以上。清洁结果与半导体工业中使用的清洗浴相当。 表面形态      在高含量盐酸的混合物中蚀刻后,在硅(100)晶片表面发现金字塔结构。产生了规则的金字塔结构,这迄今为止仅从碱性蚀刻溶液中得知。共焦激光扫描显微镜(CLSM)揭示了晶片表面的损伤去除和粗糙化。与切割表面Sz = 4.881 μm相比,纹理表面Sz = 4.063微米的最大高度变小。同时,在...
发布时间: 2021 - 10 - 11
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文通过绘制少数载流子扩散长度、体中铁浓度和表面污染(表面电荷和表面重组),介绍了表面光电电压(SPV)在监测化学清洗和化学品纯度方面的应用。新的SPV方法和精密仪器的非接触性、晶片级的特性使该技术特别适合于重金属监测。该方法用于监测BHF中的铜污染,通过测量其对表面重组的影响,并通过其对整体重组的影响,快速热退火步骤用于驱动在清洗过程中沉积在表面的铁。铁表面污染测量到1X109cm-2水平,而该方法的检测限为2x108cm-2。不同等级的H202中不同的铁污染水平(1~13ppb)很容易区分。该程序应允许人们在1ppt水平上监测H202中的铁污染。进口化学品的清洁度并不总是一个限制因素,而且通常与使用点(在清洁站)的化学品的清洁度无关。 介绍      集成电路(IC)复杂性的持续增加,以及需要减少栅极氧化物厚度的临界尺寸的减少,产生了更好地控制重金属污染的需要。这就对清洁方法和表征技术提出了严格的要求,迫切需要一种快速、廉价、高通量的测量方法,可作为一种质量控制(QC)方法,以实时确定清洗过程、进入的化学品、使用点的化学品和清洗站的性能。在此,我们探讨了表面光电电压(SPV)在监测化学清洗中的应用。与其他技术如总反射x射线荧光光谱(TXRF)或原子吸收光谱(...
发布时间: 2021 - 10 - 11
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      在半导体制造的干燥工艺中,水印抑制是重要的课题,对此,IPA直接置换干燥是有效的。 水印的生成可以通过三相界面共存模型进行说明。另外就马兰戈尼效果进行说明。 半导体制造中的表面干燥技术      个人计算机在普通家庭的普及和随着互联网等基础设施建设的完善需要大内存和高速CPU。与此相对,现在晶体管 结构框架中的解是微细化、高集成化。存储单元的微小化使存储容量的大容量化成为可能,布线的微小化会带来时钟频率的提高和低功耗化。在半导体制造工艺中,表面的清洁保持清洁度是重要的。应该管理的污染物作为物质,除粒子外,还有有机成分、金属、自然氧化膜。干燥方法的变迁      首先,从封入晶圆的容器的下部导入纯水进行冲洗。水洗后,一边排出纯水一边排 出IPA 从容器上部安静地导入蒸汽。IPA是纯水从表面扩散,在水的最表面形成IPA层。在该状态下,相对降低液面后,晶片表面的接触物质按照100%的纯水- 含有低浓度IPA的纯水t含有高浓度IPA的纯水-液相 IPA-气相IPA的顺序不断变化。结果,得到了没有水滴残留的表面,不产生水印。 图1水印的生成机制      水印可以认为是被表面捕获的水滴在物理或化学蒸发的...
发布时间: 2021 - 10 - 11
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      氮化铝是宽直接带隙化合物半导体材料。高温强度高、导热性好、热膨胀系数小、耐腐蚀性强、介电性能好等特点使氮化铝作为抗冲击材料、坩埚材料、导电材料广泛应用于各个领域。综述了氮化铝粉末的生产方法及其在不同领域的应用。 介绍      氮化铝是一种陶瓷绝缘体,第三代半导体材料。氮化铝在室温下的带隙为6.42eV,热膨胀系数为4.5×10-6°C;最大稳定到2200°C。.本文介绍了基于氮化铝粉末生产方法的氮化铝的基本特性及其在各个领域的应用。 氮化铝的基本结构和性能      氮化铝和其他材料的比较如表1所示。与其他材料相比,可以看出氮化铝的熔点更高,导热系数更大,带隙更宽。这些特性是由特殊氮化铝的内部结构造成的。      氮化铝通过共价键连接。图1显示了氮化铝的晶体结构。它具有六方晶体结构,与硫化锌和硫化锌矿石相同。氮化铝空间群为P63mc 。它的空间结构led氮化铝具有很高的热稳定性,因此它应该在压制和焊接之前生产工业级材料。 表1 预测器变量的高低设置 图1 氮化铝的晶体结构氮化铝的制备方法      直接氮化法-...
发布时间: 2021 - 10 - 11
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      表面处理和预清洗在半导体工业中的重要性是众所周知的。为了确保良好的薄膜粘附性和金属半导体触点的低电阻,某些溶剂或等离子体清洗以及酸或碱处理对于去除有机残留物和表面氧化物至关重要。已知多种蚀刻剂对于去除天然GaAs氧化物是有效的。然而,在特定的加工步骤中使用什么处理,以及需要什么浓度和加工时间来获得有效的结果,在工业中几乎没有标准化。此外,与制备特定蚀刻化学物质相关的成本和所涉及的化学物质的有效寿命以前没有被仔细研究过。这篇合作论文将回顾几个大规模制造组织中湿法氧化物去除蚀刻的一般实践,并研究这些实践的有效性。 介绍      作为制造过程的一部分,所有半导体制造场所都使用酸、碱、溶剂和等离子清洗来去除氧化物、抗浮渣或GaAs和相关外延化合物。例如,图案化光致抗蚀剂开口可能需要等离子体清洁以去除显影步骤后残留的残余抗蚀剂,并且这之后经常是氧化物去除以确保蒸发膜的良好粘附。类似地,可能需要表面清洁来为下一层光刻或电介质沉积准备晶片表面。在湿法处理的情况下,化学制剂可以作为通风柜中的浴液获得,或者从晶片轨道或其他自动化单晶片处理工具中分配。工程部门有责任决定使用什么样的浴缸,使用什么样的浓度,以及有效的浴缸寿命应该是多少。本文提供了这些选择的示例,并讨论了这些加工步骤...
发布时间: 2021 - 10 - 11
浏览次数:67
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      介绍了用聚四氟乙烯聚合物覆盖石英反应器中二氯化碳F2/O2等离子体刻蚀硅的基本结果。以刻蚀聚四氟乙烯聚合物为代价,建立了在活性输送化学活性粒子(CAP)条件下,等离子体CCl2F2/O2中硅刻蚀(PCE)的等离子体化学非一致性模型。进行高达180 mkm的硅深度蚀刻30分钟。然而硅的深度蚀刻的各向异性较低。 介绍      纳米和微机电设备和系统的发展带来了与微电子学在电子学领域同样的工程革命。微电子力学的基础是微电子技术中先进的表面微加工与体积加工和新材料的使用以及物理效应的结合。创建了新的体积构造元素大厚度的膜、梁、腔、孔。它在微型发动机、微型机器人、微型泵、各种物理参数(压力、加速度、温度等)传感器的超灵敏、微型光学等领域取得了进展。纳米和微机电系统的技术方面      微系统工程产品制造中三维制造模型的基本工具是初始材料的深度各向异性等离子体蚀刻。制造微机电系统(微系统工程领域最先进的方向)的世界经验是基于硅的广泛使用——廉价且可获得的材料。在这方面,开发硅的等离子体化学蚀刻工艺的工作是迫切的。对微系统工程技术基础发展特点的分析表明,它与微电子制造的经典技术接受有着重要的区别。微机械元件的厚度可以比它们在表面上的尺寸大得多。...
发布时间: 2021 - 10 - 09
浏览次数:50
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      实验研究了预清洗对KOH/IPA溶液中单晶硅表面纹理化的影响。如果没有适当的预清洗,表面污染会形成比未污染区域尺寸小的金字塔,导致晶片表面纹理特征不均匀,晶片表面反射率不均匀。根据供应商的不同,晶片的表面质量和污染水平可能会有所不同,预清洗条件可能需要定制,以达到一致和期望的纹理化结果。 介绍      晶体硅的织构化是太阳能电池制造中必不可少的工艺之一。具有良好纹理的表 面可以提高太阳能电池的光吸收效率,这被认为对电池的IQE(内部量子效率),已经开发了许多用于表面纹理化的技术,但是在c-Si(单晶硅)太阳能电池, 的工业生产中通常使用热碱性溶液的各向异性蚀刻。通过适当应用工艺参 数,氢氧化钾(或氢氧化钠)和异丙醇(异丙醇)的湿化学混合物与硅反应,在(100)取向的cSi晶片表面上形成随机金字塔,从而降低总表面反射率。虽然大部分努力都放在调整纹理化工艺参数以控制金字塔尺寸上,但很少关注晶 片表面质量的变量以及纹理化前表面处理对纹理化结果的影响。本文通过应用各种清洗条件和使用不同供应商的晶片,研究了预清洗对c-Si太阳能晶片碱性织构化的影响,并对实验结果进行了讨论。 实验      湿法化学工艺是在阿克里翁应用实验室的GA...
发布时间: 2021 - 10 - 09
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