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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言半导体设备消耗大量的水,其中大部分用于在清洗过程中冲洗晶圆。为了优化用水,需要对冲洗过程中对晶片清洁度进行实时和现场监测。然而,没有任何现有技术是实时的。本文提出了一种能够实时和现场测量晶片上残留污染的无源无线传感系统。 实验此前,我们开发了一种微加工的电化学残留物传感器(ECRS)来监测晶片的清洁度。该传感器是一个微加工的电阻率传感器。它的特点是一个覆盖电极的介电层,这区别于传统的带有裸电极的微加工电阻率传感器。ECRS采用厚覆盖的电介质层,测量高纵横比微特征内流体的阻抗,以模拟图案晶片的清洁度,ECRS需要互补的电路来读取和分析。由于电线、连接器和电池不能在半导体制造过程中使用的清洁化学物质中存活下来,因此最好采用无线、无源(远程供电)和集成的监控系统。在这项工作中,我们提出了一个原型系统,它扩展了RFID技术来读出ECRS数据,它允许实时、就位、被动和无线监测晶片的清洁度。这种新工具可能为新的冲洗配方提供低资源使用和显著节省成本的半导体设施。 图2 ECRS的冲洗轮廓和冲洗质量评价 图2显示出了相应杂质的特征阻抗曲线,使用ECRS的浓度,当杂质浓度低于10–6mol/m2时,评估“晶圆清洁”阻抗高于200 k2。基于冲洗曲线,可以优化冲洗配方,并且可以分配定制的阈值阻抗以精确确定冲洗终点。在我们的...
发布时间: 2021 - 12 - 03
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言本研究首次建立了适用于非中心摆动喷嘴的清洗刻蚀旋转计算模型,用于评估旋转晶片上HF水溶液对二氧化硅薄膜的刻蚀速率。通过与不同喷嘴摆动宽度下的测量结果进行比较,验证了该模型。 实验图1显示了本次研究中使用的单晶片湿法蚀刻机。这种蚀刻机有一个直径200毫米的晶片,在一个圆柱形容器中以100-1400转/分的速度旋转。HF水溶液(3%)从垂直于晶片表面的4毫米直径喷嘴以1升/分钟的流速向下注射1分钟。如图1所示,这个喷嘴从-R位置摆动到+R位置。注射后,HF水溶液沿着旋转的晶片表面从注射位置输送到晶片边缘,然后最终从晶片边缘溅射到外部。 图1因为本研究中使用的HF浓度非常低,所以在晶片表面引起的反应热非常低。我们忽略了反应热引起的温度变化。这项研究中使用的硅片具有100纳米厚的二氧化硅薄膜,是通过氧化形成的。在蚀刻之前和之后,使用椭圆仪测量二氧化硅膜的厚度,以便从差异获得蚀刻速率。实验获得的蚀刻速率是温度和HF及相关离子(如[H+]和[HF2-])浓度的函数。 结果和讨论为了验证化学反应模型,在使用中心喷嘴评估蚀刻速率行为之后,详细研究了摆动喷嘴的运动。首先,当用于注射HF水溶液的喷嘴设置在旋转晶片的中心时,评估蚀刻速率行为,通过测量和计算获得的二氧化硅蚀刻速率的平均值分别由图3中的黑圈和实线示出。每个值都被评估为晶片...
发布时间: 2021 - 12 - 03
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言半导体材料的光电化学在微电子技术的发展中发挥了重要作用。特别是集成电路技术中使用的许多工艺都是基于电化学原理。原位照明允许有效控制半导体与液体接触时的电化学反应,在这种情况下指的是光电化学蚀刻。 实验众所周知,在氢氧化钾溶液中对n-GaN进行PEC蚀刻可以去除高质量的材料,并留下代表螺纹位错的晶须或纳米线。图1显示从PEC蚀刻的氮化镓尾声层拍摄的SEM图像显示了纳米线在左下角前的分布,在右上角后它们被机械断裂,sbd显示了纳米线堆之间的缺陷。PEC刻蚀氮化镓层的形貌,在蚀刻表面上观察到直径约为50纳米的纳米线堆[参见图1中图像的左下方区域1(a)]。实际上,GaN晶须的形成及其沿表面的分布在很大程度上受电解液组成、紫外激发功率密度和搅拌条件的影响。根据先前的研究,通过PEC蚀刻形成的位错是由氮化镓中的穿透位错的负电荷引起的,因此不能参与蚀刻过程。另一种解释是,位错代表电位降低的区域,光生空穴被排斥并被限制在周围区域,刺激它们的溶解。除了位错之外,生长样品表面的缺陷被证明是耐光电化学侵蚀的。这种缺陷在PEC蚀刻过程中仍然存在,看起来像被纳米叠层包围的桥电线,见图1(b)。我们的实验证明了对PEC的高抗性,对氮化镓层机械处理产生的任何表面缺陷进行蚀刻。特别是两个木针被用来沿着氮化镓表面乱涂乱画,其中一个的末端显示出三重分裂。令人惊讶的是...
发布时间: 2021 - 12 - 03
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言本文主要报道了ProTEK PSB在实际应用条件下的图形化特性、抗蚀性和去除特性。研究发现了ProTEK PSB的两个问题:不可接受的大侧刻和有机溶剂或氧化灰难以去除引物。为了制造一个lsi集成的触觉传感器,我们使用了带有低温氧化物底层的ProTEK PSB。这种组合解决了ProTEK PSB的侧面刻蚀问题和低温氧化物的针孔问题,提供了可以在低温下制备的实用碱性刻蚀掩膜。 实验 首先,在Si基板上适量滴加底漆,在3000pm下旋转涂布1分钟。 涂布底漆后,使用热板在110C下280°℃分钟 用加热1分钟。 然后,滴下ProTEKPSB,与底漆相同,在3000 rpm下旋涂1分钟。 涂上ProTEK PSB后,用热板在110℃下加热1分钟加热。加热后,用I线以1000mJ/cm2的曝光量进行曝光。 曝光后,用热板在110℃下加热2分钟。 影时,在乳酸乙酯中浸泡5分钟,充分搅拌, 显影后,用异丙醇( IPA )清洗,用旋转干燥器干燥。 最后,用热板在220C下加热3分钟使之硬化。 图1如图1所示可以形成4µm,5µm和10µm的线和空间,在这些台阶上测量的膜厚均为3µm。 本研究使用表面形状测量仪进行了膜厚测量, 在图案化后,使用TMAH(25%,80°C)蚀刻Si,...
发布时间: 2021 - 12 - 03
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言电化学技术一直被用于理解和提高各种湿式化学处理步骤的性能,如在集成电路(IC)制造中使用的蚀刻、清洗、钝化和冲洗。本文的目的是提供几个例子,说明如何使用电化学技术来探测湿法加工中的一些重要领域。 在电流产生的集成电路的制造中,大约三分之一的工艺步骤涉及湿式化学处理,如清洗、蚀刻、抛光和冲洗。许多这些步骤涉及导电材料与不同水平溶解气体的水溶液之间的接触,因此电化学现象可能在控制这些步骤的有效性方面发挥重要作用。  电化学效应:电化学增强最近被报道为大气清洗。这种技术被称为声电化学技术,可用于在低超气体功率密度(声电化学技术已被用于清洁被硅颗粒污染的Ta表面。在本研究中,将∼1.5~2V的阴极电位(相对于Ag/AgCl电极)应用于去离子水或氯化钾溶液中,并暴露于0.93MHz声场。首先获得了样品上几个区域的显微镜图像。(如图7所示)  图7清洁图案(介电传导)表面,即使在这项研究中没有研究,使用这种技术是可能的。这是因为1MHz的共振气泡半径为∼3微米,从技术上讲,这种大小的气泡可以在具有小线/空间(L/S)结构的表面上振荡,甚至可以清洗介质区域上的污染物。声场溶液中瞬态空化的表征一直是半导体湿处理中的一个活跃领域。溶解气体的类型和数量大大影响了瞬态空化行为,在含有不同类型溶解气体的大气辐照溶液中进行的高分辨率循环伏安法(C...
发布时间: 2021 - 12 - 03
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料前言砷化镓GaAs(晶片)和氮化镓的热湿氧化是在N2作为主要气体和H2O作为氧化剂进行的。采用x射线衍射、椭偏仪、光反射仪、显微拉曼光谱、光学显微镜和原子力显微镜研究了材料的参数和表面形貌。缺少材料参数或材料参数范围很广,特别是折射率、介电常数及其对氧化物成分和结构的依赖性,构成了测量过程中的一些问题。砷化镓氧化比氮化镓氧化更难,尤其是来自HVPE的氮化镓。 实验砷化镓和氮化镓在一个三区耐电炉中通过使用支架被氧化。为了确定合适的参数,改变了水源温度和反应(氧化)区温度。气体流量和该过程中的时间也有所不同。得到的氧化镓厚度从几纳米到数百纳米。这些研究使用了MOVPE和HVPE在蓝宝石基底上制造的砷化镓晶圆和氮化镓层。湿热氧化反应动力学和反应结果取决于几个参数:区域反应温度(a)、水源温度(水泡器)(b)、主要输送气体(c)、通过水泡器(d)的输送气体、反应时间(e)和凝结气体类型(f)。研究采用裸晶片或脱毛层晶片的砷化镓,氧化温度的范围在483到526摄氏度之间。时间从60分钟到300分钟不等。典型的氮气主流量分别为2800 sccm/min,通过水起泡器的典型流量分别为260和370sccm/min。使用了两种氮化镓样品——蓝宝石基质上的氮化镓脱毛层——MOVPE薄层和HVPE厚层。砷化镓样品的氧化温度较高,分别为:755、795和82...
发布时间: 2021 - 12 - 02
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言用于光电子的半导体激光器等半导体光器件,多利用注入的少数载流子,而且其浓度在2×1018cm―3以上,处于相当高的水平。 在使用GaAs和InP等化合物的光学器件中,作为可靠性较高的加工法,湿法化学蚀刻依然被用于实际应用。对基于化学蚀刻的半导体光器件的微细加工,特别是激光谐振器的形成进行总结,并介绍几个具体例子。 实验 首先,在表1中总结了光·电子设备所需的微细结构及其应用领域。 表1首先,在基板上或生长了2重异质结构的晶圆上形成的脊和台面,用于嵌入异质(BH)激光器等,在FET的栅极制作中,宽度较窄的脊也很重要。 第二个,通道、沟槽、平台,还是应用在折射率波导型半导体激光器上。 如果具有这些形状,在基板上进行晶体生长,核心层的厚度自然变为不均0,形成波导。 最初的形状为脊或台面,用于嵌入式异质(BH)激光、光波导、FET等的通道形成等。  表2在表2 中对台面蚀刻的例子进行总结的1~6,①和③中,如果在GaAs和InP的基板上形成的台面上生长2重异质结构,就会通过一次生长形成嵌入结构。 另外,在②和④中,在形成GaAs/GaAIAs和InP/GaInAsP的2重异质结构后,通过台面蚀刻向活性层下挖掘,然后从两侧生长嵌入层。 总之,台面高度和宽度的控制是一个重要因素。表3中有通道、沟或露台形成...
发布时间: 2021 - 12 - 02
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言我们研究了高温退火法对4h-SiC蚀刻形状的转变。虽然蚀刻掩模是圆形的,但蚀刻的形状是六边形、十二边形或十八边形,这取决于蚀刻面积的大小(图。 1).六边形经过高温退火后,六边形转化为十二边形,十二角形转化为十八边形。 1).不同边缘方向的六边形和十边形的十二边形在退火过程中经历了不同的转变。 2).一条对应于一个{1-10x}面的边显示为一条直线,似乎是最可取的。与{11-2x}面对应的边缘也出现在一个曲线特征中,这表明它是第二大首选。明显的结构(密集),但在11-2倍的表面上微弱(微弱)。 3).因此,在考虑退火变换的情况下,需要在实际器件中设计形状及其方向。我们报告了在SiC沟槽型MOSFET的制作中,通过SiH4/Ar和H2气氛中的2阶段高温退火,可以改善沟槽形状控制和蚀刻侧壁的平滑性(6)。 研究过程中发现SiC表面形状的变化具有晶面取向各向异性。 此次,我们调查了高温退火引起的变形因蚀刻面积和形状的不同而不同,以及退火形成的晶面方位的稳定性。 实验方法 对4H―SiC基板(n型,8°关断,C面)进行清洗后,使用等离子CVD装置成膜了厚度为2.5μm的SiO2膜。 使用一般的照相工艺,在直径不同的圆形、6角形、12角形上对光刻胶进行了图案化。 然后用抗蚀剂作为掩模,用干法蚀刻法蚀刻SiO2图案化了。 干蚀刻是用C...
发布时间: 2021 - 12 - 02
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言概要扫描探针显微系统( SPM )、电子背散射板( ebsd )、极化曲线测量晶体组织对硫酸-过氧化氢蚀刻引起的铜蚀刻速率的影响 接近{001}面的方位快,被蚀刻发现被凹陷后,{111}和{101}面附近的方位被缓慢蚀刻。 显示出大蚀刻速率的多晶体铜,腐蚀电位高,局部阴极反应的极化小。 这表明,多晶体铜的蚀刻速率由各个晶面的过氧化氢还原反应速度的平均值决定。为了调查多晶体的蚀刻速率与晶体组织的关系,测量了轧制铜材、添加剂和成膜条件下晶体组织发生变化的电解镀铜膜的蚀刻速率。 制作的试料的结晶组织用EBSD进行了分析。 进而,通过极化曲线的测量,考察了晶体组织的不同对蚀刻反应的影响。另外,作为缓和组织不同引起的蚀刻速率差、降低咬边的方法,报告了向蚀刻液中添加1 -丙醇的影响。 实验 以无氧铜板三菱伸铜制C1020为试料,作为预处理,以85%磷酸中的试料为阳极,通过极间电压为2 V的恒压电解进行电解研磨,在去除加工变质层的同时使表面平滑。 之后,利用TSI公司制造的带有EBSD系统的FE-SEM日本电子制造的JSM-7001FA,对各个晶粒的方位进行了鉴定。 该试料用SII纳米技术制造的SPM Nano Cute,测量与EBSD测量同视野的SPM像,得到了试料表面的三维形状像。 测量视野为50 m 50 m。 然后,用转速设定为500 r...
发布时间: 2021 - 12 - 02
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言过氧化氢是一种绿色氧化剂,本文概述了其在水中和氧气中分解的爆炸式增长,其全球使用量已从过去三十年的0.5百万工业使用量和三十年前每年百万吨的状态上升到工业制造领域的450万吨,2014年每年的重要细节仍在攀升。与传统的汽车氧化工业和民用部门相比,氧气和氢气的不同用途决定了直接生产的可行性。 实验 全世界所有商业生产的H2O2都来自蒽醌AO工艺。其原料是氢气、蒽醌和空气,氢气是通过甲烷的蒸汽重整就地制造的,而空气是免费的。因此,现代技术采用不需要过滤的固定床反应器,而不是装备有过滤器的老式淤浆型加氢反应器;产物混合物容易从固定床加氢催化剂中分离出来,以便在AO步骤中用压缩空气充气。为了提取有机相中存在的H2O2,将软化水添加到高( 30 m)液-液萃取塔的顶部,以确保水与工作解决方案。水在穿孔塔板上沿塔向下流动,同时工作溶液被泵入塔中。H2O2随后通过蒸馏(用蒸汽,过氧化物不与水形成共沸混合物,并且可以通过蒸馏完全分离)纯化和浓缩至不同的商业等级,通常高达70 %,之后通过加入稳定剂稳定浓缩产品,防止不希望的分解,然后泵入产品储罐。包括均匀的4纳米金属合金纳米颗粒(图2)。 图2一个原因可能是直接合成只能用昂贵的过量纯O2来实现,而不能用自由获得的空气。此外,反应压力通常比AO工艺中通常采用的压力高得多。因为氧气的价格非常高...
发布时间: 2021 - 12 - 02
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