华林科纳研发的单片清洗设备已升级为单腔多层的机台类型，可以支持多种溶液在一个反应腔里相继进行腐蚀清洗工作。该设备里配有承接晶片的承片台，它载着硅片变换不同的高度。在不同高度处，会有不同的溶液喷到正在旋转的晶片表面，完成特定的功能后按不同的溶液回收到不同的回收区域，酸液即可被循环使用。↑ 单腔多层腔体结构示意图延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
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旋转喷淋清洗是浸入型清洗的变型。系统中一般包括自动配液系统、清洗腔体、废液回收系统。喷淋清洗在一个密封的工作腔内一次完成化学清洗、去离子水冲洗、旋转甩干等过程，减少了在每一步清洗过程中由于人为操作因素造成的影响。在喷淋清洗中由于旋转和喷淋的效果，使得硅片表面的溶液更加均匀，同时，接触到硅片表面的溶液永远是新鲜的，这样就可以做到通过工艺时间设置，精确控制硅片的清洗腐蚀效果，实现很好的一致性。密封的工作腔可以隔绝化学液的挥发，减少溶液的损耗以及溶液蒸气对人体和环境的危害。各系统分别贮于不同的化学试剂，在使用时到达喷口之前才混合，使其保持新鲜，以发挥最大的潜力，这样在清洗时会反应最快。用N2喷时使液体通过很小的喷口，使其形成很细的雾状，至硅片表面达到更好的清洗目的。此方法适用于除去氧化膜或有机物。因为化学物质在硅片表面停留的时间比较短，对反应需要一定时间的清洗效果不好。在喷洗过程中所使用的化学试剂很少，对控制成本及环境保护有利。延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
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VDMOS生产工艺基本结构：•n+衬底，漏极D•n-外延层，漂移区•p阱（又叫p基区或体区）•n+源区，源极S•多晶硅栅，栅氧层，栅极G整个器件的构成：•前述结构实际只是器件的一个元胞，整个器件实际是由很多这样的元胞并联而成的•剖面图 立体图： 1、 原始硅片磨抛：原始硅片磨去40µm，抛光80µmN+535µm2、清洗，并且用显微镜检查表面3、外延生长N-：ρ=20~30Ω·cm,d=45µm4、清洗5、氧化：dox=6500±250Å，800℃-1000℃-800℃6、一次版7、腐蚀，去胶，清洗腐蚀：温度25℃8、P+扩散预扩：R□=80～100Ω/□•700℃-940℃-700℃主扩：R□=150～180Ω/□•800℃-1150℃-800℃9、氧化10、光刻：二次版反刻P+区，5000pm11、腐蚀，(温度25℃)t=8.1s12、去胶清洗13、栅氧化•dox=1000-1100Å•作C-V检查•实测dox=1060-1050Å14、生长多晶硅7000ű200Å15、 清洗16、三次版：光刻P-区（多晶硅）三次版留下栅和互连的多晶硅（使多晶硅成为p型）17、腐蚀多晶硅（P-区），干腐：9'50'&#...
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清洗是工业生产必不可少的环节，目前工业清洗主要采用有机溶剂清洗和水溶液清洗。有机溶剂以挥发性溶剂（VOC)和含卤素的氯氟烂（CFC)溶剂为主，每年全世界要用几百万吨，由此引起对臭氧层的破坏、对大气环境的污染非常严重。1987年世界各国签署的蒙特利尔公约已经规定了这类溶剂的禁用日程表。水溶液清洗需要复杂的表面活性剂配方，干燥时间长，处理的金属易于生锈，而且会形成二次污染，也必然要增加设备和处理费用。因此，研究开发环境友好的清洗剂和清洗方法成为当务之急。超临界CO2(SCCO2)是一种可以代替VOC和CFC的清洗剂，具有一定的优点。SCCO2对有机物有一定的溶解能力，清洗过程中对各种清洗材料性能稳定，粘度低和扩散性高，表面张力低，润湿性良好，极易渗入待清洗材料内部，可有效去除死区的污垢，清洗后无需干燥，无残留。1 超临界流体的特性超临界流体是指物质的温度和压力分别处在其临界温度和临界压力之上时的一种特殊的流体状态。超临界流体的密度为气体的数百倍，接近于液体，粘度接近于气体，扩散系数大约为气体的1%,而较液体大数百倍。一般来讲，超临界流体的密度越大，其溶解度就越大。在恒温下，超临界流体中物质的溶解度随压力升高而增大。将温度和压力适当变化，可使溶解度在102~103倍的范围内变化。超临界流体的这一特性，会产生两种十分有利的应用效果：一方面，目标物（如要清除的污染物等）会最大限度地溶解于超临...
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国外经典半导体工艺视频：晶圆表面电路的设计（下）↑ 此文件仅供参考学习，勿用于商业用途延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
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华林科纳晶圆电镀设备分两个系列， CPE(半自动)/CPEA（全自动），主要 用于半导体晶圆凸点UBM金属层制作 以及陶瓷基板上的金属层的电镀； 还 可用于硅片制造中表层剥离、去除杂 质以及大尺寸图形腐蚀等方面。• 目前,比较典型的凸点制作工艺流程主要包括焊料凸点制作和金凸点制作。• 焊料凸点制作工艺流程: • 清洗→溅射Ti/Cu→光刻1→电镀Cu/Ni→去胶→腐蚀→介质制作→光刻2→腐蚀介质→去胶→溅射Ti/Cu→光 刻3→镀Cu/Ni→镀焊料→去胶→腐蚀Cu→腐蚀Ti→硅片回流→检测凸点→划片分割→成品。• 金凸点制作工艺流程: • 清洗→溅射TiW/Au→厚胶光刻→扫胶→电镀Au→去胶→清洗→腐蚀Au→腐蚀TiW→退火→检测→成品。• 一般来说,凸点制备过程中,主要采用电镀铜、镍、金、锡铅、锡银等镀种,一些特殊的凸点工艺还使用金锡、 锡、银、铟、化学镀镍等镀种。 更多的半导体清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncas.com），现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
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刻蚀的目的是把经曝光、显影后光刻胶微图形中下层材料的裸露部分去掉，即在下层材料上重现与光刻胶相同的图形。刻蚀方法分为：干法刻蚀和湿法刻蚀，干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术，一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区，它是各向异性的刻蚀技术，即在被刻蚀的区域内，各个方向上的刻蚀速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术；湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，这是各向同性的刻蚀方法，利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料，通常SiO2采用湿法刻蚀技术，有时金属铝也采用湿法刻蚀技术，国内的苏州华林科纳CSE在湿法这块做得比较好。下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程：二氧化硅腐蚀：在二氧化硅硅片腐蚀机中进行，国内腐蚀机做的比较好的有苏州华林科纳（打个广告），腐蚀液是由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时，腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高，腐蚀越快，掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度最敏感，温度越高，腐蚀越快。具体步骤为：1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S，上下晃动，浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）的作用是减小硅片的表面张力，使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触，从而达到充分腐蚀；2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液（氟化铵溶液）的槽中浸泡...
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光刻的作用是把掩模版上的图形转换成晶圆上的器件结构，它对集成电路图形结构的形成，如各层薄膜的图形及掺杂区域等，均起着决定性的作用。 光刻的基本流程：前处理——涂胶——对版曝光——显影——显影检查——后烘——腐蚀——腐蚀检查——去胶——检验归批。前处理硅片容易吸附潮气到它的表面，硅片暴露在潮气中叫做亲水性。对于光刻胶的粘附性，具有干燥成疏水性的硅片表面非常重要，所以在成底膜和光刻胶旋涂前要进行脱水烘焙。典型的烘焙是在传统的充满惰性气体（如氮气）的烘箱或者真空烘箱中完成，实际的烘焙温度是可变的，常用的温度是200—250℃。脱水后的硅片马上要用OAP （常用HMDS溶液：六甲基二硅胺烷）成底膜进行表面处理，它起到提高粘附力的作用。在硅片成底膜操作后尽快涂胶，使潮气问题达到最小化。成底膜的方法有：1、滴浸润液和旋涂：温度和用量容易控制，但系统需要排液和排气装置，HMDS溶液消耗量大。2、喷雾分滴和旋转：优点是喷雾有助于硅片上颗粒的去除，缺点是处理时间长和HMDS消耗大。3、气相成底膜和脱水烘焙：最常用，气相成底膜一般200—250℃下约30S完成。优点是由于没有与硅片接触减少了来自液体HMDS颗粒沾污的可能，HMDS的消耗量也小。一种方法是先进行脱水烘焙，再将单个硅片置于热板上通过热传导熏蒸形成底膜，这种方法优点是硅片由里向外烘焙，低缺陷密度，均匀加热和可重复性。另一种方法是以...
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这主要从两个方面来考虑：一个是材料和工艺问题；另一个是电气性能问题。 P型半导体是在单晶硅（或锗）中参入微量的三价元素，如：硼、铟、镓或铝等；N型半导体是在单晶硅（或锗）中参入微量的五价元素，如：磷、锑、砷等。P型半导体与N型半导体，在材料成本方面应该差别不是很大，但要把它做成一个电子产品，在生产工艺方面会存在很大的差异。 例如，用本征锗材料制作PNP晶体管相对于用本征锗材料制作NPN晶体管容易很多，因为铟与锗比较容易结合（扩散）；同样，用本征硅材料制作NPN晶体管，相对于用本征硅材料制作PNP管要容易很多。 某种半导体生产工艺的诞生并不是一天就可以达到尽善尽美的，需要通过大量试验和经验积累。早期生产的场效应管大部分是结型场效应管，这种结型场效应管在结构方面与PNP晶体管很相似，两者的区别主要是基区引出电极的区别（基极与源极和漏极）。晶体管把中间的一层（N区）当成一个电极引出称为基极，其余上下两层（P-P区）分别当发射极和集电极引出；而场效应管则是把基区当成一个导电沟道（N沟道），并在其两端分别引出一个电极，称为源极和漏极，其余上下两层（P-P区）分别当源极和栅极引出。...
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RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的，并由此而得名。RCA是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法，该清洗法主要包括以下几种清洗液。 （1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。 （2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时，在自然氧化膜被腐蚀掉时，硅片表面的硅几乎不被腐蚀。 （3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O ...
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