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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      原子层蚀刻(ALE)是一种很有前途的技术,可以解决与连续或脉冲等离子体过程相关的挑战——选择性、轮廓和长宽比相关的蚀刻之间的权衡。与硅、氧化物等材料相比,氮化硅的原子层蚀刻尚未得到广泛的报道。在本文中,作者演示了氮化硅在一个商业等离子体蚀刻室中的自限性蚀刻。本文所讨论的过程包括两个连续的步骤:在氢等离子体中的表面修饰和去除氟化等离子体中的修饰层。除了ALE的特性外,作者还证明了该过程是各向异性的,对氧化物的选择性为100。虽然不能达到每个循环一个单层的饱和蚀刻速率,但氮化硅的自限蚀刻仍然使我们能够将原子层蚀刻的好处,如没有等密度偏倚和对氧化物的极高选择性纳入实际蚀刻应用。 介绍      氮化硅通常用作间隔物、衬垫、蚀刻停止层,或者用作自对准多重图案化的牺牲心轴。 它也用作线路前端应用的硬掩模或栅极隔离物。碳氟化合物化学通常用于蚀刻对氧化物、硅和其他材料有选择性的氮化硅。      本文讨论的工作证明了氟化等离子体是DHF处理的一种替代方法——氢等离子体表面改性(步骤1)和氟化等离子体去除改性层(步骤2)。 实验      氮化硅衬底在电容耦合等离子体中蚀刻。底部电极由13.56兆赫的射频供电...
发布时间: 2021 - 09 - 27
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      光学干涉测量法的一种新的应用,即自旋涂层的监测,为基本理解过程动力学提供了有价值的信息。这可以增加自旋涂层对生产具有所需性能的薄膜的潜力。在露天和饱和溶剂环境中,测定了自旋玻璃薄膜在10-60秒的自旋时间内的时间演化。 介绍      自旋涂层最初被认为是一种恒定粘度的牛顿液体的流动,或在稳态流动的假设下,对于牛顿和非牛顿液体。随后,通过测定溶剂浓度或溶剂浓度之间溶剂输运的线性传质系数,以恒定的速率引入大气。通过将液体粘度近似为薄膜厚度的函数来实现进一步的分析细化,但也报道了耦合流动和传质方程的有限元方法。关于这些模型中使用的基本预测的冲突仍然没有得到解决,因为大多数模型的预测在实验上仍然没有得到支持。在玻璃上使用各种溶剂的电阻,在硅上具有不同粘度的聚合物,在玻璃上使用几种溶剂、多聚勒、快速锁圈结合,提出了最终fi1nl厚度的经验关系。这种结果基本上是通过纺丝后神经获得的,与现有模型预测的比较充其量是部分的和定性的。在这一研究过程中,首先据作者所知,一种昂贵的方法可以定量地捕捉自旋涂层的时间动力学的基本特征。这是通过对该过程的真实、现场、干涉监测来实现的。虽然这里描述的技术一般适用于自旋涂层,但研究的特殊过程是用溶胶-凝胶制造硅自旋玻璃。 实验...
发布时间: 2021 - 09 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要       众所周知,在器件制造过程中反复使用的RCA标准清洁1会导致硅的蚀刻。在一些工艺流程中,当制造具有薄膜的器件时,例如在绝缘体上硅技术中,这种蚀刻可能是重要的。我们显示,当在二氧化硅上的裸露硅层上涂覆10分钟时,25-30埃的硅被改良版的SC1清洗剂(1:8:64重量份的NH4OH、H2O2和H2O)蚀刻掉。 介绍      制造业中使用了许多湿法化学清洗方案,其中最流行的是Kern在1965年开发的RCA标准清洗SC1。这种清洗的主要目的是从晶片表面去除颗粒和金属等杂质。RCA清洁旨在分两步完成。第一步,SC1清洁,它是氢氧化铵、氧化剂过氧化氢和水的含水混合物,混合比为1:1:5(80℃,10分钟),已被用作颗粒去除清洁。在这个步骤中,硅发生氧化,随后氧化物溶解,这使得表面终止于大约6的化学氧化物。已经表明,为了良好的颗粒去除,有必要对表面进行轻微的蚀刻。SC2清洁是盐酸和相同氧化剂过氧化氢的混合物,用于去除表面的金属。 实验条件和结果      为了检查SC1清洗对薄膜厚度的影响,对具有非常薄的硅薄膜(20-30埃)的SOI晶片进行标准清洗,并在清洗之前和清洗之后1小时内在相同的位...
发布时间: 2021 - 09 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      硅可以在多种含氟等离子体和含氯等离子体中进行蚀刻。本文讨论了在商业工艺设备中发挥的作用以及更复杂的相互作用和副作用的一些基本的化学和物理现象。 介绍      通过将这种材料的表面暴露在含氟和含氟等离子体中形成的物质上,电路模式被转移到硅上。与这些过程相关的物理和化学已经被研究多年,并以广泛的形式被理解。下面将讨论游离卤素和含卤素物质与硅的基本相互作用,反过来它们又与用于半导体生产线的复杂现象和化学馈电联系起来。 条件和机制       通过高能离子增强机制对物质的蚀刻速率将跟踪这些变化,例如在C12等离子体中未掺杂的多晶硅。导致等离子体蚀刻的过程可以用另一种方式来看待。一个相当一般的逐步描述、蚀刻剂的形成、蚀刻剂在基质上的吸附、化学或离子辅助反应和产品解吸。洗渍必须首先在等离子体中形成,然后吸附在底物上。接下来,蚀刻剂与基质结合,以两种方式之一形成挥发性产物。如果自发化学反应快,如高掺杂硅与原子氯反应,过程可能占主导地位。然而,当化学反应缓慢时,如在未掺杂硅与c1的反应中,可能需要离子轰击来驱动反应反应高能离子辅助机制。最后,在这些反应中形成的产物必须被解吸附。原则上,这些过程中的任何一个都可能是控制整体蚀刻速...
发布时间: 2021 - 09 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍      半导体行业认为湿法清洗是关键的表面准备步骤。例如,硅/二氧化硅界面对于实现高栅极氧化物完整性和避免泄漏或堆垛层错非常关键。同样,太阳能行业也看到了湿法工艺实现最佳电池性能的价值。在这项研究中,我们强调了预清洁、纹理化和最终清洁对细胞参数的影响。我们还研究了将这些湿法清洗和纹理化步骤与PECVD步骤相结合的重要性,以获得最高太阳能电池效率所需的薄膜质量。 实验      湿化学工艺在全自动GAMA太阳能蚀刻和清洗站进行。单晶n型晶片被用于这项研究,作为HIT太阳能电池开发工作的一部分。晶圆在DIO3或SC1进行预清洗,然后在标准氢氧化钾、异丙醇工艺中进行纹理化。在某些运行中,专有过程被应用于围绕金字塔的顶峰。然后,在放置到等离子体化学气相沉积工具中之前,在先进的氟化氢、氯化氢步骤中处理晶片。进行不同的等离子体化学气相沉积分离以开发最佳工艺条件。 结果和讨论      预清洗的效果测试了各种预清洗工艺,以确定它们对组织化步骤的影响。      最终清洗的效果在PECVD之前,必须特别注意最终清洗。      等离子体化学气相沉积条件的影响在处理钨、硫和碳晶片时考虑了这...
发布时间: 2021 - 09 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      一种基于简单吸收光谱的光学技术已被证明用于监测微电子制造中广泛应用的水溶液中的金属污染物沉积。被3.5ppm铜污染的0.15和0.25%高频溶液的铜沉积被观察到从硅片瞥入射反射的HeNe激光的吸收减少。这是由于传质边界层的Cu2耗尽引起的,提供了铜沉积受扩散速率限制的直接证据。这种技术允许在微电子制造的各种水处理步骤中,阻止哪些金属物质可以以扩散限制的过程沉积在硅晶片上。此外,铜的沉积与Si07溶解的完成相一致,证实了Cu2被同时涉及Si氧化的无化学过程还原。吸收的减少与传质边界层厚度约为335(20)lim相一致。光吸收在沉积开始后约2mm恢复到原始值,与一层铜的扩散限制沉积一致,随后过渡到懒表面速率限制过程。 介绍       半导体的水处理已被广泛用于去除制造微电子器件的硅基质中残留的金属、有机物和粒子。一个典型的清洗顺序可能包括高频蚀刻,浸没在SC-i和SC-2清洗溶液中,以及去离子水冲洗。高频蚀刻的目的是去除天然氧化物(5i03),这通常是由于切割和抛光以及运输和存储而产生的严重污染。然而,表面金属污染的程度很大程度上取决于湿式清洗的有效性和所使用的试剂的纯度。由于平衡的方向可以位于任何一个方向,因此这些水溶液都可以沉积或溶解微量金属污染物。...
发布时间: 2021 - 09 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      金属污染物,如碳化硅表面的铜,不能通过使用传统的RCA清洗方法完全去除。RCA清洗后,在碳化硅表面没有形成化学氧化物,这种化学稳定性归因于RCA方法对金属污染物的不完全去除,因为它通过氧化和随后的蚀刻去除了金属污染物。用氰化氢HCN水溶液清洗被金属污染的碳化硅,然后进行RCA清洗,反之亦然,可以完全去除它们。结果表明,强吸附金属和粗糙碳化硅表面底部区域的金属不能分别用RCA法和HCN法去除。由于氰化物离子的高反应性,HCN方法可以去除强吸附的金属,而底部区域的金属不能被去除,因为去除过程需要形成大体积的金属-氰化物络合离子。 介绍      碳化硅具有优异的物理性能,如高击穿电场、高电子漂移速度和高热导率。半导体清洗是器件制造最重要的工艺之一,。在制造硅大规模集成大规模集成电路的情况下,总工艺的25%以上用于清洗。碳化硅的化学稳定性比硅高得多。RCA方法通常被认为是碳化硅清洗的唯一合适的技术。在本文中,研究了RCA方法的机理,特别是HPM技术,并且已经表明只有在两种清洗溶液,即先后使用了HPM和氰化氢HCN溶液。 实验      首先,使用RCA方法清洗4H–sic 0001晶圆。然后,将晶片浸入0.08米氯化铜...
发布时间: 2021 - 09 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      目前的硅基技术要求万亿分之几(PPT)范围内的表面污染容限,要求烘烤温度低于800℃的硅外延等工艺的较低热预算,以及每次清洗的硅消耗量低于0.1毫米。      这些新的限制现在可能会超过同类最佳制造清洗序列的能力。一些关键原因是:      -其稀释化学物质的清洁效率,即使与万亿比特化学物质的使用相结合,也可能无法满足ppt污染要求,      -需要原始稳定的氢封端硅表面终端,以满足许多热处理的低热预算要求,      -按照ITRS路线图的定义,使用过氧化物和基于臭氧的化学物质,每次清洁消耗的硅量固有地超过0.1毫米。 清洁效率      制造环境中使用的大多数当前湿法清洗工艺仍然用天然、化学氧化物层终止硅。这种天然或化学氧化物是清洗后污染的主要部分。传统的湿法清洗化学品如氢氧化铵、盐酸、硫酸、氢氟酸和过氧化氢的净化已经投入了大量的努力。添加H2O2、HCl和醇也常用于dHF混合物中,以抑制污染。虽然这些可能是一些有效的补救措施,但这些混合物中的主要成分超纯水(UPW)仍然含有溶解的杂质,这些杂质会渗入化学氧化物或在清洗后终止于硅表面。&...
发布时间: 2021 - 09 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      硅是目前微电子工业中最重要的半导体材料,主要是由于Si/sio2界面的高质量。因此,需要硅底化学功能化的应用集中在二氧化硅表面的分子接枝。不幸的是,许多有机硅和硅硅键的聚合和水解问题影响了氧化硅(二氧化硅)的均匀性和稳定性,如硅烷和磷酸盐。这些问题刺激了在无功能分子的氧化硅表面接枝的努力,主要是湿的化学过程。因此,本文综述直接关注无氧化物硅表面的湿化学表面功能化。首先总结了无氧化物氢端化硅的主要制备方法及其稳定性。然后,功能化被功能有机分子间接取代h终止,如氢硅酸化,以及被其他原子(如卤素)或小官能团(如OH,氨基)直接取代,可用于进一步的反应。重点介绍了最近发现的一种方法,在无氧化物、h端和原子平面硅(111)表面产生官能团纳米模式。这样的模型表面特别有趣,因为它们使推导出表面化学反应的基本知识成为可能。 介绍      硅一直占据着微电子行业的主导地位,部分原因是它丰富且相对便宜,可以生产高纯度,但主要原因是它与氧化物界面的化学和电稳定性。事实上,Si/sio2界面上低浓度的电缺陷态是未来器件的有力驱动因素。因此,许多工作都致力于通过OH基团嫁接分子来修饰二氧化硅表面,这些基团通常在湿化学清洗后终止二氧化硅表面。然而,与二氧化硅表面的修饰有关,有两个相当基本...
发布时间: 2021 - 09 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      金属污染是设备故障的主要原因。在外延(Epi)晶片的情况下,痕量金属很可能存在于本体和表面中。一般来说,我们可以使用表面光电压(SPV)或微光电导衰减(-PCD)对其进行批量分析,但是在重掺杂衬底上的外延晶片中的金属污染,例如p/p+,不能通过这些方法来测量。我们可以使用光致发光(PL)和局部蚀刻电感耦合等离子体质谱(LE/ICP-MS)来分析块体中的金属污染。应用室温光致发光技术对外延层和外延衬底中的金属污染进行了评估,并且利用电感耦合等离子体质谱法可以对极小的金属污染提供定性和定量的结果。利用这些方法还可以得到外延片(p/p+)中微量金属的深度分布。本文解释了外延衬底上的微量金属对器件的影响。 介绍      晶体缺陷和金属污染都被认为是器件失效的原因。金属污染比晶体缺陷更能对外延(epi)晶片上微电子器件的性能产生不利影响。因此,评估溶解度或分离诱导的吸杂机制是否能够描述痕量金属在硅中的反应路径是非常重要的。在这篇文章中,我们报告了一种新的技术,室温下的光致发光技术,它被设计用来评估外延晶片中的金属污染。 实验     根据实验方案,对65Cu污染组中的一些样品进行了大块金属污染分析(图。1). 室温光致发光强度通过...
发布时间: 2021 - 09 - 25
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