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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      氢氟酸中氧化硅的氢终止是由于一个蚀刻过程,现在已经被广泛理解和接受。这个表面已经成为表面科学研究的标准,也是微电子、能源和传感器应用的硅器件处理的重要组成部分。目前的工作表明,氧化碳化硅的高频蚀刻(碳化硅)导致了一个非常不同的表面终止,无论表面是碳终止还是硅终止。具体来说,碳化硅表面具有亲水性和羟基终止,这是由于HF无法去除氧化物、二氧化硅界面上的最后一层氧层。最终的表面化学和稳定性关键取决于晶体面和表面的化学计量学。这些表面特性影响表面化学功能化的能力,从而影响碳化硅如何用于生物医学应用。 介绍      碳化硅开始取代高功率、高温应用的硅,并被考虑用于高中压MOSFET器件。在电子应用中,碳化硅的吸引力源于生长热二氧化硅钝化层的能力,这表明已经为硅开发的湿式化学清洗方法(例如,高频蚀刻)可以用于碳化硅。碳化硅的另一个重要吸引力来自于它的稳定性和生物相容性,这对生物医学应用很重要,如用于植入的材料(骨组织)、血管支架和用于生物传感器的基质。对于这些应用,理解和控制其表面的表面终止是至关重要的。特别是,执行高频蚀刻是这些应用程序中常见的一个重要步骤。      碳化硅的表面润湿性也与硅表面不同。通过浸在各种酸、碱溶液中检测了润湿特性...
发布时间: 2021 - 09 - 29
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文研究了HF、HNO3和H2O体系中硅的蚀刻动力学作为蚀刻剂组成的函数。蚀刻速率与蚀刻剂组成的三轴图显示了两种极端的行为模式。在高硝酸组成的区域,蚀刻速率仅是氢氟酸浓度的函数。在高氢氟酸组成的区域,硝酸浓度决定了蚀刻速率。后一区域的动力学行为因涉及硝酸还原产物的自催化而变得复杂。反应经过一个氧化步骤,然后是氧化物的溶解。在高氢氟酸区域,氧化步骤是限速的。在高硝酸区域,溶解步骤是限速的。在这两个区域,试剂通过扩散流动到表面决定了蚀刻速率。蚀刻速率作为速率限制试剂浓度的函数的图表明了蚀刻速率和浓度之间的指数关系。这种关系已经根据第二种非化学自催化因子,即反应的热进行了定性的解释。 介绍      本研究的目的是阐明确定酸蚀刻溶液行为的物理和化学过程。选择HF、次硝酸~、H~O系统进行研究,因为从组成的角度来看,它是硅上使用的所有酸蚀刻系统中最简单的一种。人们认为,理解简单的系统是理解更复杂的系统中包含如醋酸、溴或重金属盐的添加剂的先决条件。 实验步骤      所有的蚀刻都是在特氟隆烧杯中进行的,浸泡在25℃调节的恒温浴中,然而,烧杯的传热性非常差,不一定能在蚀刻溶液中保持25℃的温度。由于蚀刻周期一般小于1min...
发布时间: 2021 - 09 - 28
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文研究了n、p-、n+和p+硅在高频溶液中溶解和电致抛光过程中的阻抗响应。特征的电容阻抗和感应阻抗被视为电势和掺杂剂浓度的函数。对于n和p+硅,电极响应主要由亥姆霍兹层的电势下降,在较高的电位下,对氧化物层的响应。特征性阻抗响应与Tafel的溶解和氧化物的形成有关。对于接近开路电位的p硅,从空间电荷层可以看到对阻抗响应的额外贡献。对于n个硅,阻抗响应主要是通过空间电荷层的势下降。 介绍      在过去的几年中,硅在高频溶液中的阳极溶解受到了相当大的关注,因为观察到在低过电位下,在电抛光开始之前,硅以溶解的方式产生多孔层。由于多孔硅层的化学活性,其主要应用于集成电路中的介电隔离。本文研究了硅在高频溶液中溶解的阻抗响应作为电极电位的函数。 实验      所有实验均在室温下进行,对n型样品进行的22次实验均在黑暗中进行,以避免光电流的影响。测试前,每个样品在甲醇中脱脂,并用蒸馏水(18MΩcm)冲洗。     实验均使用了150cm3的聚四氟隆细胞。对例仪为铂类纱布,参比电极为饱和热量质电极。参考电极通过填充聚合物纤维的聚丙烯木质素毛细管分离出细胞。溶液由49重量%(无)心衰和去离子...
发布时间: 2021 - 09 - 28
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      变形的亚微米颗粒的粘附和去除机理在以前的许多研究中没有被提及。亚微米聚苯乙烯乳胶颗粒(0.1-0.5 m)沉积在硅片上,并通过旋转冲洗和兆频超声波清洗去除。颗粒滚动被认为是从硅片上去除变形亚微米颗粒的主要机制。兆声公司提供了更大的流动速度,因为极薄的边界层导致更大的去除力,能够实现污染颗粒的完全去除。      亚微米颗粒与表面的粘附和分离在半导体工业中具有重要意义。集成电路制造中超过50%的产量损失是由于器件晶片上的微污染造成的。随着特征尺寸不断缩小,避免污染的技术和保持晶片表面清洁的工艺变得至关重要。将低k聚合物引入下一代半导体器件晶片的效果产生了从半导体表面去除聚合物颗粒的需求。为了去除颗粒,有必要了解颗粒和接触的基底之间的粘附和变形。      尽管已经使用不同的清洁技术进行了颗粒去除的研究,但是在许多颗粒去除研究中没有涉及变形颗粒的去除。亚微米聚苯乙烯乳胶颗粒(0.1-0.5 m)沉积在硅片上,并通过旋转冲洗和兆频超声波清洗去除。颗粒滚动被认为是从硅片上去除变形亚微米颗粒的主要机制。兆声清洗提供了更大的流动速度,因为极薄的边界层导致更大的去除力,能够实现污染颗粒的完全去除。      我们做了颗粒粘附和去除...
发布时间: 2021 - 09 - 28
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      微电子工业中高性能器件的快速发展需要非常好的清洁环境维护。洁净室对于提供用于处理半导体器件的合适环境是必不可少的。然而,即使在这样的环境中,也可能发生晶片表面的有机亚单层污染。在10级或更高等级的洁净室中,有机化合物的浓度可能超过颗粒浓度几个数量级。      一般来说,有机污染物要么来自洁净室本身等工艺环境,要么来自制造过程不同阶段使用的塑料储存箱。我们已经发现晶片表面上吸附的有机化合物会导致缺陷,例如表面粗糙度增大、雾度的形成、条纹、对外延生长的损害以及栅极氧化物完整性的退化。       有机污染物要么被物理吸附,要么被化学吸附,这取决于它们的物理化学性质。一般来说,单层有机化合物在固体表面的吸附特性受它们的蒸汽压、偶极矩和分子量的控。这种污染的控制,尤其是硅晶片上有机沉积动力学的知识,对于处理半导体器件制造的工业来说是至关重要的。尽管在实际的半导体制造过程中,某些化合物(如邻苯二甲酸酯)的吸附动力学长达数天,但晶片暴露时间通常仅限于几个小时。然而,即使暴露几个小时也会导致低分子量有机化合物污染晶片表面。这种污染反过来会导致半导体电气特性的恶化。      许多研究致力于开发定量晶片表面有机污染物的分...
发布时间: 2021 - 09 - 28
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      本文讲述了利用半导体制造中的酸和碱性溶液进行了硅片表面颗粒去除研究。结果表明,碱性溶液在颗粒去除效率方面优于酸性溶液。碱性溶液中的颗粒去除机理如下:溶液蚀刻晶片表面以去除颗粒,然后从晶片表面电排斥颗粒。通过实验确定,需要0.25nm/min或以上的蚀刻速率来去除吸附在晶片表面的颗粒。通过实验确定,需要0.25nm/min或以上的蚀刻速率来去除吸附在晶片表面的颗粒。当混合ra-tio设置为0.05:1:5(NH40H:过氧化氢:HzO)时,NH40H-HzOZ-Hz0溶液的蚀刻速率为0.3nm/min。通过这个混合比,晶片的表面平滑度保持在初始水平。因此,可以将NH40H-HzOZ-Hz0溶液中的NH40H浓度降低到常规水平的1/20。     此外,已经证实,当NH40H-Hz0z-Hz0溶液的pH值升高时,聚苯乙烯乳胶球和天然有机颗粒被氧化,表面变成凝胶,形状发生变化。有机颗粒的氧化可被降解。当NH40HHzO2-Hz0溶液中NH40H含量高于0.1:1:s(pH超过9.1)时,有机颗粒的氧化变得显著。这些实验结果表明,nh40H-hzo2-H20溶液的混合比应设为0.05:1:5。这种混合比可以有效地保持晶圆的颗粒去除效率和晶圆的表面平滑性。    &...
发布时间: 2021 - 09 - 28
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      在超大规模集成生产中,要实现低温加工和高选择性,使硅片表面超洁净至关重要。超净晶圆表面必须完全 没有颗粒、有机材料、金属杂质、天然氧化物和表面微粗糙度,和吸附的分子杂质。目前的干法工艺,如反应离子蚀刻或离子注入,会导致高达10i2-1013 atom/em2的金属污染。湿法工艺对于去除干法加工过程中引入的这些: 金属杂质变得越来越重要。 硅片清洗的一般方法和金属杂质      —般目前的硅片清洗有五个目的:去除有机物质中的氢、硫,,去除颗粒和金属杂质,去除HCI-H2O2-H2O清洗中的金属杂质,去除天然氧化物,去除超纯水漂洗中的清洗液。表一显示了我们采用的硅晶片湿法清洗工艺。图2显示了在每个湿法清洗工艺步骤中测量的硅晶片上的金属浓度。很明显,在每个工艺步.骤中都不会产生金属污染。 液体中硅上金属杂质分离的评价方法      液体中的金属离子在硅晶片上的沉淀被认为是基于以下两种机制。第一种机制是由于金属离子与硅原子或硅表面的氢原子之间的离子交换而产生的沉淀。另一种沉淀机制是,随着天然氧化物在硅表面上生长,金属离子被氧化,并作为氧化物包含在氧化物膜中。具体解释 略 用稀释的氟化氢溶液去除金属杂质  ...
发布时间: 2021 - 09 - 27
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      我们已经研究了有机污染物对电子器件的不利影响,一些表面分析技术清楚地证明了硅晶片在制造过程中被有机化合物污染。硅片被一种主要污染物邻苯二甲酸二(2-乙基己基)酯故意污染;通过监测击穿电压,详细评估了其在硅热氧化期间结合到氧化硅层中的情况及其对器件性能的影响。在被污染的硅表面的热氧化过程中,由有机污染物的热解产生的雾化碳物种有助于使氧化物生长得更厚,扩大氧化硅晶格,并降解氧化硅,透射电子显微镜和二次离子质谱显示了这一点,并最终对器件性能产生不利影响。 概述      在本文中,我们重点关注有机污染物如何导致器件故障。我们首先描述了通过TD-GC/MS方法以及通过使用扫描电子显微镜/能量色散光谱扫描电子显微镜/能谱仪和原子力显微镜原子力显微镜对污染表面成像对晶片进行表面分析的结果。然后,我们通过测量击穿电压BVs,展示了在金属-氧化物-半导体金属氧化物半导体加工过程中,有机污染物结合到氧化物层中对器件性能的影响。最后,我们提出了器件失效的原因和机理。 实验 略 结果和讨论初步研究      图2显示了从正常生产和储存的晶片中热解吸的有机污染物的气相色谱图。可以看出,尽管污染物通常储存在塑料盒中,但它们含有大约20-3...
发布时间: 2021 - 09 - 27
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文比较了介质刻蚀的不同方面。讨论了刻蚀电介质的两种主要技术,即二极管RIE和基于高密度的工艺。在这篇论文中,我们将更新这些技术的最新结果,并关注介电膜纳米尺度蚀刻的日益增长的重要性。  装备      传统的二极管或平行板等离子体室在工业上已经很成熟。平行板系统通常分为两种不同的类型;这些被称为反应离子蚀刻(RIE)或等离子蚀刻(PE)系统。在这两个平行板反应器中,RIE型系统是典型地用于蚀刻介电膜的系统。高密度等离子体(HDP)室被设计成使得等离子体电子在平行于室边界的方向上被激发。最常见的HDP源是OIPT使用的电感耦合等离子体室。在该系统中,等离子体由缠绕在电介质壁外的线圈建立的磁势驱动(典型设计见图2)。      电感耦合等离子体用于电介质蚀刻的主要加工优势是更好的临界尺寸控制、更高的蚀刻速率、更高的纵横比和改进的加工窗口。电介质,特别是二氧化硅的图案化是现代半导体器件、光波导、射频识别、纳米压印等制造中固有的。由于较高的结合能,电介质蚀刻需要侵蚀性的、离子增强的、基于氟的等离子体化学系统。垂直轮廓通过侧壁钝化来实现,通常通过将含碳氟物质引入等离子体(例如,。CF4,CHF3,C4F8)。需要高离子轰击能量来从...
发布时间: 2021 - 09 - 27
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要       本文通过内阻、x射线衍射、扫描电子显微镜、电感耦合等离子体和交流阻抗测量,研究了AB5、AB2、A2B7和c14相关的体中心立方(体心立方)金属氢化物对碱性蚀刻(110◦C下45%氢氧化钾2小时)的响应。结果表明,蚀刻的稀土基AB5和A2B7合金表面覆盖着氢氧化物/氧化物(重量增加),而过渡金属基AB2和BCC-C14合金表面被腐蚀并渗成电解质(减重)。以C14为主的AB2、La-onlyA2B7和sm基A2B7在碱性蚀刻过程中内阻降低最大。高la含量的蚀刻A2B7合金内阻最低,建议用于镍/金属氢化物电池的高功率应用。 介绍      金属氢化物(MH)合金,或储氢合金,是一组能够以固态形式储存氢的金属间合金(IMCs。其关键应用之一是可充电镍、金属氢化物(Ni/MH)电池,广泛应用于消费电子产品以及固定和运输储能领域。各种各样的金属间化合物已被用作/被提议用作镍氢电池负极的活性材料,如A2B、AB、AB2、AB3、A2B7、A5B19、AB5、体心立方(BCC)固溶体及其组合。这些金属间化合物主要由过渡金属组成,有些可能含有稀土元素。对于几种新的MH合金,特别是最近发现的电化学性能得到改善的超晶格A2B7基合金,更新比较结果非常重要。  ...
发布时间: 2021 - 09 - 27
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