单晶制绒操作工艺单晶硅片制绒工艺流程，主要包括以下几个方面。1.装片①戴好防护口罩和干净的橡胶手套。②将仓库领来的硅片从箱子中取出，以2o0片为一个生产批次，把硅片插入清洗小花篮，在装片过程中，由于硅片易碎，插片员需轻拿轻放；来料中如有缺角、崩边、隐裂等缺陷的硅片，不能流人生产线，及时报告品管员，将这些硅片分类放置、集中处理；有缺片现象时，要在缺片记录上记录缺片的批号、厂商、箱号和缺片数。③在“工艺流程卡”上准确记录硅片批号、生产厂家、电阻率、投入数、投入时间和主要操作员。④装完一个生产批次后，把“工艺流程卡”随同硅片一起放在盒架上，等待制绒。2.开机①操作员打开工艺排风，打开压缩空气阀门，打开设备进水总阀。②操作员打开机器电源，待设备自检完成并显示正常后，在手动操作界面下手动打开槽盖，检查槽盖的灵活性，检查机械手运行是否正常。③操作员将装好硅片的小花篮放在花篮承载框中，然后将承载框搬到上料台上。④操作员在“手动”模式下检查单晶制绒工艺参数是否正常，按照工艺参数，计算出所含有naoh、na2sio3、(ch3)2choh和酒精的量，配溶液之前先清洗好制绒槽。关闭排水阀，打开进水阀门，向制绒槽中缓慢加入78℃的纯水，然后向槽中加人naoh，打开循环泵，充分搅拌均匀，(ch3)2choh和添加剂在上料时加入制绒槽(化学药品的添加顺序不能混淆)，按照要求向氢氟酸槽和盐酸槽中加入hf和hc...
发布时间:
2016
-
03
-
23
浏览次数：1159
锗单晶抛光片主要用于航天领域中的太阳电池系统中，在锗单晶衬底上外延GaAs等材料制成的单结以及多结化合物太阳能电池具有转换效率高、耐高温、抗辐射、可靠性强等优势。化合物太阳电池在MOCVD工艺中需要生长多层晶体材料，并且是异质结生长，容易产生晶格畸变。因此，化合物太阳电池对锗单晶抛光片的表面质量提出了较为苛刻的要求。1．锗单晶片的化学腐蚀工艺技术通过采用不同的化学腐蚀液对锗单晶片进行化学腐蚀，从腐蚀速率和表面光洁度及粗糙度等方面进行比较，最终选择了一种比较适用于超薄锗片抛光的化学腐蚀工艺，并通过不同腐蚀液对锗腐蚀速率影响的研究，为锗的清洗工艺、抛光工艺提供了较为详细的参考。2．锗单晶片的抛光工艺技术主要讨论了抛光工艺参数对抛光片几何参数和表面质量的影响，并通过工艺实验，得到了最佳的超薄锗单晶抛光片的抛光工艺。3．锗单晶抛光片的清洗工艺技术阐述了锗单晶抛光片的清洗机理，通过对锗抛光片表面有机物和颗粒的去除技术研究，建立了超薄锗单晶抛光片的清洗技术。利用该技术清洗的超薄锗单晶抛光片完全满足了空间高效太阳电池的使用要求。
发布时间:
2016
-
03
-
23
浏览次数：879
产品简介：主要用于单晶太阳能电池片制造工艺中的制绒工艺，能够有效去除硅片表面的机械损伤层和氧化层，并在硅片表面制备一个反射率在10%～20%的织构表面，形成类似“金字塔”状的绒面,有效增强硅片对入射太阳光的吸收,从而提高光生电流密度。产品特点:预清洁工序使制绒更均匀低化学剂消耗，可灵活调整配方 强大的数据库支持异常追踪 先进的双槽制绒工艺槽结构,具有更好的温度及溶液均匀性 性价比高，售后服务快捷苏州华林科纳的太阳能制绒酸洗机主要特点如下：1.适用于8英寸以下的单晶硅及多晶硅太阳能硅片的制绒酸洗2.设备骨架用厚壁方钢制做，外包德国进口磁白聚丙稀pp板，美观抗腐蚀性能优越。3.隔板：在1#、2#槽和3#、4#槽之间有隔板，1#槽单独排风，防止1#槽中挥发的有机气体与其他气体混合发生反应。4.设备共有12个槽，按药液槽内，纯水冲洗槽外和方便生产操作的一般工艺流程依次排列。5.设备采用数显时间继电器，清洗时间可在1-9999秒范围内设定，结束时报警。6.排风系统通过设备后部夹层，从设备顶部接触排气管与用户排气系统连接。7.各配氮气枪1把水枪1把。8.本太阳能硅片清洗设备具有设有漏电、急停、液位、过温等保护和报警装置，保证设备的安全可靠9.进口行走机械臂，运行平稳。全自动控制行程模式，优良的制程调控能力，稳定的高产出率及低破片率，适用于批量生产线。
发布时间:
2016
-
03
-
23
浏览次数：904
1.太阳能概况太阳能是各种可再生能源中最重要的基本能源，生物质能、风能、海洋能、水能等都来自太阳能，广义地说，太阳能包含以上各种可再生能源。太阳能作为可再生能源的一种，则是指太阳能的直接转化和利用。通过转换装置把太阳辐射能转换成热能利用的属于太阳能热利用技术，再利用热能进行发电的称为太阳能热发电，也属于这一技术领域；通过转换装置把太阳辐射能转换成电能利用的属于太阳能光发电技术，光电转换装置通常是利用半导体器件的光伏效应原理进行光电转换的，因此又称太阳能光伏技术。二十世纪50年代，太阳能利用领域出现了两项重大技术突破：一是1954年美国贝尔实验室研制出6％的实用型单晶硅电池，二是1955年以色列Tabor提出选择性吸收表面概念和理论并研制成功选择性太阳吸收涂层。这两项技术突破为太阳能利用进入现代发展时期奠定了技术基础。70年代以来，鉴于常规能源供给的有限性和环保压力的增加，世界上许多国家掀起了开发利用太阳能和可再生能源的热潮。1973年，美国制定了政府级的阳光发电计划，1980年又正式将光伏发电列入公共电力规划，累计投入达8亿多美元。1992年，美国政府颁布了新的光伏发电计划，制定了宏伟的发展目标。日本在70年代制定了“阳光计划”，1993年将“月光计划”（节能计划）、“环境计划”、“阳光计划”合并成“新阳光计划”。德国等欧共体国家及一些发展中国家也纷纷制定了相应的发展计划。90年代...
发布时间:
2016
-
03
-
23
浏览次数：534
一、硅片检测硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。其中，光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数；微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹；另外还有两个检测模组，其中一个在线测试模组主要测试硅片体电阻率和硅片类型，另一个模块用于检测硅片的少子寿命。在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。二、表面制绒单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性...
发布时间:
2016
-
03
-
23
浏览次数：1148
一、电池片工艺流程制绒(INTEX)---扩散（DIFF）---后清洗（刻边/去PSG）---镀减反射膜（PECVD）---丝网、烧结（PRINTER）---测试、分选（TESTER+SORTER）---包装（PACKING）。二、前清洗（制绒）知识简介1、RENA前清洗工序的目的：（1）去除硅片表面的机械损伤层（来自硅棒切割的物理损伤）；（2）清除表面油污（利用HF）和金属杂质（利用HCl）； （3）形成起伏不平的绒面，利用陷光原理，增加对太阳光的吸收，在某种程度上增加了PN结面积，提高短路电流（Isc），最终提高电池光电转换效率。2、前清洗工艺步骤：制绒→碱洗 →酸洗→吹干Etch bath：刻蚀槽，用于制绒。所用溶液为HF+HNO3 ，作用： （1）去除硅片表面的机械损伤层； （2）形成无规则绒面。 Alkaline Rinse：碱洗槽。所用溶液为KOH，作用： （1）对形成的多孔硅表面进行清洗； （2）中和前道刻蚀后残留在硅片表面的酸液。 Acidic Rinse：酸洗槽。所用溶液为HCl+HF，作用： （1）中和前道碱洗后残留在...
发布时间:
2016
-
03
-
23
浏览次数：1220
1、导电类型conductivity type2、n-型半导体 n-type semiconductor多数载流子为电子的半导体。3、p-型半导体 p-type semiconductor多数载流子为空穴的半导体。4、载流子 carrier固体中一种能够传输电荷的载体，又称荷电载流子。例如，半导体中导电空穴和导电电子。5、少数载流子minority carrier小于载流子总浓度一半的那类载流子。例如：p型半导体中的电子。6、杂质浓度impurity concentration单位体积内杂质原子的数目。7、电阻率（体）resistivity(bulk)单位体积的材料对于两平行面垂直通过的电流的阻力。一般来说，体电阻率为材料中平行电流的电场强度与电流密度之比。符号为ρ，单位为Ω﹡cm 。8、电阻率允许偏差 allowable resistivity tolerance硅片中心或硅锭断面中心的电阻率与标称电阻率的最大允许差值，它可以用标称值的百分数来表示。9、四探针 four point probe测量材料表面层电阻率的一种探针装置。排列成一直线、间距相等的四根金属探针垂直压在样品表面上，使电流从两外探...
发布时间:
2016
-
03
-
23
浏览次数：690
晶片表面清洗洁净的晶片是芯片生产全过程中的基本要求，但并不是在每个高温下的操作前都必须进行。一般说来，全部工艺过程中的高达20%的步骤为晶片清洗。而我在这里将要描述的清洗工艺，将贯穿芯片生产的全过程。 半导体工艺的发展过程在很多方面可以说是清洗工艺随着对无污染晶片需求不断增长而发展的过程。晶片表面有四大常见类型的污染，每一种在晶片上体现为不同的问题，并可用不同的工艺去除。这四种类型是： 1．颗粒 2．有机残余物 3．无机残余物 4．需要去除的氧化层通常来说，一个晶片清洗的工艺或一系列的工艺，必须在去除晶片表面全部污染物（上述类型）的同时，不会刻蚀或损害晶片表面。它在生产配制上是安全的、经济的，是为业内可接受的。通常对清洗工艺的设计适用于两种基本的晶片状况。一种叫作前线（FEOL），特指那些形成活性电性部件之前的生产步骤。在这些步骤中，晶片表面尤其是MOS器件的栅区域，是暴露的、极易受损的。在这些清洗步骤中，一个极其关键的参数是表面粗糙度。过于粗糙的表面会改变器件的性能，损害器件上面沉积层的均匀性。表面粗糙度是以纳米为单位的表面纵向变差的平方根（nmRMS）。2000年的要求是0.15纳米，但到2010年要逐渐降低到0.1纳米以下。在FEOL的清洗工艺中，另外一个值得关注的方面是光片表面的电性条件。器件表面的金属离子污染物改变电性特征...
发布时间:
2016
-
03
-
23
浏览次数：657
砷化镓是一种感光性能比当前广泛使用的硅更优良的材料。理论上他将接收到的阳光40%的转化为电能，转化率约是硅的2倍，因此卫星和太空飞船等多采用砷化镓作为太阳能电磁板的材料。然而，超声波清洗器传统的砷化镓晶片制造技术每次只能生成一层晶片，成本居高不下，限制了砷化镓的广泛应用。砷化镓晶片在清洗工艺上的要求，是希望能够达到对晶片表面上残留的镓氧化物、砷氧化物和一些对后续工艺有害的金属、污垢、油污、杂质、蜡点、尘埃、脏点等。在清洗上存在的难题，可以采用超声波清洗机能够达到理想的清洗效果。超声波清洗机的原理分解，可以达到物件全面洁净的清洗效果，特别对盲孔、深孔、凹凸槽清洗是最理想的清洗设备，不影响任何物件的材质与精度。超声波还具有的强力空腔化作用，可以在短时间内清洗掉砷化镓晶片上的污垢、油污，完全可保证产品的质量。超声波清洗机清洗效果好，清洁度高且全部工件清洁度一致。清洗速度快，提高生产效率，不须人手接触清洗液，安全可靠。清洗砷化镓晶片的高清洗工艺要求，选用超声波清洗机清洗。言之，超声波清洗机的基本原理是以每秒几万次的振动，在液体中产生超声波空化作用形成空化泡。在空化泡消失时产生很大的冲击力，当被洗工件受到这个外力冲击时，工件表面的沾污就被剥离，达到清洗的目的。从而致使，威固特超声波清洗机已经成为众多需清洗行业的首选之一。1、砷化镓清洗机设备采用RCA清洗工艺，根据客户不同要求，设计制作而成。...
发布时间:
2016
-
03
-
23
浏览次数：821
太阳能电池片的浅结构是实现高效太阳能电池的有效途径之一，通常所说的浅结是指太阳能电池PN结结深小于0.3um，利用浅结可以显著的降低太阳能电池片表面的少数载流子复合速度，提高短波段的光谱响应。一、调整方向1、提高少子寿命2、提高短波吸收3、减少死层4、提高开路电压二、高方阻的缺点串联电阻Rs=电极电阻+体电阻+薄层电阻+接触电阻。高方阻使得表面薄层电阻明显增加，增大了Rs，降低了FF。方阻越高，需要越密的栅线与之配合，才能发挥出高方阻低表面浓度的优势，这其中有两个难点，其一是高方阻均匀性的控制，其二是银浆的选择，需要综合考虑银浆的导电特性、粘度等，使之适合密栅高方阻的印刷烧结。三、高方阻实现方法1、低温淀积+高浓度淀积在较低温度下淀积一个低浓度的薄扩散层，接着在较高温度下加大源流量，在短时间内进行高浓度扩散。由于时间很短故只在表面堆积一层高掺杂浓度的磷硅玻璃层，这样会形成N+N结构，在理论上不仅能降低了串联电阻Rs，而且能提高开路电压Voc。2、低浓度淀积+高浓度淀积+推进由于方案1可能由于表面浓度过高，引起表面复合比较大，蓝光响应变小。我们可以在这基础上加一步在富氧下推进，这样就能更好的匹配表面浓度和结深。这样能在提高Voc的同时，提高Isc。四、高方阻与烧结实验设计烧结目的：干燥硅片上的浆料，燃尽浆料的有机组分，使浆料和硅片形成良好的欧姆接触。1、银浆成分：玻璃粉、银颗粒、有机...
发布时间:
2016
-
03
-
23
浏览次数：773