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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要       本文报道了对SC1(nh4OH:H202:H20)溶液的研究,可用于抗颗粒去除和选择性湿蚀刻某些薄膜。用于以下测试的SC1溶液的比例为1:2:10。研究了四氯硅氧化物、硼磷酸硅酸盐玻璃、氮化物、掺杂多晶硅和热氧化物等薄膜的刻蚀速率。薄膜成分、所使用化学品的年龄、温度和化学成分是影响这些薄膜蚀刻率的因素。 介绍       抗蚀剂和颗粒去除的湿法工艺和化学方法在超大规模集成电路的制造中至关重要,依赖于克恩工作1、2的序列被广泛使用。盐酸:(H2O2 (SC2)±要用于去除金属污染物,而食人鱼(H2SO4:H2O2)和I NH4OH:H2O2:H2O (SCI)被认为主要是有机污染物清洗液。抗蚀剂涂层、离子注入或等离子体蚀刻和冲灰化步骤用于生成半导体处理过程中常见的粒子。使用SC1溶液以选择性地蚀刻半导体行业常见的某些薄膜的可行性。加热后的SC1已被发现在蚀刻膜中非常有效,如原位掺杂(ISD)多晶硅,而不破坏背面的硅表面。加热后的SC1也能有效地蚀刻薄膜的细丝,由于各向异性,在干燥的蚀刻过程后可能保持不变。   实验步骤        SC1溶液所有测试中...
发布时间: 2021 - 09 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      对在SPEL中使用不同的浸没方法清洗的硅晶片进行了比较研究。所生产的盈余已经通过各种方法进行了评估。使用这些清洗后获得的结果被报告,并显示与文献中描述的结果一致。最佳清洁是RCA描述的。  介绍      在集成电路制造之前和制造过程中清洗硅片对于器件的性能至关重要。任何清洁过程的目的都是去除污染物并产生一个没有微粒的表面。然而,裸露的硅具有很强的反应性,因此在大多数情况下,清洁后的表面会迅速氧化,并被一层薄氧化膜覆盖。在本文中,“干净”的硅晶片将是已经通过适当的清洗程序并被该过程最后阶段形成的薄氧化物覆盖的晶片。实验     实验使用的晶片主要为2“CZO.lohmcmn型磷掺杂,然而,其他晶圆在适当的情况下被用于比较目的。对收到的批次进行清理。除氢氟酸外,所使用的化学品均为由BDH提供的阿里星级。为了模拟中间装置处理步骤后的清洗,某些晶片被清洗,然后使用常规炉在1150C的干燥氧中氧化,产生氧化物1OOOA厚,然后进行第二次清洗和表面分析。 结果      从制造商收到的晶片被薄氧化物覆盖,抛光后生长。如果不采用光谱椭圆测量法,该薄膜的厚度很难绝对测量。本研究中测量的厚度结果一致...
发布时间: 2021 - 09 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      在这项工作中,臭氧溶解在去离子水中(DIO3)清洗被研究作为一种低成本的替代方法,目前湿化学清洗在高效太阳能电池制造。与高寿命RCA的参考清洗工艺相比,通过简单地向DIO3溶液中加入少量HF和HCl,获得了更高的有效寿命和更低的J0。清洗和钝化的晶片的有效寿命随着在DIO3/HF/HCl清洗溶液中处理时间的增加而增加。即使在清洗后长达一小时的储存时间后,晶片寿命的稳定性使得DIO3/HF/HCl清洗适合工业应用。DIO3/HF/HCl清洗显示出在大规模生产中作为高寿命湿化学清洗工艺的巨大潜力。 介绍      对于高效太阳能电池,如PERC、HIT和IBC电池,硅片表面的有效清洁对于获得高寿命和良好的钝化效果至关重要。太阳能电池生产线和光伏实验室使用的常规湿化学清洗程序通常会消耗大量的化学物质,如H2SO4、硝酸、氟化氢、氯化氢、NH4OH和H2O2.这种化学溶液具有有限的槽寿命,这意味着即使不清洗晶片,在运行通过一定量的晶片或一段时间后,必须混合新的槽以保持有效的清洗。对于对硅表面条件更敏感、钝化要求更高的高效硅太阳能电池,RCA清洗顺序已成为参考。RCA清洗需要更频繁地更换化学品,这大大增加了制造成本。      臭氧是一种强氧...
发布时间: 2021 - 09 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      光伏制造湿法工艺步骤的评估表明杂质可能沉积在硅介质上。在取出晶片时,液体层保留在硅表面上。当液体蒸发时,液体中的任何污染物都会沉积在硅上。该数据表明,影响杂质沉积的最大因素是熔池中杂质的浓度。 湿法加工中的污染源       将硅片加工成光伏电池涉及多个步骤。该过程从生长硅锭开始,并通过各种包括晶片锯切、清洗、蚀刻、扩散、丝网印刷和最后测试的步骤。在整个过程中,保持硅晶片的纯度是至关重要的, 因为已经表明污染会对细胞的效率和有效寿命产生负而前湿法工艺是制造过程中的一个污染源。这些湿法工艺通常使用高纯度化学物质,如氢氟酸和盐酸,以及18兆欧厘采的去离子水。当化学物质开始时低杂质,化学品暴露于化学品分配系统中使用的材料,如管道阀门和容器,会将液体污染到不可接受的程度。可提取性测试表明,用于油湿部件的材料类型,如聚氯乙烯、聚丙烯或全氟烷氧基(PFA)对流体介质中存在的污染水平有显著影响。 图1  晶片浸没和从处理槽中取出        金属污染物对载流子的寿命有显著影响。金属污染物可以作为硅的蚀刻纹理化的副产品被引入到浴缸中,也可以通过工艺被引入。许多研究已经进行来测量金属污染物对细胞性能的影响。其...
发布时间: 2021 - 09 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文的方法通过使用动态液滴对硅晶片进行局部湿法处理来表示,该液滴在与晶片接触时形成动态液体弯月面。这项工作引入的主要科学创新和相关性已经应用于工业太阳能电池生产和集成电路互连的硅晶片金属凸块形成(即。铜柱)。这种新技术允许在特定的限定位置接触硅晶片,以便执行任何种类的湿法处理(例如。蚀刻、清洁和/或电镀)而不需要任何保护性抗蚀剂。利用计算流体动力学技术(即。精确预测流体流动的数值技术)之后,并提出。建立了实验装置来验证计算结果。数值结果与实验结果吻合良好。使用立体光刻系统的原型头被开发出来,并且在硅上进行不需要光刻步骤的局部选择性电镀。 介绍      与半导体和光伏产业的任何其他部门一样,主要驱动力是通过降低成本来提高业绩。在光伏领域,这意味着每美元更便宜的瓦特和更高效率的硅太阳能电池(即。 19%). 在电子封装行业,这意味着使用面积阵列封装寻求更好的电气性能和更高的输入/输出数量,目标是“更小、更快、更便宜”。 实验测试和计算流体动力学验证       设计了两种不同类型的原型来验证计算流体动力学模型:一种具有矩形喷嘴几何形状,另一种具有圆形对称阵列。同时,本文写道,用于制造铜柱电镀的具有4x4阵列的圆形对...
发布时间: 2021 - 09 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      为了评估在300 mm直径硅片的湿法清洗槽中产生气泡运动的主导力,使用摄像机和光学显微镜研究了由兆频超声波产生的小气泡的典型运动。在MS波作用下,直径为10–30和200–300米的气泡的上升速度分别为0.002–0.003和0.02–0.08米/秒。直径为200-300米的气泡的速度取决于三个力,即浮力、毫秒波和水流。直径为10-30米的气泡的运动主要由横波驱动;浮力的影响很小。可以通过调节质谱波功率来改变紧靠晶片支撑杆上方的气泡路径。介绍      在制造半导体硅微电子器件的整个过程中,非常干净的硅表面是必要的。在各种器件制造过程中存在的各种污染物通过使用超纯水和各种化学试剂的湿法清洗过程被去除,通常伴随着被称为兆频超声波的高频声波谱波产生微泡,这些微泡已经被用于各种工业领域的许多清洗技术.然而,质谱波经常导致图案塌陷和对硅表面上形成的非常小的结构的一些损坏。      在本文研究中,作为我们先前研究的延伸,使用了带有质谱波模块的无载体湿式清洗槽来观察排列的晶片之间和晶片支撑杆附近的气泡运动。根据气泡直径和向上速度之间的关系,并考虑到斯托克斯定律理论上给出的速度,评估了浮力、质谱波和水流的...
发布时间: 2021 - 09 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要本文讨论了稀氢氟酸清洗过程中颗粒沉积在硅片表面的机理。使用原子力显微镜的直接表面力测量表明,硅表面上的颗粒再沉积是由于颗粒和晶片表面之间的主要相互作用。表面活性剂的加入可以通过改变颗粒和晶片之间的表面相互作用力来影响稀氟化氢溶液的清洁效果。我们表明,颗粒沉积与晶片和颗粒的ζ电势的乘积之间存在简单的相关性。这种相关性可以通过在双电层相互作用的推导中引入线性叠加近似来解释。表面活性剂的加入也将降低分散吸引力,引入空间排斥,并消除粘附力,如表面力测量结果所示。 介绍随着半导体工业向越来越小的尺寸发展,去除颗粒污染物变得极其重要。因此,硅片超净是半导体加工的一个重要领域。最广泛使用的清洗方法是基于RCA的湿化学清洗,可去除晶片表面的有机残留物、颗粒和金属离子。经RCA清洗的晶片表面有一层约1-2纳米厚的化学氧化层。使用稀释的HF清洗来去除该层,并获得氢钝化的裸露硅表面,该表面具有高的抗氧化稳定性和低密度的表面状态。然而,在HF清洗期间,浴中的颗粒倾向于再沉积到裸露的硅表面上。 实验所有的实验都在室温下进行。每个实验的0.5% HF溶液都是从电子级49% HF溶液新鲜制备的。在这些实验中,氮化硅颗粒被选为模型颗粒。颗粒沉积实验如下进行;硅片在浸入含200 ppm氮化硅颗粒的0.5 wt % HF溶液前,先在SC-1溶液中清洗~Alf...
发布时间: 2021 - 09 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要研究了兆声波对300 mm直径硅片湿法清洗槽中水和气泡运动的影响。使用水溶性蓝色墨水的示踪剂观察整个浴中的水运动。兆声波加速了整个浴槽中的水运动,尽管没有兆声波时的水运动趋向于局部化。兆声波产生的小气泡的运动也被追踪到整个晶片表面。兆声波和水流增加了气泡的传输速率。介绍       使用超纯水、各种化学试剂和非常常见的兆声波在湿法工艺之后清洗硅晶片表面.此外,兆声波产生的微泡已经用于各种清洗技术。因此,许多研究人员)已经基于清洁的硅晶片表面的粒子水平评估研究了其有效使用的方法和条件。为了进一步改善湿式清洗槽中的湿式清洗条件,水和气泡在兆声波作用下的运动应该得到充分的澄清。尽管在著名的先前论文中已经通过数值计算研究了兆声波下的水流,但是使用可视化技术的实验研究应该进一步进行。 本文研究了在不同功率的超声波作用下,水和气泡在整个无载体湿法清洗槽中的运动。根据所得结果,讨论了兆声波的作用和影响。 实验的  图1显示了本文中使用的无载体湿式清洗槽的示意图。该系统由一个槽、25个晶片(直径300毫米)、三个晶片支撑杆和两个水喷嘴组成。浴缸和水喷嘴由石英玻璃制成。晶片支撑杆由碳氟树脂制成。在这项研究中,为了使水的运动可视化,将水溶性蓝色墨水加入水中。蓝色墨水的运动是用录像机每...
发布时间: 2021 - 09 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      在总化学物质供给量不变的情况下,具有间歇化学物质供给和频繁流量变化的湿式清洁浴对于改善清洁性能是相当有效的。使用间歇化学品供应表明节省了化学品消耗,这是环境友好的,并且具有高通量过程。当晶片以宽间距和窄间距同时放置在相同的湿清洁浴中时,与具有相等间距的晶片排列相比,在窄间距处颗粒去除效率显著降低。为了防止湿法清洗过程降低清洗性能,必须仔细考虑晶片在湿法清洗槽中的放置。有趣的是,湿清洁浴中供给流速的模拟与不同晶片间距的实际颗粒去除率的实验数据相关。我们认识到晶片间距和化学品供应方式是控制湿浴清洁效率的重要因素。 介绍       自湿式清洁工具首次用于基于热碱性和酸性过氧化氢溶液的RCA标准清洁工艺以来,多年来已报告了许多挑战,以改善硅晶片表面金属杂质、1–14颗粒、13–21和有机污染物去除23–26的湿式清洁工艺性能.26已报告使用表面活性剂的单步清洁可降低化学成本。报道称,通过稀释的HF-H2O2可以有效地去除铜.2–6稀释的化学清洗被认为是实现低成本和高性能清洗的最合适的候选方法之一.2–6、13、14、19、22–25在这些清洗过程中,使用了两种类型的湿工具。尽管工业上越来越多地采用能够以高性能重复清洗每个晶片的单晶片旋转型工具,但是...
发布时间: 2021 - 09 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      在湿化学加工中,制造需要表面清洁度和表面光滑度[1]。有必要完美地控制所有工艺参数,特别是对于常见的清洁技术RCA clean (SC-1和SC-2) [2]。本文讨论了表面处理参数的特点及其影响。硅技术中RCA湿化学处理的特性基于SC-1和QDR的处理时间、温度、浓度和兆频超声波功率。提出了一种通过增加湿法清洗化学过程的变量来改进晶片表面制备的方法。 介绍      对SC-1和QDR的加工时间、温度、浓度和兆频超声波功率的影响进行了广泛的研究。这些研究表明,对颗粒去除效率影响最大的主要因素是兆频超声波功率,其次是温度和浓度,SC-2的影响较小.在湿式台式处理机中进行了一项统计设计实验。本文将提出一种晶片表面制备RCA配方,该配方基于适合SC-1和QDR以及SC-1温度的兆频超声波功率,具有最佳的粒子去除效率。实验      通过在氢氟酸浴中和在带有旋转干燥干燥器的抗蚀工具类型中处理晶片,晶片被有意地预污染。HF会使晶圆表面变成疏水性,排斥水,容易吸引颗粒。典型的污染从100–2000个粒子不等,粒子阈值为0.13和0.16 Pm。由于前处理很大程度上取决于初始计数和晶圆的初始条件(污染前的清洗),晶圆是针对每个DOE条...
发布时间: 2021 - 09 - 13
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