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发布时间: 2016 - 11 - 02
全自动湿法去胶清洗机-南通华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备 设备名称南通华林科纳CSE-全自动湿法去胶清洗机设备设备概况尺寸(参考):约3500(L)*1500(W)*2000(H)(具体尺寸根据实际图纸确定)清洗件规格:一次性可装8寸晶片25pcs典型生产节拍:5~10min/篮(清洗节拍连续可调)门:不锈钢合页门+PVC视窗主题构造特点设备由于是在一个腐蚀的环境,我们设备的排风方式,台面下抽风,每套工艺清洗槽都有自动开闭的槽盖,槽盖下有单独的抽风装置。设备结构外型,整机主要由机架、工艺槽体、机械手传输系统、排风系统、电控系统、水路系统及气路系统等组成。由于工艺槽内药液腐蚀性强,设备需要做防腐处理:(1)设备机架采用钢结构骨架包塑;(2)壳体采用镜面SUS316L不锈钢焊接,制程区由耐腐蚀的SUS316L板材组合焊接而成:(3)电气区设置在设备后上部,与湿区和管路区完全隔离;(4)槽体材料选用耐相应溶液腐蚀的材料;(5)机械手探人湿区部分的零部件表面喷氟或套PFA管处理。应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多全自动湿法去胶清洗机设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse.com;现在咨询400-8768-096,18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的全自动湿法去胶清洗机设备的相关方案
发布时间: 2017 - 12 - 07
金属剥离清洗机-南通华林科纳CSE微机电系统(MEMS)是指用微机械加工技术制作的包括传感器/微致动器/微能源/等微机械基本部分以及高性能的电子集成线路组成的微机电器件与装置。其典型的生产工艺流程为:成膜工艺(氧化/CVD:LPCVD PECVD/PVD:溅射/电镀/掺杂:扩散 注入 退火)→光刻图形(旋涂/光刻/显影)→干法/湿法/ 刻蚀(湿法刻蚀/硅刻蚀/SiO₂刻蚀/去胶清洗/金属刻蚀/金属剥离/RCA清洗)设备名称南通华林科纳CSE-金属剥离清洗机设备系列CSE-CX13系列设备概况尺寸(参考):机台尺寸 : 1750mmWx1400mmDx1900mmH(具体尺寸根据实际图纸确定)清洗量:6寸25装花篮2篮;重量:500Kg( 大约);工作环境:室内放置;主体构造特点外 壳:不锈钢304 板组合焊接而成。安全门:无安全门,采用敞开式设计;管路系统:药液管路采用不锈钢管,纯水管路采用CL-PVC管;阀门:药液管路阀门采用不锈钢电磁阀门;排 风:后下抽风,动力抽风法兰位于机台上部;水汽枪:配有水气枪各2把,分置于两侧;隔板:药液槽之间配有隔离板,防止药液交叉污染;照明:机台上方配照明(与工作区隔离);机台支脚:有滑轮装置及固定装置,并且有高低调整及锁定功能。三色警示灯置于机台上方明显处。工作槽参数剥离洗槽槽体:不锈钢316,有效尺寸405×220×260mm;化学药品:剥离洗液;药液供液:人工手动加入;工作温度:60℃并可调;温度可调;加热方式:五面体贴膜加热/投入式加热器加入热;液位控制:采用N2背压数位检测; 计时功能:工艺时间可设定,并可调,到设定时间后声鸣提示,点击按钮后开始倒序计时;批次记忆:药液使用次数可记忆,药液供入时间可记忆,设定次数和设定时间到后更换药液;排液:排液管道材质为不锈钢管,按钮控制;槽盖:配有手动槽盖;IPA槽槽体:不...
发布时间: 2016 - 12 - 05
管道清洗机设备—华林科纳CSE半自动石英管清洗设备适用于卧式或立式石英管清洗优点石英管清洗:卧式—标准/立式—选项 先进的图形化界面 极高的生产效率 最佳的占地 结合最先进工艺技术 优越的可靠性 独特的模块化结构 极其便于维修 应用 清洗不同尺寸的石英管一般特征 可编程使得清洗管旋转,清洗更干净 PVDF工艺槽 装有清洗溶剂的储备槽(根据使用化学品的数量)放置在工艺槽的后下方 — 直接注入且内部进行不断循环 特别的喷淋嘴更益于石英管清洗 集成水枪和N2抢 单独排液系统 安全盖子 易于操作和控制 节约用酸系统 全自动的清洗工艺步骤 备件 经济实惠的PP外壳材料—标准更多的石英管道清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 14
1、设备概况:主要功能:本设备主要采用手动搬运方式,通过对扩散、外延等设备的石英管、碳化硅管腐蚀、漂洗等方式进行处理,从而达到一个用户要求的清洗效果。主体采用德国劳士领 瓷白PP板,骨架采用不锈钢 外包PP 防腐板;设备名称:半自动石英管清洗机设备型号:CSE-SC-N401整机尺寸(参考):4500mm*1500mm*2100mm;被清洗炉管尺寸(Max):也可清洗其它可放入清洗槽中的石英器皿等被清洗物设备形式:室内放置型;节拍:约1--12小时(节拍可调根据实际工艺时间而定)      操作形式:半自动2、设备描述:此装置是一个半自动的处理设备。PROFACE 8.0英寸大型触摸屏显示 / 检测 / 操作清洗工作过程由三菱 / 欧姆龙PLC控制。3、设备特点: 腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠;设备成本合理,自动化程度高,使用成本低;技术先进,结构合理,适宜生产线上大批次操作;结合华林科纳公司全体同仁之力,多年品质保障,使其各部分远远领先同类产品;设备上层电器控制系统及抽风系统,中层工作区,下层为管道安装维修区,主体结构由清洗机主体、酸洗槽、水清洗槽、防漏盘、抽风系统、工件滚动系统、氮气鼓泡系统、支撑及旋转驱动机构、管路部分、电控部分。本设备装有双防漏盘结构,并有防漏检测报警系统,在整台设备的底部装有接液盘。设备配有在槽体下方配有倾斜式防漏层。4、工艺流程:检查水、电、气正常→启动电源→人工上料→注酸→槽体底部氮气鼓泡→石英管转动(7转/min)→进入酸泡程序→自动排酸(到储酸箱)→槽体底部自动注水(同时气动碟阀关闭)→悬浮颗粒物经过溢流坝流出→排水碟阀打开(重颗粒杂质排出)→初级洁净水经过溢流坝溢出→清洗次数重复循环(人工控制)→下料。 酸洗和水洗在同一槽内完成1#,2#可通过循环泵循环使用...
发布时间: 2017 - 12 - 08
KOH etching is a chemical process used for the fabrication of silicon nanostructures. This etching process has been studied extensively in both research and real-world applications.CSE  provides individualized solutions for customers that want to use this process by using theKOH etching tank along with their existing wet bench equipment. All ofCSE’s KOH tanks are manufactured on site and built per your specifications. All PFA material is used for cleanliness and compatibility.Definition of KOH EtchingPotassium Hydroxide (KOH) etching is a wet chemical etching process used to create cavities in silicon. Highly corrosive alkaline chemical compound (pH 12) is used in conjunction with DI water and thermal regulation. The etch rate is limited; and the precision of Si etching...
发布时间: 2017 - 12 - 08
WET PROCESSING-MANUAL WET BENCHESWet Processing Manual Wet Bench Stations for Clean Room ApplicationsCSE’s wet processing manual wet benches are available in a wide variety of configurations. Standard construction will support both acid and solvent applications. Our standard wet benches give you all of the process and safety features as our fully automated or semi-automatedwet bencheswithout the extra cost for robotics. Our electrical and mechanical engineers prepare sign off drawings for each wet bench order. Our 30 plus years of continues business operation gives you the satisfaction you deserve. All process, etching or cleaning components are built and designed in-house giving you complete turnkey support.Benefits of Wet Processing Manual Benches:§ High end manual eq...
发布时间: 2018 - 01 - 02
Single cavity vertical dryer -CSEApplication of CSE cleaning system to various cleaning and drying processes AdvantageCSE cleaning system is applied to various cleaning and drying processesDifferent configurations (devices that can be placed on desktop operations, single independent, double chambers) for wafer size to 200mm best area, equipment with rollers can be movedSuperior reliabilityUnique modular structure it is extremely easy to repairEasy to use and operate The cleaning and drying machine is equipped with two kinds of automatic and manual systems. It is capable of complicate and different process requirements. Its stability and ease of operation will bring additional economic benefits to any factory. RinseSte can handle wafers of different sizes. The software program th...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料化学提升光刻(CLL)是一种减法软光刻技术,它使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)标记来绘制功能分子的自组装单层,应用范围从生物分子图案到晶体管制造。在此我们表明,CLL可以作为一种更广泛的技术,利用由铸币金属(Pt、Pd、Ag、Cu)、过渡金属和反应金属(Ni、Ti、Al)和半导体(Ge)组成的自组装化学。我们展示了高保真模式在精确特征的所有表面调查。将CLL作为一种技术,在不同的铸币金属(Pt、Pd、Ag、Cu)、过渡金属和活性金属(Ni、Ti、Al)和半导体(Ge)上绘制烷甲基SAMs。使用图案单层作为分子电阻,演示了通过湿蚀刻图案转移到下面的金属基板,在所有的情况下,表明在相应的CLL过程中,衬底原子的支撑层(单层)被移除,此外还可以在PDMS印章表面上形成混合金属单分子层的原子共混物,这些发现表明,CLL是一种通用的技术,可用于使用直接的烷硫醇自组装的多种不同材料表面的经济和高通量模式化。图1CLL过程的原理图如图1所示,首先研究了除之前研究中使用的Au以外的铸造金属(即Pt、Pd、Ag、铜),自组装的烷硫酸单层已在其他铸币金属上形成,因此,预测CLL可以用来描绘这些额外的金属表面。用CLL形成图案后,用扫描电子显微镜(SEM)对金属表面的单分子层进行成像,特征没有显示出模式形成后MUO横向扩散相关的展宽的证据,类似于Au上的CLL情况。根据...
发布时间: 2022 - 04 - 01
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍能源被认为是未来五十年人类面临的头号问题。据估计,太阳能在一小时内显示出供给的潜力,其能量足以满足世界一年的能源需求总量。光伏产业面临的一个主要挑战是以与化石燃料相比具有竞争力的成本产生足够量的能量。这个因素取决于对高效光伏设备和降低制造成本的需求。据报道,较高效率的太阳能电池比使用晶体硅材料的市售太阳能电池的效率高出20%以上。这些类型的PV电池之一是交叉背接触太阳能电池。IBC太阳能电池是在电池背面既有p+触点又有n+发射极的电池,这样可以防止遮光损失。金属化遵循交叉指型图案。通过对用于p+接触的氧化铝/无定形碳化硅(Al2O3/a-SiCx)、用于n+接触的磷掺杂碳化硅叠层/氢化无定形碳化硅(SiCX/a-Si:H)和作为背反射器的a-SiCx进行表面钝化来处理UPC的IBC电池。通过激光加工和最终铝金属化来完成制造过程,从而形成触点。这种电池的优点是:(a)正面没有金属阴影损耗(b)由于指状物和母线造成的电阻损耗非常低,以及(c)电池更容易互连。引入IBC以将晶体硅太阳能电池的转换效率提高20%以上。凭借这种高效率,传统电池6.5平方米的电池板尺寸可以减少到4.8平方米或更小,以满足家庭平均每年的总能源需求。主要目标是开发便于大规模生产的程序。IBC太阳能电池允许进一步减小电池厚度。晶体硅电池中的光捕获方案,如抗反射涂层、随机纹理等,...
发布时间: 2022 - 03 - 31
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料众所周知,硅的热氧化动力学是一个复杂的过程,涉及到氧化剂进入表面,通过刚刚生长的氧化层运输,最后在大块硅和SiO之间的界面上发生反应,尽管有许多工作致力于这个问题,但一些关键的现象还没有得到很好的解释,如预氧化表面处理的影响,这些表面处理的目标是清洁硅表面的污染物,去除天然的氧化物层,并通过钝化过程改变化学反应行为。根据所使用的清洗步骤顺序,特别是最后一步,表面处理不仅强烈影响生长速率,而且强烈影响整体氧化物和Si/Sio2界面的性质,通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)对薄氧化物层的结构质量进行了比较分析,并与不同的清洗程序所产生的影响有关,这些都是基于标准的RCA方法加上高频溶液蚀刻法,所得结果表明,红外技术能够理解所涉及的现象和完成XPS分析。结合四种清洁处理,CLI(a+b);CL2(b+a):CI3(d+e);CL4(d+e+c)在不同的步骤之间,晶片在4次降雨中用水冲洗,对两组晶片进行了实验,在第一组晶片中,在T = 950°C下,在常规炉中氧化晶片35分钟(标记为F过程),所有的火焰都被一起氧化了,这是一个非常重要的特征,在第二个过程中,晶片在T=1050°C的快速热氧化(RTO)炉中被氧化,就在氧化之后,两组的一些晶片在常规炉中在1000℃退火15分钟(AF ),或者通过快速热退火工艺(RTA)在1050℃退火1...
发布时间: 2022 - 03 - 31
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文讲述的是一种在单个晶圆清洗工艺中使用新型清洗溶液的方法,该方法涉及在单一晶片模式下使用清洗溶液,并且清洗溶液包括至少包括氢氧化铵(NH-OH)、过氧化氢(HO)、水(HO)和螯合剂,在一个实施例中,清洁溶液还包含一种表面活性剂,清洗溶液还包括溶解气体,含有氢氧化铵、过氧化氢、螯合剂和/或表面活性剂和/或溶解氢的相同清洗溶液也可用于多个晶片模式,用于某些应用。一种包括氧化剂和CO气体的去离子水冲洗溶液,所有这些元素结合起来工作,以提高加工效率。硅片的湿式蚀刻和湿式清洗通常是通过将硅片浸入液体中来完成的,这有时也可以通过将液体喷洒到一批晶片上来实现,晶片清洗和蚀刻传统上采用批处理模式进行,即同时处理多个晶片,一个典型的清洗顺序由HF-SC1-SC2组成。HF(氢氟酸)是一种用于蚀刻薄层氧化物,接下来通常是标准的Clean1(SC1溶液),它由NHOH、水和水的混合物组成,有时SC1溶液也被称为APM溶液,它代表过氧化氢氨混合物,SC1溶液主要用于去除颗粒和残留的有机污染。然而,SC1的解决方案却留下了金属污染物。最终的溶液是标准的Clean2溶液(SC2),它是盐酸,H.O.和水的混合物,有时SC2溶液也被称为HPM溶液,它代表盐酸过氧化氢混合物,SC2溶液主要用于去除金属污染,在HF、SC1和SC2溶液之间,通常有一个DI(去离子)水冲洗液,在...
发布时间: 2022 - 03 - 30
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文描述了一种新的和简单的方法,通过监测腐蚀过程中薄膜的电阻来研究湿法腐蚀ITO薄膜的动力学,该方法能够研究0.1至150纳米/分钟之间的蚀刻速率。通常可以区分三种不同的状态:(1)缓慢的初始蚀刻;(2)快速整体蚀刻阶段和(3)结束时的缓慢蚀刻阶段。表明方法特别适合于研究蚀刻过程结束时的现象,在这种情况下,孤立的膜块仍然粘附在衬底上。由于其相当高的导电性和光学透明度,氧化铟锡(ITO)是用于显示器、触摸面板、太阳能电池和其他相关应用的最广泛使用的透明导电氧化物(TCO)之一,ITO薄膜的图案化通常通过光刻来完成,光刻包括在工业过程中主要是湿法蚀刻的蚀刻步骤。在ITO的湿法蚀刻研究中,通常没有明确提到评估蚀刻速率的程序,由于这些研究的焦点是总的蚀刻速率,所以蚀刻速率可能是通过将膜厚度除以总蚀刻时间来评估的,然而,没有提到如何确定总蚀刻时间,评估蚀刻速率的基本假设是蚀刻速率在蚀刻过程中是恒定的。在蚀刻ITO和其它透明导电材料如SnO2和ZnO的薄膜期间,对蚀刻速率的研究需要监测薄膜的厚度或质量相关量,光学监测方法可以是椭偏测量、直接透射和反射测量或通过光栅结构测量透射和反射,因为对于非常薄的膜(此外,测量非常薄的ITO膜的厚度是麻烦的,因为表面粗糙并且在衬底表面上形成孤立的ITO残留物,为了监测蚀刻过程中的蚀刻速率,应用了电阻相关的测量技术,该技术不...
发布时间: 2022 - 03 - 30
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文研究了室温下盐酸和王水溶剂对ITO膜腐蚀行为的影响,在王水中比在盐酸中获得更高的蚀刻速率,然而,通过XPS分析,发现在王水蚀刻剂中比在HCl中有更多的表面残留副产物,在王水和HCl中的表面浓度(氯与铟的比率)分别为7.2和0.38,还观察到,由于离子化杂质散射,表面残留副产物降低了载流子迁移率,如在蚀刻过程后的ITO图案中所见,由于快速蚀刻速率,王水发生了严重的底切,因此,9 M HCl溶液更适合作为ITO/有机发光二极管应用的蚀刻剂。本研究中采用了ITO镀膜玻璃,因为它的薄层电阻低,在可见光区的透明度高(90%),在蚀刻过程开始之前,样品 依次用丙酮、甲醇、去离子水清洗,用N2气体干燥,用不同浓度和温度的盐酸(HCl)和水溶液(硝酸与盐酸的体积比为1:3)进行蚀刻实验,将ITO玻璃垂直浸入蚀刻溶液中,在蚀刻过程中不搅拌,在ITO蚀刻过程之后,进行各种表征。用能量色散谱(EDS)、霍尔测量和扫描电镜(SEM)分别测量了腐蚀前后ITO膜的表面余氯、载流子浓度、迁移率和表面形貌,此外,通过单色 X射线源进行X射线光电子能谱(XPS)测量,在这项工作中报道的所有结合能(BE)都是参考285.3 eV处碳C 1s峰的结合能。此外,用椭偏仪监测腐蚀前后ITO膜的厚度。在本研究中,使用HCl和王水作为蚀刻溶液,蚀刻反应是 In2O3 + 2HC1 → 2...
发布时间: 2022 - 03 - 29
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料在本研究中,我们研究了在液晶显示(LCD)技术中常用的蚀刻剂中相同的ITO薄膜的蚀刻速率,保持浴液温度恒定,并比较了含有相同浓度的酸的溶液,对ITO在最有趣的解决方案中的行为进行了更详细的研究,试图阐明这些浴液中的溶解机制。ITO通过每分钟5.5标准立方厘米的氧流量的直流磁控溅射均匀沉积在玻璃基底上,目标的密度为70%,衬底温度为350°C,沉积电压和功率设置分别为375V和1.7kW,得到的ITO层厚度为120纳米,在550纳米处超过85%的透射率,ITO膜的化学组成通过以下方式获得俄歇电子能谱,都在表面和整体。蚀刻实验是用部分被光刻胶覆盖的ITO样品进行的,样品垂直放置在蚀刻剂中,蚀刻后,样品在去离子水中冲洗,抗蚀剂在丙酮中剥离,样品在氮气流中干燥,测量蚀刻深度,对于每个蚀刻率测定,这至少5次不同的蚀刻时间,蚀刻深度作为时间的函数绘制,蚀刻率以直线的斜率得到,实验在30或50°C条件下进行,温度保持在0.1°C范围内,电化学测量是在室温下进行的标准电化学电池中包含ITO样品,一个大面积铂对流电极和一个饱和热量参比电极(SCE),使用温金恒电位器LB75L,结合高温度仪器小波发生器PPRI和飞利浦X-Y记录器PM8143,在100mV/s的扫描速率下记录伏安图。在室温下在电化学电池中进行电位蚀刻实验,在这些实验中,...
发布时间: 2022 - 03 - 29
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言在未来几代器件中,光刻胶(PR)和残留物的去除变得非常关键。在前端制程(FEOL)离子注入后(源极/漏极、扩展、haIos、深阱),使用PR封闭部分电路导致PR实质上硬化且难以去除。在后段制程(BEOL)蚀刻中,在不去除低k材料的情况下去除抗蚀剂和残留物的选择性是非常具有挑战性的。概述了现状、问题和一些新的方法。 介绍光致抗蚀剂用于保护晶片的某些区域免受干蚀刻化学物质、离子注入等的影响。工艺完成后,需要选择性地去除光致抗蚀剂并清洁表面,以确保表面没有残留物和颗粒。原则上,使用湿化学物质如热SPM、有机溶剂或通过使用干等离子体的“灰化”去除抗蚀剂是可能的。然而,在干法蚀刻或注入处理过程中,抗蚀剂会发生化学改性,这种改性会显著降低剥离速率。如果更具侵略性-例如,使用高度氧化的化学物质,这可能导致晶片上其他材料的不希望的侵蚀。虽然这些考虑几十年来,对于单元工艺开发非常重要,对于45纳米技术节点和更高技术节点的某些iTRS路线图要求变得越来越严格,以至于工业实验室正在考虑对cMOS集成流程的几个模块进行根本性的范式转变。同时,新的替代集成方案,包括使用应变硅、金属硬掩模和金属栅电极,导致不同的要求。这使得对这一主题的研究更加复杂。在下文中,我们总结了现状、问题和新方法,重点关注FEOL中的源漏注入模块和BEOL的低k干法刻蚀模块。 ...
发布时间: 2022 - 03 - 28
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料薄晶片已经成为各种新型微电子产品的基本需求。这些产品包括用于RFID系统的功率器件、分立半导体、光电元件和集成电路。此外,向堆叠管芯组件的转变、垂直系统集成和MEMS器件中的新概念要求晶片厚度薄至小于150 μm。机械研磨因其高减薄率而成为最常见的晶圆减薄技术。研磨系统通常采用两步工艺,先以极高的速度(5米/秒)进行粗磨,然后以较低的速度进行细磨(£ 1米/秒)以去除由粗磨步骤产生的大部分损伤层。然而,在晶片表面附近仍然存在缺陷带。该缺陷区的厚度取决于磨削条件。这些残余缺陷会在变薄的晶片中产生应力,导致额外的弯曲,并导致晶片破裂。由于残留的缺陷层和表面粗糙度,需要在机械研磨后进行额外的减薄工艺来提供可靠的薄晶片。这种最终的蚀刻和表面调节可以通过CMP、干法蚀刻或湿法化学蚀刻来完成。最具成本效益的工艺是湿法蚀刻。与机械研磨相比,在背面使用最终湿法蚀刻工艺减薄的晶片将具有更小的应力。将减少晶片破损,并且在切割之后,芯片将具有更少的裂缝和碎片。根据晶片背面的后续工艺,表面的最佳粗糙度或光滑度可能不同。对于金属沉积,轻微的粗糙度将提高附着力。2对于晶片键合,需要非常光滑的表面。本文对一些关键工艺参数进行了研究,以提供非常均匀的蚀刻和可控的表面光洁度,并对这些工艺进行了演示。 实验性实验是在SSEC 3300系统上进行的。在蚀刻过程中,...
发布时间: 2022 - 03 - 28
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发布时间: 2022 - 03 - 26
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