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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      我们展示了在平面蓝宝石上使用磷酸、熔融氢氧化钾、氢氧化钾和乙二醇中的氢氧化钠生长的纤锌岩氮化镓的良好控制结晶蚀刻,蚀刻速率高达3.2mm/min。晶体学氮化镓蚀刻平面为0001%,1010%,1011%,1012%和1013%。用场效应扫描电子显微镜观察垂直的1010%平面看起来非常光滑。活化能为21千卡/摩尔,表明反应速率有限的蚀刻。 介绍      目前对第三族氮化物的大多数处理是通过干法等离子体蚀刻完成的,干法蚀刻有几个缺点,包括产生离子诱导损伤3和难以获得激光所需的光滑蚀刻侧壁。典型的均方根均方根。干法蚀刻产生的侧壁粗糙度约为50纳米,尽管最近有报道称均方根粗糙度低至4–6纳米。光电增强电化学PEC。湿法刻蚀也被证明可以刻蚀氮化镓GaN。还报道了氮化镓的解理面,生长在蓝宝石衬底11上的氮化镓的均方根粗糙度在16纳米和生长在尖晶石衬底上的氮化镓的均方根粗糙度在0.3纳米之间变化。      在本文中,我们使用乙二醇代替水作为氢氧化钾和氢氧化钠的溶剂,因此我们能够使用90℃至180℃的温度。这些温度超过了水的沸点,比以前参考文献中使用的温度高得多。通过这样做,我们开发了一种两步工艺,将晶体表面蚀刻成ⅲ族氮化物。 实验&...
发布时间: 2021 - 10 - 09
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料概括        研究了一种在氢氟酸和臭氧清洗过程中能有效去除硅片表面细小颗粒的清洗方法。当氢氟酸的浓度为0.3体积%或更高时,细颗粒被去除。增加 在臭氧和氢氟酸洗涤步骤之后,证实通过用额外的痕量(0.01体积%)稀氨水洗涤去除了超过99%的细颗粒。这似乎是由于氨水对晶片表面的精细蚀刻作用和防止碱区再吸附作用的同时作用。另一方面,氢氟酸-臭氧-稀氨水清洗与传统的SC-1清洗相比,显示出改善表面微观粗糙度的趋势。氢氟酸-臭氧-稀释氨水清洗是一种即使在室温下也能有效去除细小颗粒的清洗方法,有望替代现有的使用高温工艺和过量化学液体的湿式清洗。介绍       硅晶片表面在晶片制造过程或用于器件集成的半导体过程中被各种污染物污染。这些污染物是降低半导体器件生产良率的原因。因此,在制造裸硅晶片时,在使用化学机械抛光(CMP)的镜面抛光工艺之后,以及在制造半导体器件时会产生大量污染物的单元半导体工艺之后,进行清洗工艺。污染物应控制在适当的水平。近来,由于硅晶片的大直径和设计规则的减少,清洗工艺的数量增加,因此清洗工艺中使用的化学物质的量也在不断增加。      微粒的 zeta 电位会根据溶液中的 pH 值而变化。 大多数微粒在碱性区域具有(-)电位,因此与...
发布时间: 2021 - 09 - 06
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      我们讨论了对 GaN 的非接触式紫外线增强湿法蚀刻技术的研究。该技术利用氧化剂过硫酸钾来消耗光生电子,从而避免了与外部阴极电接触的需要。蚀刻速率很大程度上取决于光照强度和均匀性以及 KOH 溶液的 pH 值,蚀刻表面的粗糙度也是如此。双照明方案的实施,即使用额外的 UVC 灯仅照亮溶液而不是晶片,从而提高了蚀刻速率和更光滑的蚀刻表面。最后,发现沉积在以这种方式蚀刻的 n 型 GaN 上的触点的欧姆性质与未蚀刻表面上的触点相比有所改善。关键词: GaN、氮化镓、湿蚀刻介绍      GaN 及其与 InGaN 和 AlGaN 的合金形成宽带隙半导体材料系统,具有众多光学和电子器件应用。波长范围从 1.9eV (InN) 到 6.2eV (AlN),涵盖技术上重要的紫外 (UV) 和可见光谱范围。此外,由于宽带隙和高粘合强度,该材料具有高耐化学性和耐辐射性。由于之前没有半导体材料能够满足对蓝色、绿色和紫外线激光器和发光器件的商业需求,这是 GaN 研究和进展的第一个直接关注点,现在这些都可以商用。由于具有高击穿场和大的预测电子饱和速度,基于 GaN 的材料也适用于微波应用的高功率、高频晶体管。在这一领域,使用调制掺杂场效应晶体管的商业潜力即将实现。已成功用于发光器件的光谱范围...
发布时间: 2021 - 09 - 06
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文介绍了光刻前背面清洗工艺开发了具有全覆盖背面兆声波的单晶片清洗系统。背面颗粒去除效率 (PRE)仅使用 DIW 即可在 ≥65nm 处实现大于 95% 的 Si3N4 颗粒,这表明使用全覆盖兆声波增强了较小和较大颗粒尺寸的颗粒去除。99% 的 PRE 值是通过使用稀释的 HF/SC1 化学物质和通过使用 SC1 增加兆声波功率而获得的。如果需要,单晶片清洁系统允许在正面分配 DIW,以在将化学物质施加到背面时最大限度地减少晶片器件侧的化学接触。蚀刻速率测试证实没有化学物质流到晶片的正面。现场数据表明,全覆盖兆声波清洗可以减少光刻工具的维护频率。介绍      随着技术节点缩小到 65 纳米,由于在关键光刻步骤(例如浅沟槽隔离、栅极图案化和接触)中的焦深和重叠容差过紧,晶圆背面清洁变得至关重要。这些步骤要求晶圆背面没有大颗粒(90nm/65nm 节点处为 0.2μm)。随着技术节点缩小到 45 纳米及以上,更关键的光刻步骤将需要背面预清洁。此外,晶片背面和边缘上的颗粒和金属污染有可能污染工艺和计量工具的处理表面。背面清洁可以消除与这些工具接触的晶圆之间的交叉污染。例如,一些研究人员研究了去除背面铜以避免交叉污染 。      众所周知,从晶...
发布时间: 2021 - 09 - 04
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      在各向异性湿化学蚀刻期间在晶体硅的取向相关表面形态中观察到的丰富多样的微米级特征显示其起源于原子级。真实的蒙特卡罗模拟表明,Si(100) 上的金字塔形小丘是分布的顶点原子被溶液中的(金属)杂质局部稳定的结果。在没有这种稳定性的情况下,由于(一层深)凹坑成核和(各向同性)阶梯传播之间的各向异性,在 Si(100) 上形成浅圆形凹坑。还得出结论,邻近(110)处的锯齿状结构是未对准和蚀刻各向异性的综合结果,表明形态相关结构(如金字塔形小丘和锯齿状锯齿状结构)的成核机制不一定相同。介绍      各向异性湿法化学蚀刻仍然是硅技术中使用最广泛的处理技术。与多种其他工艺结合使用,它在微机电系统 (MEMS) 中具有广泛的应用,包括压力  加速度 , 角速率和气体流量传感器, 执行器, 纳米探针 ,纳米线、微镜, 激光腔 、光开关], 对齐凹槽 和微型阀 ,仅举几例。它的广泛存在不仅是因为它易于使用和成本低,而且还因为它提供了相当光滑的表面,不会对本体造成物理损坏。然而,在过去几年中,随着器件尺寸的不断减小,蚀刻表面的粗糙度开始发挥越来越重要的作用。越来越多的微机械设备的性能需要非常光滑的表面,并且需要找到精确的生产条件。很明显,有必要提高对一般过程的理解,特别是对导致蚀...
发布时间: 2021 - 09 - 04
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      研究了各种金属污染物对薄栅氧化层完整性的影响,并根据它们在结构中的最终位置进行分类。提出了一种简化的清洁策略,与传统的清洁顺序相比,该策略具有高性能,同时具有成本效益,并且对环境的影响更小。最后,提出了一种用于去除光刻胶和有机蚀刻后残留物的新型环保臭氧/去离子水工艺。介绍      鉴于污染对器件性能和工艺良率的重要影响,很容易理解清洗是 IC 生产中最频繁重复的步骤。在这些步骤中消耗了相对大量的去离子水和化学品,这导致了重要的生产成本并引起了严重的环境问题。因此,在过去几年中,大量的研究工作致力于开发性能更高、成本效益更高且对环境影响更低的清洁技术。金属污染的影响      研究了几种常见于洁净室材料(Na、Mg、Cr、Zn、Ni、V、Mn)或可能用于未来电介质(Ti、Sr、Ba、Pt、Co、Pb)的污染物的行为。清洁硅晶片以获得无污染的参考亲水表面。通过旋转含有 1 ppm 待研究污染物的 pH = 0.1 的酸溶液来施加污染物。由于元素的原子质量不同,杂质浓度在一个数量级上变化(图 1)。简化的清洁过程     通过使用简化的清洁策略,例如 IMEC-clean(表 2)[4],可以大大减少化学品...
发布时间: 2021 - 09 - 04
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料关键词: 单晶片清洗、兆声波损伤、颗粒去除效率。 介绍      与批量工具相比,单晶片清洁工具可以减少循环时间并提高清洁性能,这一点已经得到公认。最近,一种独特的基于浸入式的单晶片处理器 EmersionTM 被证明可以实现对亚 50 nm 器件结构的无损兆声清洗,并具有相应的高颗粒去除效率 (PRE) 。在本文中,我们研究了 Emersion 多换能器室的清洁和无损处理机制。我们展示了各种操作条件下的颗粒去除效率、声致发光成像数据和兆声波损伤结果。这些结果用于提出腔室中多个换能器的操作模型。      Emersion 单晶片室采用独特的三个兆声换能器配置。一个关键的设计目标是利用整个晶圆表面的暴露优势,允许将多个声波前应用于晶圆。预计这些波前的联合作用将允许使用降低的兆声波功率水平并缩短处理时间,以在不牺牲清洁的情况下消除损坏。      图 1 所示的示意图显示了将三个换能器并入处理室。底部换能器在功能上类似于批量换能器。前换能器向晶片的正面(器件)侧引入斜角声波前,而后换能器向晶片的背面引入类似的波前。通过垂直扫描提升晶片,以便多次完全通过上部换能器波前。在处理过程中,底部传感器在 30 秒的整个处理时间内处于开启状态。由于上部换能器仅在...
发布时间: 2021 - 09 - 04
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      从热力学和传输的角度研究了从半导体晶片上的纳米级特征中去除液体。热力学模型考虑特征中液体的各种圆柱对称状态并计算它们的自由能。开发了一个相图,以显示在给定特征的纵横比、液体所占的体积分数和内部接触角的情况下,圆柱特征中哪种液体配置最稳定。从特征中去除液体所需的能量是根据这些参数以及特征外部晶片表面上的接触角来计算的。传输模型用于通过考虑液体蒸发动力学和气相传输来估计干燥时间。干燥由液体的蒸发速率控制。介绍      半导体晶片在转变为功能性微电路时经历了许多微制造步骤。特别是晶片清洗在器件制造过程中会发生很多次。为确保质量和可靠性,理想的晶圆清洁工艺应去除掩蔽和等离子蚀刻后残留的任何残留物。目前有三种主要的湿法清洁技术:湿台清洁系统、批量喷雾清洁系统和单晶片旋转清洁系统。与前两种技术不同,单晶片旋转清洗系统一次处理一个晶片,在每个晶片的基础上提供更均匀的清洁。使用连续的单晶片清洗方法,工艺混乱只会影响一个晶片,而不是整个多晶片盒。因此,相对于平行清洗方法,单晶片旋转清洗实际上提高了整体工艺效率。      具有更大功能和更低功率需求的微电路的生产需要越来越精细的电路图案。对于最先进节点上的功能,关键尺寸目前低于 32 nm,可以小至 14 n...
发布时间: 2021 - 09 - 04
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料        在所有其他参数相同的情况下,对于电子应用,宽带隙(WBG)半导体优于窄带半导体(如硅),因为导带和价带之间的大能量分离允许这些器件在高温和较高电压下工作。例如,与行业巨头硅1.1eV的相对窄带隙相比,氮化镓(GaN)的带隙为3.4eV。      带隙测量将电子推入导电状态需要多少能量;更大的带隙使材料能够承受更强的电场,因此与由带隙较低的材料组成的部件相比,组件可以更薄(对于给定的电压)、更轻、处理更多的功率。      具有较大带隙的半导体已经被开发用于硅不能提供足够功率密度以获得必要结果的应用。尤其是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)在功率开关和/或功率放大器应用方面取得了巨大进步。除了这些公认的市场,用于自动驾驶汽车的激光雷达传感器和用于机器人的运动控制是其他新兴领域。SiC MOSFETs在手机应用中也很常见,GaN功率晶体管在数据中心服务器电源等600 V细分市场也有应用。      现在,宽带隙半导体在市场上的可用性和性能已经确定但是,就在碳化硅和氮化镓站稳脚跟的时候,另一种带隙更大的半导体出现了。宽带隙半导体氧化镓(Ga2O3)有望成为肖特基势垒二极管和场效应晶体管等功率转换系...
发布时间: 2021 - 09 - 03
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      本文着眼于砷化镓,探讨它与其他流行的半导体材料的比较,并探讨利用每种材料的不同组件。      硅长期以来一直是半导体的关键材料。然而,砷化镓,以及其他化合物,如氮化镓和碳化硅,现在正分享这一阶段。那么什么是砷化镓,它与其他化合物有何不同?让我们探索这种化合物,看看它是如何被用作半导体材料的。 什么是砷化镓?      砷化镓(GaAs)是由元素镓和砷构成的化合物。它通常被称为ⅲ-ⅴ族化合物,因为镓和砷分别属于元素周期表的ⅲ族和ⅴ族。 砷化镓化合物 图1 砷化镓化合物,棕色代表镓,紫色代表砷        砷化镓的使用不是一项新技术,事实上,自20世纪70年代以来,国防高级研究计划局一直在资助这项技术的研究。虽然硅基技术已经成为“微电子革命的支柱,但GaAs电路在更高的频率和信号放大功率下运行,这使得一个由手掌大小的手机连接的世界变得切实可行。”      砷化镓在20世纪80年代导致了全球定位系统接收器的小型化。这使得在此期间进入美国武库的激光制导精确弹药成为可能。 不同半导体材料的带隙    &...
发布时间: 2021 - 09 - 03
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