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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料在最近的半导体清洁方面,以生物碱为基础的RCA清洁法包括大量的超纯和化学液消耗量以及清洁时多余薄膜的损失; 由于环境问题,对新的新精液和清洁方法的研究正在积极进行。 特别是在超纯水中混合气体,利用Megasonic进行功能水清洁,是为了解决传统RCA清洁液存在的问题而进行的清洁液,本研究将高纯度的氢气作为气体接触器; pHasorⅡ和可调节循环速度的水泵, 用BPS-3持续超纯水与氢气混合的方法制备了氢气水,用溶解氢浓度计、DHDI-1确定了氢气水的浓度。 在0.1 MPa压力下,在3LPM的氢气流出速度下,得到了最大2.0 ppm的氢气水,为了评价氢气水的基础特性,测定了氢气浓度变化下的pH值、表面能。 同时测量了压力变化下的半衰期,评价了其在bath型清洁器中应用的可行性。 氢水的清洁力利用Si3N4颗粒被任意污染的硅晶片,在bath和梅叶式清洁器中,将氢水浓度和兆芯形态及添加剂变化后的清洁效率分别与现有的SC-1清洁液进行比较。 在功能水发生装置中,在卸压的情况下,观察到平均半衰期为20分钟, 确定了在压力保持的情况下,氢数的浓度保持不变,对于pH值,随着氢数浓度的逐渐增加而减小,在2.0 ppm的浓度下,pH值为5.3左右,表面张力与超纯相比,可以确定无显著变化。在Bath型的清洁器中,认可megasonic对氢的清洁效率进行了测量,测量...
发布时间: 2021 - 12 - 08
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文使用高频超声波的半导体单片清洗中的微粒子去除进行了研究。水中的超声波在波导管内传播时,根据波导管的内径形成平面波以外的波导管模式,此时,通过LDV测量确认了波导管弯曲振动,成为具有行波分布的传播体。 另外,实验表明,如果在形成清洗液膜的晶片基板上接近配置波导管,利用透过波导管的超声波可以得到均匀的微粒子去除。 在具有行波分布的导波管中,不需要由于空化气泡的捕获而引起的抗压,有可能进行微粒子的去除,有望应用于半导体器件的无损伤清洗。在液膜照射中,由于将传播体靠近晶圆配置,因此形成了比浸渍照射更均匀的声场。 其结果是,在120nm的图案中没有损伤,得到了90%以上的微粒子去除率。此外,正在研究使用在晶圆上形成的铝膜和光刻胶(PR)膜作为缺陷成像膜的方法,结果,即使在低输入下,也观测到了由空化产生的孔缺陷。对不仅适用于CMP后清洗,还适用于32 nm以后的下一代微细图案清洗的超声波清洗机的开发进行了重大研究,提出了以石英波导管为传播体的超声波清洗机用振子。本文提出了以石英波导管为传播体的超声波清洗机用振动预,并说明了液膜照射下超声波传播的原理。 通过激光多普勒振动速度计(LDV)测量试制的传播体的振动速度分布,确认其动作符合提案,其次,进行微粒去除率测量,确认波导管型能够均匀去除微粒子,另外,观察超声波照射产生的空化气泡,考察其与微粒子去除的关系。...
发布时间: 2021 - 12 - 08
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言半导体制造中最先进的电镀应用是基于与标准的电解槽相同的原理。描述了一个具有以下功能组件的电解池:正极、负极、电解质和电源。在所使用的具体例子中,铜电极浸没在单一的硫酸铜基电解质中,并连接到电源。基本的电解池确实是所有半导体镀电反应器的基础,包括用于产生最先进的镀特性的反应器,虽然半导体行业使用多种类型的反应堆,但领先产品和设备的规格驱动了单晶圆喷泉反应器的使用。所有主要的半导体制造商都依赖于某种版本的面朝下、单晶圆、喷泉镀层设计。 图1      图1中的每个基本组件都存在于Gen4反应堆中,本文将重点介绍半导体的基本设计元素。虽然图1中使用的插图描述了电极垂直方向的电极,但Gen4反应器将阳极以水平方向放置在电池的底部。这是为了支持与阴极的有效相互作用,而阴极在半导体处理中就是晶片本身。晶片也水平朝向阳极上方,被镀表面朝下。这种配置有明显的优点,本文将进行讨论。 电流与电镀特征尺寸的关系      高质量的镀膜的沉积要求系统在缺乏电子的条件下运行,根据步长时间终止电镀步骤,假定电流完全符合目标,并且也在很大程度上依赖于系统的定时函数的精度,然而,当达到一定电荷时终止电镀步骤,可以实现更精确的电镀高度控制模式,如果电荷以安培小时为单位表示,那么在一定时间内施加的电...
发布时间: 2021 - 12 - 08
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言在本稿中,由华林科纳简单介绍了现在的清洗方法,以金属污染为例解说污染清洗的机理。通过液体的pH和氧化还原电位的控制,或者添加络合剂,改变各种各样的形态,从基板上除去,或者与基板表面反应再附着。从原理上理解湿式清洗,进而提供对液体中的化学种类的控制的想法,在简单说明清洗的概要之后,以具体例子为基础,解说湿式清洗的科学和以此为基础的污染控制技术。重要的是,理解机理,组成高效且具有再现性的清洗方法。还解说了考虑到清洗机理的新的清洗技术和今后的课题。湿式清洗的必要条件是“以高再现性、低成本实现高清洁的表面”。所要求的水平随着设备的高集成化、低价格化而逐年变得严格,因此,在湿式清洗技术中,为了适应它而需要进化。支撑技术进化的是对其根源的科学的理解。 湿法清洗概述从其形态来看,污染主要分为粒子(微粒子)、金属、有机物、非预期的自然氧化膜。在清洗中要求在维持基板表面原子级的平坦度的同时,彻底除去这些污染。 表1中显示了以RCA清洗法为基础的典型半导体湿法清洗法(清洗顺序)和各个清洗剂的清洗目的以及副作用。 表1以RCA清洗为基础的清洗法最大的问题点是,在去除某一污染物质的过程中,其他污染物质会再次附着在基板上,即存在副作用(表1)。例如,APM清洗对于去除颗粒和有机物污染是非常有效的,但如果液体中混入微量金属,就会再次附着在基板表面。由...
发布时间: 2021 - 12 - 08
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言为了获得高的重力系数,在没有特殊制造工艺的情况下,引入了刮擦和旋涂播种方法的组合,通过使用所提出的方法,可以在二氧化硅衬底上均匀地生长金刚石膜,并且膜对衬底的粘附力在最大值时增加到900牛顿/平方米。为了提高表面导电性,分别引入了表面氧终止和退火弛豫氢缺陷。通过这种氧化处理的传感器显示出温度特性的更好的均匀性。作为高温用压力传感器,人们正在研究开发基于金刚石薄膜的压力传感器。金刚石的化学稳定性高,是宽带隙半导体,因此作为传感器是很有魅力的材料。 但是,使用单晶金刚石的压力传感器虽然具有非常高的灵敏度、1000左右的计量系数(以下称GF)。在本研究中,为了进行电气绝缘,采用了在堆积氧化膜的硅隔膜上形成金刚石的方法,因此进行了探讨,使用结晶尺寸为100 nm的单晶金刚石粉末,金刚石粉末液的浓度为0.25 g/l。 图1在损伤处理中,在金刚石溶液中进行U.S.处理20 min后,使其结晶生长,成长后的SEM像如图1(a)所示。仅通过损伤处理无法得到均匀的成膜,这是因为100 nm的金刚石粉末无法获得足够的核密度,旋涂播种法是将浓度为0.25 g/l的金刚石粉末溶液滴入基板后,以旋转速度2100 rpm进行旋转涂布,涂敷后使金刚石生长2µm的情况如图1(b)所示,从该图可以看出,利用旋涂播种法,基板中心、周边均基本均匀生长,并且得...
发布时间: 2021 - 12 - 08
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料一般的晶系硅太阳能电池的结构概略如图1所示,在兼顾经济性的同时,为了提高太阳能电池的转换效率,进行了很多努力,其中降低硅晶圆表面反射率、降低光反射损耗的技术是提高效率的关键。平坦的硅晶圆的反射率在波长400~1100nm下平均为40%左右,非常高,产生了很大的损耗,为了降低这种表面反射率,太阳能电池的表面涂覆有折射率小于硅的透明薄膜作为抗反射膜,具体来说,使用的是二氧化钛(单晶太阳能电池的情况)和氮化硅(多晶太阳能电池的情况)等薄膜。 图1 普通晶系硅太阳能电池的结构另一项降低表面反射率的重要技术是在硅晶圆表面形成具有细微凹凸形状的结构(称为纹理结构)。 一般的纹理结构是几μ~几十μm大小的凹凸。 作为这样的纹理结构的效果,已知有以下3个(图2为模式图)。①表面多次反射导致表面反射率降低:通过凹凸使表面反射一次的光再次入射。 ②光路长度的增大:由于凹凸,光的行进方向倾斜,其结果是光在硅内部行进的距离变长。 对于硅的吸收系数小的长波长光特别重要。 ③另外,如上述②所述,由于光在硅内部倾斜前进,因此当该光的一部分被背面反射并再次到达表面时,入射角达到临界角以上,发生全反射(内部全反射)。 因此,光被封闭在硅中。形成纹理结构的方法有各种各样的方法,在本解说中,将对使用湿法蚀刻的方法,特别是我们最近开发的使用金属催化剂的方法进行解说。 ...
发布时间: 2021 - 12 - 07
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言不同的电镀系统在晶片上的性能会有很大的不同。特定电镀系统的架构可以从根本上提高——或限制——其可实现的性能。限制的一个例子是简单的湿工作台,它镀到静态晶片上。其结构限制了其均匀性,晶片内的均匀性不超过约10%。然而,当今一些更先进的电镀系统是专门为提高晶片性能而设计的。这可以使他们更容易产生一流水平的一致性。 实验电场分布图:向反应堆系统施加电势会产生电场。该电场将阳离子(反应形成电镀金属的金属离子)推向带负电的晶片;同样,它把电子拉向带正电的阳极。离子受到的力的大小与它与电极的接近程度和施加在电极上的电流直接相关。当正离子(+)在阳极(+)产生时,它们被阳极排斥并被拉向晶片。阳极和阴极/晶片之间的这种近似现实在电镀系统的结构中至关重要。不完全平行于其阳极的静态晶片将由于机械接近而经历固有的线性不均匀性。这个错误只能通过更紧密的机械设计来纠正。静态晶片系统会夸大这种缺陷,而旋转圆盘系统会将这种不平等限制在径向对称上。换句话说,这种不完美的平行性将被完全征服径向考虑。这是简单的几何图形,用旋转的晶片很容易克服。因此,晶片和阳极之间的平行性是普遍重要的,因为从一侧到另一侧的距离的百分比差异将导致场的大小的类似百分比差异,从而对于给定的半径产生不同的电镀速率。 晶片上的电流密度分布图1所示,带有负电荷的晶片将阳离子吸引向它。对于...
发布时间: 2021 - 12 - 07
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言高浓缩臭氧气体已被用来使用通过卤素加热器局部加热的石英炉对碳化硅单晶基底进行干氧化,当臭氧的‰低速度保持在5mcm-1或以上时,臭氧的强氧化能力使碳化硅在明显低于氧氧化的温度下快速氧化,臭氧氧化也导致MOS结构的器件摩擦化过程中界面态密度较低,这可能是因为臭氧氧化在减少碳相关缺陷方面是安全的。与其他化合物半导体不同, 在SiC上与硅器件一样,通过热氧化可以形成氧化硅膜,因此具有比较容易制作MOS结构的优点,目前只能得到SiC MOSFET的沟道迁移率极低的东西,最近也有通过氧化膜的氮化处理和热解再氧化等改善界面状态的报告。 为了解决上述问题,实现低损耗SiC功率MOSFET,各种处理前的氧化膜/SiC的初期界面良好,可以认为会对后期处理的效果产生影响,为此,认为使用臭氧等反应性高的氧化物质是有效的。即由于臭氧等的高氧化力,形成氧化膜,同时抑制与碳相关的界面缺陷的发生。 图1是用于臭氧氧化的石英制氧化炉的概略图。在市售的2个石英法兰之间焊接用熔融石英制作的试料加热部,形成氧化炉管。试料SiC基板放置在氧化炉中可拆卸的不透明石英基座上,通过卤素灯加热器进行辐射加热,基板温度虽然没有直接测量,但在同样的条件下,通过测量对SiC基板进行氧氧化(1气压)时的氧化速度进行了推定。 图2高浓度臭氧与高温容器或配管的内壁接触时,极容易分解成氧气,发...
发布时间: 2021 - 12 - 07
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言本文报告了对SiC单晶使用各种颗粒进行紫外光辅助抛光,通过评价抛光表面性质和加工效率来选择最佳颗粒。 实验为了在不对硬度高、热、化学极其稳定的SiC单晶造成损伤的情况下,在原子水平上高效地进行加工,仅通过机械作用进行加工是不可能的。因此,认为有必要有效地利用某种化学作用,提出并开发了利用紫外光的化学反应的SiC基板的新加工法。实验中使用的横型高速研磨装置的外观照片,在使紫外光透过的合成石英表面板上以任意负荷压入SiC基板的同时, 表面板使用紫外光透过率在90%以上的合成石英,紫外线可以从石英表面盘的背面直接供给加工点进行配置。另外,合成石英表面盘的尺寸为直径50毫米,加工时事先进行了手工包裹处理,表1表示, 紫外光支援研磨的实验条件。加工用的样品, 通过聚氯乙烯表面板使用1 a m金刚石浆料进行抛光, 将表面粗糙度定义为Ra: 使用1nm的6H―SiC(0001), 选择了与C终端面相比研磨效率较低的Si终端面,转数在基板侧为750rpm, 石英表面板侧以625rpm旋转,进行了30分钟的加工。在石英表面板上的各种磨粒的固定是通过制作20wt%的浆料,使用的粒子有氧化钛(TiO₂),氧化锆(ZrO₂),二氧化硅(SiO₂),氧化铈(CeO₂)4种。TiO₂以及ZrO₂是光催化剂的代表例子,通过紫外光的光催化作用,可以期待SiC表面的...
发布时间: 2021 - 12 - 07
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言我们提出了一种新型的过氧化氢溶液中铁板单晶金刚石衬底抛光技术,使用了催化生成的羟基自由基(OH自由基),这是由铁表面的过氧化氢分解产生的,产生了一个原子光滑和无损伤的单晶金刚石表面。为了在不降低金刚石基底高表面光滑度的情况下提高MRR值,我们提出并开发了采用先进氧化工艺的抛光技术。为了阐明该抛光技术中金刚石基底的抛光特性,采用紫外光照射和过氧化氢溶液中的o2或o3微气泡进行了抛光实验,采用扫描白光干涉法测定其表面粗糙度和MRR值。实验结果表明,在过氧化氢溶液中照射紫外光,提供o2或o3微气泡,显著改善了MRR值。 实验图1显示了本实验中使用的实验装置的概念图,在旋转台上安装氧化氢水的加工槽,在加工槽的中央部配置了金属定盘,然后,对于金属定盘的旋转轴,在与金刚石样品对称的位置配置了紫外光照射装置,加工槽内的过氧化氢水,通过泵经常被吸引,通过微泡发生装置混合O2―MB或者O3―MB,返回加工槽内。本实验的加工条件如表1所示。可以任意设定定盘以及样品的旋转速度、接触负荷。  表格1加工前后的形状和表面粗糙度,使用扫描型白色干涉显微镜进行了测定,加工效率是事先在加工前的基板上形成数百nm量级的沟,用扫描型白色干涉计测定并算出加工前后的沟深的变化量。 实验结果加工前后的样品表面的扫描型白色干涉显微镜像如图2所示。...
发布时间: 2021 - 12 - 07
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